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1. 发明授权

KR102337625B1 입자의 경로의 말단부가 노출된 입자의 경로를 포함하는 제품을 제조하기 위한 방법 有权
公开(公告)号：KR102337625B1
公开(公告)日：2021-12-09
申请号：KR1020167034422
申请日：2015-05-21
IPC分类号： H01B1/22 , H01B1/24 , H01B1/18 , H01B1/16 , C09J9/02 , H01F1/28 , H05K3/10
摘要： 본발명은수용성또는비수용성매트릭스와점성재료및 입자를포함한매트릭스의계면에입자를배열하기위한방법에관한것이다. 이방법은, - 상기수용성또는비수용성매트릭스및/또는상기점성재료및 입자를포함한매트릭스를하나이상의면을포함한지지체와접촉시키는단계 - 상기지지체의하나이상의면은상기수용성또는비수용성매트릭스및/또는상기점성재료및 입자를포함한매트릭스와대면함 -, - 상기점성재료및 입자를포함한매트릭스와접촉되도록상기수용성또는비수용성매트릭스를배치함으로써, 상기수용성또는비수용성매트릭스와상기점성재료및 입자를포함한매트릭스사이에하나이상의계면을포함하는구조물을제공하는단계, - 상기구조물내의상기입자를전기장및/또는자기장에노출시킴으로써상기입자를하나이상의경로로형성하는단계 - 상기하나이상의입자의경로는상기수용성또는비수용성매트릭스와상기점성재료및 입자를포함한매트릭스사이의상기하나이상의계면에말단부를포함함 -, 및 - 상기하나이상의입자의경로를고착시키기위해상기점성재료를고착시키는단계를포함하고, 상기말단부는상기수용성또는비수용성매트릭스의용해에의한제거시에노출되는것을특징으로한다. 본발명은또한상기방법에의해얻어질수 있는제품, 및다양한용도에서상기방법의사용에관한것이다.

2. 发明授权

KR102329706B1 도전성 필름, 및 도전성 필름의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102329706B1
公开(公告)日：2021-11-22
申请号：KR1020197012968
申请日：2017-11-14
IPC分类号： H01B5/14 , H01B1/16 , C08J7/044 , B05D5/12 , B05D7/24 , H01B13/00
摘要： 도전성필름은, 고분자필름과, 고분자필름의적어도한쪽면에형성된베이스수지층과, 평균지름이 1~100nm이며아스펙트비의평균이 100~2000인금속나노와이어와바인더수지를포함해서베이스수지층위에형성된도전층을, 구비한다. 도전층의표면저항값은 1.0×102 ~ 1.0×106Ω/□이며, 또표면저항값의불균일이 15%이하이다.

3. 发明授权

KR102292562B1 도전성 페이스트 有权
公开(公告)号：KR102292562B1
公开(公告)日：2021-08-23
申请号：KR1020197005943
申请日：2017-07-18
IPC分类号： C03C4/14 , C03C8/18 , C03C8/20 , C03C3/066 , H01B1/16 , H01C17/065
摘要： 도전성분말과, 실질적으로납을포함하지않는유리프릿과, 유기비히클을함유하고, 상기유리프릿이하기의산화물로환산했을때의합계 mol수에대해, B2O3 환산으로 25~50몰%의 B와, SiO2 환산으로 25~50몰%의 Si와, Al2O3 환산으로 7~23몰%의 Al과, MgO 환산으로 2~15몰%의 Mg와, BaO 환산으로 2~5몰%의 Ba와, ZnO 환산으로 3~18몰%의 Zn 및 TiO2 환산으로 3~8몰%의 Ti로이루어지는군으로부터선택되는 1종또는 2종을포함하는것을특징으로하는도전성페이스트. 본발명에의하면, 내땜납용해성및 내산성이뛰어나고, 또한, 기판과의밀착성및 접착성이뛰어난소성막을형성가능한무연도전성페이스트를제공할수 있다.

