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91. 发明专利

TW201604966A 基於非線性鰭部的裝置审中-公开
简体标题：基于非线性鳍部的设备
公开(公告)号：TW201604966A
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW104116075
申请日：2015-05-20
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：迪亞斯奈維爾 , DIAS, NEVILLE , 簡嘉弘 , JAN, CHIA-HONG , 賀菲斯瓦力德 , HAFEZ, WALID M. , 歐賴克法羅曼 , OLAC-VAW, ROMAN W. , 張旭佑 , CHANG, HSU YU , 張婷 , CHANG, TING , 瑞瑪斯維米瑞豪 , RAMASWAMY, RAHUL , 劉培基 , LIU, PEI CHI
IPC分类号： H01L21/331 , H01L29/66
CPC分类号： H01L29/7853 , H01L21/823412 , H01L21/823431 , H01L21/845 , H01L27/0886 , H01L27/1211 , H01L29/0657 , H01L29/0847 , H01L29/1033 , H01L29/41791 , H03D7/1425 , H03D7/1441 , H03D7/1458 , H03D7/1466 , H03D7/165
摘要：實施方式包括裝置包含：非平面鰭部，具有第一部分、第二部分及第三部分，該第一部分、該第二部分及該第三部分各具有主軸及次軸且各相互單石；其中(a)該第一部分、該第二部分及該第三部分的該主軸相互平行，(b)該第一部分及該第二部分的該主軸相互非共線，(c)各該第一部分、該第二部分及該第三部分包含選自包括源極、汲極及通道的群組的電晶體的節點，(e)該第一部分、該第二部分及該第三部分包含至少一鰭部電晶體。其它實施方式於此敘述。
简体摘要：实施方式包括设备包含：非平面鳍部，具有第一部分、第二部分及第三部分，该第一部分、该第二部分及该第三部分各具有主轴及次轴且各相互单石；其中(a)该第一部分、该第二部分及该第三部分的该主轴相互平行，(b)该第一部分及该第二部分的该主轴相互非共线，(c)各该第一部分、该第二部分及该第三部分包含选自包括源极、汲极及信道的群组的晶体管的节点，(e)该第一部分、该第二部分及该第三部分包含至少一鳍部晶体管。其它实施方式于此叙述。

92. 发明专利

TW201546964A 具回填式端子之抗熔絲审中-公开
简体标题：具回填式端子之抗熔丝
公开(公告)号：TW201546964A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：TW104100266
申请日：2015-01-06
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：李呈光 , LEE, CHEN GUAN , 賀菲斯瓦力德 , HAFEZ, WALID M. , 簡嘉弘 , JAN, CHIA-HONG
IPC分类号： H01L21/82
CPC分类号： H01L27/11206 , H01L23/5252 , H01L27/0629 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種抗熔絲可包括一非平面的導電端子，該導電端子具有一高的z部分，其比一低的z部分延伸至一更高的z高度。一第二導電端子被設置在該低的z部分上且被至少一介於中間的介電材料和該第一端子分隔開。一種抗熔絲的製造包括形成一第一開口於一設置在一基材上的第一介電材料中，且下切(undercutting)該第一介電材料的一區域。該第一介電材料的該被下切的區域透過該第一開口來和一第二介電材料(譬如，閘極介電材料)對齊。一導電的第一端子材料透過該第一開口回填該被對齊的被下切的區域。一穿過該第一介電材料的第二開口露出和該被下切的區域對齊的該第二介電材料。一導電的第二端子材料被回填至該第二開口內。
简体摘要：一种抗熔丝可包括一非平面的导电端子，该导电端子具有一高的z部分，其比一低的z部分延伸至一更高的z高度。一第二导电端子被设置在该低的z部分上且被至少一介于中间的介电材料和该第一端子分隔开。一种抗熔丝的制造包括形成一第一开口于一设置在一基材上的第一介电材料中，且下切(undercutting)该第一介电材料的一区域。该第一介电材料的该被下切的区域透过该第一开口来和一第二介电材料(譬如，闸极介电材料)对齐。一导电的第一端子材料透过该第一开口回填该被对齐的被下切的区域。一穿过该第一介电材料的第二开口露出和该被下切的区域对齐的该第二介电材料。一导电的第二端子材料被回填至该第二开口内。

