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11. 发明专利

TW201023253A 用於分子連接之表面處理 SURFACE TREATMENT FOR MOLECULAR BONDING 审中-公开
简体标题：用于分子连接之表面处理 SURFACE TREATMENT FOR MOLECULAR BONDING
公开(公告)号：TW201023253A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：TW098137770
申请日：2009-11-06
申请人： S O I 矽科技絕緣體工業公司
发明人：卡斯泰克亞納德 , 高汀葛威塔茲 , 布卡特馬歇爾
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/31053 , H01L21/76256
摘要：本發明揭示一種藉由分子連接將一第一基板(210)連接於一第二基板(220)上之方法,該方法包括如下步驟:.在該第一基板(210)之連接面(210a)上形成一絕緣層(212);.化學機械拋光該絕緣層(212);.藉由電漿處理激活該第二基板(220)之該連接表面;及.藉由分子連接將該兩個基板(210、220)連接在一起;該方法之特徵為:在該化學機械拋光步驟之後且在該連接步驟之前,該方法進一步包括蝕刻形成於該第一基板上之該絕緣層(212)的該表面(212a)之步驟。
简体摘要：本发明揭示一种借由分子连接将一第一基板(210)连接于一第二基板(220)上之方法,该方法包括如下步骤:.在该第一基板(210)之连接面(210a)上形成一绝缘层(212);.化学机械抛光该绝缘层(212);.借由等离子处理激活该第二基板(220)之该连接表面;及.借由分子连接将该两个基板(210、220)连接在一起;该方法之特征为:在该化学机械抛光步骤之后且在该连接步骤之前,该方法进一步包括蚀刻形成于该第一基板上之该绝缘层(212)的该表面(212a)之步骤。

12. 发明专利

TW201017739A 起始分子鍵結之方法 A METHOD OF INITIATING MOLECULAR BONDING 审中-公开
简体标题：起始分子键结之方法 A METHOD OF INITIATING MOLECULAR BONDING
公开(公告)号：TW201017739A
公开(公告)日：2010-05-01
申请号：TW098128545
申请日：2009-08-25
申请人： S O I 矽科技絕緣體工業公司
发明人：卡斯泰克亞納德 , 布卡特馬歇爾
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76251
摘要：本發明係關於一種起始分子鍵結之方法，其包含使第一晶圓(30)之一面(31)面向第二晶圓(20)之一面(21)，並起始兩相對面之間的接觸點。藉由例如利用工具(50)的承載元件(51)，將0.1MPa至33.3MPa範圍內之機械壓力施加於兩晶圓中之一個而起始該接觸點。
简体摘要：本发明系关于一种起始分子键结之方法，其包含使第一晶圆(30)之一面(31)面向第二晶圆(20)之一面(21)，并起始两相对面之间的接触点。借由例如利用工具(50)的承载组件(51)，将0.1MPa至33.3MPa范围内之机械压力施加于两晶圆中之一个而起始该接触点。

13. 发明专利

TW200614377A 混合磊晶之支撐及其製造方法 A SUPPORT FOR HYBRID EPITAXY, AND A METHOD OF FABRICATING IT 审中-公开
简体标题：混合磊晶之支撑及其制造方法 A SUPPORT FOR HYBRID EPITAXY, AND A METHOD OF FABRICATING IT
公开(公告)号：TW200614377A
公开(公告)日：2006-05-01
申请号：TW094118461
申请日：2005-06-03
申请人： S O I 矽科技絕緣體工業公司 S.O.I. TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES
发明人：布魯斯法瑞 FAURE, BRUCE , 海西恩拉瑞奇 LAHRECHE, HACENE
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C30B33/00 , C30B29/36 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/76254 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , H01L29/7787
摘要：本發明提供一種用於製造磊晶之支撐的方法，其包含在一導電單晶碳化矽或氮化鎵之第一基板中形成一絕緣單晶碳化矽或絕緣單晶氮化鎵層。該方法亦包含轉移該單晶碳化矽或氮化鎵層至一第二基板上，該第二基板自一具有1.5 W.cm^–1 .K^–1或更高之熱導率之多晶陶瓷材料形成。本方法使得能夠便宜地製造高效能電子元件，尤其用於高頻功率應用。
简体摘要：本发明提供一种用于制造磊晶之支撑的方法，其包含在一导电单晶碳化硅或氮化镓之第一基板中形成一绝缘单晶碳化硅或绝缘单晶氮化镓层。该方法亦包含转移该单晶碳化硅或氮化镓层至一第二基板上，该第二基板自一具有1.5 W.cm^–1 .K^–1或更高之热导率之多晶陶瓷材料形成。本方法使得能够便宜地制造高性能电子组件，尤其用于高频功率应用。

