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1. 发明专利

TW201144491A 藍寶石單結晶之製造方法、藍寶石單結晶拉晶裝置及藍寶石單結晶审中-公开
简体标题：蓝宝石单结晶之制造方法、蓝宝石单结晶拉晶设备及蓝宝石单结晶
公开(公告)号：TW201144491A
公开(公告)日：2011-12-16
申请号：TW100107323
申请日：2011-03-04
申请人：昭和電工股份有限公司
发明人：庄內智博 , 福田承生
IPC分类号： C30B
CPC分类号： C30B29/20 , C30B15/14 , C30B15/22
摘要：本發明係一種藍寶石單結晶之製造方法，藍寶石單結晶拉晶裝置及藍寶石單結晶，其課題為在從氧化鋁融熔液使藍寶石單結晶成長時，安定地使藍寶石單結晶成長，提昇結晶品質之均一性。解決手段係具有使用加熱線圈（加熱手段）（30）而加熱坩堝（20），使坩堝（20）中的氧化鋁熔融，得到氧化鋁融熔液（300）之第1之工程；和經由加熱線圈（30）而加熱坩堝（20）之同時，從該坩堝（20）中之氧化鋁融熔液（300），將藍寶石晶錠（200）拉晶而使其成長之第2之工程；在第2之工程，隨著伴隨藍寶石晶錠（200）的成長之氧化鋁融熔液（300）之液面的下降，且與液面之距離呈成為一定範圍內地，使加熱線圈（30）下降為特徵之藍寶石單結晶的製造方法。
简体摘要：本发明系一种蓝宝石单结晶之制造方法，蓝宝石单结晶拉晶设备及蓝宝石单结晶，其课题为在从氧化铝融熔液使蓝宝石单结晶成长时，安定地使蓝宝石单结晶成长，提升结晶品质之均一性。解决手段系具有使用加热线圈（加热手段）（30）而加热坩埚（20），使坩埚（20）中的氧化铝熔融，得到氧化铝融熔液（300）之第1之工程；和经由加热线圈（30）而加热坩埚（20）之同时，从该坩埚（20）中之氧化铝融熔液（300），将蓝宝石晶锭（200）拉晶而使其成长之第2之工程；在第2之工程，随着伴随蓝宝石晶锭（200）的成长之氧化铝融熔液（300）之液面的下降，且与液面之距离呈成为一定范围内地，使加热线圈（30）下降为特征之蓝宝石单结晶的制造方法。

2. 发明专利

TW201207169A 藍寶石單結晶之製造方法、藍寶石基板以及半導體發光元件审中-公开
简体标题：蓝宝石单结晶之制造方法、蓝宝石基板以及半导体发光组件
公开(公告)号：TW201207169A
公开(公告)日：2012-02-16
申请号：TW100121634
申请日：2011-06-21
申请人：昭和電工股份有限公司
发明人：庄內智博 , 福田承生
IPC分类号： C30B , H01L
CPC分类号： H01L33/007 , C30B15/04 , C30B29/20
摘要：本發明係一種藍寶石單結晶之製造方法，藍寶石基板及半導體發光元件，其課題係提供偏差小的藍寶石單結晶晶錠，藍寶石基板及於藍寶石基板，將化合物半導體層進行成膜之高品質的半導體發光元件。解決手段係於坩堝(15)投入氧化鋁，與含有矽，鍺及錫之至少一種元素所成之添加元素的氧化物，對於氧化鋁而言重量濃度設定為30ppm~500ppm之範圍的添加物，在該坩堝(15)內熔融氧化鋁及添加物而得到氧化鋁融液(35)之後，從坩堝(15)內之氧化鋁融液(35)，提拉含有氧化鋁及添加物，且具有藍寶石之單結晶構造之藍寶石晶錠(30)。此時，在所提拉之藍寶石晶錠(30)中，對於氧化鋁而言，添加元素之重量濃度則成為2ppm~80ppm。
简体摘要：本发明系一种蓝宝石单结晶之制造方法，蓝宝石基板及半导体发光组件，其课题系提供偏差小的蓝宝石单结晶晶锭，蓝宝石基板及于蓝宝石基板，将化合物半导体层进行成膜之高品质的半导体发光组件。解决手段系于坩埚(15)投入氧化铝，与含有硅，锗及锡之至少一种元素所成之添加元素的氧化物，对于氧化铝而言重量浓度设置为30ppm~500ppm之范围的添加物，在该坩埚(15)内熔融氧化铝及添加物而得到氧化铝融液(35)之后，从坩埚(15)内之氧化铝融液(35)，提拉含有氧化铝及添加物，且具有蓝宝石之单结晶构造之蓝宝石晶锭(30)。此时，在所提拉之蓝宝石晶锭(30)中，对于氧化铝而言，添加元素之重量浓度则成为2ppm~80ppm。

