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11. 发明专利

TWI398897B Ｚ軸向載台結構及其應用有权
简体标题：Ｚ轴向载台结构及其应用
公开(公告)号：TWI398897B
公开(公告)日：2013-06-11
申请号：TW099137237
申请日：2010-10-29
申请人：漢民微測科技股份有限公司 , HERMES MICROVISION, INC.
发明人：王友金 , WANG, YOU-JIN , 潘忠實 , PAN, CHUNG-SHIH
IPC分类号： H01J37/20
CPC分类号： H01J37/20 , H01J37/28 , H01J2237/0216 , H01J2237/20235

12. 发明专利

TWI395945B 帶電粒子束成像方法與其系統有权
简体标题：带电粒子束成像方法与其系统
公开(公告)号：TWI395945B
公开(公告)日：2013-05-11
申请号：TW098145541
申请日：2009-12-29
申请人：漢民微測科技股份有限公司 , HERMES MICROVISION, INC.
发明人：趙炎 , ZHAO, YAN , 招允家 , JAU, JACK
IPC分类号： G01N23/225
CPC分类号： H01J37/026 , H01J37/265 , H01J37/28 , H01J2237/21

13. 发明专利

TWI395944B 於一樣品之帶電粒子束檢測中判定缺陷之方法以及系統有权
简体标题：于一样品之带电粒子束检测中判定缺陷之方法以及系统
公开(公告)号：TWI395944B
公开(公告)日：2013-05-11
申请号：TW098145536
申请日：2009-12-29
申请人：漢民微測科技股份有限公司 , HERMES MICROVISION, INC.
发明人：張兆禮 , ZHANG, ZHAO-LI , 方偉 , FANG, WEI , 招允家 , JAU, JACK
IPC分类号： G01N23/225 , G06K9/00
CPC分类号： G06T7/001 , G06T2207/30148

14. 发明专利

TWI370501B 用於監測積體電路製程之方法及系統 METHOD AND SYSTEM FOR MONITORING IC PROCESS 有权
简体标题：用于监测集成电路制程之方法及系统 METHOD AND SYSTEM FOR MONITORING IC PROCESS
公开(公告)号：TWI370501B
公开(公告)日：2012-08-11
申请号：TW093134098
申请日：2004-11-09
申请人：漢民微測科技股份有限公司
发明人：招允佳 , 山達拉真斯里尼維森
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G06T7/0004 , G06T2207/30148 , H01L21/67288
摘要：本發明係有關於一種用於測定製程均勻性之方法及系統。該方法係包括選定多數個取樣區域。該多數個取樣區域係包括多數個製程特徵，且各個該多數個取樣區域係包括該多數個製程特徵的至少其中之一。各個該多數個製程特徵係由至少一製造製程所產生。此外，該方法係包括取得分別與該多數個取樣區域相連結的多數個電子顯微鏡影像，處理與該多數個電子顯微鏡影像相連結的資訊，以及分別測定該多數個取樣區域的一第一複數灰階值。另外，該方法係包括處理與該第一複數灰階值相連結的資訊，以及測定該至少一製造製程是否為均勻。
简体摘要：本发明系有关于一种用于测定制程均匀性之方法及系统。该方法系包括选定多数个采样区域。该多数个采样区域系包括多数个制程特征，且各个该多数个采样区域系包括该多数个制程特征的至少其中之一。各个该多数个制程特征系由至少一制造制程所产生。此外，该方法系包括取得分别与该多数个采样区域相链接的多数个电子显微镜影像，处理与该多数个电子显微镜影像相链接的信息，以及分别测定该多数个采样区域的一第一复数灰阶值。另外，该方法系包括处理与该第一复数灰阶值相链接的信息，以及测定该至少一制造制程是否为均匀。