14. 发明专利

TW200509220A 用於受應力系統之基材及於該基材上長晶之方法 A SUBSTRATE FOR STRESSED SYSTEMS AND A METHOD OF CRYSTAL GROWTH ON SAID SUBSTRATE 失效
简体标题：用于受应力系统之基材及于该基材上长晶之方法 A SUBSTRATE FOR STRESSED SYSTEMS AND A METHOD OF CRYSTAL GROWTH ON SAID SUBSTRATE
公开(公告)号：TW200509220A
公开(公告)日：2005-03-01
申请号：TW093115427
申请日：2004-05-28
申请人： S O I 矽科技絕緣體工業公司 S.O.I. TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES
发明人：法伯瑞思里特崔 LETERTRE, FABRICE , 布魯諾蓋斯林 GHYSELEN, BRUNO , 奧立佛雷莎克 RAYSSAC, OLIVIER
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/187 , B81C1/00365 , B81C2201/0191 , C30B25/183 , H01L21/0237 , H01L21/0243 , H01L21/02439 , H01L21/0245 , H01L21/02513 , H01L21/02658 , H01L21/02664 , H01L21/76254
摘要：本發明提供一種用於晶體生長之載體，其包括：．成核層(2)；．多晶或多孔性緩衝層(4)；及．基材載體(6)。
简体摘要：本发明提供一种用于晶体生长之载体，其包括：．成核层(2)；．多晶或多孔性缓冲层(4)；及．基材载体(6)。

15. 发明专利

TWI527099B 用於回收基材之方法有权
简体标题：用于回收基材之方法
公开(公告)号：TWI527099B
公开(公告)日：2016-03-21
申请号：TW099143806
申请日：2010-12-14
申请人： S O I 矽科技絕緣體工業公司 , S.O.I. TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES
发明人：貝爾安妮萊利 , BELLE, ANNE LAURE
IPC分类号： H01L21/30 , H01L21/263
CPC分类号： H01L21/76251

16. 发明专利

TWI492276B 併合半導體基材之製造程序有权
简体标题：并合半导体基材之制造进程
公开(公告)号：TWI492276B
公开(公告)日：2015-07-11
申请号：TW099108956
申请日：2010-03-25
申请人： S O I 矽科技絕緣體工業公司 , S.O.I. TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES
发明人：伯德里康士坦汀 , BOURDELLE, KONSTANTIN , 阮碧言 , NGUYEN, BICH-YEN , 山達卡馬瑞姆 , SADAKA, MARIAM
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01L21/2007 , H01L21/187 , H01L21/26513 , H01L21/823412 , H01L21/823481 , H01L27/1207

17. 发明专利

TWI475640B 製造具有電路層轉移的多層結構之方法有权
简体标题：制造具有电路层转移的多层结构之方法
公开(公告)号：TWI475640B
公开(公告)日：2015-03-01
申请号：TW099107357
申请日：2010-03-12
申请人： S O I 矽科技絕緣體工業公司 , S.O.I. TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES
发明人：卡斯泰克亞納德 , CASTEX, ARNAUD , 布卡特馬歇爾 , BROEKAART, MARCEL
IPC分类号： H01L21/70 , H01L21/683
CPC分类号： H01L21/2007

18. 发明专利

TW201216513A 藉由原子層沈積以形成半導體材料之系統及方法 SYSTEMS AND METHODS FOR FORMING SEMICONDUCTOR MATERIALS BY ATOMIC LAYER DEPOSITION 审中-公开
简体标题：借由原子层沉积以形成半导体材料之系统及方法 SYSTEMS AND METHODS FOR FORMING SEMICONDUCTOR MATERIALS BY ATOMIC LAYER DEPOSITION
公开(公告)号：TW201216513A
公开(公告)日：2012-04-16
申请号：TW100130169
申请日：2011-08-23
申请人： S O I 矽科技絕緣體工業公司
发明人：維爾克霍文克里斯坦J
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23C16/303 , C23C16/4488 , C23C16/45551 , C30B25/025 , C30B25/14 , C30B29/40
摘要：本發明提供在一基板上沈積一III-V族半導體材料之方法，該等方法包含藉由變更該基板相對於複數個氣柱之空間定位而將一III族元素之一氣態前驅體及一V族元素之一氣態前驅體循序地引入至該基板。舉例而言，該基板可相對於複數個實質上對準之氣柱移動，每一對準之氣柱安置一不同前驅體。用於產生該等前驅體之熱化氣體注入器可包含一入口、一熱化導管、經組態以容納其中之一液體試劑之一液體容器以及一出口。用於在該基板之一表面上形成一或多種III-V族半導體材料之沈積系統可包含經組態以經由該複數個氣柱引導該前驅體至該基板之一或多個此等熱化氣體注入器。
简体摘要：本发明提供在一基板上沉积一III-V族半导体材料之方法，该等方法包含借由变更该基板相对于复数个气柱之空间定位而将一III族元素之一气态前驱体及一V族元素之一气态前驱体循序地引入至该基板。举例而言，该基板可相对于复数个实质上对准之气柱移动，每一对准之气柱安置一不同前驱体。用于产生该等前驱体之热化气体注入器可包含一入口、一热化导管、经组态以容纳其中之一液体试剂之一液体容器以及一出口。用于在该基板之一表面上形成一或多种III-V族半导体材料之沉积系统可包含经组态以经由该复数个气柱引导该前驱体至该基板之一或多个此等热化气体注入器。