4. 发明授权

KR102198539B1 내부전극용 도전성 페이스트 및 적층 세라믹 전자부품의 제조방법 有权
公开(公告)号：KR102198539B1
公开(公告)日：2021-01-06
申请号：KR1020150187492
申请日：2015-12-28
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 김종한 , 최재열 , 이승호 , 이민곤
IPC分类号： H01G4/008 , H01B1/16 , H01G4/12 , H01G4/30
摘要： 본발명은도전성금속분말과세라믹분말을포함하는내부전극용도전성페이스트에있어서, 도포도막의단위면적당상기도전성금속분말의충진율이 52 부피% 이상인내부전극용도전성페이스트를제공한다.

5. 发明公开

KR20200135804A 전도성 페이스트, 방법, 전극 및 태양 전지 审中-公开
公开(公告)号：KR20200135804A
公开(公告)日：2020-12-03
申请号：KR20207028609
申请日：2019-03-18
申请人： JOHNSON MATTHEY PLC
发明人： ARAPOV KIRILL , CELA GREVEN BEATRIZ , CURRIE EDWIN PETER KENNEDY , KATZBACH ROLAND
IPC分类号： H01B1/22 , C03C4/14 , C03C8/18 , C08K3/22 , C08K3/40 , C09D5/24 , C09D7/61 , H01B1/16 , H01L31/0224
摘要： 기재(substrate) 상에전도성트랙또는코팅을형성하기위한전도성페이스트로서, 유기비히클중에분산된고형물부분을포함하며, 고형물부분은전기전도성재료및 무기입자혼합물을포함하고, 무기입자혼합물은유리프릿의입자및 하나이상의금속화합물의실질적으로결정질인입자를포함하고, 유리프릿은 90 몰% 이상의 TeO2를포함하는, 전도성페이스트.

6. 发明授权

KR102185128B1 저헤이즈 투명 도전체 有权
公开(公告)号：KR102185128B1
公开(公告)日：2020-12-02
申请号：KR20197017351
申请日：2011-01-14
IPC分类号： C09D11/52 , B22F9/20 , B22F9/24 , C09D11/00 , H01B1/00 , H01B1/02 , H01B1/16 , H01B1/22 , H01B5/14 , H01B13/00
摘要： 본발명은저헤이즈투명도전체, 잉크조성물및 그것의제조방법에관한것이다.

7. 发明授权

KR102175305B1 도전성 페이스트 및 결정계 실리콘 태양 전지의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102175305B1
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：KR20167004026
申请日：2014-07-24
IPC分类号： H01B1/22 , H01B1/16 , H01L31/0216 , H01L31/18
摘要： 본발명은, 결정계실리콘기판의표면에대하여전극을형성할때에, 양호한전기적접촉의전극을형성할수 있는도전성페이스트를얻는것을목적으로한다. 본발명의도전성페이스트는, 도전성분말과, 복합산화물과, 유기비히클을포함하는도전성페이스트이며, 복합산화물이산화몰리브덴, 산화붕소및 산화비스무트를포함하는도전성페이스트이다.

8. 发明授权

KR102063774B1 금속 페이스트 및 열전 모듈 有权
公开(公告)号：KR102063774B1
公开(公告)日：2020-01-08
申请号：KR1020150179576
申请日：2015-12-15
申请人： 주식회사 엘지화학
发明人： 박예록 , 김동식 , 이대기 , 박철희
IPC分类号： H01L35/14 , H01L35/18 , H01L35/22 , H01B1/22 , H01B1/16 , H01L35/02 , H01L35/30 , H01L35/32

9. 发明授权

KR102017081B1 전기전도도가 우수한 전도성 세라믹 조성물 有权
公开(公告)号：KR102017081B1
公开(公告)日：2019-09-02
申请号：KR1020180072688
申请日：2018-06-25
申请人： (주)윈스 , 위성복 , 전석원
发明人： 위성복 , 위형복 , 전석원
IPC分类号： H01B1/04 , H01B1/22 , H01B1/16 , H01B1/24 , H01B1/18

10. 发明授权

KR102003939B1 도전성 페이스트 有权
公开(公告)号：KR102003939B1
公开(公告)日：2019-07-25
申请号：KR1020160148261
申请日：2016-11-08
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 조용우 , 이은태 , 신은지
IPC分类号： H01B1/16 , H01B1/14

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