3. 发明专利

TWI370855B 碳化矽單結晶之製造方法 METHOD FOR PRODUCING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL 有权
简体标题：碳化硅单结晶之制造方法 METHOD FOR PRODUCING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL
公开(公告)号：TWI370855B
公开(公告)日：2012-08-21
申请号：TW096137129
申请日：2007-10-03
申请人：昭和電工股份有限公司
发明人：庄內智博 , 小古井久雄 , 坂口泰之
IPC分类号： C30B
CPC分类号： C30B29/36 , C30B23/066 , C30B35/002
摘要：本發明係一種碳化矽單結晶之製造方法，其課題為結晶缺陷少之碳化矽單結晶之成長方法，而解決手段為：針對在於結晶成長坩堝，設置低溫部與高溫部，並於該結晶成長坩堝之低溫部，配置由碳化矽單結晶而成之種結晶基板，於高溫部，配置碳化矽原料，使從碳化矽原料昇華之昇華氣體分離於種結晶基板上，使碳化矽單結晶成長之碳化矽單結晶的製造方法，對於配置種結晶處之坩堝構件，使用針對在與碳化矽之室溫的線膨脹係數的差為1.0×10-6/克耳文以下之構件，另外，作為配置種結晶處之坩堝構件，使用碳化矽。
简体摘要：本发明系一种碳化硅单结晶之制造方法，其课题为结晶缺陷少之碳化硅单结晶之成长方法，而解决手段为：针对在于结晶成长坩埚，设置低温部与高温部，并于该结晶成长坩埚之低温部，配置由碳化硅单结晶而成之种结晶基板，于高温部，配置碳化硅原料，使从碳化硅原料升华之升华气体分离于种结晶基板上，使碳化硅单结晶成长之碳化硅单结晶的制造方法，对于配置种结晶处之坩埚构件，使用针对在与碳化硅之室温的线膨胀系数的差为1.0×10-6/克耳文以下之构件，另外，作为配置种结晶处之坩埚构件，使用碳化硅。

4. 发明专利

TWI361848B 製造碳化矽單晶之方法 METHOD FOR PRODUCING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL 有权
简体标题：制造碳化硅单晶之方法 METHOD FOR PRODUCING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL
公开(公告)号：TWI361848B
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：TW096117640
申请日：2007-05-17
申请人：昭和電工股份有限公司
发明人：小柳直樹 , 庄內智博 , 坂口泰之
IPC分类号： C30B
CPC分类号： C30B29/36 , C30B19/04 , C30B19/12 , C30B23/025 , C30B25/18 , Y10S117/902 , Y10S117/915
摘要：一種製造SiC單晶之方法，其包括以下步驟：在由SiC單晶所形成之第一晶種上以第一生長方向上生長第一SiC單晶，將該生長於第一晶種上之第一SiC單晶安置於平行或傾斜於該第一生長方向之方向上且在垂直於該第一生長方向之剖面中的主軸方向上切割所安置之第一SiC單晶以獲得第二晶種，使用該第二晶種以令第二SiC單晶在其第二生長方向上生長至大於該剖面中主軸長度之厚度，將該生長於第二晶種上之第二SiC單晶安置於平行或傾斜於該第二生長方向之方向上且在垂直於該第二生長方向之剖面中的主軸方向上切割所安置之第二SiC單晶以獲得第三晶種，使用該第三晶種以在其上生長第三SiC單晶，及以暴露{0001}晶面之方式切割在該第三晶種上所生長之第三SiC單晶，藉此獲得SiC單晶。此方法能使該晶體有效地增大而不損害結晶性。
简体摘要：一种制造SiC单晶之方法，其包括以下步骤：在由SiC单晶所形成之第一晶种上以第一生长方向上生长第一SiC单晶，将该生长于第一晶种上之第一SiC单晶安置于平行或倾斜于该第一生长方向之方向上且在垂直于该第一生长方向之剖面中的主轴方向上切割所安置之第一SiC单晶以获得第二晶种，使用该第二晶种以令第二SiC单晶在其第二生长方向上生长至大于该剖面中主轴长度之厚度，将该生长于第二晶种上之第二SiC单晶安置于平行或倾斜于该第二生长方向之方向上且在垂直于该第二生长方向之剖面中的主轴方向上切割所安置之第二SiC单晶以获得第三晶种，使用该第三晶种以在其上生长第三SiC单晶，及以暴露{0001}晶面之方式切割在该第三晶种上所生长之第三SiC单晶，借此获得SiC单晶。此方法能使该晶体有效地增大而不损害结晶性。

