专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明公开

KR1020170077858A 광반응 스마트 윈도우 有权
标题翻译：光反应智能窗口
公开(公告)号：KR1020170077858A
公开(公告)日：2017-07-06
申请号：KR1020170079819
申请日：2017-06-23
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 고두현 , 민병권 , 권현근 , 이규태 , 고형덕 , 한일기
IPC分类号： G02F1/137 , H02S10/00 , H01L31/042
CPC分类号： Y02E10/50 , G02F1/137 , H01L31/042 , H02S10/00
摘要： 광반응스마트윈도우가제공된다. 상기광반응스마트윈도우는자외선우무에따라투과도가조절되는액정층을태양전지와결합하여새로운형태의전기생산스마트윈도우로서, 자외선이있는낮에는투명해져서창문에노출되는태양광을전기에너지로변환할수 있고, 자외선이없는저녁에는불투명해져서커튼없는창문으로사용될수 있다.
摘要翻译：提供一个光反应智能窗口。光学响应智能窗作为发电智能窗新型的液晶层的传输速率的组合是与根据紫外线琼脂的太阳能电池的控制，是在紫外线下具有haejyeoseo透明转换日光暴露于窗口为电能并且在没有紫外线的夜晚变得不透明，并且可以用作无窗帘。

2. 发明授权

KR101724032B1 다색 양자점 패턴의 형성 방법 및 그 방법에 따라 형성된 다색 양자점 패턴, 양자점 발광소자 有权
标题翻译：一种形成多色量子点图案的方法，根据该方法形成的多色量子点图案，
公开(公告)号：KR101724032B1
公开(公告)日：2017-04-07
申请号：KR1020150074016
申请日：2015-05-27
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 박준서 , 한일기 , 김지훈
IPC分类号： H01L21/027 , H01L33/04 , H01L21/02
CPC分类号： H01L51/502 , H01L51/0014
摘要： 다색양자점패턴의형성방법은, 기판상에제1 포토레지스트패턴을형성하는단계; 상기제1 포토레지스트패턴이형성된기판의표면을활성화시키는단계; 상기활성화된기판상에제1 양자점층을형성하는단계; 상기제1 포토레지스트패턴을제거하여제1 양자점패턴을생성하는단계; 및상기기판에생성된상기제1 양자점패턴과동일층상에제2 양자점패턴을생성하는단계를포함한다. 이에따라, 하나의기판에다양한양자점을용이하게구현할수 있다.
摘要翻译：形成多色量子点图案的方法包括：在衬底上形成第一光致抗蚀剂图案; 激活其上形成有第一光致抗蚀剂图案的基板的表面; 在激活的衬底上形成第一量子点层; 去除第一光致抗蚀剂图案以产生第一量子点图案; 并且在与衬底上产生的第一量子点图案相同的层上产生第二量子点图案。因此，可以容易地在一个衬底上实施各种量子点。

3. 发明授权

KR101489913B1 업컨버전 나노입자를 포함하는 GPR 및 이를 이용한 태양전지 有权
标题翻译：包含上转换纳米粒子和使用其的太阳能电池的间隙等离子体共振器
公开(公告)号：KR101489913B1
公开(公告)日：2015-02-06
申请号：KR1020140029474
申请日：2014-03-13
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 고형덕 , 장호성 , 고두현 , 최원준 , 임주원 , 김정혁 , 한일기
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： Y02E10/50 , H01L31/04
摘要： 본 발명은 업컨버전 나노입자를 포함하는 GPR 및 이를 이용한 태양전지에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플라즈몬 특성을 이용하여 업컨버전 나노물질의 발광 효율을 향상시킬 수 있고, 낮은 파워밀도에서도 우수한 발광 세기를 나타내며, 이를 태양전지에 이용할 경우, 보다 우수한 광전환 효율을 가질 수 있다.
摘要翻译：本发明涉及包含上转换纳米颗粒的GPR和使用其的太阳能电池。更具体地，本发明可以通过使用等离子体激元特性来提高上转换纳米材料的发光效率，即使在低功率密度下也显示出优异发光的强度，并且在用作太阳能电池时具有优异的光电转换效率。

