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1. 发明专利

TWI540221B 使用激發氮－氧物種之金屬氧化物薄膜沉積之系統及方法有权
简体标题：使用激发氮－氧物种之金属氧化物薄膜沉积之系统及方法
公开(公告)号：TWI540221B
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW099127063
申请日：2010-08-13
申请人： ASM美國公司 , ASM AMERICA, INC.
发明人：席羅艾瑞克 , SHERO, ERIC , 瑞薩能派提I , RAISANEN, PETRI I. , 鄭相鎬 , JUNG, SUNG HOON , 王強剛 , WANG, CHANG-GONG
IPC分类号： C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/515
CPC分类号： C23C16/40 , C01B13/11 , C01B2201/64 , C23C16/45553 , C23C16/52

2. 发明专利

TWI701357B 用於膜沉積的脈衝化電漿有权
简体标题：用于膜沉积的脉冲化等离子
公开(公告)号：TWI701357B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：TW105108164
申请日：2016-03-16
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：薛君 , XUE, JUN , 葛迪魯多維 , GODET, LUDOVIC , 奈馬尼史林尼法斯 , NEMANI SRINIVAS , 史托威爾麥克W , STOWELL, MICHAEL W. , 梁奇偉 , LIANG, QIWEI , 布希博格二世道格拉斯A , BUCHBERGER JR., DOUGLAS A.
IPC分类号： C23C16/515 , C23C16/52

3. 发明专利

TWI493622B 改善電漿輔助化學氣相沈積（ＰＥＣＶＤ）膜的程序控制及膜保形性之方法有权
简体标题：改善等离子辅助化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）膜的进程控制及膜保形性之方法
公开(公告)号：TWI493622B
公开(公告)日：2015-07-21
申请号：TW098135283
申请日：2009-10-19
申请人：諾菲勒斯系統公司 , NOVELLUS SYSTEMS, INC.
发明人：豪斯曼丹尼斯 , HAUSMANN, DENNIS , 西姆斯詹姆斯S , SIMS, JAMES S. , 安東尼里安德魯 , ANTONELLI, ANDREW , 瓦拉達拉詹西夏 , VARADARAJAN, SESHA , 凡史拉凡迪克巴特 , VAN SCHRAVENDIJK, BART
IPC分类号： H01L21/314 , C23C16/30 , C23C16/515 , C23C16/52
CPC分类号： H01L21/31612 , C23C16/345 , C23C16/402 , C23C16/515 , C23C16/52 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/3185

4. 发明专利

TWI648426B 活性氣體生成裝置有权
简体标题：活性气体生成设备
公开(公告)号：TWI648426B
公开(公告)日：2019-01-21
申请号：TW105133689
申请日：2016-10-19
申请人：東芝三菱電機產業系統股份有限公司 , TOSHIBA MITSUBISHI-ELECTRIC INDUSTRIAL SYSTEMS CORPORATION
发明人：渡辺謙資 , WATANABE, KENSUKE , 西村真一 , NISHIMURA, SHINICHI , 山田義人 , YAMADA, YOSHIHITO
IPC分类号： C23C16/50 , C23C16/515 , C23F4/00 , H01L21/02

5. 发明专利

TW201531587A 具有脈衝式電漿曝露之電漿輔助式原子層沉積审中-公开
简体标题：具有脉冲式等离子曝露之等离子辅助式原子层沉积
公开(公告)号：TW201531587A
公开(公告)日：2015-08-16
申请号：TW103145386
申请日：2014-12-25
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：希姆斯詹姆士S , SIMS, JAMES S. , 亨利強 , HENRI, JON , 凱爾克納凱瑟琳M , KELCHNER, KATHRYN M. , 詹賈姆沙堤什巴布 SV , JANJAM, SATHISH BABU S.V. , 唐沙恩 , TANG, SHANE
IPC分类号： C23C16/513 , C23C16/515
摘要：此處的實施例聚焦在使用脈衝式電漿的電漿輔助式原子層沉積(PEALD)程序。雖然習知的PEALD程序在電漿曝露/轉變操作期間使用連續波電漿，此處的實施例在此操作期間使用脈衝式電漿以完成具有高品質的側壁膜層。因為習知的PEALD技術會在特徵部的底部與頂部產生具有高品質的膜層但在側壁上產生低品質的膜層，故與利用習知連續波電漿技術所完成的膜層相比，在所揭露之實施例中的「增加側壁膜層品質」相當於整體品質上較為均勻的膜層。
简体摘要：此处的实施例聚焦在使用脉冲式等离子的等离子辅助式原子层沉积(PEALD)进程。虽然习知的PEALD进程在等离子曝露/转变操作期间使用连续波等离子，此处的实施例在此操作期间使用脉冲式等离子以完成具有高品质的侧壁膜层。因为习知的PEALD技术会在特征部的底部与顶部产生具有高品质的膜层但在侧壁上产生低品质的膜层，故与利用习知连续波等离子技术所完成的膜层相比，在所揭露之实施例中的“增加侧壁膜层品质”相当于整体品质上较为均匀的膜层。

