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1. 发明专利

TWI523972B 電漿處理裝置及方法有权
简体标题：等离子处理设备及方法
公开(公告)号：TWI523972B
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW104101806
申请日：2015-01-20
申请人：松下知識產權經營股份有限公司 , PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD.
发明人：奧村智洋 , OKUMURA, TOMOHIRO
IPC分类号： C23C16/513 , H01J37/32 , H01L21/02 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/321 , C23C16/45578 , C23C16/507 , C23C16/513 , C23C16/545 , H01J37/3244 , H05H1/30

2. 发明专利

TW201601339A 用於處理管路中的氣體的設備审中-公开
简体标题：用于处理管路中的气体的设备
公开(公告)号：TW201601339A
公开(公告)日：2016-01-01
申请号：TW104116295
申请日：2015-05-21
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：曾繼兵 , ZENG, JIBING , 偉斯特布萊恩T , WEST, BRIAN T. , 王榮平 , WANG, RONGPING , 加真卓瑪諾A , GAJENDRA MANOJ A.
IPC分类号： H01L31/18 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/3211 , H01J37/32467 , H01J37/32522 , H01J37/32568 , H01J37/32807 , H01J37/32834 , H01J37/32844 , H05H1/2406 , H05H1/30 , H05H2001/2468 , Y02C20/30
摘要：本申請案提供：一種用於處理在基材處理系統的管路中的氣體的設備。在一些實施例中，一種用於處理在基材處理系統的管路中的氣體的設備包含：一介電管，該介電管被耦接至一基材處理系統的一管路以允許氣體流動經過該介電管，其中該介電管具有一圓錐形的側壁；及一RF線圈，該RF線圈被纏繞在該介電管的該圓錐形的側壁的一外表面的周圍，該RF線圈具有用以提供一RF輸入至該RF線圈的一第一端部，該RF線圈的該第一端部被設置在該介電管的一第一端部的附近，及具有被設置在該介電管的一第二端部附近的一第二端部。在一些實施例中，RF線圈係中空的和包含冷卻劑配件以將該中空的RF線圈耦接至冷卻劑供應器。
简体摘要：本申请案提供：一种用于处理在基材处理系统的管路中的气体的设备。在一些实施例中，一种用于处理在基材处理系统的管路中的气体的设备包含：一介电管，该介电管被耦接至一基材处理系统的一管路以允许气体流动经过该介电管，其中该介电管具有一圆锥形的侧壁；及一RF线圈，该RF线圈被缠绕在该介电管的该圆锥形的侧壁的一外表面的周围，该RF线圈具有用以提供一RF输入至该RF线圈的一第一端部，该RF线圈的该第一端部被设置在该介电管的一第一端部的附近，及具有被设置在该介电管的一第二端部附近的一第二端部。在一些实施例中，RF线圈系中空的和包含冷却剂配件以将该中空的RF线圈耦接至冷却剂供应器。

3. 发明专利

TWI471889B 用於提取帶離子束的電感耦合電漿源有权
简体标题：用于提取带离子束的电感耦合等离子源
公开(公告)号：TWI471889B
公开(公告)日：2015-02-01
申请号：TW100114286
申请日：2011-04-25
申请人：瓦里安半導體設備公司 , VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.
发明人：拜洛科斯特爾 , BILOIU, COSTEL , 舒爾傑T , SCHEUER, JAY T. , 歐爾森約瑟C , OLSON, JOSEPH C. , 辛克萊法蘭克 , SINCLAIR, FRANK , 迪斯塔蘇丹尼爾 , DISTASO, DANIEL
IPC分类号： H01J27/16 , H01J37/08
CPC分类号： H01J37/08 , H01J27/16 , H01J37/3171 , H01J2237/061 , H01J2237/065 , H01J2237/0815 , H05H1/30