15. 发明专利

TW201142902A 具有多類型偵測子單元之帶電粒子偵測單元 CHARGED PARTICLE BEAM DETECTION UNIT WITH MULTI TYPE DETECTION SUBUNITS 审中-公开
简体标题：具有多类型侦测子单元之带电粒子侦测单元 CHARGED PARTICLE BEAM DETECTION UNIT WITH MULTI TYPE DETECTION SUBUNITS
公开(公告)号：TW201142902A
公开(公告)日：2011-12-01
申请号：TW100106959
申请日：2011-03-02
申请人：漢民微測科技股份有限公司
发明人：汪蘇 , 張旭 , 陳仲瑋
IPC分类号： H01J , G01N
CPC分类号： G01N23/00 , G01N23/04 , G01N23/225 , H01J37/26
摘要：本發明係有關於一種帶電粒子束成像系統之偵測單元,特別是有關於一種帶電粒子束成像系統中以一Wien分析器(Wien filter)( E x B帶電粒子分析器)輔助具有多類型偵測子單元之帶電粒子偵測單元。本發明提出一適用於低電流、高解析度模式及高電流、高輸出模式的成像系統。而將本發明應用於掃描式電子檢視系統僅是為了舉例說明。本發明亦可應用於其他以帶電粒子束做為觀察工具的系統。
简体摘要：本发明系有关于一种带电粒子束成像系统之侦测单元,特别是有关于一种带电粒子束成像系统中以一Wien分析器(Wien filter)( E x B带电粒子分析器)辅助具有多类型侦测子单元之带电粒子侦测单元。本发明提出一适用于低电流、高分辨率模式及高电流、高输出模式的成像系统。而将本发明应用于扫描式电子视图系统仅是为了举例说明。本发明亦可应用于其他以带电粒子束做为观察工具的系统。

16. 发明专利

TW201118758A 視覺化缺陷分類的方法和系統 METHOD AND SYSTEM FOR THE VISUAL CLASSIFICATION OF DEFECTS 审中-公开
简体标题：可视化缺陷分类的方法和系统 METHOD AND SYSTEM FOR THE VISUAL CLASSIFICATION OF DEFECTS
公开(公告)号：TW201118758A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：TW098140085
申请日：2009-11-25
申请人：漢民微測科技股份有限公司
发明人：招允佳 , 張兆禮 , 方偉
IPC分类号： G06K , G06T
摘要：本發明揭露一種用於元件缺陷分類之方法與系統，該方法與系統包含基於一特徵空間（feature space），直接分類複數之樣本以及由該特徵空間內之一特徵群組（feature group）之該等樣本，產生知識（creating knowledge）。最後，該方法與系統包含選擇複數之特徵，藉以針對基於該特徵空間之一特定缺陷分類，由該特徵空間產生一最佳特徵群組。根據本發明之形像分類器是利用三種不同的方法來提高分類的速度和準確性。第一，形像分類器直接地分類資料。第二，形像分類器可以快速而準確地幫助產生與缺陷相關的知識。第三，特徵選擇程序也可以藉由根據本發明之形像分類器進行。
简体摘要：本发明揭露一种用于组件缺陷分类之方法与系统，该方法与系统包含基于一特征空间（feature space），直接分类复数之样本以及由该特征空间内之一特征群组（feature group）之该等样本，产生知识（creating knowledge）。最后，该方法与系统包含选择复数之特征，借以针对基于该特征空间之一特定缺陷分类，由该特征空间产生一最佳特征群组。根据本发明之形像分类器是利用三种不同的方法来提高分类的速度和准确性。第一，形像分类器直接地分类数据。第二，形像分类器可以快速而准确地帮助产生与缺陷相关的知识。第三，特征选择进程也可以借由根据本发明之形像分类器进行。

