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91. 发明专利

TW200826748A 一體型中間電極及使用其之壓力梯度型電漿槍审中-公开
简体标题：一体型中间电极及使用其之压力梯度型等离子枪
公开(公告)号：TW200826748A
公开(公告)日：2008-06-16
申请号：TW096130999
申请日：2007-08-22
申请人：新明和工業股份有限公司 SHINMAYWA INDUSTRIES, LTD.
发明人：寺倉厚廣 TERAKURA, ATSUHIRO , 丸中正雄 MARUNAKA, MASAO , 土屋貴之 TSUCHIYA, TAKAYUKI
IPC分类号： H05H , C23C
CPC分类号： C23C14/32 , H01J37/31 , H01J37/32431 , H01J2237/08 , H05H1/52
摘要：本發明之一體型中間電極(G),係具備:具有導電性之第1殼體(11);設置成與該第1殼體呈同心狀且與該第1殼體之內周面接觸之具有導電性的第1套筒(12);與該第1殼體呈同心狀收納於該第1殼體的第1磁石(15);設置成與該第1殼體呈同軸狀之具有導電性的第2殼體(17);設置成與該第2殼體呈同心狀且與該第2殼體之內周面接觸之具有導電性之第2套筒(18);以及與該第2殼體呈同心狀收納於該第2殼體的第2磁石(21),該第1殼體與第2殼體係透過絕緣構件(16)一體化。
简体摘要：本发明之一体型中间电极(G),系具备:具有导电性之第1壳体(11);设置成与该第1壳体呈同心状且与该第1壳体之内周面接触之具有导电性的第1套筒(12);与该第1壳体呈同心状收纳于该第1壳体的第1磁石(15);设置成与该第1壳体呈同轴状之具有导电性的第2壳体(17);设置成与该第2壳体呈同心状且与该第2壳体之内周面接触之具有导电性之第2套筒(18);以及与该第2壳体呈同心状收纳于该第2壳体的第2磁石(21),该第1壳体与第2壳体系透过绝缘构件(16)一体化。

92. 发明专利

TWI291196B 一種翻新具有塗覆層之製程室組件的方法 A METHOD OF REFURBISHMENT OF A COATED CHAMBER COMPONENT 失效
简体标题：一种翻新具有涂覆层之制程室组件的方法 A METHOD OF REFURBISHMENT OF A COATED CHAMBER COMPONENT
公开(公告)号：TWI291196B
公开(公告)日：2007-12-11
申请号：TW094113523
申请日：2005-04-27
申请人：應用材料股份有限公司 APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：林宜新 LIN, YIXING , 胡大健 XU, DAJIANG , 韓利羅柏特 HANEY, ROBERT , 史托柯利佛德 STOW, CLIFFORD
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/32431 , B08B3/08 , B08B3/12 , B08B7/0035 , C23C14/564 , H01J9/38
摘要：茲提供一種已清潔及翻新製程處理室之元件。該元件具有一結構，其含一具第一層之上方塗層。為翻新該元件，會移除該第一層以於該結構上形成一暴露表面。於移除該塗層期間或之後，該暴露表面係以一清潔液體清潔之，該清潔液體會於該暴露表面上沉積清潔殘餘物。而該暴露表面會於一實質上非氧化環境中加熱至一足夠高的溫度以由該表面揮發該清潔殘餘物，藉以形成一清潔表面。一第二層並形成於該經清潔表面上。
简体摘要：兹提供一种已清洁及翻新制程处理室之组件。该组件具有一结构，其含一具第一层之上方涂层。为翻新该组件，会移除该第一层以于该结构上形成一暴露表面。于移除该涂层期间或之后，该暴露表面系以一清洁液体清洁之，该清洁液体会于该暴露表面上沉积清洁残余物。而该暴露表面会于一实质上非氧化环境中加热至一足够高的温度以由该表面挥发该清洁残余物，借以形成一清洁表面。一第二层并形成于该经清洁表面上。

