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2. 发明专利

TW201140666A 用於回收基材之方法 PROCESS FOR RECYCLING A SUBSTRATE 审中-公开
简体标题：用于回收基材之方法 PROCESS FOR RECYCLING A SUBSTRATE
公开(公告)号：TW201140666A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：TW099143806
申请日：2010-12-14
申请人： S O I 矽科技絕緣體工業公司
发明人：貝爾安妮萊利
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76251
摘要：本發明係關於一種回收至少一種電磁輻射波長實質上可穿透之材料之支撐基材(25)之方法，該方法包含：a)提供起始基材(10)；b)於具有起始粗糙度之支撐基材(25)之接合面上形成(S1)中間層(15)，該中間層(15)係至少一種電磁輻射波長實質上可穿透之材料，c)於起始基材(10)之接合面(10b)及/或中間層(15)上形成(S2)電磁輻射吸收層(24)，d)經由電磁輻射吸收層(24)將起始基材(10)接合(S3)至支撐基材(25)，及e)經由支撐基材(25)及中間層照射(S4)電磁輻射吸收層(24)，以使支撐基材(25)自起始基材分離。
简体摘要：本发明系关于一种回收至少一种电磁辐射波长实质上可穿透之材料之支撑基材(25)之方法，该方法包含：a)提供起始基材(10)；b)于具有起始粗糙度之支撑基材(25)之接合面上形成(S1)中间层(15)，该中间层(15)系至少一种电磁辐射波长实质上可穿透之材料，c)于起始基材(10)之接合面(10b)及/或中间层(15)上形成(S2)电磁辐射吸收层(24)，d)经由电磁辐射吸收层(24)将起始基材(10)接合(S3)至支撑基材(25)，及e)经由支撑基材(25)及中间层照射(S4)电磁辐射吸收层(24)，以使支撑基材(25)自起始基材分离。

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