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1. 发明授权

KR102248788B1 집적회로 소자 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102248788B1
公开(公告)日：2021-05-06
申请号：KR1020170029610
申请日：2017-03-08
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김영배 , 박수현 , 안상훈 , 이의복 , 강성진 , 서훈석 , 오혁상 , 이우진
IPC分类号： H01L21/768
摘要： 집적회로소자는기판상에형성된제1 절연막의적어도일부를관통하는하부금속막을포함하는하부배선구조와, 상기하부금속막의상면을덮는캡핑층과, 상기캡핑층을덮는제2 절연막과, 상기제2 절연막및 상기캡핑층을관통하여상기하부금속막에연결되는상부배선구조와, 상기하부금속막과상기제2 절연막과의사이에배치되고상기캡핑층및 상기상부배선구조에의해폭이한정되는에어갭을포함한다.

2. 发明授权

KR102221719B1 투명 도전체 및 전자 소자 有权
公开(公告)号：KR102221719B1
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：KR1020140062572
申请日：2014-05-23
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 정도원 , 박희정 , 이기문 , 손윤철 , 이우진 , 조영진
IPC分类号： H01B1/06 , H01B5/00
摘要： 층상구조를가지고 5족전이원소와붕소를포함하는화합물을포함하는투명도전체및 상기투명도전체를포함하는전자소자에관한것이다.

3. 发明授权

KR102201092B1 반도체 장치 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102201092B1
公开(公告)日：2021-01-11
申请号：KR1020140122856
申请日：2014-09-16
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이경우 , 이우진 , 김종삼 , 유우경 , 이영상 , 허민
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/306
摘要： 상부배선을형성하기위한트렌치공정에사용되는하드마스크를하부배선이손상되지않도록제거하여, 반도체소자의신뢰성및 성능을개선할수 있는반도체장치제조방법을제공하는것이다. 상기반도체장치제조방법은하부패턴을포함하는기판상에, 층간절연막및 제1 개구부를포함하는하드마스크패턴을순차적으로형성하고, 상기하드마스크패턴을이용하여, 상기층간절연막내에상기하부패턴을노출시키는트렌치를형성하고, 상기트렌치의측벽및 바닥면을따라서형성되는제1 부분과, 상기하드마스크패턴의상면을따라서형성되는제2 부분을포함하는라이너막을형성하고, 상기트렌치내에, 상기라이너막의제2 부분을노출시키는희생패턴을형성하고, 상기희생패턴을이용하여, 상기라이너막의제2 부분과, 상기하드마스크패턴을제거하고, 상기하드마스크패턴을제거한후, 상기희생패턴을제거하여상기라이너막의제1 부분을노출시키는것을포함한다.

4. 发明授权

KR102165685B1 사출 성형 제품 자동 배출 시스템 有权
公开(公告)号：KR102165685B1
公开(公告)日：2020-10-14
申请号：KR1020180167855
申请日：2018-12-21
申请人： 미주정밀 주식회사 , 삼성전자주식회사
发明人： 이중재 , 윤병주 , 하진영 , 이우진 , 황용연 , 이아재
IPC分类号： B29C45/17 , B29C45/40 , B25J15/08

5. 发明授权

KR102078562B1 리프레쉬 어드레스 생성기 및 이를 포함하는 휘발성 메모리 장치 有权
公开(公告)号：KR102078562B1
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：KR1020130020008
申请日：2013-02-25
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이우진 , 김대현 , 김상윤 , 김재성 , 손영수
IPC分类号： G11C11/408 , G11C11/401 , G11C8/04

6. 发明公开

KR1020170120982A 점착필름, 이를 포함하는 광학부재 및 이를 포함하는 광학표시장치 审中-实审
标题翻译：粘合膜，包括其的光学构件以及包括其的光学显示装置
公开(公告)号：KR1020170120982A
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：KR1020160049622
申请日：2016-04-22
申请人： 삼성에스디아이 주식회사 , 삼성전자주식회사
发明人： 신선희 , 하마다켄지 , 강지원 , 곽병도 , 김용태 , 김일진 , 김지호 , 김지희 , 문성현 , 문형랑 , 이광환 , 이우진 , 이진영 , 조익환 , 한재현 , 황인철
IPC分类号： C09J7/00 , G02B5/30 , G02B5/20 , C09J7/02 , C09J4/00 , C09J11/06
CPC分类号： C09J7/00 , C09J4/00 , C09J7/255 , C09J11/06 , C09J2201/622 , C09J2203/318 , G02B5/20 , G02B5/3041
摘要： -30℃내지 80℃에서 tan δ을측정하였을때, 상기 tan δ의최소값은 0℃내지 20℃에존재하고, 상기 tan δ의최소값은 0.2 내지 0.4 점착필름, 이를포함하는광학부재및 이를포함하는광학표시장치가제공된다.
摘要翻译：正如黄褐色δ在-30℃至80℃测量时，所述正切δ的最小值存在于0℃至20℃，和正切δ的最小值是，包括光学部件，以及含有0.2相同的压敏粘合剂膜，以0.4它，提供了一种光学显示装置。

7. 发明授权

KR101768307B1 실리콘 점착제 조성물, 이로부터 형성된 실리콘 점착 필름 및 이를 포함하는 광학표시장치 有权
公开(公告)号：KR101768307B1
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：KR1020150060934
申请日：2015-04-29
申请人： 삼성에스디아이 주식회사 , 삼성전자주식회사
发明人： 하리모토유키나리 , 하마다켄지 , 김일진 , 이우진
IPC分类号： C09J183/04 , C09J7/02
摘要： (A)(메트)아크릴레이트기를갖는실리콘폴리머, (B)실리콘수지, (C)화학식 1의실리콘화합물, 그의공중합체또는이들의혼합물, 및 (D)광개시제를포함하는실리콘점착제조성물, 이로부터형성된실리콘점착필름및 이를포함하는광학표시장치가제공된다.

