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1. 发明专利

TWI361848B 製造碳化矽單晶之方法 METHOD FOR PRODUCING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL 有权
简体标题：制造碳化硅单晶之方法 METHOD FOR PRODUCING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL
公开(公告)号：TWI361848B
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：TW096117640
申请日：2007-05-17
申请人：昭和電工股份有限公司
发明人：小柳直樹 , 庄內智博 , 坂口泰之
IPC分类号： C30B
CPC分类号： C30B29/36 , C30B19/04 , C30B19/12 , C30B23/025 , C30B25/18 , Y10S117/902 , Y10S117/915
摘要：一種製造SiC單晶之方法，其包括以下步驟：在由SiC單晶所形成之第一晶種上以第一生長方向上生長第一SiC單晶，將該生長於第一晶種上之第一SiC單晶安置於平行或傾斜於該第一生長方向之方向上且在垂直於該第一生長方向之剖面中的主軸方向上切割所安置之第一SiC單晶以獲得第二晶種，使用該第二晶種以令第二SiC單晶在其第二生長方向上生長至大於該剖面中主軸長度之厚度，將該生長於第二晶種上之第二SiC單晶安置於平行或傾斜於該第二生長方向之方向上且在垂直於該第二生長方向之剖面中的主軸方向上切割所安置之第二SiC單晶以獲得第三晶種，使用該第三晶種以在其上生長第三SiC單晶，及以暴露{0001}晶面之方式切割在該第三晶種上所生長之第三SiC單晶，藉此獲得SiC單晶。此方法能使該晶體有效地增大而不損害結晶性。
简体摘要：一种制造SiC单晶之方法，其包括以下步骤：在由SiC单晶所形成之第一晶种上以第一生长方向上生长第一SiC单晶，将该生长于第一晶种上之第一SiC单晶安置于平行或倾斜于该第一生长方向之方向上且在垂直于该第一生长方向之剖面中的主轴方向上切割所安置之第一SiC单晶以获得第二晶种，使用该第二晶种以令第二SiC单晶在其第二生长方向上生长至大于该剖面中主轴长度之厚度，将该生长于第二晶种上之第二SiC单晶安置于平行或倾斜于该第二生长方向之方向上且在垂直于该第二生长方向之剖面中的主轴方向上切割所安置之第二SiC单晶以获得第三晶种，使用该第三晶种以在其上生长第三SiC单晶，及以暴露{0001}晶面之方式切割在该第三晶种上所生长之第三SiC单晶，借此获得SiC单晶。此方法能使该晶体有效地增大而不损害结晶性。

2. 发明专利

TW200532059A 甲苯磺酸4-二甲胺基-4-苯乙烯基啶鹽(DAST)雙晶、其製造方法、及用途审中-公开
简体标题：甲苯磺酸4-二甲胺基-4-苯乙烯基啶盐(DAST)双晶、其制造方法、及用途
公开(公告)号：TW200532059A
公开(公告)日：2005-10-01
申请号：TW094101894
申请日：2005-01-21
申请人：第一化學藥品股份有限公司 DAIICHI PURE CHEMICALS CO., LTD. , 第一製藥股份有限公司 DAIICHI PHARMACEUTICAL CO., LTD.
发明人：泉篤志 IZUMI, ATSUSHI , 落合雄太 OCHIAI, YUTA , 梅垣真祐 UMEGAKI, SHINSUKE , 岩村朋 IWAMURA, TOMO , 鈴木誠 SUZUKI, MAKOTO , 櫻井秀敬 SAKURAI, HIDETAKA , 山口慎二 YAMAGUCHI, SHINJI
IPC分类号： C30B , C07D , G02B
CPC分类号： C07D213/38 , B01D9/0036 , C30B29/54 , G02F1/3611 , Y10S117/902
摘要：本發明提供，適合做為電光學元件之新穎的甲苯磺酸4－二甲胺基－4－苯乙烯基啶鹽(DAST)之結晶。依本發明之DAST的雙晶，能提供使用為電光學元件之適合大小的DAST。DAST雙晶，可依晶種法或斜面結晶培養法而得。
简体摘要：本发明提供，适合做为电光学组件之新颖的甲苯磺酸4－二甲胺基－4－苯乙烯基啶盐(DAST)之结晶。依本发明之DAST的双晶，能提供使用为电光学组件之适合大小的DAST。DAST双晶，可依晶种法或斜面结晶培养法而得。