4. 发明公开

KR1020150000616A 플라즈몬을 이용한 광대역 가시광선 흡수 나노구조체 有权
标题翻译： BROADBADN可见光吸收纳米结构使用PLASMON
公开(公告)号：KR1020150000616A
公开(公告)日：2015-01-05
申请号：KR1020130072912
申请日：2013-06-25
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 고형덕 , 한일기 , 최원준
IPC分类号： G02B5/22 , G02B5/20
CPC分类号： G02B5/204 , B82Y20/00 , G02B5/008 , G02B5/208 , G02B5/22
摘要： 나노구조체는 기판, 기판 위에 위치하는 제1 금속층, 그리고 제1 금속층 위에 위치하는 단위 구조물(unit structure)을 포함하고, 단위 구조물은 제1 금속층 위에 위치하는 제1 유전체층, 제1 유전체층 위에 위치하는 제2 금속층, 제2 금속층 위에 위치하는 제2 유전체층, 제2 유전체층 위에 위치하는 제3 금속층, 제3 금속층 위에 위치하는 제3 유전체층, 그리고 제3 유전체층 위에 위치하는 제4 금속층을 포함하고, 제1 유전체층, 제2 유전체층, 그리고 제3 유전체층은 서로 두께가 다르다.
摘要翻译：提供使用等离子体的宽带可见光吸收纳米结构，能够有效地吸收整个可见光区域的光。所述纳米结构包括基板，位于所述基板上的第一金属层和位于所述第一金属层上的单元结构，其中所述单元结构包括位于所述第一金属层上的第一介电层，位于所述第一金属层上的第二金属层介电层，位于第二金属层上的第二电介质层，位于第二电介质层上的第三金属层，位于第三金属层上的第三电介质层和位于第三电介质层上的第四金属层，其中，第一，第二和第三电介质层具有不同的厚度。

5. 发明公开

KR1020130084897A 수중 통신 장치 및 방법 有权
标题翻译：水下通信装置和方法
公开(公告)号：KR1020130084897A
公开(公告)日：2013-07-26
申请号：KR1020120005832
申请日：2012-01-18
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 송진동 , 한일기 , 최원준 , 이정일
IPC分类号： H04B11/00 , H04B10/00
CPC分类号： H04B10/80 , H04B13/02
摘要： PURPOSE: An underwater communication apparatus and a method thereof are provided to transmit data without distortion using the light with a wavelength of 450-500 nm. CONSTITUTION: A current control unit (120) converts first data to be transmitted to an external device into first current. An optical transmitter (110) transmits the light with a wavelength of 450-500 nm into the external device. The light corresponds to the converted first current. The first data includes one or more data among image data, voice data, and text data. A data transmitter transmits the first data to the current control unit. The data transmitter comprises one or more among a mike, a camera, a text input device, a body information collection device, and an environmental information collection device. [Reference numerals] (110) Optical transmitter; (120) Current control unit
摘要翻译：目的：提供水下通信装置及其方法，使用波长为450-500nm的光来传输数据而不失真。构成：电流控制单元（120）将要发送到外部设备的第一数据转换为第一电流。光发射器（110）将波长为450-500nm的光透射到外部设备中。光对应于转换的第一电流。第一数据包括图像数据，语音数据和文本数据中的一个或多个数据。数据发送器将第一数据发送到当前控制单元。数据发送器包括麦克风，照相机，文本输入装置，身体信息收集装置和环境信息收集装置中的一个或多个。（附图标记）（110）光发射机; （120）电流控制单元

