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1. 发明授权

KR102344327B1 동기식 스테이지를 포함하는 웨이브 파이프라인 有权
公开(公告)号：KR102344327B1
公开(公告)日：2021-12-29
申请号：KR1020200073612
申请日：2020-06-17
IPC分类号： G11C7/10 , G11C7/22 , G11C7/06 , G11C8/04 , G11C8/06 , G11C8/18 , G11C16/04
摘要： 웨이브파이프라인은데이터경로및 클록경로를포함한다. 데이터경로는데이터입력노드와데이터출력노드사이에서복수의웨이브파이프라인데이터스테이지및 동기식데이터스테이지를포함한다. 동기식데이터스테이지는동기식데이터스테이지로부터의데이터를래치하기위한제1 데이터래치를포함한다. 클록경로는입력클록노드와복귀클록노드사이에복수의웨이브파이프라인데이터스테이지에대응하는복수의클록스테이지를포함한다. 각각의클록스테이지는대응하는웨이브파이프라인데이터스테이지의딜레이와동일하도록구성된딜레이를가진다. 웨이브파이프라인은복귀클록노드상의복귀클록신호에응답하여데이터출력노드상에데이터를래치하기위한제2 데이터래치를포함한다. 제1 데이터래치는클록경로상의클록신호에응답하여동기식데이터스테이지로부터의데이터를래치한다.

2. 发明公开

KR20200146027A 동기식 스테이지를 포함하는 웨이브 파이프라인 审中-公开
公开(公告)号：KR20200146027A
公开(公告)日：2020-12-31
申请号：KR20200073612
申请日：2020-06-17
申请人： MICRON TECHNOLOGY INC
发明人： SHAKERI KAVEH , GHALAM ALI FEIZ ZARRIN
IPC分类号： G11C7/10 , G11C7/06 , G11C7/22 , G11C8/04 , G11C8/06 , G11C8/18 , G11C16/04
摘要： 웨이브파이프라인은데이터경로및 클록경로를포함한다. 데이터경로는데이터입력노드와데이터출력노드사이에서복수의웨이브파이프라인데이터스테이지및 동기식데이터스테이지를포함한다. 동기식데이터스테이지는동기식데이터스테이지로부터의데이터를래치하기위한제1 데이터래치를포함한다. 클록경로는입력클록노드와복귀클록노드사이에복수의웨이브파이프라인데이터스테이지에대응하는복수의클록스테이지를포함한다. 각각의클록스테이지는대응하는웨이브파이프라인데이터스테이지의딜레이와동일하도록구성된딜레이를가진다. 웨이브파이프라인은복귀클록노드상의복귀클록신호에응답하여데이터출력노드상에데이터를래치하기위한제2 데이터래치를포함한다. 제1 데이터래치는클록경로상의클록신호에응답하여동기식데이터스테이지로부터의데이터를래치한다.

3. 发明授权

KR102078562B1 리프레쉬 어드레스 생성기 및 이를 포함하는 휘발성 메모리 장치 有权
公开(公告)号：KR102078562B1
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：KR1020130020008
申请日：2013-02-25
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이우진 , 김대현 , 김상윤 , 김재성 , 손영수
IPC分类号： G11C11/408 , G11C11/401 , G11C8/04

4. 发明授权

KR101942164B1 소거가능한 프로그램가능 판독 전용 메모리를 위한 3 차원 어드레싱 有权
公开(公告)号：KR101942164B1
公开(公告)日：2019-01-24
申请号：KR1020167020956
申请日：2014-01-31
申请人： 휴렛-팩커드 디벨롭먼트 컴퍼니, 엘.피.
发明人： 응분빙 , 고이항루
IPC分类号： G11C16/08 , G11C8/04

5. 发明授权

KR101789399B1 메모리의 타겟 복원을 위한 장치들 및 방법들 有权
公开(公告)号：KR101789399B1
公开(公告)日：2017-10-23
申请号：KR1020157023825
申请日：2014-01-17
申请人： 마이크론 테크놀로지, 인크.
发明人： 존스,윌리엄에프. , 라이트,제프리피.
IPC分类号： G11C8/10 , G11C11/4063 , G11C11/406 , G11C11/408 , G11C17/16 , G11C17/18 , G11C29/00 , G11C8/04 , G11C8/06
CPC分类号： G11C8/10 , G11C11/406 , G11C11/40611 , G11C11/40622 , G11C11/4087 , G11C17/16 , G11C17/18 , G11C29/783 , G11C2211/4068
摘要： 타겟로우복원들을위한장치들및 방법들이본 출원에개시된다. 예시적인장치에서, 프리디코더는타겟로우어드레스를수신하고타겟로우어드레스와연관된메모리의타겟로우가메모리의주요로우인지또는리던던트로우인지를결정한다. 프리디코더는주요로우가타겟로우이면메모리의주요로우에물리적으로인접한메모리의하나이상의로우들이복원되게하거나메모리의리던던트로우가메모리의타겟로우이면메모리의리던던트로우에물리적으로인접한메모리의하나이상의로우들이복원되게하도록더 구성된다.

