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1. 发明专利

TW201834043A 發光元件之製造方法审中-公开
简体标题：发光组件之制造方法
公开(公告)号：TW201834043A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW107102833
申请日：2018-01-26
申请人：日商日亞化學工業股份有限公司 , NICHIA CORPORATION
发明人：井上直人 , INOUE, NAOTO , 住友新隆 , SUMITOMO, YOSHITAKA
IPC分类号： H01L21/301 , H01L33/00 , B23K26/38
摘要：本發明係使利用晶圓切斷之製造方法中之良率提高。發光元件之製造方法包含：步驟(A)，其係準備包含基板110、介電多層膜120及半導體構造130之晶圓100W，該基板110具有第1及第2主面，該介電多層膜120係設置於第1主面110a上，該半導體構造130係設置於第2主面110b上；步驟(B)，其係使雷射光經由介電多層膜而聚光於基板之內部，於基板之內部形成改質區域110s，且自改質區域至介電多層膜產生龜裂；步驟(C)，其係於步驟(B)之後，將介電多層膜中之包含龜裂之區域去除；以及步驟(D)，其係於產生龜裂之部位將晶圓切斷。
简体摘要：本发明系使利用晶圆切断之制造方法中之良率提高。发光组件之制造方法包含：步骤(A)，其系准备包含基板110、介电多层膜120及半导体构造130之晶圆100W，该基板110具有第1及第2主面，该介电多层膜120系设置于第1主面110a上，该半导体构造130系设置于第2主面110b上；步骤(B)，其系使激光光经由介电多层膜而聚光于基板之内部，于基板之内部形成改质区域110s，且自改质区域至介电多层膜产生龟裂；步骤(C)，其系于步骤(B)之后，将介电多层膜中之包含龟裂之区域去除；以及步骤(D)，其系于产生龟裂之部位将晶圆切断。

2. 发明专利

TW201921554A 發光元件之製造方法审中-公开
简体标题：发光组件之制造方法
公开(公告)号：TW201921554A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107130062
申请日：2018-08-29
申请人：日商日亞化學工業股份有限公司 , NICHIA CORPORATION
发明人：山口一樹 , YAMAGUCHI, KAZUKI , 竹田陽樹 , TAKEDA, HARUKI , 住友新隆 , SUMITOMO, YOSHITAKA
IPC分类号： H01L21/67 , H01L33/00 , B23K26/364
摘要：本發明提供一種能夠提昇生產性之發光元件之製造方法。根據實施形態，發光元件之製造方法包括雷射光照射步驟及分離步驟。雷射照射步驟係對具有第1面之基板照射雷射光。雷射光照射步驟包括：第1照射步驟，其係使雷射光沿複數條第1線掃描；及第2照射步驟，其係使雷射光沿複數條第2線掃描。複數條第1線於第1方向上延伸，且沿第2方向排列。複數條第2線於第2方向上延伸，且沿第1方向排列。複數條第1線之第1間距大於複數條第2線之第2間距。第1照射步驟中之雷射光之照射之間距為2.0 μm以下。分離步驟係沿複數條第2線使晶圓分離為複數個長條，其後沿複數條第1線使長條分離為複數個發光元件。
简体摘要：本发明提供一种能够提升生产性之发光组件之制造方法。根据实施形态，发光组件之制造方法包括激光光照射步骤及分离步骤。激光照射步骤系对具有第1面之基板照射激光光。激光光照射步骤包括：第1照射步骤，其系使激光光沿复数条第1线扫描；及第2照射步骤，其系使激光光沿复数条第2线扫描。复数条第1线于第1方向上延伸，且沿第2方向排列。复数条第2线于第2方向上延伸，且沿第1方向排列。复数条第1线之第1间距大于复数条第2线之第2间距。第1照射步骤中之激光光之照射之间距为2.0 μm以下。分离步骤系沿复数条第2线使晶圆分离为复数个长条，其后沿复数条第1线使长条分离为复数个发光组件。

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