4. 发明专利

TW201311058A 常壓電漿噴射裝置审中-公开
简体标题：常压等离子喷射设备
公开(公告)号：TW201311058A
公开(公告)日：2013-03-01
申请号：TW100130399
申请日：2011-08-24
申请人：國立清華大學 , NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY
发明人：楊長謀 , YANG, ARNOLD CHANG-MOU , 張濬智 , CHANG, CHUN CHIH , 談駿嵩 , TAN, CHUNG SUNG
IPC分类号： H05H1/24 , B01J19/08 , C08G83/00
CPC分类号： H05H1/30 , H05H1/42 , H05H2240/10
摘要：本發明係揭露一種常壓電漿噴射(APPJ)裝置，係用於利用常壓電漿技術將二氧化碳轉化為有機產物，其包含：一內電極，係由一高導電性金屬製成，且內電極具有一絕緣層，絕緣層係包覆內電極之ㄧ部分；一第一導電金屬壁，係以一預定距離環繞內電極，使內電極與第一導電金屬壁之間形成一腔體，且第一導電金屬壁之ㄧ側具有一孔隙，以使一反應物流入腔體；以及一擴散單元，係包含一絕緣構件和一導電金屬構件，其中，絕緣構件係設置於絕緣層之ㄧ側，包覆內電極之另一部分並與孔隙相對，且導電金屬構件更進一步包覆絕緣構件。
简体摘要：本发明系揭露一种常压等离子喷射(APPJ)设备，系用于利用常压等离子技术将二氧化碳转化为有机产物，其包含：一内电极，系由一高导电性金属制成，且内电极具有一绝缘层，绝缘层系包覆内电极之ㄧ部分；一第一导电金属壁，系以一预定距离环绕内电极，使内电极与第一导电金属壁之间形成一腔体，且第一导电金属壁之ㄧ侧具有一孔隙，以使一反应物流入腔体；以及一扩散单元，系包含一绝缘构件和一导电金属构件，其中，绝缘构件系设置于绝缘层之ㄧ侧，包覆内电极之另一部分并与孔隙相对，且导电金属构件更进一步包覆绝缘构件。

5. 发明专利

TWI304102B 元素分析前處理用容器、元素分析方法、電感耦合電漿炬、及元素分析裝置 ELEMENTAL ANALYSIS PREPROCESSING CONTAINER, ELEMENTAL ANALYSIS METHOD, INDUCTIVE COUPLING PLASMA TORCH AND ELEMENTAL ANALYSIS DEVICE 失效
简体标题：元素分析前处理用容器、元素分析方法、电感耦合等离子炬、及元素分析设备 ELEMENTAL ANALYSIS PREPROCESSING CONTAINER, ELEMENTAL ANALYSIS METHOD, INDUCTIVE COUPLING PLASMA TORCH AND ELEMENTAL ANALYSIS DEVICE
公开(公告)号：TWI304102B
公开(公告)日：2008-12-11
申请号：TW093118821
申请日：2004-06-28
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：木村昇 KIMURA, NOBORU , 國谷讓治 KUNIYA, JOJI , 新井正貴 ARAI, MASATAKA
IPC分类号： C30B
CPC分类号： G01N1/38 , B01L3/04 , B01L2200/12 , B01L2300/12 , H01J49/105 , H05H1/30
摘要：本發明的旨在提供一種耐熱性、耐酸性皆優異,且純度高的元素分析前處理用容器。另一課題在於提供一種電感耦合電漿炬,以及具備此電感耦合電漿炬的利用ICP法之元素分析裝置。該電感耦合電漿炬為在利用ICP法之分析裝置中所使用的電感耦合電漿炬,其可做精密的元素分析,而且具有優異的耐久性。依發明之分析前處理用容器,係使用於元素分析的前處理中,其特徵為:該容器為藉由化學氣相沈積(CVD)法所製造之陶瓷容器。依本發明之電感耦合電漿炬,其為至少具備感應線圈和噴嘴依照ICP法之元素分析裝置之中所使用的電感耦合電漿炬,其特徵為:前述噴嘴為利用CVD法所製造的陶瓷噴嘴。
简体摘要：本发明的旨在提供一种耐热性、耐酸性皆优异,且纯度高的元素分析前处理用容器。另一课题在于提供一种电感耦合等离子炬,以及具备此电感耦合等离子炬的利用ICP法之元素分析设备。该电感耦合等离子炬为在利用ICP法之分析设备中所使用的电感耦合等离子炬,其可做精密的元素分析,而且具有优异的耐久性。依发明之分析前处理用容器,系使用于元素分析的前处理中,其特征为:该容器为借由化学气相沉积(CVD)法所制造之陶瓷容器。依本发明之电感耦合等离子炬,其为至少具备感应线圈和喷嘴依照ICP法之元素分析设备之中所使用的电感耦合等离子炬,其特征为:前述喷嘴为利用CVD法所制造的陶瓷喷嘴。

