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1. 发明授权

KR102265635B1 통합 테라헤르츠 센서 有权
公开(公告)号：KR102265635B1
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：KR1020177005428
申请日：2015-09-04
申请人： 인텔 코포레이션
发明人： 모하메드에드리스엠 , 반아이브라힘
IPC分类号： G01V8/00 , H01L31/14

2. 发明授权

KR101133872B1 유기 광-광 변환 디바이스 失效
标题翻译：有机灯光转换装置
公开(公告)号：KR101133872B1
公开(公告)日：2012-04-06
申请号：KR1020117008497
申请日：2004-12-16
申请人： 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤
发明人： 나까야마,겐이찌 , 요꼬야마,마사아끼 , 우에다,마사또
IPC分类号： H01L31/14
CPC分类号： H01L27/288 , H01L27/305 , H01L31/141 , H01L51/0034 , H01L51/0035 , H01L51/0036 , H01L51/0038 , H01L51/0094
摘要： 본 발명은, 광 조사에 의해 광-전류 증배 현상을 일으키는 광-전도성 유기 반도체를 포함하는 층을 갖는 수광 유닛, 및 전류 주입에 의해 발광하는 전계발광성 유기 반도체를 포함하는 층을 갖는 발광 유닛을 포함하며, 광-전도성 유기 반도체 및 전계발광성 유기 반도체 중 하나 이상이 중합체 반도체인 것을 특징으로 하는, 디바이스 특성이 우수한 유기 광-광 변환 디바이스를 제공한다. 또한, 본 발명은 상기 유기 광-광 변환 디바이스가 복수개 배열되어 이루어지는 영상 증배관; 및 상기 유기 광-광 변환 디바이스와, 전계발광성 유기 반도체를 포함하는 층의 양단에 인가된 전압을 측정하여 출력하는 수단을 포함하는 광 센서를 제공한다.

3. 发明授权

KR101085343B1 유기 광-광 변환 디바이스 失效
标题翻译：有机灯光转换装置
公开(公告)号：KR101085343B1
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：KR1020067012017
申请日：2004-12-16
申请人： 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤
发明人： 나까야마,겐이찌 , 요꼬야마,마사아끼 , 우에다,마사또
IPC分类号： H01L31/14
CPC分类号： H01L27/288 , H01L27/305 , H01L31/141 , H01L51/0034 , H01L51/0035 , H01L51/0036 , H01L51/0038 , H01L51/0094
摘要： 본 발명은, 광 조사에 의해 광-전류 증배 현상을 일으키는 광-전도성 유기 반도체를 포함하는 층을 갖는 수광 유닛, 및 전류 주입에 의해 발광하는 전계발광성 유기 반도체를 포함하는 층을 갖는 발광 유닛을 포함하며, 광-전도성 유기 반도체 및 전계발광성 유기 반도체 중 하나 이상이 중합체 반도체인 것을 특징으로 하는, 디바이스 특성이 우수한 유기 광-광 변환 디바이스를 제공한다. 또한, 본 발명은 상기 유기 광-광 변환 디바이스가 복수개 배열되어 이루어지는 영상 증배관; 및 상기 유기 광-광 변환 디바이스와, 전계발광성 유기 반도체를 포함하는 층의 양단에 인가된 전압을 측정하여 출력하는 수단을 포함하는 광 센서를 제공한다.
유기 광-광 변환 디바이스, 영상 증배관, 광 센서, 광-전류 증배 현상, 광-전도성 유기 반도체, 전계발광성 유기 반도체

4. 发明授权

KR101009841B1 고속 데이터율의 광 변조기 바이어스 회로 有权
标题翻译：高数据速率光学调制器偏置电路
公开(公告)号：KR101009841B1
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：KR1020087023795
申请日：2007-03-22
申请人： 인텔 코포레이션
发明人： 슐츠,크레이그
IPC分类号： G02F1/00 , G02B26/00 , H01L31/14
CPC分类号： G02F1/0123 , G02F2001/0155
摘要： 일 실시예에서, 고속 데이터율의 광 변조기 바이어스 회로를 위한 장치가 개시된다. 장치는 광 변조기, 제어 전압을 광 변조기로의 공급 전압을 기준으로 하는 전압으로 변환하는 전압 제어 전압 소스, 광 변조기에 바이어스 전압을 공급하기 위한 높은 전류 싱킹 성능을 갖는 버퍼 증폭기, 바이어스 전압을 광 변조기의 데이터 포트에 연결하기 위한 바이어스-티(bias-T)를 포함한다. 다른 실시예 또한 기술된다.
고속 데이터율의, 광 변조기, 바이어스, 전류 싱킹 성능, 버퍼 증폭기

