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91. 发明专利

TWI624430B 作為用於有機薄膜電晶體的半導體之石墨烯奈米帶有权
简体标题：作为用于有机薄膜晶体管的半导体之石墨烯奈米带
公开(公告)号：TWI624430B
公开(公告)日：2018-05-21
申请号：TW103113573
申请日：2014-04-14
申请人：英派爾科技開發有限公司 , EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC
发明人：克雷恩約瑟夫彼得 , KLEIN, JOSEF PETER
IPC分类号： C01B32/20 , B82Y40/00 , B82B3/00 , H01L29/786 , H01L51/05

92. 发明专利

TWI623582B 有機膜電晶體、有機膜電晶體用化合物及其應用有权
简体标题：有机膜晶体管、有机膜晶体管用化合物及其应用
公开(公告)号：TWI623582B
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：TW103124769
申请日：2014-07-18
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：金子明弘 , KANEKO, AKIHIRO , 高久浩二 , TAKAKU, KOJI , 米久田康智 , YONEKUTA, YASUNORI , 平井友樹 , HIRAI, YUKI , 杉浦寛記 , SUGIURA, HIROKI , 小柳雅史 , KOYANAGI, MASASHI , 益居健介 , MASUI, KENSUKE
IPC分类号： C08L65/00 , C08G61/12 , C09D165/00 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/30 , H01L51/05

93. 发明专利

TW201815851A 高分子化合物、將該高分子化合物硬化而成之膜及含有該膜之電子裝置审中-公开
简体标题：高分子化合物、将该高分子化合物硬化而成之膜及含有该膜之电子设备
公开(公告)号：TW201815851A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW106129600
申请日：2017-08-30
申请人：日商住友化學股份有限公司 , SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：横井優季 , YOKOI, YUKI
IPC分类号： C08F220/36 , C08F220/24 , C08F212/14 , C08F220/28 , C08F220/18 , C08F212/08 , H01L51/30 , H01L51/05 , H01L29/786
摘要：本發明之高分子化合物，係包含：具有選自由嵌段化異氰酸基及嵌段化異硫氰基所組成之群組的至少1種基的重複單元、及具有選自由羥基及羧基所組成之群組的至少1種基、以及下述式(1)表示的重複單元，其中，將在前述高分子化合物所含有的全部重複單元的合計含量設為100mol%時，高分子化合物中之具有選自由嵌段化異氰酸基及嵌段化異硫氰基所組成之群組的至少1種基的重複單元之含量為1莫耳%以上且30莫耳%以下， (式(1)中，R1、R2及R3係各自獨立地表示氫原子、或甲基)。
简体摘要：本发明之高分子化合物，系包含：具有选自由嵌段化异氰酸基及嵌段化异硫氰基所组成之群组的至少1种基的重复单元、及具有选自由羟基及羧基所组成之群组的至少1种基、以及下述式(1)表示的重复单元，其中，将在前述高分子化合物所含有的全部重复单元的合计含量设为100mol%时，高分子化合物中之具有选自由嵌段化异氰酸基及嵌段化异硫氰基所组成之群组的至少1种基的重复单元之含量为1莫耳%以上且30莫耳%以下， (式(1)中，R1、R2及R3系各自独立地表示氢原子、或甲基)。