6. 发明专利

TW200816880A 大氣壓電漿產生方法、電漿處理方法及對基板安裝零件之方法暨使用該等方法之裝置 ATMOSPHERIC PRESSURE PLASMA GENERATING METHOD, PLASMA PROCESSING METHOD AND COMPONENT MOUNTING METHOD USING SAME, AND DEVICE SUIGN THESE MEHTODS 审中-公开
简体标题：大气压等离子产生方法、等离子处理方法及对基板安装零件之方法暨使用该等方法之设备 ATMOSPHERIC PRESSURE PLASMA GENERATING METHOD, PLASMA PROCESSING METHOD AND COMPONENT MOUNTING METHOD USING SAME, AND DEVICE SUIGN THESE MEHTODS
公开(公告)号：TW200816880A
公开(公告)日：2008-04-01
申请号：TW096117991
申请日：2007-05-21
申请人：松下電器產業股份有限公司 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
发明人： 裕之 TSUJI HIROYUKI , 井上和弘 INOUE KAZUHIRO
IPC分类号： H05H
CPC分类号： H01J37/32825 , H01J37/32366 , H05H1/30 , H05H1/42 , H05H1/46 , H05H2001/4667
摘要：本發明藉由向反應空間(1)供給第1惰性氣體(5)並自高頻電源(4)向該反應空間(1)施加高頻電場,而自反應空間噴出由已電漿化的第1惰性氣體所成之一次電漿(6),且形成混合氣體(8)所存在之混合氣體區域(10),該混合氣體(8)以第2惰性氣體(12)為主並混合有適量之反應性氣體(13),使一次電漿與混合氣體區域碰撞並產生由已電漿化的混合氣體所成之二次電漿(11),將二次電漿噴至被處理物(S)並進行電漿處理,藉此利用小輸入電力所產生之大氣壓電漿可進行廣範圍之電漿處理。
简体摘要：本发明借由向反应空间(1)供给第1惰性气体(5)并自高频电源(4)向该反应空间(1)施加高频电场,而自反应空间喷出由已等离子化的第1惰性气体所成之一次等离子(6),且形成混合气体(8)所存在之混合气体区域(10),该混合气体(8)以第2惰性气体(12)为主并混合有适量之反应性气体(13),使一次等离子与混合气体区域碰撞并产生由已等离子化的混合气体所成之二次等离子(11),将二次等离子喷至被处理物(S)并进行等离子处理,借此利用小输入电力所产生之大气压等离子可进行广范围之等离子处理。

7. 发明专利

TWI607577B 用於處理管路中的氣體的設備有权
简体标题：用于处理管路中的气体的设备
公开(公告)号：TWI607577B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW104116295
申请日：2015-05-21
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：曾繼兵 , ZENG, JIBING , 偉斯特布萊恩T , WEST, BRIAN T. , 王榮平 , WANG, RONGPING , 加真卓瑪諾A , GAJENDRA MANOJ A.
IPC分类号： H01L31/18 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/3211 , H01J37/32467 , H01J37/32522 , H01J37/32568 , H01J37/32807 , H01J37/32834 , H01J37/32844 , H05H1/2406 , H05H1/30 , H05H2001/2468 , Y02C20/30

8. 发明专利

TW201412644A 碳化鈦微粒子之製造方法审中-公开
简体标题：碳化钛微粒子之制造方法
公开(公告)号：TW201412644A
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW102121721
申请日：2013-06-19
申请人：日清工程股份有限公司 , NISSHIN ENGINEERING INC.
发明人：渡邉周 , WATANABE, SHU , 中村圭太郎 , NAKAMURA, KEITAROH
IPC分类号： C01G23/00 , C01B31/30
CPC分类号： C01B32/921 , H05H1/30
摘要：本發明之碳化鈦微粒子之製造方法，其係包括：將鈦或鈦氧化物的粉末供給至熱電漿焰中之步驟；以及將冷卻用氣體與作為碳源的反應性氣體供給至熱電漿焰的終端部，生成碳化鈦微粒子之步驟。改變反應性氣體的供給量以改變所生成的碳化鈦微粒子的氧含量。藉此可生成例如體積電阻值相異的碳化鈦微粒子。
简体摘要：本发明之碳化钛微粒子之制造方法，其系包括：将钛或钛氧化物的粉末供给至热等离子焰中之步骤；以及将冷却用气体与作为碳源的反应性气体供给至热等离子焰的终端部，生成碳化钛微粒子之步骤。改变反应性气体的供给量以改变所生成的碳化钛微粒子的氧含量。借此可生成例如体积电阻值相异的碳化钛微粒子。