3. 发明专利

TWI376434B 磊晶矽晶圓及其製造方法 EPITAXIAL SILICON WAFER AND FABRICATION METHOD THEREOF 有权
简体标题：磊晶硅晶圆及其制造方法 EPITAXIAL SILICON WAFER AND FABRICATION METHOD THEREOF
公开(公告)号：TWI376434B
公开(公告)日：2012-11-11
申请号：TW096133176
申请日：2007-09-05
申请人：勝高股份有限公司
发明人：土肥敬幸 , 中原信司 , 櫻井雅哉 , 坂井正人
IPC分类号： C30B , H01L
CPC分类号： H01L21/02634 , C30B25/20 , C30B29/06 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02532 , H01L21/02609 , H01L22/00 , H01L29/045 , H01L29/32 , H01L2924/0002 , Y10S117/902 , H01L2924/00
摘要：本發明提供一種磊晶矽晶圓，其中磊晶層係在具有從矽單晶的{110}平面傾斜之平面作為其主表面的矽晶圓上生長。於在其上生長該磊晶層的矽晶圓中，該{110}平面的傾斜方位角係在從平行於該{110}平面的方向朝方向測量的0至45度範圍之內。於此種配置之下，可以從該{110}晶圓測量到100奈米或更小的光點缺陷(LPD)，該{110}晶圓具有高於{100}晶圓的載子移動率(包括電洞和電子的移動率)。此外，可以抑制在{110}晶圓內的表面粗糙度降級。而且，可以測量該{110}晶圓的表面狀態。再者，可以在該{110}晶圓上實施品質評估。
简体摘要：本发明提供一种磊晶硅晶圆，其中磊晶层系在具有从硅单晶的{110}平面倾斜之平面作为其主表面的硅晶圆上生长。于在其上生长该磊晶层的硅晶圆中，该{110}平面的倾斜方位角系在从平行于该{110}平面的<100>方向朝<110>方向测量的0至45度范围之内。于此种配置之下，可以从该{110}晶圆测量到100奈米或更小的光点缺陷(LPD)，该{110}晶圆具有高于{100}晶圆的载子移动率(包括电洞和电子的移动率)。此外，可以抑制在{110}晶圆内的表面粗糙度降级。而且，可以测量该{110}晶圆的表面状态。再者，可以在该{110}晶圆上实施品质评估。

4. 发明专利

TW200804634A GaN結晶基板 GAN CRYSTAL SUBSTRATE 失效
简体标题： GaN结晶基板 GAN CRYSTAL SUBSTRATE
公开(公告)号：TW200804634A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：TW096109143
申请日：2007-03-16
申请人：住友電氣工業股份有限公司 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
发明人：藤田俊介 FUJITA, SHUNSUKE , 笠井仁 KASAI, HITOSHI
IPC分类号： C30B
CPC分类号： C30B29/406 , C30B33/00 , Y10S117/902
摘要：本發明之GaN結晶基板(10)係包含使結晶生長於其上之結晶生長面(10c)、與該結晶生長面(10c)之相反側之背面(10r),結晶生長面(10c)之粗度Ra(C)為10nm以下,結晶生長面(10c)之相反側之面之背面(10r)之粗度Ra(R)為0.5��m以上10��m以下,面粗度Ra(R)相對於面粗度Ra(C)之比Ra(R)/Ra(C)為50以上。如此,可提供不會降低生長於GaN結晶基板上之半導體層之表面波度,而可識別基板之表背面之GaN結晶基板。
简体摘要：本发明之GaN结晶基板(10)系包含使结晶生长于其上之结晶生长面(10c)、与该结晶生长面(10c)之相反侧之背面(10r),结晶生长面(10c)之粗度Ra(C)为10nm以下,结晶生长面(10c)之相反侧之面之背面(10r)之粗度Ra(R)为0.5��m以上10��m以下,面粗度Ra(R)相对于面粗度Ra(C)之比Ra(R)/Ra(C)为50以上。如此,可提供不会降低生长于GaN结晶基板上之半导体层之表面波度,而可识别基板之表背面之GaN结晶基板。

5. 发明专利

TW552325B 碳化矽結晶之生長方法及裝置有权
简体标题：碳化硅结晶之生长方法及设备
公开(公告)号：TW552325B
公开(公告)日：2003-09-11
申请号：TW089121008
申请日：2000-11-13
申请人：克立公司
发明人：奧利克拉伊斯艾瑞克科丁拿 , 麥可詹姆斯派司立
IPC分类号： C30B
CPC分类号： C30B23/00 , C30B25/00 , C30B29/36 , Y10S117/90 , Y10S117/902
摘要：本發明揭示一種用於控制、延長及可重複生長所需之多晶形物高品質碳化矽結晶之方法及裝置，其係利用一被覆金屬碳化物薄層之坩堝，其中碳化物特別係選自由碳化鉭、碳化鉿、碳化鈮、碳化鈦、碳化鋯、碳化鎢及碳化釩所組成之群組。
简体摘要：本发明揭示一种用于控制、延长及可重复生长所需之多晶形物高品质碳化硅结晶之方法及设备，其系利用一被覆金属碳化物薄层之坩埚，其中碳化物特别系选自由碳化钽、碳化铪、碳化铌、碳化钛、碳化锆、碳化钨及碳化钒所组成之群组。