94. 发明专利

TW201811857A 含硼高分子化合物及其用途审中-公开
公开(公告)号：TW201811857A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106117803
申请日：2017-05-31
申请人：綜研化學股份有限公司 , SOKEN CHEMICAL & ENGINEERING CO., LTD.
发明人：大前武士 , OHMAE, TAKESHI , 羽田英樹 , HATA, HIDEKI
IPC分类号： C08G61/12 , H01L51/05
CPC分类号： C08G61/12 , H01L29/786 , H01L35/24 , H01L51/05
摘要：提供一種有機半導體用含硼高分子化合物，該有機半導體用含硼高分子化合物的LUMO/HOMO位準深，且在單位結構中具有廣闊的π共軛平面，因高可溶性而能夠高分子量化。根據本發明的幾個方式，提供一種高分子化合物，包含以下式(1)表示的結構單元，該結構單元包含至少具有2個硼-氮配位元鍵的結構W以及作為具有共軛結構的2價取代基的結構π， m表示0或者1，結構W以下式(2)或者(3)表示，【化2】環X1、X2、Z表示具有共軛結構的單環或者稠環，環Y1、Y2為具有所述硼-氮配位鍵的5元環，α1以及α3的任一方為氮原子，α2以及α4的任一方為氮原子，R1~R4可以相同或不同，可藉由其他骨架鍵合於硼，表示至少具有1個可被取代的碳原子數為10~40的直鏈或支鏈烷基的1價取代基。
简体摘要：提供一种有机半导体用含硼高分子化合物，该有机半导体用含硼高分子化合物的LUMO/HOMO位准深，且在单位结构中具有广阔的π共轭平面，因高可溶性而能够高分子量化。根据本发明的几个方式，提供一种高分子化合物，包含以下式(1)表示的结构单元，该结构单元包含至少具有2个硼-氮配比特键的结构W以及作为具有共轭结构的2价取代基的结构π， m表示0或者1，结构W以下式(2)或者(3)表示，【化2】环X1、X2、Z表示具有共轭结构的单环或者稠环，环Y1、Y2为具有所述硼-氮配位键的5元环，α1以及α3的任一方为氮原子，α2以及α4的任一方为氮原子，R1~R4可以相同或不同，可借由其他骨架键合于硼，表示至少具有1个可被取代的碳原子数为10~40的直链或支链烷基的1价取代基。

95. 发明专利

TWI605035B 用以製造有機電晶體之有機半導體材料溶解用的溶劑或溶劑組成物之用途及組成物有权
简体标题：用以制造有机晶体管之有机半导体材料溶解用的溶剂或溶剂组成物之用途及组成物
公开(公告)号：TWI605035B
公开(公告)日：2017-11-11
申请号：TW102120633
申请日：2013-06-11
申请人：大賽璐股份有限公司 , DAICEL CORPORATION
发明人：鈴木陽二 , SUZUKI, YOUJI , 橫尾健 , YOKOO, TAKESHI , 赤井泰之 , AKAI, YASUYUKI
IPC分类号： C07C273/18 , C07D233/32 , C07D239/36 , H01L51/05
CPC分类号： H01L51/0054 , H01L51/0007 , H01L51/0055 , H01L51/0074 , H01L51/0558

96. 发明专利

TW201724601A 有機半導體裝置的製造方法及粉體审中-公开
简体标题：有机半导体设备的制造方法及粉体
公开(公告)号：TW201724601A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105127405
申请日：2016-08-26
申请人：國立大學法人千葉大學 , NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION CHIBA UNIVERSITY , 日本化藥股份有限公司 , NIPPON KAYAKU KABUSHIKI KAISHA
发明人：酒井正俊 , SAKAI, MASATOSHI , 工藤一浩 , KUDO, KAZUHIRO , 貞光雄一 , SADAMITSU, YUICHI
IPC分类号： H01L51/30 , H01L51/05
摘要：本發明提供一種有機半導體裝置的製造方法以及適合該製造方法之材料，該製造方法能以無溶劑且高生產量地形成有機半導體薄膜。有機半導體裝置的製造方法，係包含將含有有機半導體材料的帶電粉體藉由靜電場的外加而在基材(23)上圖案化的步驟。
简体摘要：本发明提供一种有机半导体设备的制造方法以及适合该制造方法之材料，该制造方法能以无溶剂且高生产量地形成有机半导体薄膜。有机半导体设备的制造方法，系包含将含有有机半导体材料的带电粉体借由静电场的外加而在基材(23)上图案化的步骤。