93. 发明专利

TW201539708A 鰭式半導體裝置及方法审中-公开
简体标题：鳍式半导体设备及方法
公开(公告)号：TW201539708A
公开(公告)日：2015-10-16
申请号：TW103144803
申请日：2014-12-22
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：賀菲斯瓦力德 , HAFEZ, WALID M. , 簡嘉弘 , JAN, CHIA-HONG
IPC分类号： H01L27/02 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/74 , H01L21/283
CPC分类号： H01L29/74 , H01L21/2255 , H01L27/0262 , H01L29/0649 , H01L29/41716 , H01L29/66363 , H01L29/785
摘要：揭露了半導體裝置、積體電路裝置及方法之實施例。在一些實施例中，一種半導體裝置可能包括設置於一基板上的一第一鰭片和一第二鰭片。第一鰭片可能具有一部分，包括設置於一第二材料與基板之間的一第一材料、設置於一第三材料與第一材料之間的第二材料、及設置於一第四材料與第二材料之間的第三材料。第一和第三材料可能從外質半導體的一第一類型形成，且第二和第四材料可能從外質半導體之不同的一第二類型形成。第二鰭片可能與第一鰭片側向地分離且與第一、第二、第三或第四材料之至少一者實質上相連。可能揭露及/或主張其他實施例。
简体摘要：揭露了半导体设备、集成电路设备及方法之实施例。在一些实施例中，一种半导体设备可能包括设置于一基板上的一第一鳍片和一第二鳍片。第一鳍片可能具有一部分，包括设置于一第二材料与基板之间的一第一材料、设置于一第三材料与第一材料之间的第二材料、及设置于一第四材料与第二材料之间的第三材料。第一和第三材料可能从外质半导体的一第一类型形成，且第二和第四材料可能从外质半导体之不同的一第二类型形成。第二鳍片可能与第一鳍片侧向地分离且与第一、第二、第三或第四材料之至少一者实质上相连。可能揭露及/或主张其他实施例。

94. 发明专利

TW201539703A 具有導體回填之內嵌式熔絲审中-公开
简体标题：具有导体回填之内嵌式熔丝
公开(公告)号：TW201539703A
公开(公告)日：2015-10-16
申请号：TW104100380
申请日：2015-01-07
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：李呈光 , LEE, CHEN GUAN , 賀菲斯瓦力德 , HAFEZ, WALID M. , 簡嘉弘 , JAN, CHIA-HONG
IPC分类号： H01L23/62
CPC分类号： H01L23/5256 , H01L21/76816 , H01L21/76877 , H01L23/5252 , H01L27/11206 , H01L29/66545 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：內嵌式熔絲結構及製造技術。內嵌式熔絲可包括具有二個高z部分的非平面導電線，該等高z部分延伸至大於被設置於彼等之間的電流載送能力降低的低z部分的較大z高度。設置於該低z線部分之上的介電層具有與(熔絲接點可座落的)該等高z線部分同平面的頂表面。內嵌式熔絲的製造可包括底切被設置於基板之上的第一介電材料的區。該底切區以第二介電材料加襯。一對電接合熔絲端藉由以導電材料回填該已加襯底切區加以形成。在有利實施例中，熔絲製造相容於高K、金屬閘極電晶體及精密多晶矽電阻器製造流程。
简体摘要：内嵌式熔丝结构及制造技术。内嵌式熔丝可包括具有二个高z部分的非平面导电线，该等高z部分延伸至大于被设置于彼等之间的电流载送能力降低的低z部分的较大z高度。设置于该低z线部分之上的介电层具有与(熔丝接点可座落的)该等高z线部分同平面的顶表面。内嵌式熔丝的制造可包括底切被设置于基板之上的第一介电材料的区。该底切区以第二介电材料加衬。一对电接合熔丝端借由以导电材料回填该已加衬底切区加以形成。在有利实施例中，熔丝制造兼容于高K、金属闸极晶体管及精密多晶硅电阻器制造流程。

