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1. 发明授权

KR102266379B1 불소/탄소-부재 콘포멀한 텅스텐을 증착시키는 방법 有权
公开(公告)号：KR102266379B1
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：KR1020207002099
申请日：2013-10-25
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 푸,신유 , 간디코타,스리니바스 , 젤라토스,아비에리노스브이. , 누리,아티프 , 창,메이 , 톰슨,데이비드 , 가나엠,스티브쥐.
IPC分类号： H01L21/285

2. 发明授权

KR102046614B1 금속 게이트 구조들 및 그 형성 방법들 有权
公开(公告)号：KR102046614B1
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：KR1020187024646
申请日：2011-05-27
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 강울리,세사드리 , 유,상호 , 이,상-협 , 하,형-찬 , 리,웨이티 , 김,훈 , 간디코타,스리니바스 , 레이,유 , 모라에스,케빈 , 탕,시안민
IPC分类号： H01L29/49 , H01L21/28 , H01L21/3205

3. 发明公开

KR1020110084275A 삼원 화합물의 기상 증착 방법 无效
标题翻译：三元化合物的蒸气沉积方法
公开(公告)号：KR1020110084275A
公开(公告)日：2011-07-21
申请号：KR1020117012135
申请日：2009-10-27
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 간구리,세샤드리 , 간디코타,스리니바스 , 유,상호 , 하킴,루이스펠리페
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/45531 , C23C16/34 , C23C16/45542 , H01L21/28088 , H01L21/28562 , H01L21/76843 , H01L21/76873 , H01L27/10873 , H01L28/60 , H01L29/4966 , H01L29/517 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/16
摘要： 본 발명의 구체예는 기상 증착 공정, 예컨대, 원자층 증착(ALD), 또는 플라즈마 ALD(PE-ALD) 동안에 티타늄 알루미늄 니트라이드 물질을 증착 또는 형성시키는 방법을 제공한다. 일부 구체예에서, 티타늄 알루미늄 니트라이드 물질은 기판을 티타늄 전구체 및 질소 플라즈마에 순차적으로 노출시켜 티타늄 니트라이드층을 형성시키고, 플라즈마 처리 공정 동안에 티타늄 니트라이드층을 플라즈마에 노출시키고, 티타늄 니트라이드층 상에 알루미늄층을 증착시키면서 티타늄 니트라이드프층을 알루미늄 전구체에 노출시킴으로써 형성된다. 공정은 여러회 반복되어 복수의 티타늄 니트라이드 및 알루미늄층을 증착시킬 수 있다. 후속하여, 기판은 어닐링되어 복수의 층으로부터 티타늄 알루미늄 니트라이드 물질을 형성시킬 수 있다. 다른 구체예에서, 티타늄 알루미늄 니트라이드 물질은 질소 플라즈마 및 티타늄과 알루미늄 전구체를 함유하는 증착 가스에 기판을 순착적으로 노출시킴으로써 형성될 수 있다.

4. 发明授权

KR102227347B1 3D 메모리 구조들에서의 고종횡비 홀 형성에 대한 상향식 접근법 有权
公开(公告)号：KR102227347B1
公开(公告)日：2021-03-11
申请号：KR1020207008942
申请日：2018-08-28
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 고팔라자,프라부람 , 로이,서스밋싱하 , 말릭,아비지트바수 , 간디코타,스리니바스
IPC分类号： H01L27/06 , H01L27/07 , H01L21/768 , H01L21/283 , H01L21/321 , H01L21/02
摘要： 메모리구조들을형성하는방법들이설명된다. 금속막이구조화된기판의피처들에증착되고, 필러들을형성하도록체적팽창된다. 블랭킷막이필러들의높이미만의높이로증착되고, 블랭킷막은필러들의상부로부터제거된다. 필러들의높이는필러들의상부가블랭킷막의표면아래에있도록감소되고, 프로세스는선택적으로, 미리결정된높이의구조를형성하도록반복된다. 필러들은, 고종횡비피처들을형성하도록, 미리결정된높이의구조의형성후에피처들로부터제거될수 있다.

5. 发明授权

KR101918565B1 알란-기반 전구체들을 사용한 금속 막들의 증착 有权
公开(公告)号：KR101918565B1
公开(公告)日：2018-11-15
申请号：KR1020167004428
申请日：2012-11-07
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 루,신리앙 , 톰슨,데이비드 , 안티스,제프리더블유. , 창,메이 , 간구리,세스하드리 , 탕,웨이 , 간디코타,스리니바스 , 누리,아티프
IPC分类号： H01L21/285 , H01L21/768 , H01L21/02 , C23C16/455 , C23C16/06 , C07F5/06
CPC分类号： C23C16/455 , C23C16/06 , C23C16/45525 , H01L21/28562 , H01L21/76841
摘要： 본발명은순수한금속및 알루미늄합금막들을증착시키는방법들을제공한다. 특정방법들은기판표면을제 1 및제 2 전구체들과접촉시키는것을포함하며, 제 1 전구체는디메틸알루미늄하이드라이드, 아민으로배위된알란, 및구조식 (I) 또는 (II)로나타낸구조를갖는화합물로부터선택된알루미늄전구체를포함하며, 제 2 전구체는금속할라이드를포함한다:상기식에서, R은 C1-C6 알킬기이다. 다른방법들은기판을제 1 및제 2 전구체에순차적으로노출시키는것을포함하며, 제 1 전구체는상기기술된바와같은알루미늄전구체를포함하며, 제 2 전구체는 Ti(NR')또는 Ta(NR')(여기서, R'는 C1-C4 알킬, 알케닐, 알키닐, 케토또는알데하이드기임)을포함한다.