19. 发明专利

TW201133581A 用於黏合與轉移一層的程序 PROCESS FOR BONDING AND TRANSFERRING A LAYER 审中-公开
简体标题：用于黏合与转移一层的进程 PROCESS FOR BONDING AND TRANSFERRING A LAYER
公开(公告)号：TW201133581A
公开(公告)日：2011-10-01
申请号：TW099126514
申请日：2010-08-09
申请人： S O I 矽科技絕緣體工業公司
发明人：拉加契布蘭查德克瑞斯提
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76256 , H01L21/304 , H01L21/30608 , Y10T29/49117 , Y10T29/49126
摘要：本發明係關於一種用於將一材料層(12)接合與轉移至一受體基板(2)上之程序，其使用在製造廣泛應用於電子學、光學或光電子學領域中之一基板期間。此程序包括以下步驟：-藉由分子附著而接合該受體基板(2)與一供體基板(1)；-將熱處理施加於前面所提及之堆疊以固結接合界面(5)；-藉由研磨而使該供體基板(1)變薄；-對該供體基板(1)及該受體基板(2)之一部分執行一環形整修；-在前面所提及之步驟之後，對該供體基板(1)之剩餘部分之曝露表面及該受體基板(2)之曝露表面實施一化學蝕刻步驟。
简体摘要：本发明系关于一种用于将一材料层(12)接合与转移至一受体基板(2)上之进程，其使用在制造广泛应用于电子学、光学或光电子学领域中之一基板期间。此进程包括以下步骤：-借由分子附着而接合该受体基板(2)与一供体基板(1)；-将热处理施加于前面所提及之堆栈以固结接合界面(5)；-借由研磨而使该供体基板(1)变薄；-对该供体基板(1)及该受体基板(2)之一部分运行一环形整修；-在前面所提及之步骤之后，对该供体基板(1)之剩余部分之曝露表面及该受体基板(2)之曝露表面实施一化学蚀刻步骤。

20. 发明专利

TWI348205B 直接結合電子學、光學或光電子學所用二基板之方法 A METHOD OF DIRECT BONDING TWO SUBSTRATES USED IN ELECTRONICS, OPTICS, OR OPTOELECTRONICS 有权
简体标题：直接结合电子学、光学或光电子学所用二基板之方法 A METHOD OF DIRECT BONDING TWO SUBSTRATES USED IN ELECTRONICS, OPTICS, OR OPTOELECTRONICS
公开(公告)号：TWI348205B
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：TW096120116
申请日：2007-06-05
申请人： S O I 矽科技絕緣體工業公司
发明人：奧立佛雷莎克 , 康士坦汀伯德里 , 卡洛斯馬楚瑞
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/187
摘要：本發明係關於一種直接結合電子學、光學或光電子學所用二基板(1、2)之前部面(11、21)的方法，該等基板中之至少一者包含一在其前部面(11、21)上或其附近延伸之半導體材料層(1、13、2、20、23)。該方法之值得注意處在於其包含以下步驟：使包含一半導體之該基板之至少該前部面(11、21)，或若二基板皆包含一半導體則該二基板的該等前部面(11、21)中之至少一者在一位於900℃至1200℃之範圍中的溫度下在一包含氫氣及/或氬氣之氣體氣氛中經受結合之前的製備熱處理且持續至少30 s之一持續時期；及將用於結合在一起之該二基板(1、2)之該等各別前部面(11、21)直接結合在一起。
简体摘要：本发明系关于一种直接结合电子学、光学或光电子学所用二基板(1、2)之前部面(11、21)的方法，该等基板中之至少一者包含一在其前部面(11、21)上或其附近延伸之半导体材料层(1、13、2、20、23)。该方法之值得注意处在于其包含以下步骤：使包含一半导体之该基板之至少该前部面(11、21)，或若二基板皆包含一半导体则该二基板的该等前部面(11、21)中之至少一者在一位于900℃至1200℃之范围中的温度下在一包含氢气及/或氩气之气体气氛中经受结合之前的制备热处理且持续至少30 s之一持续时期；及将用于结合在一起之该二基板(1、2)之该等各别前部面(11、21)直接结合在一起。

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