6. 发明授权

KR100602973B1 스트레인 보상 다층양자우물을 이용하는 단일모드형 레이저 다이오드 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：使用应变补偿多量子晶胞的单模激光二极管及其制造方法
公开(公告)号：KR100602973B1
公开(公告)日：2006-07-20
申请号：KR1020030076161
申请日：2003-10-30
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 한일기 , 이정일 , 조운조 , 최원준 , 허두창
IPC分类号： H01S5/34
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/0654 , H01S5/1014 , H01S5/1017 , H01S5/1064 , H01S5/125 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/3211 , H01S5/3406 , H01S5/3434 , H01S5/34373 , H01S2304/04
摘要： 본 발명은 스트레인 보상 다층양자우물을 이용하는 단일모드형 레이저 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 기판, 기판 상에 형성되는 n형 클래딩층, n형 클래딩층 상에 형성되는 n형 SCH(Separate Confinement Heterostructure)층, n형 SCH층 상에 형성되며 사전설정된 파장 대역의 광을 발생시키기 위한 다층양자우물, 다층양자우물 상에 형성되며 광을 구속하기 위한 p형 SCH층, p형 SCH층 상에 형성되며 광의 손실을 방지하기 위한 p형 클래딩층, p형 클래딩층 상에 형성되며 옴접촉을 조절하기 위한 오믹층, 및 광을 발생시키기 위한 전류를 다층양자우물로 주입하기 위한 전극을 포함하며, n형 클래딩층은 광의 손실을 방지하고, n형 SCH층은 광을 구속하며, 다층양자우물은 사전설정된 적층 주기로 교번하여 형성된 다수의 압축 스트레인 우물층 및 다수의 긴장 스트레인 장벽층에 의해 스트레인 보상되는 단일모드형 레이저 다이오드 및 그 제조 방법을 제공한다.
레이저 다이오드, 스트레인 보상 다층양자우물, 압축 스트레인 우물층, 긴장 스트레인 장벽층, 에피 구조

7. 发明公开

KR1020060037033A 다양한 크기의 양자점으로 이루어진 활성층을 이용하는고휘도 발광소자 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：使用形成有各种尺寸的量子的活性层的超级亮度二极管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020060037033A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：KR1020040086139
申请日：2004-10-27
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 한일기 , 이정일 , 유영채
IPC分类号： H01L33/06
CPC分类号： B82Y10/00 , H01L33/0045
摘要： 파장대역폭이 넓고 광출력이 큰 고휘도 발광소자 및 그 제조 방법을 제공한다. 이를 위해, 기판, 상기 기판 상에 형성되어 방출되는 광을 구속하는 제 1 클래딩층 및 제2 클래딩층, 상기 제1 클래딩층 및 제2 클래딩층 사이에 형성되어 사전설정된 적어도 두 파장의 광을 방출하는 CQD 양자점 구조의 활성층을 포함하는 고휘도 발광소자 및 그 제조 방법을 제공한다.
고휘도 발광소자, 파장 대역폭, 광출력, CQD (Chirped Quantum Dots), 활성층

8. 发明公开

KR1020040083753A 비대칭 ＳＣＨ 구조를 갖는 반도체 레이저 다이오드 및 그제조 방법 失效
标题翻译：具有不对称SCH结构的半导体激光二极管及其制造方法，其中将InGaAs层插入第一N型SCH层
公开(公告)号：KR1020040083753A
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：KR1020030018348
申请日：2003-03-25
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 허두창 , 한일기 , 최원준 , 박용주 , 조운조 , 송진동 , 이정일
IPC分类号： H01S3/0941
摘要： PURPOSE: A semiconductor laser diode having an asymmetric SCH(Separate-Confinement Hetero) structure and a fabricating method thereof are provided to improve a thermal characteristic and an optical characteristic by reducing internal loss due to inserting a p-InP layer. CONSTITUTION: An n-type cladding layer(220) is formed on a substrate. An n-type second SCH layer(218) is formed on the n-type cladding layer. The first n-type SCH layer(210) is formed on the second SCH layer. An active layer(212) is formed on the first n-type SCH layer. The first p-type SCH layer(208) is formed on the active layer. The first insertion layer(206) is formed on the p-type first SCH layer. A p-type second SCH layer(204) is formed on the first insertion layer. A p-type cladding layer(202) is formed on the p-type second SCH layer.
摘要翻译：目的：提供具有不对称SCH（分离限制异质）结构的半导体激光二极管及其制造方法，通过减少由于插入p-InP层引起的内部损耗来改善热特性和光学特性。构成：在基板上形成n型包覆层（220）。在n型包覆层上形成n型第二SCH层（218）。第一n型SCH层（210）形成在第二SCH层上。在第一n型SCH层上形成有源层（212）。第一p型SCH层（208）形成在有源层上。第一插入层（206）形成在p型第一SCH层上。在第一插入层上形成p型第二SCH层（204）。 p型覆层（202）形成在p型第二SCH层上。