95. 发明专利

TW201523794A 具有隔離之電荷部位的記憶單元及其製造方法审中-公开
简体标题：具有隔离之电荷部位的记忆单元及其制造方法
公开(公告)号：TW201523794A
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：TW103121560
申请日：2014-06-23
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：張婷 , CHANG TING , 簡嘉弘 , JAN, CHIA-HONG , 賀菲斯瓦力德 , HAFEZ, WALID M.
IPC分类号： H01L21/8239 , H01L27/105
CPC分类号： H01L27/11563 , G11C16/0475 , H01L21/28282 , H01L29/4234 , H01L29/42348 , H01L29/66833 , H01L29/792 , H01L29/7923
摘要：本發明描述具有隔離之電荷部位之記憶單元及製造具有隔離之電荷部位的記憶單元之方法。在實例中，非揮發性電荷捕獲記憶體裝置包含基板，該基板具有通道區域、源極區域及汲極區域。閘極堆疊被設置於該基板上方，位於該通道區域之上。該閘極堆疊包含被設置於該通道區域、第一電荷捕獲區域及第二電荷捕獲區域上方的穿隧介電層。該等區域被設置於該穿隧介電層上方且分開一段距離。該閘極堆疊亦包含被設置於該穿隧介電層上方且介於該第一電荷捕獲區域與該第二電荷捕獲區域之間的隔離介電層。閘極介電層被設置於該第一電荷捕獲區域、該第二電荷捕獲區域及該隔離介電層上方。閘極電極被設置於該閘極介電層的上方。
简体摘要：本发明描述具有隔离之电荷部位之记忆单元及制造具有隔离之电荷部位的记忆单元之方法。在实例中，非挥发性电荷捕获内存设备包含基板，该基板具有信道区域、源极区域及汲极区域。闸极堆栈被设置于该基板上方，位于该信道区域之上。该闸极堆栈包含被设置于该信道区域、第一电荷捕获区域及第二电荷捕获区域上方的穿隧介电层。该等区域被设置于该穿隧介电层上方且分开一段距离。该闸极堆栈亦包含被设置于该穿隧介电层上方且介于该第一电荷捕获区域与该第二电荷捕获区域之间的隔离介电层。闸极介电层被设置于该第一电荷捕获区域、该第二电荷捕获区域及该隔离介电层上方。闸极电极被设置于该闸极介电层的上方。

96. 发明专利

TWI487116B 用於非平面半導體裝置架構的精密電阻器有权
简体标题：用于非平面半导体设备架构的精密电阻器
公开(公告)号：TWI487116B
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：TW102131802
申请日：2013-09-04
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：葉正亞 , YEH, JENG YA D. , 汎德佛彼德 , VANDERVOORN, PETER J. , 賀菲斯瓦力德 , HAFEZ, WALID M. , 簡嘉弘 , JAN, CHIA-HONG , 蔡柯堤斯 , TSAI, CURTIS , 朴朱東 , PARK, JOODONG
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/823431 , H01L27/0629 , H01L27/0886 , H01L28/20 , H01L29/66545 , H01L29/66795