9. 发明专利

TW201330705A 電漿產生器审中-公开
简体标题：等离子产生器
公开(公告)号：TW201330705A
公开(公告)日：2013-07-16
申请号：TW101136127
申请日：2012-09-28
申请人：瑪波微影IP公司 , MAPPER LITHOGRAPHY IP B. V.
发明人：史密斯馬克 , SMITS, MARC , 洛迪威克克里斯法蘭斯庫斯潔西卡 , LODEWIJK, CHRIS FRANCISCUS JESSICA
IPC分类号： H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32082 , H01J37/3002 , H01J37/32862 , H05H1/30 , H05H1/46 , H05H2001/4667 , H05H2001/4675 , H05H2001/4682
摘要：一種用以產生電漿的排置方式，該排置包含第一電漿來源(1)，此者係經排置以產生電漿；中空導引本體(11)，此者係經排置以將由該第一電漿來源所產生之電漿的至少一部份導引至第二電漿來源(25)；以及排出口(14)，此者係用以自該排置發射出至少一部份由該電漿所產生的原子自由基。
简体摘要：一种用以产生等离子的排置方式，该排置包含第一等离子来源(1)，此者系经排置以产生等离子；中空导引本体(11)，此者系经排置以将由该第一等离子来源所产生之等离子的至少一部份导引至第二等离子来源(25)；以及排出口(14)，此者系用以自该排置发射出至少一部份由该等离子所产生的原子自由基。

10. 发明专利

TW200531925A 使用電感耦合電漿來破壞液體、粉末或氣體廢棄物的裝置及方法 DEVICE AND PROCESS FOR THE DESTRUCTION OF LIQUID, POWDER OR GASEOUS WASTE USING INDUCTIVELY COUPLED PLASMA 审中-公开
简体标题：使用电感耦合等离子来破坏液体、粉末或气体废弃物的设备及方法 DEVICE AND PROCESS FOR THE DESTRUCTION OF LIQUID, POWDER OR GASEOUS WASTE USING INDUCTIVELY COUPLED PLASMA
公开(公告)号：TW200531925A
公开(公告)日：2005-10-01
申请号：TW094104627
申请日：2005-02-17
申请人：原子能委員會 COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE
发明人：梅洛特艾力克 MEILLOT, ERICK , 古納多大衛 GUENADOU DAIVD
IPC分类号： C02F
CPC分类号： H05H1/30 , F23G5/02 , F23G5/085 , F23G5/14 , F23G2204/201 , F23G2209/142 , F23L2900/07005 , Y02E20/344
摘要：本發明係關於一種用於至少一種呈液體、氣體或粉末形式之有機產物或鹵化有機產物之高溫銷燬方法，該方法包含：–混合：–前述一或多種有機產物與水，水之用量足夠確保所得混合物之碳原子與氧原子間之至少化學計算學比，或–前述一或多種鹵化有機產物與水，水之用量足夠確保一方面，獲得混合物之碳原子與氧原子間之至少化學計算學比，以及另一方面，獲得混合物之氫原子與鹵素原子間之至少化學計算學比，–將此混合物以及將電漿產生性氣體導入電感耦合電漿炬之盤管來產生氣體，其中發生氣體分解成為原子元素，–前述其中發生分解成為原子元素之氣體之初步高溫銷燬作業，此初步銷燬作業係於一反應室進行，–已經進行初步銷燬作業之氣體之第二高溫銷燬作業，此第二高溫銷燬作業係於一未加能量之攪拌裝置進行，此種進行第二高溫銷燬作業之氣體係與空氣及／或氧氣一起攪拌，–經由冷卻至少部分由攪拌裝置送出之氣體來再化合，–排放已經被銷燬之氣體。本發明亦係關於一種允許應用此種銷燬程序之裝置。
简体摘要：本发明系关于一种用于至少一种呈液体、气体或粉末形式之有机产物或卤化有机产物之高温销毁方法，该方法包含：–混合：–前述一或多种有机产物与水，水之用量足够确保所得混合物之碳原子与氧原子间之至少化学计算学比，或–前述一或多种卤化有机产物与水，水之用量足够确保一方面，获得混合物之碳原子与氧原子间之至少化学计算学比，以及另一方面，获得混合物之氢原子与卤素原子间之至少化学计算学比，–将此混合物以及将等离子产生性气体导入电感耦合等离子炬之盘管来产生气体，其中发生气体分解成为原子元素，–前述其中发生分解成为原子元素之气体之初步高温销毁作业，此初步销毁作业系于一反应室进行，–已经进行初步销毁作业之气体之第二高温销毁作业，此第二高温销毁作业系于一未加能量之搅拌设备进行，此种进行第二高温销毁作业之气体系与空气及／或氧气一起搅拌，–经由冷却至少部分由搅拌设备送出之气体来再化合，–排放已经被销毁之气体。本发明亦系关于一种允许应用此种销毁进程之设备。

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