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111. 发明专利

TWI648120B 用於雷射處理具有3D表面的玻璃工件、平坦非強化的玻璃工件及模製非強化的玻璃工件的方法及使用上述方法所準備的玻璃物品有权
简体标题：用于激光处理具有3D表面的玻璃工件、平坦非强化的玻璃工件及模制非强化的玻璃工件的方法及使用上述方法所准备的玻璃物品
公开(公告)号：TWI648120B
公开(公告)日：2019-01-21
申请号：TW103144121
申请日：2014-12-17
申请人：美商康寧公司 , CORNING INCORPORATED
发明人：瑪加諾維克莎夏 , MARJANOVIC, SASHA , 尼博艾伯特羅斯 , NIEBER, ALBERT ROTH , 皮耶希卡列特安卓 , PIECH, GARRETT ANDREW , 茲達瑟吉歐 , TSUDA, SERGIO , 華格納羅伯特史帝芬 , WAGNER, ROBERT STEPHEN
IPC分类号： B23K26/38 , B23K26/40 , B23K26/08

112. 发明专利

TWI648117B 加工裝置有权
简体标题：加工设备
公开(公告)号：TWI648117B
公开(公告)日：2019-01-21
申请号：TW106144641
申请日：2017-12-19
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：周府隆 , CHOU, FU LUNG , 黃建融 , HUANG, CHIEN JUNG , 胡平浩 , HU, PIN HAO , 林于中 , LIN, YU CHUNG , 李閔凱 , LEE, MIN KAI
IPC分类号： B23K26/064 , B23K26/38 , B23K26/70

113. 发明专利

TWI647043B 雷射加工裝置及雷射加工方法有权
简体标题：激光加工设备及激光加工方法
公开(公告)号：TWI647043B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：TW103111051
申请日：2014-03-25
申请人：日商濱松赫德尼古斯股份有限公司 , HAMAMATSU PHOTONICS K.K.
发明人：河口大祐 , KAWAGUCHI, DAISUKE , 中野誠 , NAKANO, MAKOTO , 杉尾良太 , SUGIO, RYOTA , 廣瀬翼 , HIROSE, TSUBASA , 荒木佳祐 , ARAKI, KEISUKE
IPC分类号： B23K26/38 , B23K26/352 , B23K26/40 , B23K26/06

114. 发明专利

TWI647042B 鍍覆鋼板的雷射切斷加工方法、雷射切斷加工品、熱切斷加工方法、熱切斷加工製品、表面處理鋼板及雷射切斷方法與雷射加工頭有权
简体标题：镀覆钢板的激光切断加工方法、激光切断加工品、热切断加工方法、热切断加工制品、表面处理钢板及激光切断方法与激光加工头
公开(公告)号：TWI647042B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：TW106116436
申请日：2017-05-18
申请人：天田控股股份有限公司 , AMADA HOLDINGS CO., LTD. , 日新製鋼股份有限公司 , NISSHIN STEEL CO., LTD.
发明人：原英夫 , HARA, HIDEO , 伊藤雅仁 , ITO, MASAHITO , 上原正典 , UEHARA, MASANORI , 朝田 , ASADA, HIROSHI , 佐佐木宏和 , SASAKI, HIROKAZU , 堀川裕史 , HORIKAWA, HIROSHI
IPC分类号： B23K26/14 , B23K26/352 , B23K26/38

115. 发明专利

TW201842561A 加工對象物切斷方法审中-公开
简体标题：加工对象物切断方法
公开(公告)号：TW201842561A
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW107113003
申请日：2018-04-17
申请人：日商濱松赫德尼古斯股份有限公司 , HAMAMATSU PHOTONICS K.K.
发明人：坂本剛志 , SAKAMOTO, TAKESHI , 荻原孝文 , OGIWARA, TAKAFUMI , 田口智也 , TAGUCHI, TOMOYA
IPC分类号： H01L21/301 , B23K26/38
摘要：加工對象物切斷方法，具備：第1步驟，其準備加工對象物，該加工對象物具有單結晶矽基板、設在第1主面側的功能元件層；第2步驟，其對加工對象物照射雷射光，藉此沿著複數條切斷預定線的各個，在單結晶矽基板的內部，形成至少1列的改質區域，並沿著複數條切斷預定線的各個，在加工對象物以遍及至少1列的改質區域與加工對象物的第2主面之間的方式來形成龜裂；以及第3步驟，其從第2主面側對加工對象物施以乾蝕刻，藉此沿著複數條切斷預定線的各個，在加工對象物形成往第2主面開口的溝。在第3步驟中，是在沿著複數條切斷預定線的各個形成有氣體通過區域的蝕刻保護層形成在第2主面的狀態下，使用二氟化氙氣，來從第2主面側施以乾蝕刻。
简体摘要：加工对象物切断方法，具备：第1步骤，其准备加工对象物，该加工对象物具有单结晶硅基板、设在第1主面侧的功能组件层；第2步骤，其对加工对象物照射激光光，借此沿着复数条切断预定线的各个，在单结晶硅基板的内部，形成至少1列的改质区域，并沿着复数条切断预定线的各个，在加工对象物以遍及至少1列的改质区域与加工对象物的第2主面之间的方式来形成龟裂；以及第3步骤，其从第2主面侧对加工对象物施以干蚀刻，借此沿着复数条切断预定线的各个，在加工对象物形成往第2主面开口的沟。在第3步骤中，是在沿着复数条切断预定线的各个形成有气体通过区域的蚀刻保护层形成在第2主面的状态下，使用二氟化氙气，来从第2主面侧施以干蚀刻。