5. 发明专利

TW201128003A 單晶提拉裝置审中-公开
简体标题：单晶提拉设备
公开(公告)号：TW201128003A
公开(公告)日：2011-08-16
申请号：TW099139991
申请日：2010-11-19
申请人：昭和電工股份有限公司
发明人：庄內智博
IPC分类号： C30B
CPC分类号： C30B29/20 , C30B15/00
摘要：單晶提拉裝置(1)，具備使由藍寶石單晶所構成的藍寶石錠(200)成長之用的加熱爐(10)。於絕熱容器(11)的內側下方，被配置收容氧化鋁融液(300)的坩鍋(20)。在絕熱容器(11)的內側且坩鍋(20)的外側，具備以捲繞坩鍋(20)的壁部(22)的方式設置的發熱體(17)。接著，在發熱體(17)的內側且坩鍋(20)的外側，具備以捲繞坩鍋(20)的壁部(22)的方式設置，防止發熱體(17)的構成材料混入坩鍋(20)內的氧化鋁融液(300)之遮蔽體(18)。如此般，於根據柴氏法(Czochralski，Cz)法之單晶提拉裝置，可以使用廉價的坩鍋，同時緩和坩鍋內的融液的溫度梯度，而抑制成長的單晶之應變。
简体摘要：单晶提拉设备(1)，具备使由蓝宝石单晶所构成的蓝宝石锭(200)成长之用的加热炉(10)。于绝热容器(11)的内侧下方，被配置收容氧化铝融液(300)的坩锅(20)。在绝热容器(11)的内侧且坩锅(20)的外侧，具备以卷绕坩锅(20)的壁部(22)的方式设置的发热体(17)。接着，在发热体(17)的内侧且坩锅(20)的外侧，具备以卷绕坩锅(20)的壁部(22)的方式设置，防止发热体(17)的构成材料混入坩锅(20)内的氧化铝融液(300)之屏蔽体(18)。如此般，于根据柴氏法(Czochralski，Cz)法之单晶提拉设备，可以使用廉价的坩锅，同时缓和坩锅内的融液的温度梯度，而抑制成长的单晶之应变。

6. 发明专利

TW201030193A 藍寶石單晶之製造方法审中-公开
简体标题：蓝宝石单晶之制造方法
公开(公告)号：TW201030193A
公开(公告)日：2010-08-16
申请号：TW098143349
申请日：2009-12-17
申请人：昭和電工股份有限公司
发明人：庄內智博
IPC分类号： C30B
CPC分类号： C30B29/20 , C30B15/02
摘要：本發明之課題在於抑制由氧化鋁之融液來長晶藍寶石單晶時，更為抑制氣泡混入藍寶石單晶中。本發明之解決手段為執行使被置於真空室內的坩堝中的氧化鋁融溶得到該氧化鋁之融液之融溶步驟，及藉由拉起使接觸於氧化鋁融液的種晶，於種晶下方形成肩部之肩部形成步驟，及於真空室內，含有氧與非活性氣體，供給氧之濃度被設定在0.6體積百分比以上且在3.0體積百分比以下之混合氣體，同時由融液拉起藍寶石單晶形成直胴部之直胴部形成步驟。
简体摘要：本发明之课题在于抑制由氧化铝之融液来长晶蓝宝石单晶时，更为抑制气泡混入蓝宝石单晶中。本发明之解决手段为运行使被置于真空室内的坩埚中的氧化铝融溶得到该氧化铝之融液之融溶步骤，及借由拉起使接触于氧化铝融液的种晶，于种晶下方形成肩部之肩部形成步骤，及于真空室内，含有氧与非活性气体，供给氧之浓度被设置在0.6体积百分比以上且在3.0体积百分比以下之混合气体，同时由融液拉起蓝宝石单晶形成直胴部之直胴部形成步骤。

7. 发明专利

TW201204881A 藍寶石單晶之製造方法及藍寶石單晶基板审中-公开
简体标题：蓝宝石单晶之制造方法及蓝宝石单晶基板
公开(公告)号：TW201204881A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：TW100118637
申请日：2011-05-27
申请人：昭和電工股份有限公司
发明人：庄內智博
IPC分类号： C30B
CPC分类号： C30B29/20 , C30B15/04
摘要：本發明之課題在於提供金屬不純物、結晶缺陷(氣泡)很少的藍寶石單晶基板之製造方法及藍寶石單晶基板。本發明之解決手段之藍寶石錠之製造方法，係將被充填於加熱爐內的坩鍋內的固體之氧化鋁，於未達融點(2050℃)的溫度予以加熱保持之在固相的加熱步驟(S101)，使坩鍋內的氧化鋁融解的融溶步驟(S102)，於比氧化鋁的融點更高的溫度予以持續加熱而保持得在液相的加熱步驟(S103)，藉由使種晶旋轉同時往上方提拉，於種晶的下方形成肩部的肩部形成步驟(S105)，在使肩部的下端部接觸於氧化鋁融液的狀態，藉由中介著種晶使肩部旋轉同時往上方提拉，於肩部的下方形成直胴部之直胴部形成步驟(S106)。
简体摘要：本发明之课题在于提供金属不纯物、结晶缺陷(气泡)很少的蓝宝石单晶基板之制造方法及蓝宝石单晶基板。本发明之解决手段之蓝宝石锭之制造方法，系将被充填于加热炉内的坩锅内的固体之氧化铝，于未达融点(2050℃)的温度予以加热保持之在固相的加热步骤(S101)，使坩锅内的氧化铝融解的融溶步骤(S102)，于比氧化铝的融点更高的温度予以持续加热而保持得在液相的加热步骤(S103)，借由使种晶旋转同时往上方提拉，于种晶的下方形成肩部的肩部形成步骤(S105)，在使肩部的下端部接触于氧化铝融液的状态，借由中介着种晶使肩部旋转同时往上方提拉，于肩部的下方形成直胴部之直胴部形成步骤(S106)。