5. 发明授权

KR100883989B1 광변조기 소자 失效
标题翻译：光学调制器
公开(公告)号：KR100883989B1
公开(公告)日：2009-02-17
申请号：KR1020070105308
申请日：2007-10-19
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 이재훈 , 윤상기 , 이현기 , 양주환
IPC分类号： H01L31/02 , H01L31/14
CPC分类号： H01L31/14 , G02B26/02 , H01L41/047 , H01L41/113 , H01L41/18
摘要： An optical modulator is provided to improve adhesion in an interface between a bottom electrode and a ribbon layer by forming the bottom electrode and the ribbon layer composed of the nitride compound thin film. A ribbon layer(140) is composed of a nitride compound thin film. The ribbon layer is supported by both sides of the substrate by floating the center of the ribbon layer from the substrate. First electrodes(151) are composed of the nitride compound thin films having the conductivity. The first electrodes are located in both sides of the ribbon layer. A second electrode(153) is formed between the first electrodes for applying a driving voltage. A piezoelectric layer(152) is positioned between the first electrode and the second electrode. The piezoelectric layer is contracted or expanded by corresponding to the driving voltage and generates the driving force by moving the center part of the ribbon layer up and down.
摘要翻译：通过形成底部电极和由氮化物化合物薄膜构成的带状层，提供光学调制器以改善底部电极和带状层之间的界面中的粘合。带状层（140）由氮化物化合物薄膜构成。通过将带状层的中心从衬底浮起来，带层由衬底的两侧支撑。第一电极（151）由具有导电性的氮化物化合物薄膜构成。第一电极位于带状层的两侧。在第一电极之间形成用于施加驱动电压的第二电极（153）。压电层（152）位于第一电极和第二电极之间。压电层通过对应于驱动电压而收缩或膨胀，并通过上下移动带状层的中心部分而产生驱动力。

6. 发明授权

KR100859708B1 ｎ-형 ＣＩＳ와 ｐ-형 ＣｕＳｅ를 이용한 이종접합다이오드 失效
标题翻译：具有n型CIS和p型CuSe的异质结二极管
公开(公告)号：KR100859708B1
公开(公告)日：2008-09-23
申请号：KR1020060120079
申请日：2006-11-30
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 이상수 , 송기봉 , 조두희 , 김경암
IPC分类号： H01L31/0272 , H01L29/786 , H01L31/14 , H01L31/103
摘要： 본 발명은 n-형 CIS와 p-형 CuSe를 이용한 이종접합 다이오드를 제공한다. 본 발명의 이종접합 다이오드는 기판; 상기 기판 상에 형성된 n-형의 CIS층; 상기 n-형의 CIS층 상에 형성된 p-형의 CuSe층; 상기 n-형의 CIS 층과 전기적으로 연결된 제1 전극층; 및 상기 p-형의 CuSe 층과 전기적으로 연결된 제2 전극;을 포함한다. 이와 같은 n-형 CIS와 p-형 CuSe를 이용한 이종접합 다이오드는 정류특성을 가질 뿐만 아니라 빛을 조사할 경우 빛을 조사하지 않은 경우에 비하여 전류의 크기가 더 세지는 광특성을 보인다.
n-형 CIS, p-형 CuSe, 이종접합 다이오드, 광특성

7. 发明公开

KR1020070048988A 복수 층으로 구성된 전극을 갖는 멤스 구조물 및 그 제조방법 失效
标题翻译：具有多层电极的MEMS及其制造方法
公开(公告)号：KR1020070048988A
公开(公告)日：2007-05-10
申请号：KR1020050106130
申请日：2005-11-07
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 경제홍
IPC分类号： H01L31/14
CPC分类号： H01L31/08 , H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L41/09
摘要： 본 발명은 기판; 기판 상에 위치하는 절연층; 중앙 부분이 절연층과의 사이에서 구동 공간을 확보할 수 있도록 소정의 간격으로 이격되어 위치하며 구동 공간을 통하여 상하로 움직일 수 있는 구조물층; 구조물층 상에 위치하는 하부 전극; 하부 전극 상에 위치하고, 소정의 전압에 상응하여 수축 및 팽창을 하여 구조물층의 중앙 부분이 상하로 움직일 수 있도록 구동력을 발생시키는 압전층; 및 압전층 상에 위치하고, 하부 전극 간에 압전층에 형성되는 소정의 전압을 인가하는 상부 전극을 포함하되, 하부 전극 또는 상부 전극은 층별로 상이한 결정 분포를 갖는 복수의 층으로 구성되는 멤스 구조물 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 결정 분포가 상이한 복수의 층을 적층하는 방식의 전극 성막 공정을 통해 후속하는 고온의 소자 제조 공정에도 스트레스(stress) 등에 의한 특성 열화가 작은 전극 막을 형성할 수 있고, 이를 통해 멤스 구조물 전체의 특성 열화를 방지하고, 그 신뢰성을 극대화시킬 수 있는 효과가 있다.
멤스 구조물, 압전 구동체, 하부 전극, 결정 분포.