116. 发明专利

TW201834043A 發光元件之製造方法审中-公开
简体标题：发光组件之制造方法
公开(公告)号：TW201834043A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW107102833
申请日：2018-01-26
申请人：日商日亞化學工業股份有限公司 , NICHIA CORPORATION
发明人：井上直人 , INOUE, NAOTO , 住友新隆 , SUMITOMO, YOSHITAKA
IPC分类号： H01L21/301 , H01L33/00 , B23K26/38
摘要：本發明係使利用晶圓切斷之製造方法中之良率提高。發光元件之製造方法包含：步驟(A)，其係準備包含基板110、介電多層膜120及半導體構造130之晶圓100W，該基板110具有第1及第2主面，該介電多層膜120係設置於第1主面110a上，該半導體構造130係設置於第2主面110b上；步驟(B)，其係使雷射光經由介電多層膜而聚光於基板之內部，於基板之內部形成改質區域110s，且自改質區域至介電多層膜產生龜裂；步驟(C)，其係於步驟(B)之後，將介電多層膜中之包含龜裂之區域去除；以及步驟(D)，其係於產生龜裂之部位將晶圓切斷。
简体摘要：本发明系使利用晶圆切断之制造方法中之良率提高。发光组件之制造方法包含：步骤(A)，其系准备包含基板110、介电多层膜120及半导体构造130之晶圆100W，该基板110具有第1及第2主面，该介电多层膜120系设置于第1主面110a上，该半导体构造130系设置于第2主面110b上；步骤(B)，其系使激光光经由介电多层膜而聚光于基板之内部，于基板之内部形成改质区域110s，且自改质区域至介电多层膜产生龟裂；步骤(C)，其系于步骤(B)之后，将介电多层膜中之包含龟裂之区域去除；以及步骤(D)，其系于产生龟裂之部位将晶圆切断。

117. 发明专利

TW201826445A 層疊晶片之製造方法审中-公开
简体标题：层叠芯片之制造方法
公开(公告)号：TW201826445A
公开(公告)日：2018-07-16
申请号：TW106131129
申请日：2017-09-12
申请人：日商迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：中村勝 , NAKAMURA, MASARU
IPC分类号： H01L21/78 , B23K26/38 , H01L21/98
摘要： [課題]提供可以製造特定厚度一致之層疊晶片的新穎的層疊晶片之製造方法。　　[解決手段]其係複數晶片被層疊的層疊晶片之製造方法，具備：晶片形成步驟，其係研削晶圓之背面而使晶圓變薄，將晶圓分割成複數晶片；測量步驟，其係測量在該晶片形成步驟所取得之各晶片之厚度；及晶片層疊步驟，其係以層疊複數晶片之時成為特定厚度之方式，根據在該測量步驟所測量出之各晶片之厚度，選擇應層疊之複數晶片而予以層疊。
简体摘要： [课题]提供可以制造特定厚度一致之层叠芯片的新颖的层叠芯片之制造方法。　　[解决手段]其系复数芯片被层叠的层叠芯片之制造方法，具备：芯片形成步骤，其系研削晶圆之背面而使晶圆变薄，将晶圆分割成复数芯片；测量步骤，其系测量在该芯片形成步骤所取得之各芯片之厚度；及芯片层叠步骤，其系以层叠复数芯片之时成为特定厚度之方式，根据在该测量步骤所测量出之各芯片之厚度，选择应层叠之复数芯片而予以层叠。