6. 发明授权

KR101719299B1 비휘발성 메모리 有权
标题翻译：非易失性存储器
公开(公告)号：KR101719299B1
公开(公告)日：2017-03-23
申请号：KR1020100129599
申请日：2010-12-17
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 김민수
IPC分类号： G11C16/26 , G11C16/32 , G11C16/10 , G11C8/04
CPC分类号： G11C16/26 , G11C16/32
摘要： 본발명에따른비휘발성메모리는, 다수의제1페이지버퍼를포함하는제1뱅크; 다수의제2페이지버퍼를포함하는제2뱅크; 및리드구간에서활성화시점이전에는클럭에응답하여상기제1어드레스와상기제2어드레스를카운팅하고, 상기활성화시점이후에는뱅크어드레스에응답하여상기제1어드레스와상기제2어드레스를카운팅하는어드레스카운팅부를포함하고, 상기제1어드레스에응답하여상기다수의제1페이지버퍼의데이터가순차적으로출력되고, 상기제2어드레스에응답하여상기다수의제2페이지버퍼의데이터가순차적으로출력된다.
摘要翻译：所述的非易失性存储器，包括在根据本发明的第一多个页面缓冲器的第一堤岸; 第二库包括多个第二页面缓冲器; 在先前的激活时间和提前期，响应于所述第一地址与所述第一的时钟和计数所述第二地址，其后的激活时间，响应于所述第一地址的存储体地址和地址的用于计数所述第二地址计数所述第二部分且包括，响应于所述第一地址和数据在第一页缓冲器的数量是按顺序输出，响应于所述多个第二页缓冲器的该第二地址数据被依次输出。

7. 发明公开

KR1020170028021A 다양한 형태의 디스플레이 장치에 적용 가능한 반도체 메모리 디바이스 有权
标题翻译：适用于多种显示设备的半导体存储器件
公开(公告)号：KR1020170028021A
公开(公告)日：2017-03-13
申请号：KR1020150124769
申请日：2015-09-03
申请人： 주식회사 제주반도체
发明人： 박민철
IPC分类号： G11C8/06 , G11C8/08 , G11C8/18 , G11C8/04 , G11C7/10
CPC分类号： G09G5/393 , G06T1/60 , G09G3/2096 , G09G5/005 , G09G5/42 , G09G2360/18 , G11C7/12 , G11C8/10
摘要： 다양한형태의디스플레이장치에적용가능한반도체메모리디바이스가게시된다. 본발명의반도체메모리디바이스는메모리어레이; 상기메모리어레이의워드라인을선택하여구동하는로우선택블락; 상기데이터라인의상기영상데이터를입출력하도록구동되는칼럼선택블락; 최종로우어드레스및 최종칼럼어드레스로저장하는최종어드레스저장블락; 및선택로우어드레스및 선택칼럼어드레스를발생하는선택어드레스발생블락을구비한다. 상기와같은구성의본 발명의반도체메모리디바이스에서는, 화면영상의주사방향이자유롭게선택될수 있으며, 영상데이터가 1개의게이트라인즉, 소스라인의수에대응하는단위로메모리어레이에저장된다. 그러므로, 본발명의반도체메모리디바이스는화면영상의주사방향및 소스라인의수의측면에서다양한형태의디스플레이장치에적용가능하다. 또한, 본발명의반도체메모리디바이스를적용하는디스플레이장치의어셈블리(assembly) 작업시에, 레이아웃면적, 소모전력, 어셈블리비용등이현저히감소된다.
摘要翻译：存储装置包括用于选择存储器阵列的字线的行选择单元，用于选择存储器阵列的数据线的列选择单元，用于存储最后行地址和最后列地址的最后地址存储单元，以及选择地址产生单元，用于提供行选择地址和列选择地址以选择字线和数据线。在存储器装置中，基于第一和最后一行地址，第一列和最后一列地址，行区地址和列选择地址确定起始行和列地址，并且基于与图像数据注入相对应的方向向前或向后计数存储器件提供图像数据的显示面板中的方向。