97. 发明专利

TW201507158A 鰭爲基的電晶體架構上的平坦裝置审中-公开
简体标题：鳍为基的晶体管架构上的平坦设备
公开(公告)号：TW201507158A
公开(公告)日：2015-02-16
申请号：TW103111027
申请日：2014-03-25
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：賀菲斯瓦力德 , HAFEZ, WALID M. , 汎德佛彼德 , VANDERVOORN, PETER J. , 簡嘉弘 , JAN, CHIA-HONG
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/40
CPC分类号： H01L27/0886 , H01L21/823431 , H01L29/1608 , H01L29/161
摘要：用以在場效電晶體(finFET)製造程序流程期間形成平坦狀電晶體裝置於鰭為基的finFET架構上的技術被揭示。在一些實施例中，該平坦狀電晶體可包括例如半導體層，其被生長以局部合併/橋接該finFET架構的複數個相鄰鰭且後續平坦化以提供該平坦狀電晶體可被形成於其上的高品質平坦表面。在一些例子中，該半導體合併層可為橋接式磊晶生長，例如，包含磊晶矽。在一些實施例中，此種平坦狀裝置可有助於例如類比、高壓、寬Z電晶體製造。並且，在finFET流程期間提供此種平坦狀裝置可容許電晶體裝置的形成，例如，展現較低電容、較寬Z、及/或較少高電場位置而用於改善高壓可靠度，這可在一些例子中使此種裝置適於類比設計。
简体摘要：用以在场效应管(finFET)制造进程流程期间形成平坦状晶体管设备于鳍为基的finFET架构上的技术被揭示。在一些实施例中，该平坦状晶体管可包括例如半导体层，其被生长以局部合并/桥接该finFET架构的复数个相邻鳍且后续平坦化以提供该平坦状晶体管可被形成于其上的高品质平坦表面。在一些例子中，该半导体合并层可为桥接式磊晶生长，例如，包含磊晶硅。在一些实施例中，此种平坦状设备可有助于例如模拟、高压、宽Z晶体管制造。并且，在finFET流程期间提供此种平坦状设备可容许晶体管设备的形成，例如，展现较低电容、较宽Z、及/或较少高电场位置而用于改善高压可靠度，这可在一些例子中使此种设备适于模拟设计。

98. 发明专利

TW201248631A 利用偏壓溫度不穩定性效應於高介電常數金屬閘金氧半導體的記憶胞元 MEMORY CELL USING BTI EFFECTS IN HIGH-K METAL GATE MOS 审中-公开
简体标题：利用偏压温度不稳定性效应于高介电常数金属闸金属氧化物半导体的记忆胞元 MEMORY CELL USING BTI EFFECTS IN HIGH-K METAL GATE MOS
公开(公告)号：TW201248631A
公开(公告)日：2012-12-01
申请号：TW100145539
申请日：2011-12-09
申请人：英特爾股份有限公司
发明人：賀菲斯瓦力德 , 洛曼阿尼瑟 , 簡嘉弘
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C7/00 , G11C17/16 , G11C17/18 , H03K19/173
摘要：針對實行利用高介電常數/金屬閘n型或p型金氧半導體(NMOS或PMOS)電晶體的偏壓溫度不穩定性(BTI)效應之非易失性儲存器而發表技術與電路。舉例來說,記憶體的經編程之位元胞元(bitcell)或可編程邏輯電路(programmable logic circuit)係顯現臨限電壓偏移,而該臨限電壓偏移是由用來將位元胞元編程的外加編程偏壓所導致。在某些情況中,施加第一編程偏壓係造成該裝置具有第一狀態,而施加第二編程偏壓係造成該裝置具有與該第一狀態不同的第二狀態。經編程之位元胞元可藉由施加反極性應力來加以抹除,並透過多個循環來加以再編程。根據某些實施例,位元胞元組態可配合行/列選擇電路及/或讀出電路來加以使用。
简体摘要：针对实行利用高介电常数/金属闸n型或p型金属氧化物半导体(NMOS或PMOS)晶体管的偏压温度不稳定性(BTI)效应之非易失性存储器而发表技术与电路。举例来说,内存的经编程之比特胞元(bitcell)或可编程逻辑电路(programmable logic circuit)系显现临限电压偏移,而该临限电压偏移是由用来将比特胞元编程的外加编程偏压所导致。在某些情况中,施加第一编程偏压系造成该设备具有第一状态,而施加第二编程偏压系造成该设备具有与该第一状态不同的第二状态。经编程之比特胞元可借由施加反极性应力来加以抹除,并透过多个循环来加以再编程。根据某些实施例,比特胞元组态可配合行/列选择电路及/或读出电路来加以使用。