8. 发明公开

KR1020170027420A 도전체, 그 제조 방법, 및 이를 포함하는 소자 审中-实审
标题翻译：电导体的制造方法包括其的电子器件
公开(公告)号：KR1020170027420A
公开(公告)日：2017-03-10
申请号：KR1020150123981
申请日：2015-09-02
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 정도원 , 손윤철 , 이우진 , 이종민
IPC分类号： H01B1/08 , H01B5/00 , H01B5/14 , H01B1/20 , H01B13/00
CPC分类号： H05K1/09 , H05K1/028 , H05K1/0393 , H05K3/22 , H05K3/24 , H05K2201/0326 , H05K2201/0338 , H05K2203/0108 , H05K2203/0257 , H05K2203/1105
摘要： 표면에부착된수소이온을가지는복수개의금속산화물나노시트들을포함하는제1 전도층을포함하는도전체로서, 상기금속산화물은하기화학식 1로나타내어지고: [화학식 1] MO여기서, M은 Re, V, Os, Ru, Ta, Ir, Nb, W, Ga, Mo, In, Cr, Rh, 또는 Mn 이고, 상기금속산화물나노시트의러더포드백스캐터링분광분석(RBS)으로측정시 금속원자(M) 100 at% 에대한수소원자의함량이 100 at% 미만이고, 상기복수개의금속산화물나노시트들중 적어도일부가서로접촉하여전기적연결을제공하는도전체를제공한다.
摘要翻译：其中M是Re，V，Os，Ru，Ta，Ir，Nb，W，Ga，Mo，In，Cr，Rh或Mn，其中多个金属氧化物纳米片的氢原子含量小于约100 原子百分比，相对于通过卢瑟福背散射光谱法测量的100原子％的金属原子，并且其中多个金属氧化物纳米片包括在接触金属氧化物纳米片之间的电连接。

9. 发明授权

KR101659239B1 플렉시블 디스플레이 장치 有权
标题翻译：灵活显示设备
公开(公告)号：KR101659239B1
公开(公告)日：2016-09-23
申请号：KR1020150150670
申请日：2015-10-29
申请人： 삼성에스디아이 주식회사 , 삼성전자주식회사
发明人： 문형랑 , 김지호 , 김일진 , 곽병도 , 김지희 , 문성현 , 신선희 , 이광환 , 이우진 , 이은화 , 조익환 , 한재현
IPC分类号： G06F3/041 , G02F1/1333 , H01L27/32
摘要： 본발명의플렉시블디스플레이장치는광소자부; 상기광소자부상에형성된제1 점착필름; 상기제1점착필름상에형성된터치기능부; 상기터치기능부상에형성된제2 점착필름; 및상기제2 점착필름상에형성된윈도우필름을포함하고, 상기제1 점착필름또는제2 점착필름은온도가 x축(℃), 저장모듈러스가 y축(KPa)인온도에따른저장모듈러스의분포가, x축을기준으로 -20 ℃내지 80 ℃에서의평균기울기가 -9.9 내지 0이고, 상기제1 점착필름또는제2 점착필름은 80 ℃에서저장모듈러스가 10 KPa 이상인것을특징으로한다.

10. 发明公开

KR1020160057789A 전도성 박막 审中-实审
标题翻译：电导电薄膜
公开(公告)号：KR1020160057789A
公开(公告)日：2016-05-24
申请号：KR1020140158848
申请日：2014-11-14
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이기문 , 김상일 , 김세윤 , 황성우 , 이우진 , 박희정 , 손윤철 , 이효석 , 정도원 , 조영진 , 최재영
IPC分类号： H01B1/02 , C23C14/14
CPC分类号： H01B1/02 , C01B19/002 , C01B19/007 , C01P2002/20 , C01P2002/30 , C01P2002/90 , C30B7/00 , C30B29/46 , C30B29/60 , C30B29/605 , C30B29/607 , H01B1/06 , H01L21/02417 , H01L21/02573 , H01L21/02609
摘要： 하기화학식 1 로나타내어지고, 층상결정구조를가지며, 금속원자의 s 오비탈에있는최외각전자 (valence electron)가화학결합의형성에참여하는화합물로서, 상기 Me와다르고상기 Me 의산화상태보다더 높은산화상태를가지는금속도펀트, 주기율표에서상기 A 보다더 많은최외각전자수를가지는비금속도펀트, 또는이들의조합으로도핑되어있는화합물을포함하는전도성박막및 이를포함하는전자소자에대한것이다: [화학식 1] MeA여기서, Me는 Al, Ga, In, Si, Ge, 및 Sn 으로부터선택되는적어도하나이고, A는 S, Se, 또는 Te 이고, m 및 a 는 Me와 A의전하균형을맞추도록정해지는수임.
摘要翻译：本发明涉及一种导电薄膜，其包含由以下化学式1表示的化合物，并且具有其中金属原子的轨道中的价电子参与化学键合形成的层状晶体结构，该化合物为用不同于Me的金属掺杂剂进行掺杂，并且具有高于Me的氧化态的氧化态，具有比周期表中的A更多的价电子的非金属掺杂剂或其组合，以及包括该电子设备的电子设备。 [化学式1] Me_mA_a（式中，Me为选自Al，Ga，In，Si，Ge和Sn中的至少一种，A为S，Se或Te，m和a为电荷平衡确定的数在我和A之间）

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