118. 发明专利

TWI621212B 晶圓之加工方法有权
简体标题：晶圆之加工方法
公开(公告)号：TWI621212B
公开(公告)日：2018-04-11
申请号：TW103138364
申请日：2014-11-05
申请人：迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：內田文雄 , UCHIDA, FUMIO , 堤義弘 , TSUTSUMI, YOSHIHIRO
IPC分类号： H01L21/78 , B23K26/38
CPC分类号： H01L21/78 , B23K26/364 , B23K2203/56 , B28D5/0011 , B28D5/0052 , H01L21/3043 , H01L21/311 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2221/6834

119. 发明专利

TW201806687A 可切換式複合雷射工作機审中-公开
简体标题：可切换式复合激光工作机
公开(公告)号：TW201806687A
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW105127143
申请日：2016-08-24
申请人：星雲電腦股份有限公司 , GREAT COMPUTER CORP.
发明人：吳宇勝 , WU, YU SHENG , 龔哲民 , KUNG, CHE MIN , 石梁 , SHIH, LIANG
IPC分类号： B23K26/062 , B23K26/362 , B23K26/38
摘要：一種可切換式複合雷射工作機，其中各輸出模組之雷射管可具有不相同的雷射波長，而該自動對焦模組包含一供選擇雷射焦距之機械式電子開關，用以提供一選定的雷射焦距零點定位訊號；該控制模組分別連接該複數個輸出模組、該至少一切換模組、該自動對焦模組及該工作平台，用以控制一選定輸出模組的雷射管進行輸出作業，控制所選定輸出模組之對應切換模組的鏡片位移至所選定輸出模組雷射管的雷射光輸出路徑上以改變其雷射光輸出方向，並依據所選定雷射管的波長及所選定雷射焦距零點定位訊號而使該工作平台位移，進而調整所選定輸出雷射光的焦距位置。
简体摘要：一种可切换式复合激光工作机，其中各输出模块之激光管可具有不相同的激光波长，而该自动对焦模块包含一供选择激光焦距之机械式电子开关，用以提供一选定的激光焦距零点定位信号；该控制模块分别连接该复数个输出模块、该至少一切换模块、该自动对焦模块及该工作平台，用以控制一选定输出模块的激光管进行输出作业，控制所选定输出模块之对应切换模块的镜片位移至所选定输出模块激光管的激光光输出路径上以改变其激光光输出方向，并依据所选定激光管的波长及所选定激光焦距零点定位信号而使该工作平台位移，进而调整所选定输出激光光的焦距位置。

120. 发明专利

TW201803636A 多孔狀基板及震盪組件审中-公开
简体标题：多孔状基板及震荡组件
公开(公告)号：TW201803636A
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW105123005
申请日：2016-07-21
申请人：旭暉應用材料股份有限公司
发明人：酈唯誠 , LIH, WEI-CHENG , 武宇翔 , WU, YU-HSIANG
IPC分类号： B01D39/10 , B23K26/38
摘要：一種多孔狀基板及震盪組件，多孔狀基板選用成本適中的AISI-3xx系列不鏽鋼材料，多孔狀基板中形成多個孔洞，且形成網絡狀構造，每一孔洞包含凹穴部以及位於凹穴部內周壁的細小孔徑的通孔部，震盪組件包含多孔狀基板以及驅動多孔狀基板產生震盪的震盪產生元件，多孔狀基板以其網絡狀構造兼具良好的強度與彈性而能易被驅動產生震盪；多孔狀基板之多個孔洞中，凹穴部能蝕刻成形，通孔部以鐳射穿孔形成，在鐳射穿孔加工時，利用凹穴部減縮預定鐳射加工的通孔部深度，且利用通孔部的深度與通孔部的孔徑之比值控制在8:1~15:1，有助於鐳射穿孔加工之進行。
简体摘要：一种多孔状基板及震荡组件，多孔状基板选用成本适中的AISI-3xx系列不锈钢材料，多孔状基板中形成多个孔洞，且形成网络状构造，每一孔洞包含凹穴部以及位于凹穴部内周壁的细小孔径的通孔部，震荡组件包含多孔状基板以及驱动多孔状基板产生震荡的震荡产生组件，多孔状基板以其网络状构造兼具良好的强度与弹性而能易被驱动产生震荡；多孔状基板之多个孔洞中，凹穴部能蚀刻成形，通孔部以激光穿孔形成，在激光穿孔加工时，利用凹穴部减缩预定激光加工的通孔部深度，且利用通孔部的深度与通孔部的孔径之比值控制在8:1~15:1，有助于激光穿孔加工之进行。

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