93. 发明专利

TWI289892B 電漿處理裝置及電漿處理方法 PLASMA PROCESSING APPARATUS AND PLASMA PROCESSING METHOD 失效
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法 PLASMA PROCESSING APPARATUS AND PLASMA PROCESSING METHOD
公开(公告)号：TWI289892B
公开(公告)日：2007-11-11
申请号：TW092119656
申请日：2003-07-18
申请人：松下電器產業股份有限公司 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
发明人：岩井哲博 TETSUHIRO IWAI , 有田潔 KIYOSHI ARITA
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67109 , H01J37/20 , H01J37/32431 , H01L21/67069 , H01L21/6831
摘要：一種供電漿處理一矽晶圓6之電漿處理裝置，該矽晶圓6沾黏有保護膜6a，該電漿處理係使矽晶圓6由第一電極3藉靜電吸引力固定且經冷卻，第一電極3之頂面3g係由頂面中區A組成，該頂面中區A係於邊線P2內側，向內距離矽晶圓6之外周邊P1一段規定長度，以及其中導體暴露出，以及一環形頂面周邊區B其係包圍該頂面中區A，以及其中該導體係以絕緣塗覆膜3f覆蓋。此種結構經由讓矽晶圓6直接接觸導體，可以足夠靜電夾持力固定矽晶圓6，以及經由矽晶圓6至第一電極3之導熱而提高冷卻效率。
简体摘要：一种供等离子处理一硅晶圆6之等离子处理设备，该硅晶圆6沾黏有保护膜6a，该等离子处理系使硅晶圆6由第一电极3藉静电吸引力固定且经冷却，第一电极3之顶面3g系由顶面中区A组成，该顶面中区A系于边线P2内侧，向内距离硅晶圆6之外周边P1一段规定长度，以及其中导体暴露出，以及一环形顶面周边区B其系包围该顶面中区A，以及其中该导体系以绝缘涂覆膜3f覆盖。此种结构经由让硅晶圆6直接接触导体，可以足够静电夹持力固定硅晶圆6，以及经由硅晶圆6至第一电极3之导热而提高冷却效率。

94. 发明专利

TW200735726A 電漿槍及具備其之電漿槍成膜裝置审中-公开
简体标题：等离子枪及具备其之等离子枪成膜设备
公开(公告)号：TW200735726A
公开(公告)日：2007-09-16
申请号：TW095132116
申请日：2006-08-31
申请人：新明和工業股份有限公司 SHINMAYWA INDUSTRIES, LTD.
发明人：丸中正雄 MARUNAKA, MASAO , 土屋貴之 TSUCHIYA, TAKAYUKI , 寺倉厚廣 TERAKURA, ATSUHIRO
IPC分类号： H05H
CPC分类号： C23C14/32 , H01J37/32431 , H05H1/54
摘要：本發明之電漿槍(1),具備:容器(72),具有電漿流出口(70);陰極(18),配設於容器(72)內部以放電產生電漿;輔助陽極(31),可設置於電漿流出口(70)與陰極(18)之間,能接受陰極(18)所產生之電漿;及排氣閥(26),用以排氣及封閉容器(72)之內部,且具備:電漿流出阻止/容許裝置(30),用以阻止及容許藉由陰極(18)之放電所產生之電漿從電漿流出口(70)流出。
简体摘要：本发明之等离子枪(1),具备:容器(72),具有等离子流出口(70);阴极(18),配设于容器(72)内部以放电产生等离子;辅助阳极(31),可设置于等离子流出口(70)与阴极(18)之间,能接受阴极(18)所产生之等离子;及排气阀(26),用以排气及封闭容器(72)之内部,且具备:等离子流出阻止/容许设备(30),用以阻止及容许借由阴极(18)之放电所产生之等离子从等离子流出口(70)流出。

95. 发明专利

TW200719406A 密封部件及基材處理設備 SEALING PART AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS 审中-公开
简体标题：密封部件及基材处理设备 SEALING PART AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS
公开(公告)号：TW200719406A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：TW095120985
申请日：2006-06-13
申请人：日本華爾卡工業股份有限公司 NIPPON VALQUA INDUSTRIES, LTD.
发明人：林大輔 HAYASHI, DAISUKE , 村松晃 MURAMATSU, AKIRA
IPC分类号： H01L , F16J
CPC分类号： H01L21/67126 , H01J37/32431 , H01J2237/166
摘要：一種密封部件,它是便宜的且能夠在不需要一雙重密封件原本所需之一預定的密封空間下,以絕佳的密封性被緊固。一密封部件密封一減壓容器之內部,使其與減壓容器外部隔離,在該減壓容器中存在有一高-彈性聚合材料-侵蝕之侵蝕物質,且由一基材處理設備所構成,該基材處理設備在一容置於該減壓容器中之基材上施行預定的處理。該密封部件具有一基本密封構件及一真空密封構件。該基本密封構件係設置在該減壓容器之一內側上,且係耐得住該侵蝕物質。該真空密封構件係由該高-彈性聚合材料所製成,且係設置在該減壓容器之一外側上。至少一保護空間係經過彼此分開之至少部份該基本密封構件及至少部份該真空密封構件所形成。該基本密封構件及該真空密封構件係裝在一起。
简体摘要：一种密封部件,它是便宜的且能够在不需要一双重密封件原本所需之一预定的密封空间下,以绝佳的密封性被紧固。一密封部件密封一减压容器之内部,使其与减压容器外部隔离,在该减压容器中存在有一高-弹性聚合材料-侵蚀之侵蚀物质,且由一基材处理设备所构成,该基材处理设备在一容置于该减压容器中之基材上施行预定的处理。该密封部件具有一基本密封构件及一真空密封构件。该基本密封构件系设置在该减压容器之一内侧上,且系耐得住该侵蚀物质。该真空密封构件系由该高-弹性聚合材料所制成,且系设置在该减压容器之一外侧上。至少一保护空间系经过彼此分开之至少部份该基本密封构件及至少部份该真空密封构件所形成。该基本密封构件及该真空密封构件系装在一起。