8. 发明公开

KR1020010077675A 양자점을 이용한 반도체 광 증폭기의 이득 대역폭 확장 방법 失效
标题翻译：用于扩展半导体光学放大器增益带宽的方法
公开(公告)号：KR1020010077675A
公开(公告)日：2001-08-20
申请号：KR1020000005631
申请日：2000-02-07
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 우덕하 , 이석 , 한일기 , 김선호 , 최원준 , 변영태 , 김회종 , 김재헌 , 강광남 , 김대식 , 양지상
IPC分类号： H01L31/14
摘要： PURPOSE: A method for extending the gain bandwidth of a semiconductor optical amplifier is provided to obtain the semiconductor optical amplifier having a wide gain bandwidth by using a quantum dot as a gain region of the semiconductor optical amplifier. CONSTITUTION: An InP(Indium Phosphorus) buffer layer is grown at a predetermined thickness(S10). After the growing of the InP buffer layer, a predetermined gas is supplied(S20, S30, S40). An InAs(Indium arsenide) single well layer is grown on the InP buffer layer(S50). After the growing of the InAs layer, a predetermined gas is supplied(S60, S70, S80). An InP cap layer is grown on the InAs layer(S90).
摘要翻译：目的：提供一种用于扩展半导体光放大器的增益带宽的方法，通过使用量子点作为半导体光放大器的增益区，获得具有宽增益带宽的半导体光放大器。构成：以预定厚度生长InP（铟磷）缓冲层（S10）。在InP缓冲层生长之后，提供预定的气体（S20，S30，S40）。在InP缓冲层上生长InAs（砷化铟）单阱层（S50）。在InAs层生长之后，提供预定的气体（S60，S70，S80）。 InAs层在InAs层上生长（S90）。

9. 发明公开

KR1019960009244A 집적형 반도체 광증폭기 구조 및 제조방법 失效
标题翻译：集成半导体光放大器结构和制造方法
公开(公告)号：KR1019960009244A
公开(公告)日：1996-03-22
申请号：KR1019940019494
申请日：1994-08-08
申请人： 한국전자통신연구원 , 주식회사 케이티
发明人： 오광룡 , 안주헌 , 김홍만
IPC分类号： H01L31/14
摘要： 본 발명은 광스위치의 광도파로와 반도체 광증폭기를 최적화시키는 반도체 광증폭기의 구조 및 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 n형의 화합물 반도체 기판(15)상에 형성되는 도핑되지 않은 화합물 반도체 도파로층(14)과, 제 1 및 제 2 클래드층(12,13)이 홈모양으로 선택식각되는 도파로(3)영역과, 상기 홈모양의 도파로(3)영역상에 형성된 홈모양의 광증폭기(1)영역의 도핑되지 않은 반도체 화합물 활성층(11) 및 반도체 화합물 클래드층(10), 화합물 반도체 캡층(9)과, 상기 홈모양의 측면에 형성된 전류차단층을 포함하는 구조를 이루고 있다.
또한 본 발명의 제조방법은 도파로층 도핑되지 않은 InGaAsP(14)과 제 1 및 제 2 클래드층(12,13)을 1차 결정 성장시키는 단계와, 선택식각액으로 증폭기(1)영역의 도파로층 InGaAsP(14)과 제 1 및 제 2 클래드층(12,13)을 홈모양으로 선택식각하는 단계와, 증폭기의 도핑되지 않은 활성층 InGaAsP(11), 클래드층 p-InP(12) 및 p+-InGaAs(9)을 제 2 차 결정시키는 단계와, 도파로를 식각하고 전극을 증착하는 단계로 이루어진다.
상기한 바와같이 본 발명은 2회의 결정 성장만으로도 제작이 가능하며 전류를 차단시킬 수 있으며, 옴저항을 최소화 할 수 있으며 일정 부분에 반송자의 집속시켜 입력광에 대한 효과적인 이득을 얻어 일정한 광이득을 얻기 위한 동작전류를 최소화 할 수 있다.

10. 发明授权

KR1019910005394B1 CCD형 고체촬영소자 失效
标题翻译： CCD固态图像传感器器件
公开(公告)号：KR1019910005394B1
公开(公告)日：1991-07-29
申请号：KR1019880010425
申请日：1988-08-17
申请人： 삼성에스디아이 주식회사
发明人： 전인상 , 김범식
IPC分类号： H01L31/14
摘要： Solid state image deive with polycrystalline silicon electrodes of double layer includes the first horizontal transport CCD (5) and the second horizontal transport CCD (6) at the top and bottom of photo accepting part. The signal charge of vertical transport channel (8) situated at a row of an odd number is transported upward (10) or downward (10), while the signal charge of even number is transported in the other direction. The first and second polycrystalline silicon (2,3) as the vertical transport electrodes is arranged alternately at the same column.
摘要翻译：具有双层多晶硅电极的固态图像具有第一水平传输CCD（5）和第二水平传输CCD（6），位于光接收部分的顶部和底部。位于奇数行的垂直传输通道（8）的信号电荷向上（10）或向下（10）传输，而偶数的信号电荷在另一个方向上传输。作为垂直输送电极的第一和第二多晶硅（2,3）交替地配置在同一列。

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