6. 发明专利

TW418549B 氮化物系化合物半導體的結晶成長方法、氮化物系化合物半導體發光元件及其製造方法有权
简体标题：氮化物系化合物半导体的结晶成长方法、氮化物系化合物半导体发光组件及其制造方法
公开(公告)号：TW418549B
公开(公告)日：2001-01-11
申请号：TW088108390
申请日：1999-05-21
申请人：夏普股份有限公司
发明人：上田吉裕 , 湯淺貴之
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/32 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02661 , H01L33/007 , H01L33/16 , Y10S117/902
摘要：一種以氣相方式在藍寶石基底上長出氮化物半導體晶體的方法，係包括以下步驟：提供一藍寶石基底，其具有與

向位傾斜約0.05° 到約0.2° 的基底向位;以及讓氮化物半導體晶體，在藍寶石基底上成長。
简体摘要：一种以气相方式在蓝宝石基底上长出氮化物半导体晶体的方法，系包括以下步骤：提供一蓝宝石基底，其具有与向位倾斜约0.05° 到约0.2° 的基底向位;以及让氮化物半导体晶体，在蓝宝石基底上成长。

7. 发明专利

TWI602959B 生長第III族氮化物晶體之方法有权
简体标题：生长第III族氮化物晶体之方法
公开(公告)号：TWI602959B
公开(公告)日：2017-10-21
申请号：TW102134365
申请日：2013-09-24
申请人：希波特公司 , SIXPOINT MATERIALS, INC. , 首爾半導體股份有限公司 , SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD.
发明人：橋本忠朗 , HASHIMOTO, TADAO , 里特斯艾德華 , LETTS, EDWARD , 霍夫錫拉 , HOFF, SIERRA
IPC分类号： C30B29/38 , C01B21/06 , H01L33/00 , C30B7/10
CPC分类号： C30B29/406 , B28D5/045 , C30B7/10 , C30B7/105 , C30B25/20 , C30B29/403 , C30B29/64 , H01L21/02389 , H01L21/0254 , H01L21/02628 , H01L29/045 , H01L29/2003 , H01L29/32 , Y10S117/902 , Y10T428/192

8. 发明专利

TWI330254B 將至少一單結晶測量，對準及固定的方法與裝置 PROCESS AND DEVICE FOR THE MEASUREMENT,ALIGNMENT AND FIXATION OF AT LEAST A SINGLE CRYSTAL 失效
简体标题：将至少一单结晶测量，对准及固定的方法与设备 PROCESS AND DEVICE FOR THE MEASUREMENT,ALIGNMENT AND FIXATION OF AT LEAST A SINGLE CRYSTAL
公开(公告)号：TWI330254B
公开(公告)日：2010-09-11
申请号：TW094122678
申请日：2005-07-05
申请人：電氣工程製造批發有限公司
发明人：漢斯布拉達捷克 , 漢斯貝爾格 , 哈穆特許瓦伯
IPC分类号： G01N , C30B
CPC分类号： B28D5/0088 , G01N23/207 , Y10S117/902 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008
摘要：在將至少一單結晶測量，對準及固定時，在求出結晶圖方向性及作對準固定時，要能確保較高的準確性，而不受該單結晶的外部幾何性質影響，其中即使在很硬的材料例如藍寶石或碳化矽，這種固定作用也要能確保能作高度準確的切割。該單結晶(1)以可調整的方式定位在一轉枱(2)上以求出該結晶格的方向性，其中在轉枱(2)至少轉一周時，該結晶格方向性根據數個X光反射而求出。在單結晶(1)固定前以及固定在一個與參考方向對準的載體(18)上之前，單結晶的對準作用係用該結晶格平面法線對轉枱(2)的軸(X-X)(當作參考方向)交成之所求出的角度為之。如此，可將數個單結晶(1)對準、固定、上下互相重疊，然後同時與一共同載體(18)連接。此外在成功地固定在共同的載體(18)上後，可控制各單結晶(1)的朝向。
简体摘要：在将至少一单结晶测量，对准及固定时，在求出结晶图方向性及作对准固定时，要能确保较高的准确性，而不受该单结晶的外部几何性质影响，其中即使在很硬的材料例如蓝宝石或碳化硅，这种固定作用也要能确保能作高度准确的切割。该单结晶(1)以可调整的方式定位在一转台(2)上以求出该结晶格的方向性，其中在转台(2)至少转一周时，该结晶格方向性根据数个X光反射而求出。在单结晶(1)固定前以及固定在一个与参考方向对准的载体(18)上之前，单结晶的对准作用系用该结晶格平面法线对转台(2)的轴(X-X)(当作参考方向)交成之所求出的角度为之。如此，可将数个单结晶(1)对准、固定、上下互相重叠，然后同时与一共同载体(18)连接。此外在成功地固定在共同的载体(18)上后，可控制各单结晶(1)的朝向。