97. 发明专利

TW201716414A 有機薄膜電晶體、有機薄膜電晶體的製造方法、有機薄膜電晶體用材料、有機薄膜電晶體用組成物、有機半導體膜、化合物审中-公开
简体标题：有机薄膜晶体管、有机薄膜晶体管的制造方法、有机薄膜晶体管用材料、有机薄膜晶体管用组成物、有机半导体膜、化合物
公开(公告)号：TW201716414A
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：TW105124371
申请日：2016-08-02
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION , 國立大學法人東京大學 , THE UNIVERSITY OF TOKYO
发明人：津山博昭 , TSUYAMA, HIROAKI , 小柳雅史 , KOYANAGI, MASASHI , 福﨑英治 , FUKUZAKI, EIJI , 湯本眞敏 , YUMOTO, MASATOSHI , 宇佐美由久 , USAMI, YOSHIHISA , 渡邉哲也 , WATANABE, TETSUYA , 岡本敏宏 , OKAMOTO, TOSHIHIRO , 竹谷純一 , TAKEYA, JUNICHI
IPC分类号： C07D495/14 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40
CPC分类号： C07D471/02 , C07D495/14 , C09B57/08 , H01L29/454 , H01L29/768 , H01L29/786 , H01L51/0056 , H01L51/05
摘要：本發明的課題在於提供一種有機薄膜電晶體、新穎的化合物、有機薄膜電晶體用材料、有機半導體膜、有機薄膜電晶體用組成物及使用其的有機薄膜電晶體的製造方法，所述有機薄膜電晶體具有使用於有機溶劑中的溶解性優異的化合物所製作的有機半導體膜，且載子遷移率優異。本發明的有機薄膜電晶體具有含有通式（1）所表示的化合物的有機半導體膜。
简体摘要：本发明的课题在于提供一种有机薄膜晶体管、新颖的化合物、有机薄膜晶体管用材料、有机半导体膜、有机薄膜晶体管用组成物及使用其的有机薄膜晶体管的制造方法，所述有机薄膜晶体管具有使用于有机溶剂中的溶解性优异的化合物所制作的有机半导体膜，且载子迁移率优异。本发明的有机薄膜晶体管具有含有通式（1）所表示的化合物的有机半导体膜。

98. 发明专利

TW201630916A 有機化合物及其用途审中-公开
简体标题：有机化合物及其用途
公开(公告)号：TW201630916A
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW104140718
申请日：2015-12-04
申请人：日本化藥股份有限公司 , NIPPON KAYAKU KABUSHIKI KAISHA , 國立研究開發法人理化學研究所 , RIKEN
发明人：瀧宮和男 , TAKIMIYA, KAZUO , 阿部正宏 , ABE, MASAHIRO
IPC分类号： C07D495/04 , H01L51/30 , H01L51/05 , H01L51/40
CPC分类号： C07D495/04 , H01L29/786 , H01L29/808 , H01L29/812 , H01L51/05 , H01L51/50 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要：本發明提供一種新穎的有機化合物，其具有高耐熱性及溶解性，可供使用作為有機半導體材料。有機化合物，係以下述式(1)表示。 B-A-D (1)(式(1)中，A是表示自[1]苯并噻吩并[3,2-b][1]苯并噻吩或二萘并[2,3-b：2’,3’-f]噻吩并[3,2-b]噻吩去除2個氫原子後的2價連結基，B是表示下述式(2)表示的取代基，D是表示氫原子、烷基、芳香族殘基或雜環殘基) (式(2)中，n是表示1至10的整數，Z是表示具有碳數1至10的烷基及/或苯基作為取代基之碳數3至10的環狀脂肪族烴殘基，或無取代的碳數3至10之環狀脂肪族烴殘基)。
简体摘要：本发明提供一种新颖的有机化合物，其具有高耐热性及溶解性，可供使用作为有机半导体材料。有机化合物，系以下述式(1)表示。 B-A-D (1)(式(1)中，A是表示自[1]苯并噻吩并[3,2-b][1]苯并噻吩或二萘并[2,3-b：2’,3’-f]噻吩并[3,2-b]噻吩去除2个氢原子后的2价链接基，B是表示下述式(2)表示的取代基，D是表示氢原子、烷基、芳香族残基或杂环残基) (式(2)中，n是表示1至10的整数，Z是表示具有碳数1至10的烷基及/或苯基作为取代基之碳数3至10的环状脂肪族烃残基，或无取代的碳数3至10之环状脂肪族烃残基)。