96. 发明专利

TWI232515B 供電的法拉第屏蔽之電壓調整方法 METHOD FOR ADJUSTING VOLTAGE ON A POWERED FARADAY SHIELD 有权
简体标题：供电的法拉第屏蔽之电压调整方法 METHOD FOR ADJUSTING VOLTAGE ON A POWERED FARADAY SHIELD
公开(公告)号：TWI232515B
公开(公告)日：2005-05-11
申请号：TW092120873
申请日：2003-07-30
申请人：蘭姆研究公司 LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：雪肯特.P.婁荷凱 LOHOKARE, SHRIKANT P. , 安卓斯.庫提 KUTHI, ANDRAS , 安祖.D.貝利三世 BAILEY, III, ANDREW D.
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/321 , H01J37/32174 , H01J37/32431 , H01J37/32623
摘要：提供一種用來調整施加至電感耦合電漿蝕刻設備之法拉第屏蔽之電壓之設備與方法。一適當電壓可容易地且可變地施加至一法拉第屏蔽，如此可控制電漿之噴濺，以避免及減少非揮發性反應產物之沉積，其會負面的影響蝕刻製程。對於一特定蝕刻製程或步驟之適當電壓可簡單藉著調整一可調式電容器而施加至法拉第屏蔽。因此不需要機械性的重新裝配蝕刻設備以調整法拉第屏蔽電壓。
简体摘要：提供一种用来调整施加至电感耦合等离子蚀刻设备之法拉第屏蔽之电压之设备与方法。一适当电压可容易地且可变地施加至一法拉第屏蔽，如此可控制等离子之喷溅，以避免及减少非挥发性反应产物之沉积，其会负面的影响蚀刻制程。对于一特定蚀刻制程或步骤之适当电压可简单借着调整一可调式电容器而施加至法拉第屏蔽。因此不需要机械性的重新装配蚀刻设备以调整法拉第屏蔽电压。

97. 发明专利

TW200410333A 電漿處理裝置、電漿處理方法及半導體製造裝置失效
简体标题：等离子处理设备、等离子处理方法及半导体制造设备
公开(公告)号：TW200410333A
公开(公告)日：2004-06-16
申请号：TW092132589
申请日：2003-11-20
申请人：東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：大內淳子 , 大岩德久
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/32431 , H01J2237/3342
摘要：本發明之電漿處理裝置包含：容器，其收容被處理基體；導入口，其將含氫原子之氣體導入上述容器內；下部電極，其於上述容器內裝載上述被處理基體；上部電極，其為了於上述容器內發生放電而產生電漿，與上述下部電極對峙；電源，其將電壓施加於上述下部電極與上述上部電極之間；及金屬氧化物構造體，其設於上述容器內之一部分，上述金屬氧化物構造體在導入含上述氫原子之氣體時被還原。
简体摘要：本发明之等离子处理设备包含：容器，其收容被处理基体；导入口，其将含氢原子之气体导入上述容器内；下部电极，其于上述容器内装载上述被处理基体；上部电极，其为了于上述容器内发生放电而产生等离子，与上述下部电极对峙；电源，其将电压施加于上述下部电极与上述上部电极之间；及金属氧化物构造体，其设于上述容器内之一部分，上述金属氧化物构造体在导入含上述氢原子之气体时被还原。

98. 发明专利

TW502336B 電漿蝕刻方法失效
简体标题：等离子蚀刻方法
公开(公告)号：TW502336B
公开(公告)日：2002-09-11
申请号：TW090122130
申请日：2001-09-06
申请人：日立製作所股份有限公司
发明人：齊藤剛 , 口正道 , 古林均 , 吉開元彥 , 谷聰
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/32431 , H01J2237/3347 , H01L21/3065
摘要：以熱控制單元11，將真空容器1中的樣品固持器6的溫度降低，以調整矽基底構成的樣品7之溫度至0℃或更低之溫度。然後，藉由使用包括SF6作為主成份並選加地添加O2之蝕刻氣體之電漿蝕刻、於樣品7中形成溝槽。因此，在矽半導體基底中形成溝槽時，可增加蝕刻速率及產能。
简体摘要：以热控制单元11，将真空容器1中的样品固持器6的温度降低，以调整硅基底构成的样品7之温度至0℃或更低之温度。然后，借由使用包括SF6作为主成份并选加地添加O2之蚀刻气体之等离子蚀刻、于样品7中形成沟槽。因此，在硅半导体基底中形成沟槽时，可增加蚀刻速率及产能。

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