9. 发明授权

KR100368789B1 전계흡수형 소자의 단면 반사율 측정 방법 失效
标题翻译： 전계흡수형소자의단면반사율측정방법
公开(公告)号：KR100368789B1
公开(公告)日：2003-01-24
申请号：KR1020000005561
申请日：2000-02-07
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 강병권 , 이석 , 박윤호 , 김선호 , 우덕하 , 최원준 , 변영태 , 한일기 , 김회종
IPC分类号： G01B9/00
摘要： PURPOSE: A method for measuring a sectional reflexibility of a field absorption type device is provided to measure easily an optical variable by using an optical current. CONSTITUTION: A lens type fiber(21) transfers a laser beam emitted from a variable wavelength laser(10). The laser beam passing through the lens type filter(21) is irradiated on a section of a device(15). A chopper(11) turns on or off the variable wavelength laser(10). An optical rotator(14) is formed at a position adjacent to a polarization controller(13) in order to control a path of the laser beam. An optical detector(16) is connected with the optical rotator(14) in order to measure a change of reflective intensity of a reflected beam. A lock-in amplifier(17) is connected with the chopper(11) in order to detect a modulated variable wavelength laser beam. A power supply(18) supplies power to each component. A voltage separator(18) separates a signal influence between the device(15) and the lock-in amplifier(17).
摘要翻译：目的：提供一种用于测量场吸收型器件的截面反射率的方法，以通过使用光学电流容易地测量光学变量。构成：透镜型光纤（21）传输从可变波长激光器（10）发射的激光束。穿过透镜型滤波器（21）的激光束照射在装置（15）的一部分上。斩光器（11）打开或关闭可变波长激光器（10）。在与偏振控制器（13）相邻的位置处形成旋光器（14）以控制激光束的路径。光检测器（16）与旋光器（14）连接以测量反射光束的反射强度的变化。锁定放大器（17）与斩波器（11）连接以便检测调制的可变波长激光束。电源（18）为每个组件供电。电压分离器（18）分离装置（15）和锁定放大器（17）之间的信号影响。

10. 发明公开

KR1020010077666A 양자우물 구조를 갖는 반도체 광소자의 밴드갭 제어방법 失效
标题翻译：用于控制具有量子阱结构的半导体光学器件的带隙的方法
公开(公告)号：KR1020010077666A
公开(公告)日：2001-08-20
申请号：KR1020000005619
申请日：2000-02-07
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 최원준 , 김선호 , 우덕하 , 이석 , 한일기 , 김회종 , 강광남 , 이희택
IPC分类号： H01L31/12
摘要： PURPOSE: A method for controlling a band gap of a semiconductor optical device having the structure of a quantum well is provided to prevent a quantum well substrate damaging by using a silicon nitride film as a dielectric cover layer and by controlling a flow ratio of ammonia gas. CONSTITUTION: A substrate having the structure of a quantum well is grown(S100). A dielectric cover layer is deposited on the substrate by a plasma chemical vapor deposition process(S200). A thermal processing is performed on the dielectric cover layer at a predetermined time(S300). The dielectric cover layer is removed(S400). A fluorescence spectrum is measured(S500).
摘要翻译：目的：提供一种用于控制具有量子阱结构的半导体光学器件的带隙的方法，以通过使用氮化硅膜作为电介质覆盖层并通过控制氨气流量来防止量子阱基板损坏。构成：生长具有量子阱结构的衬底（S100）。电介质覆盖层通过等离子体化学气相沉积工艺沉积在衬底上（S200）。在规定时间对电介质覆盖层进行热处理（S300）。去除电介质覆盖层（S400）。测量荧光光谱（S500）。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式