6. 发明专利

TWI429782B 電漿成膜方法以及電漿ＣＶＤ裝置有权
简体标题：等离子成膜方法以及等离子ＣＶＤ设备
公开(公告)号：TWI429782B
公开(公告)日：2014-03-11
申请号：TW097140683
申请日：2008-10-23
申请人：島津製作所股份有限公司 , SHIMADZU CORPORATION
发明人：鈴木正康 , SUZUKI, MASAYASU
IPC分类号： C23C16/515 , H01L21/285
CPC分类号： H01L21/318 , C23C16/345 , C23C16/515 , C23C16/52

7. 发明专利

TW201811122A 電漿處理裝置及電漿處理方法审中-公开
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TW201811122A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106109192
申请日：2017-03-20
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：東条利洋 , TOJO, TOSHIHIRO , 藤井祐希 , FUJII, YUKI
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065 , H01L21/31 , C23C16/52 , C23C16/515
摘要：提供即使對偏壓用電力實施脈衝調變之情況下，亦可以檢測出電弧放電產生之概率、或實際產生電弧放電的電漿處理裝置及電漿處理方法。對基板(G)實施特定之電漿處理的電漿處理裝置(1)係具備：收容基板(G)的處理容器(2)；對處理容器(2)內供給處理氣體的氣體供給部(28)；配置於處理容器(2)內的電極(3)；高頻電源部(53)，對電極(3)供給實施脈衝調變之高頻電力；反射波電力測定部(54)，以特定週期測定從處理容器(2)朝向高頻電源部(53)折回的反射波電力；及判定部(121)，當反射波電力測定部(54)所測定的反射波電力成為特定之條件時，判定處理容器(2)內產生電弧放電的概率存在、或實際產生電弧放電；實施脈衝調變之高頻電力之脈衝週期係和反射波電力測定部(54)中的測定週期不同。
简体摘要：提供即使对偏压用电力实施脉冲调制之情况下，亦可以检测出电弧放电产生之概率、或实际产生电弧放电的等离子处理设备及等离子处理方法。对基板(G)实施特定之等离子处理的等离子处理设备(1)系具备：收容基板(G)的处理容器(2)；对处理容器(2)内供给处理气体的气体供给部(28)；配置于处理容器(2)内的电极(3)；高频电源部(53)，对电极(3)供给实施脉冲调制之高频电力；反射波电力测定部(54)，以特定周期测定从处理容器(2)朝向高频电源部(53)折回的反射波电力；及判定部(121)，当反射波电力测定部(54)所测定的反射波电力成为特定之条件时，判定处理容器(2)内产生电弧放电的概率存在、或实际产生电弧放电；实施脉冲调制之高频电力之脉冲周期系和反射波电力测定部(54)中的测定周期不同。