17. 发明专利

TW201107742A 帶電粒子束成像技術之電荷釋放方式 DISCHARGING METHOD FOR CHARGED PARTICLE BEAM IMAGING 审中-公开
简体标题：带电粒子束成像技术之电荷释放方式 DISCHARGING METHOD FOR CHARGED PARTICLE BEAM IMAGING
公开(公告)号：TW201107742A
公开(公告)日：2011-03-01
申请号：TW099110896
申请日：2010-04-08
申请人：漢民微測科技股份有限公司
发明人：王友金 , 潘中石
IPC分类号： G01N
CPC分类号： H01J37/02 , H01J37/28 , H01J2237/0041 , H01J2237/0044
摘要：本發明提供一種帶電粒子束成像技術之電荷釋放方式:在樣品的表面上形成一導體層或是半導體層，然後，在當樣品在進行帶電粒子束成像的時候，樣品與一具有大電容的物體電性耦合。因此，在樣品表面上的電荷藉由其表面上的導體層或是半導體層快速地移除與釋放。然後，再以一預定的藥劑與此導體層或是半導體層產生反應，而將其由樣品表面移除。此一反應會產生一不會與樣品表面產生物理或是化學鍵結的氣體物質。
简体摘要：本发明提供一种带电粒子束成像技术之电荷释放方式:在样品的表面上形成一导体层或是半导体层，然后，在当样品在进行带电粒子束成像的时候，样品与一具有大电容的物体电性耦合。因此，在样品表面上的电荷借由其表面上的导体层或是半导体层快速地移除与释放。然后，再以一预定的药剂与此导体层或是半导体层产生反应，而将其由样品表面移除。此一反应会产生一不会与样品表面产生物理或是化学键结的气体物质。

18. 发明专利

TW201104243A 檢測荷電粒子顯微影像之微影光罩錯位的方法與系統 METHOD FOR MISALIGNMENT OF PHOTOLITHOGRAPHIC MASKS FROM A CHARGED PARTICLE MICROSCOPIC IMAGE AND SYSTEM THEREOF 审中-公开
简体标题：检测荷电粒子显微影像之微影光罩错位的方法与系统 METHOD FOR MISALIGNMENT OF PHOTOLITHOGRAPHIC MASKS FROM A CHARGED PARTICLE MICROSCOPIC IMAGE AND SYSTEM THEREOF
公开(公告)号：TW201104243A
公开(公告)日：2011-02-01
申请号：TW099110905
申请日：2010-04-08
申请人：漢民微測科技股份有限公司
发明人：蕭宏 , 方偉 , 招允佳
IPC分类号： G01N , G03F
CPC分类号： H01L21/67242 , G03F7/70633
摘要：在此接露一種用於檢測荷電粒子顯微影像之微影光罩錯位的方法，其包含提供樣品的荷電粒子顯微影像的步驟；從該影像定義出一檢測圖案週期的步驟；以該檢測圖案週期為一單元，均化該影像以縮減該影像為平均的檢測圖案週期的步驟；估算平均檢測圖案週期之平均寬度的步驟；以及比較該平均寬度與一初始值，判斷連續之微影光罩錯位出現的步驟。
简体摘要：在此接露一种用于检测荷电粒子显微影像之微影光罩错位的方法，其包含提供样品的荷电粒子显微影像的步骤；从该影像定义出一检测图案周期的步骤；以该检测图案周期为一单元，均化该影像以缩减该影像为平均的检测图案周期的步骤；估算平均检测图案周期之平均宽度的步骤；以及比较该平均宽度与一初始值，判断连续之微影光罩错位出现的步骤。