9. 发明专利

TW200608001A 將至少一單結晶測量,對準及固定的方法與裝置 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR VERMESSUNG, AUSRICHTUNG UND FIXIERUNG VON MINDESTENS EINEM EINKRISTALL 失效
简体标题：将至少一单结晶测量,对准及固定的方法与设备 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR VERMESSUNG, AUSRICHTUNG UND FIXIERUNG VON MINDESTENS EINEM EINKRISTALL
公开(公告)号：TW200608001A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：TW094122678
申请日：2005-07-05
申请人：電氣工程製造批發有限公司
发明人：漢斯布拉達捷克 BRADACZEK, HANS , 漢斯貝爾格 BERGER, HANS , 哈穆特許瓦伯 SCHWABE, HARTMUT
IPC分类号： G01N
CPC分类号： B28D5/0088 , G01N23/207 , Y10S117/902 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008
摘要：在將至少一單結晶測量，對準及固定時，在求出結晶圓方向性及作對準固定時，要能確保較高的準確性，而不受該單結晶的外部幾何性質影響，其中即使在很硬的材料例如藍寶石或碳化矽，這種固定作用也要能確保能伸高度準確的切割。該單結晶(1)以可調整的方式定位在一轉?(2)上以求出該結晶格的方向性，其中在轉?(2)至少轉一周時，該結晶格方向性根據數個X光反射而求出。在單結晶(1)固定前以及固定在一個與參考方向對準的載體(18)上之前，結晶格的對準作用係用該晶格平面法線對轉?(2)的軸(X-X)(當作參考方向)交成之所求出的角度為之。如此，可將數個單結晶(1)對準、固定、上下互相重疊，然後同時與一共同載體(18)連接。此外在成功地固定在共同的載體(18)上後，可控制各單結晶(1)的朝向。
简体摘要：在将至少一单结晶测量，对准及固定时，在求出结晶圆方向性及作对准固定时，要能确保较高的准确性，而不受该单结晶的外部几何性质影响，其中即使在很硬的材料例如蓝宝石或碳化硅，这种固定作用也要能确保能伸高度准确的切割。该单结晶(1)以可调整的方式定位在一转?(2)上以求出该结晶格的方向性，其中在转?(2)至少转一周时，该结晶格方向性根据数个X光反射而求出。在单结晶(1)固定前以及固定在一个与参考方向对准的载体(18)上之前，结晶格的对准作用系用该晶格平面法线对转?(2)的轴(X-X)(当作参考方向)交成之所求出的角度为之。如此，可将数个单结晶(1)对准、固定、上下互相重叠，然后同时与一共同载体(18)连接。此外在成功地固定在共同的载体(18)上后，可控制各单结晶(1)的朝向。

10. 发明专利

TW200415712A GaN單結晶基板及其製造方法失效
简体标题： GaN单结晶基板及其制造方法
公开(公告)号：TW200415712A
公开(公告)日：2004-08-16
申请号：TW093103485
申请日：1998-10-30
申请人：住友電氣工業股份有限公司 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
发明人：元木健作 KENSAKU MOTOKI , 岡久拓司 TAKUJI OKAHISA , 松本直樹 NAOKI MATSUMOTO
IPC分类号： H01L , C30B
CPC分类号： C30B25/02 , B82Y20/00 , C30B25/00 , C30B29/406 , H01L21/02395 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L21/02664 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01S5/0206 , H01S5/34333 , H01S2304/00 , H01S2304/04 , Y10S117/902 , Y10S438/942
摘要：本發明係有關於一種GaN單結晶基板的製造方法，其特徵為：具備有一遮蔽罩層形成工程，在GaAs基板2上形成具有互相隔離配置的多數開口窗10之遮蔽罩層8；以及一外延層生長工程，在遮蔽罩層上生長由GaN而成的外延層12。
简体摘要：本发明系有关于一种GaN单结晶基板的制造方法，其特征为：具备有一屏蔽罩层形成工程，在GaAs基板2上形成具有互相隔离配置的多数开口窗10之屏蔽罩层8；以及一外延层生长工程，在屏蔽罩层上生长由GaN而成的外延层12。

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