99. 发明专利

TW201628200A 薄膜電晶體陣列及其製造方法审中-公开
简体标题：薄膜晶体管数组及其制造方法
公开(公告)号：TW201628200A
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW104135180
申请日：2015-10-27
申请人：凸版印刷股份有限公司 , TOPPAN PRINTING CO., LTD.
发明人：松原亮平 , MATSUBARA, RYOHEI , 石崎守 , ISHIZAKI, MAMORU , 西澤誠 , NISHIZAWA, MAKOTO
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/336 , H01L51/05
CPC分类号： H01L27/283 , G02F1/1368 , H01L27/285 , H01L29/786 , H01L51/0004 , H01L51/0558 , H01L51/107
摘要：提供一種電晶體特性的均一性高的薄膜電晶體陣列。薄膜電晶體陣列係複數個薄膜電晶體在基板上配置成陣列狀而成，該複數個薄膜電晶體包含：形成於閘極絕緣層上的源極電極及汲極電極；及在閘極絕緣層上且在源極電極及汲極電極之間形成的半導體層，其中，半導體層係跨越複數個薄膜電晶體而形成為條帶狀，條帶的長軸方向與電晶體的通道寬度方向一致，其形狀為在條帶的短軸方向的剖面膜厚形狀中膜厚從半導體條帶的中央往外側逐漸變薄之形狀。
简体摘要：提供一种晶体管特性的均一性高的薄膜晶体管数组。薄膜晶体管数组系复数个薄膜晶体管在基板上配置成数组状而成，该复数个薄膜晶体管包含：形成于闸极绝缘层上的源极电极及汲极电极；及在闸极绝缘层上且在源极电极及汲极电极之间形成的半导体层，其中，半导体层系跨越复数个薄膜晶体管而形成为条带状，条带的长轴方向与晶体管的信道宽度方向一致，其形状为在条带的短轴方向的剖面膜厚形状中膜厚从半导体条带的中央往外侧逐渐变薄之形状。

100. 发明专利

TW201622013A 電晶體以及電晶體的製造方法审中-公开
简体标题：晶体管以及晶体管的制造方法
公开(公告)号：TW201622013A
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：TW104125314
申请日：2015-08-05
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：宇佐美由久 , USAMI, YOSHIHISA , 前原佳紀 , MAEHARA, YOSHIKI , 一木孝彦 , ICHIKI, TAKAHIKO
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/283 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786 , H01L51/05
CPC分类号： H01L51/0529 , H01L21/283 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/105
摘要：本發明提供一種電晶體以及電晶體的製造方法，其不僅防止由絕緣膜表面的形狀或物質所引起的遷移率的下降，而且防止絕緣層的耐電壓的下降，另外可防止由彎曲所引起的閘極電極與半導體層的短路。所述電晶體包括：具備絕緣性的基板；源極電極及汲極電極，於基板的主面的面方向上相互分離而設置；閘極電極，於基板的面方向上設置於源極電極及汲極電極之間；半導體層，與源極電極及汲極電極接觸而設置；以及絕緣膜，在與基板的主面垂直的方向上設置於閘極電極與半導體層之間；並且於半導體層與絕緣膜之間形成有間隙區域。
简体摘要：本发明提供一种晶体管以及晶体管的制造方法，其不仅防止由绝缘膜表面的形状或物质所引起的迁移率的下降，而且防止绝缘层的耐电压的下降，另外可防止由弯曲所引起的闸极电极与半导体层的短路。所述晶体管包括：具备绝缘性的基板；源极电极及汲极电极，于基板的主面的面方向上相互分离而设置；闸极电极，于基板的面方向上设置于源极电极及汲极电极之间；半导体层，与源极电极及汲极电极接触而设置；以及绝缘膜，在与基板的主面垂直的方向上设置于闸极电极与半导体层之间；并且于半导体层与绝缘膜之间形成有间隙区域。

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