19. 发明专利

TW201100830A 以帶電粒子顯微鏡影像辨識導電柱塞短路的方法與裝置 METHOD AND APPARATUS FOR IDENTIFYING PLUG-TO-PLUG SHORT FROM A CHARGED PARTICLE MICROSCOPIC IMAGE 审中-公开
简体标题：以带电粒子显微镜影像辨识导电柱塞短路的方法与设备 METHOD AND APPARATUS FOR IDENTIFYING PLUG-TO-PLUG SHORT FROM A CHARGED PARTICLE MICROSCOPIC IMAGE
公开(公告)号：TW201100830A
公开(公告)日：2011-01-01
申请号：TW099108484
申请日：2010-03-23
申请人：漢民微測科技股份有限公司
发明人：蕭宏 , 方偉
IPC分类号： G01R
CPC分类号： H01J37/26 , H01J37/1474 , H01J37/263 , H01J37/28 , H01L22/12
摘要：本發明揭露一種檢視一試片上柱塞至柱塞短路缺陷的方法。一用於試片成像之帶電粒子束於試片上,以線至線推進方向,重複進行線掃描,而線至線推進方向與線掃描方向垂直的。此方法包含,以分別沿一第一方向與一第二方向之線至線推進方式,掃描試片以獲得試片之一第一影像與一第二影像。接著此方法包含辨識具有異常灰階之影像的柱塞圖案為異常柱塞圖案。然後此方法包含比較異常柱塞圖案的位置以決定試片上是否有柱塞至柱塞短路缺陷存在。
简体摘要：本发明揭露一种视图一试片上柱塞至柱塞短路缺陷的方法。一用于试片成像之带电粒子束于试片上,以线至线推进方向,重复进行线扫描,而线至线推进方向与线扫描方向垂直的。此方法包含,以分别沿一第一方向与一第二方向之线至线推进方式,扫描试片以获得试片之一第一影像与一第二影像。接着此方法包含辨识具有异常灰阶之影像的柱塞图案为异常柱塞图案。然后此方法包含比较异常柱塞图案的位置以决定试片上是否有柱塞至柱塞短路缺陷存在。

20. 发明专利

TW201035536A 電子束缺陷複查系統 AN E-BEAM DEFECT REVIEW SYSTEM 审中-公开
简体标题：电子束缺陷复查系统 AN E-BEAM DEFECT REVIEW SYSTEM
公开(公告)号：TW201035536A
公开(公告)日：2010-10-01
申请号：TW098142688
申请日：2009-12-14
申请人：漢民微測科技股份有限公司
发明人：招允佳 , 陳仲瑋 , 王義向 , 潘中石 , 汪蘇 , 劉學東 , 任偉明 , 方偉
IPC分类号： G01N , H01J
CPC分类号： G06T7/001 , G01N23/04 , G01N2223/102 , G01N2223/426 , G01N2223/611 , G06T2207/10061 , G06T2207/30148
摘要：本發明是相關於缺陷複查系統，特別是關於在半導體製程中一晶圓或一圖案微影光罩(pattern lithography reticle)之缺陷的複查取樣、缺陷複查、缺陷分類的裝置與方法。上述目的可以利用比較一複查的圖像與一由智慧型取樣過濾器選取的參考圖像來達到。本發明一實施例揭露一叢集電腦系統，電腦之間以高速網路溝通與資料存取，可節省操作時間。在本發明另一實施例中，揭露一智慧型取樣過濾器根據設計資料庫的參考圖像或一標準樣品的圖像方位，自動執行異常圖塊定位與缺陷分類。本發明一實施例的缺陷複查系統使用之鏡筒係採用改良之SORIL物鏡。可提升處理量，進行材料分析，改善缺陷圖像的品質並提供立體的缺陷圖像。另外，本發明一實施例採用一光學自動對焦次系統以補償由於晶圓表面構形引起的些微高度變異；以及，本發明一實施例採用一表面電荷控制次系統以調節在複查過程中產生的表面電荷累積。
简体摘要：本发明是相关于缺陷复查系统，特别是关于在半导体制程中一晶圆或一图案微影光罩(pattern lithography reticle)之缺陷的复查采样、缺陷复查、缺陷分类的设备与方法。上述目的可以利用比较一复查的图像与一由智能型采样过滤器选取的参考图像来达到。本发明一实施例揭露一集群电脑系统，电脑之间以高速网络沟通与数据存取，可节省操作时间。在本发明另一实施例中，揭露一智能型采样过滤器根据设计数据库的参考图像或一标准样品的图像方位，自动运行异常图块定位与缺陷分类。本发明一实施例的缺陷复查系统使用之镜筒系采用改良之SORIL物镜。可提升处理量，进行材料分析，改善缺陷图像的品质并提供三維的缺陷图像。另外，本发明一实施例采用一光学自动对焦次系统以补偿由于晶圆表面构形引起的些微高度变异；以及，本发明一实施例采用一表面电荷控制次系统以调节在复查过程中产生的表面电荷累积。

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