8. 发明公开

KR1020160074920A 메모리 장치 审中-实审
标题翻译：内存设备
公开(公告)号：KR1020160074920A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：KR1020140184129
申请日：2014-12-19
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 박문필
IPC分类号： G11C11/406 , G11C11/4063 , G11C11/408 , G11C11/4096 , G11C8/08 , G11C8/04
CPC分类号： G11C8/08 , G11C7/00 , G11C7/1006 , G11C7/106 , G11C7/1087 , G11C8/12 , G11C11/4082 , G11C11/4085 , G11C11/4087 , G11C11/4093 , G11C11/4096 , G11C11/40618 , G11C8/04 , G11C11/4063
摘要： 메모리장치는다수의워드라인을포함하는메모리뱅크; 및상기다수의워드라인중 입력어드레스에대응하는워드라인을액티브하는구간에서, 이전라이트동작시액세스된워드라인을액티브하는워드라인제어부를포함할수 있다.
摘要翻译：存储器件包括：包括多个字线的存储体; 以及字线控制单元，用于在激活对应于字线的输入地址的字线的时段期间激活在执行先前写入操作时所访问的字线。因此，可以减少由于缺少写恢复时间引起的错误。

9. 发明公开

KR1020160049458A 휘발성 메모리 셀프 디프레쉬 审中-实审
标题翻译：挥霍记忆自我
公开(公告)号：KR1020160049458A
公开(公告)日：2016-05-09
申请号：KR1020150140530
申请日：2015-10-06
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 구즈,즈비 , 인,리앙
IPC分类号： G11C11/406 , G11C11/4063 , G11C11/408 , G11C7/10 , G11C8/04
CPC分类号： G11C11/4078 , G11C11/4072 , G11C11/4091 , G11C11/4094
摘要： 본발명에따른실시예는데이터를저장하기위한멀티플행들및/또는뱅크들을구비하는메모리셀 어레이를포함하는휘발성메모리장치를포함한다. 메모리장치는상기메모리셀 어레이에연결된어드레스디코더를포함할수 있다. 메모리장치는상기어드레스디코더에연결된컨트롤로직부를포함할수 있다. 상기컨트롤로직부는, 상기메모리셀 어레이로부터데이터를클리닝하기위해, 활성화커맨드에의해상기복수의행들각각에대한행 프리차아지타임및/또는행 액티브타임을의도적으로위반하도록구성된디프레쉬로직부를포함할수 있다. 메모리데이터는상기위반들에응답하여상기메모리셀 어레이로부터클리닝될수 있다.
摘要翻译：本发明的实施例涉及一种易失性存储器件，其包括存储单元阵列，其包括用于存储数据的存储体和/或多行。存储器件可以包括连接到存储器单元阵列的地址解码器。存储器件可以包括连接到地址解码器的控制逻辑部分。控制逻辑部分可以包括配置为通过激活命令有意地违反行的每个行的行活动时间和/或行预充电时间的清除逻辑部分，以清理来自存储器单元阵列的数据。可以根据暴力从存储单元阵列清除存储器数据。

10. 发明公开

KR1020150041393A 카운터 회로 및 그를 포함하는 반도체 장치 审中-实审
标题翻译：计数器电路和半导体器件包括它们
公开(公告)号：KR1020150041393A
公开(公告)日：2015-04-16
申请号：KR1020130119852
申请日：2013-10-08
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 가동윤
IPC分类号： G11C8/04
CPC分类号： H03K21/00 , G11C29/18 , H03K21/023
摘要： 반도체설계기술에관한것으로, 더욱상세하게는카운팅제어방법에관한카운터회로및 그를포함하는반도체장치를제공하는것으로, 하위비트를생성하는하위카운트신호생성부; 상위비트를생성하는상위카운트신호생성부; 제어신호에응답하여순방향루트와역방향루트를제공하는제어부를포함하고, 상기순방향루트시에는상기하위비트에응답하여상기상위비트를생성하고, 상기역방향루트시에는상기상위비트에응답하여상기하위비트를생성하는카운트회로를포함할수 있다.
摘要翻译：本发明涉及一种半导体设计技术，更具体地，涉及一种与计数控制方法相关联的计数器电路，以及包括该计数器电路的半导体器件。根据本发明的计数器电路包括：低阶计数信号生成单元，被配置为生成最低有效位; 高阶计数信号生成单元，被配置为生成最高有效位; 以及控制单元，被配置为响应于控制信号提供前向路由和后向路由。根据计数器电路，在正向路由的情况下响应于最低有效位产生最高有效位，并且在后向路由的情况下响应于最高有效位产生最低有效位。

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