8. 发明专利

TW201129730A 單結晶上拉裝置以及單結晶上拉方法审中-公开
简体标题：单结晶上拉设备以及单结晶上拉方法
公开(公告)号：TW201129730A
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：TW099143987
申请日：2010-12-15
申请人：昭和電工股份有限公司
发明人：庄內智博
IPC分类号： C30B
CPC分类号： C30B29/20 , C30B15/305
摘要：單結晶上拉裝置(1)，係具有用來進行藍寶石單晶塊(200)(柱狀藍寶石單結晶所構成)的成長之加熱爐(10)，在其內部具備形成有圓柱狀空間之隔熱容器(11)。在隔熱容器(11)的內側下方配置用來收容原料熔融液之坩堝(20)。再者，在坩堝(20)內側且在藍寶石單晶塊(200)外側，具備用來抑制氧化鋁熔融液(300)表面的熱對流之對流控制板(17)，其一端部插入氧化鋁熔融液(300)而被施以保持。在採用柴式(Cz)法之單結晶上拉過程，藉由抑制熱對流，以減緩熔融液的結晶成長界面之溫度梯度，而抑制所成長出之單結晶的熱應變。
简体摘要：单结晶上拉设备(1)，系具有用来进行蓝宝石单晶块(200)(柱状蓝宝石单结晶所构成)的成长之加热炉(10)，在其内部具备形成有圆柱状空间之隔热容器(11)。在隔热容器(11)的内侧下方配置用来收容原料熔融液之坩埚(20)。再者，在坩埚(20)内侧且在蓝宝石单晶块(200)外侧，具备用来抑制氧化铝熔融液(300)表面的热对流之对流控制板(17)，其一端部插入氧化铝熔融液(300)而被施以保持。在采用柴式(Cz)法之单结晶上拉过程，借由抑制热对流，以减缓熔融液的结晶成长界面之温度梯度，而抑制所成长出之单结晶的热应变。

9. 发明专利

TW201033414A 藍寶石單晶之製造方法审中-公开
简体标题：蓝宝石单晶之制造方法
公开(公告)号：TW201033414A
公开(公告)日：2010-09-16
申请号：TW098144488
申请日：2009-12-23
申请人：昭和電工股份有限公司
发明人：庄內智博
IPC分类号： C30B
CPC分类号： C30B15/28 , C30B29/20
摘要：本發明之課題在於由氧化鋁之融液來成長藍寶石單晶時，更為抑制藍寶石單晶的尾部之凸狀部的形成。本發明之解決手段為執行使坩堝中的氧化鋁融溶得到該氧化鋁之融液之融溶步驟，及藉由拉起使接觸於氧化鋁融液的種晶，於種晶下方形成肩部之肩部形成步驟，及由融液拉起藍寶石單晶形成直胴部之值胴部形成步驟，及含有氧與非活性氣體，供給氧之濃度被設定在1.0體積百分比以上且在5.0體積百分比以下之混合氣體，同時由融液拉開分離藍寶石單晶形成尾部之尾部形成步驟。
简体摘要：本发明之课题在于由氧化铝之融液来成长蓝宝石单晶时，更为抑制蓝宝石单晶的尾部之凸状部的形成。本发明之解决手段为运行使坩埚中的氧化铝融溶得到该氧化铝之融液之融溶步骤，及借由拉起使接触于氧化铝融液的种晶，于种晶下方形成肩部之肩部形成步骤，及由融液拉起蓝宝石单晶形成直胴部之值胴部形成步骤，及含有氧与非活性气体，供给氧之浓度被设置在1.0体积百分比以上且在5.0体积百分比以下之混合气体，同时由融液拉开分离蓝宝石单晶形成尾部之尾部形成步骤。

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