8. 发明专利

TW201741496A 活性氣體生成裝置审中-公开
简体标题：活性气体生成设备
公开(公告)号：TW201741496A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW105133689
申请日：2016-10-19
申请人：東芝三菱電機產業系統股份有限公司 , TOSHIBA MITSUBISHI-ELECTRIC INDUSTRIAL SYSTEMS CORPORATION
发明人：渡辺謙資 , WATANABE, KENSUKE , 西村真一 , NISHIMURA, SHINICHI , 山田義人 , YAMADA, YOSHIHITO
IPC分类号： C23C16/50 , C23C16/515 , C23F4/00 , H01L21/02
CPC分类号： H05H1/30
摘要：本發明之目的在提供可均勻性良好地且較高速地生成高密度的活性氣體之活性氣體生成裝置。本發明係在活性氣體生成用電極群及噴嘴構成部的下方設置氣體噴流用整流器(70)而構成活性氣體生成裝置。氣體噴流用整流器(70)係在氣體整流通路(71)的入口部(711)概括承接活性氣體通過複數個噴嘴後的氣體。氣體整流通路(71)係形成為：將出口部(710)的出口開口面積設定得比入口部(711)的入口開口面積窄，且藉由氣體整流通路(71)的整流動作使通過複數個噴嘴後的各道活性氣體的圓柱狀的氣體噴流變換為線狀的整流後活性氣體。
简体摘要：本发明之目的在提供可均匀性良好地且较高速地生成高密度的活性气体之活性气体生成设备。本发明系在活性气体生成用电极群及喷嘴构成部的下方设置气体喷流用整流器(70)而构成活性气体生成设备。气体喷流用整流器(70)系在气体整流通路(71)的入口部(711)概括承接活性气体通过复数个喷嘴后的气体。气体整流通路(71)系形成为：将出口部(710)的出口开口面积设置得比入口部(711)的入口开口面积窄，且借由气体整流通路(71)的整流动作使通过复数个喷嘴后的各道活性气体的圆柱状的气体喷流变换为线状的整流后活性气体。

9. 发明专利

TW201636453A 用於膜沉積的脈衝化電漿审中-公开
简体标题：用于膜沉积的脉冲化等离子
公开(公告)号：TW201636453A
公开(公告)日：2016-10-16
申请号：TW105108164
申请日：2016-03-16
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：薛君 , XUE, JUN , 葛迪魯多維 , GODET, LUDOVIC , 奈馬尼史林尼法斯 , NEMANI SRINIVAS , 史托威爾麥克W , STOWELL, MICHAEL W. , 梁奇偉 , LIANG, QIWEI , 布希博格二世道格拉斯A , BUCHBERGER JR., DOUGLAS A.
IPC分类号： C23C16/515 , C23C16/52
CPC分类号： H01L21/02274 , H01L21/0217 , H01L21/02329 , H01L21/0234 , H01L21/76826 , H01L21/76829 , H01L21/76831
摘要：本案中提供處理基板之方法。在一些實施例中，處理安置在處理腔室中之基板的方法包括：(a)藉由將基板曝露於第一反應性物種而在基板上沉積材料層，該第一反應性物種利用遠端電漿源產生；及(b)藉由將基板曝露於電漿而處理全部或大體上全部之沉積材料層，該電漿在處理腔室內利用第二電漿源而產生；其中遠端電漿源或第二電漿源中之至少一者經脈衝化以控制沉積周期及處理周期。
简体摘要：本案中提供处理基板之方法。在一些实施例中，处理安置在处理腔室中之基板的方法包括：(a)借由将基板曝露于第一反应性物种而在基板上沉积材料层，该第一反应性物种利用远程等离子源产生；及(b)借由将基板曝露于等离子而处理全部或大体上全部之沉积材料层，该等离子在处理腔室内利用第二等离子源而产生；其中远程等离子源或第二等离子源中之至少一者经脉冲化以控制沉积周期及处理周期。

10. 发明专利

TWI458713B 揮發性咪唑及以咪唑為基礎的第２族金屬前驅物有权
简体标题：挥发性咪唑及以咪唑为基础的第２族金属前驱物
公开(公告)号：TWI458713B
公开(公告)日：2014-11-01
申请号：TW100104057
申请日：2011-02-08
申请人：氣體產品及化學品股份公司 , AIR PRODUCTS AND CHEMICALS, INC.
发明人：諾門約翰安東尼湯馬士 , NORMAN, JOHN ANTHONY THOMAS , 斐雷梅蘭尼 K , PEREZ, MELANIE K. , 金武性 , KIM, MOO-SUNG
IPC分类号： C07D233/60 , C07F3/00 , C23C16/40 , C23C16/515 , H01L21/205 , H01L21/314
CPC分类号： H01L21/28556 , C07D233/54

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