99. 发明专利

TW201242024A 多閘電晶體 MULTI-GATE TRANSISTORS 审中-公开
简体标题：多闸晶体管 MULTI-GATE TRANSISTORS
公开(公告)号：TW201242024A
公开(公告)日：2012-10-16
申请号：TW100147135
申请日：2011-12-19
申请人：英特爾股份有限公司
发明人：簡嘉弘 , 蔡柯堤斯 , 朴朱東 , 葉正亞 , 賀菲斯瓦力德
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/823857 , H01L21/26506 , H01L21/28158 , H01L21/2822 , H01L21/823462 , H01L29/495 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/66545 , H01L29/78
摘要：本發明係揭示具有至少三或四種不同形式電晶體之裝置,其中各電晶體至少藉由厚度及/或閘極介電區的構成要素而有所區別。同時也揭示製造該具有至少三或四種不同形式電晶體之裝置的方法,係至少藉由厚度及/或閘極介電區之構成要素而有所區別。
简体摘要：本发明系揭示具有至少三或四种不同形式晶体管之设备,其中各晶体管至少借由厚度及/或闸极介电区的构成要素而有所区别。同时也揭示制造该具有至少三或四种不同形式晶体管之设备的方法,系至少借由厚度及/或闸极介电区之构成要素而有所区别。

100. 发明专利

TW201250994A 具有雙重功函數電極之非揮發性儲存元件 NON-VOLATILE STORAGE ELEMENT HAVING DUAL WORK-FUNCTION ELECTRODES 审中-公开
简体标题：具有双重功函数电极之非挥发性存储组件 NON-VOLATILE STORAGE ELEMENT HAVING DUAL WORK-FUNCTION ELECTRODES
公开(公告)号：TW201250994A
公开(公告)日：2012-12-16
申请号：TW100143926
申请日：2011-11-30
申请人：英特爾股份有限公司
发明人：賀菲斯瓦力德 , 洛曼阿尼瑟
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/792 , G11C16/0466 , H01L21/28282 , H01L28/40 , H01L29/4234 , H01L29/513 , H01L45/00
摘要：一種非揮發性儲存元件以及一種形成儲存元件的方法。非揮發性儲存元件包含:一第一電極,其包括具有一第一功函數之一第一材料;一第二電極,其包括具有高於第一功函數之一第二功函數的一第二材料;一第一介電質設置於第一電極及第二電極之間,第一介電質具有一第一能隙;一第二介電質設置於第一介電質及第二電極之間,第二介電質具有比第一能隙寬的一第二能隙且係設置使得一量子井產生於第一介電質中;以及一第三介電質設置於第一電極及第一介電質之間,第三介電質比第二介電質薄且具有比第一能隙寬的一第三能隙。
简体摘要：一种非挥发性存储组件以及一种形成存储组件的方法。非挥发性存储组件包含:一第一电极,其包括具有一第一功函数之一第一材料;一第二电极,其包括具有高于第一功函数之一第二功函数的一第二材料;一第一介电质设置于第一电极及第二电极之间,第一介电质具有一第一能隙;一第二介电质设置于第一介电质及第二电极之间,第二介电质具有比第一能隙宽的一第二能隙且系设置使得一量子井产生于第一介电质中;以及一第三介电质设置于第一电极及第一介电质之间,第三介电质比第二介电质薄且具有比第一能隙宽的一第三能隙。

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