6. 发明授权

KR101894903B1 금속 게이트 구조들 및 그 형성 방법들 有权
公开(公告)号：KR101894903B1
公开(公告)日：2018-10-18
申请号：KR1020137000162
申请日：2011-05-27
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 강울리,세사드리 , 유,상호 , 이,상-협 , 하,형-찬 , 리,웨이티 , 김,훈 , 간디코타,스리니바스 , 레이,유 , 모라에스,케빈 , 탕,시안민
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/28079 , H01L21/28088 , H01L21/32051 , H01L29/49
摘要： 금속게이트구조들및 그형성방법들이본 명세서에제공되어있다. 일부실시예들에서, 고유전상수유전체층에피쳐가형성되어있는기판상에금속게이트구조를형성하기위한방법은상기유전체층의정상의상기피쳐내에제 1 층을증착하는단계; 상기제 1 층의정상의상기피쳐내부에코발트또는니켈을포함한제 2 층을증착하는단계; 및상기피쳐를충전하기위해상기제 2 층의정상의상기피쳐내부에금속을포함한제 3 층을증착하는단계를포함할수 있으며, 상기제 1 층또는상기제 2 층중 적어도하나는후속하여증착되는층을위한핵형성층을형성하는습윤층을형성하고, 상기제 1 층, 상기제 2 층또는상기제 3 층중 하나는일함수층을형성하며, 상기제 3 층은게이트전극을형성한다.

7. 发明公开

KR1020150074178A 불소/탄소-부재 콘포멀한 텅스텐을 증착시키는 방법 审中-实审
标题翻译：用于沉积氟/无碳一致性钨酸盐的方法
公开(公告)号：KR1020150074178A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：KR1020157013851
申请日：2013-10-25
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 푸,신유 , 간디코타,스리니바스 , 젤라토스,아비에리노스브이. , 누리,아티프 , 창,메이 , 톰슨,데이비드 , 가나엠,스티브쥐.
IPC分类号： H01L21/285 , H01L21/28
CPC分类号： H01L21/28562 , C23C16/0272 , C23C16/06 , C23C16/14 , C23C16/345 , C23C16/42 , C23C16/45525 , C23C16/45551 , C23C16/45553 , C23C16/45563 , C23C16/45565 , C23C16/4557 , C23C16/45574 , H01L21/28088 , H01L21/28506 , H01L21/32051 , H01L21/32053 , H01L21/76877
摘要： 실험식 WCl를갖는텅스텐펜타클로라이드, 또는 WCl중하나이상을포함하는텅스텐-함유반응가스를사용하여텅스텐필름또는텅스텐-함유필름을증착시키는원자층증착방법들이제공된다.

8. 发明公开

KR1020150016277A 금속 게이트들을 제조하기 위한 방법들 审中-实审
标题翻译：制造金属门的方法
公开(公告)号：KR1020150016277A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：KR1020147033305
申请日：2013-04-19
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 루,신리앙 , 간구리,세샤드리 , 누리,아티프 , 마하자니,마이트레이 , 첸,시청 , 레이,유 , 푸,신유 , 탕,웨이 , 간디코타,스리니바스
IPC分类号： H01L21/8238 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/66477 , H01L21/28088 , H01L21/3221 , H01L21/823821 , H01L21/823842 , H01L29/4966 , H01L29/78
摘要： FinFET 구조들에 적합한 금속 게이트들을 제조하기 위한 방법들이 제공된다. 본원에 기재된 방법들은 일반적으로 반도체 기판 상에 고-k 유전체 재료를 형성하는 단계; 상기 고-k 유전체 재료 위에 고-k 유전체 캡 층을 증착하는 단계; 양의 일 함수 값을 갖는 PMOS 일 함수 층을 증착하는 단계; NMOS 일 함수 층을 증착하는 단계; NMOS 일 함수 층 위에 NMOS 일 함수 캡 층을 증착하는 단계; PMOS 일 함수 층의 적어도 일부 또는 NMOS 일 함수 층의 적어도 일부를 제거하는 단계; 및 충진 층을 증착하는 단계;를 포함한다. 고-k 유전체 캡 층을 증착하는 단계, PMOS 일 함수 층을 증착하는 단계, 또는 NMOS 일 함수 캡 층을 증착하는 단계는 TiN, TiSiN, 또는 TiAlN의 원자 층 증착을 포함할 수 있다. PMOS 또는 NMOS가 먼저 증착될 수 있다.

9. 发明公开

KR1020140143184A 심리스 코발트 갭-필을 가능하게 하는 방법 审中-实审
标题翻译：实现无缝煤覆盖的方法
公开(公告)号：KR1020140143184A
公开(公告)日：2014-12-15
申请号：KR1020147028651
申请日：2013-03-22
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 조페,부산엔. , 젤라토스,아브제리노스브이. , 정,보 , 레이,유 , 푸,신유 , 간디코타,스리니바스 , 유,상호 , 아브라함,매튜
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/205 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/76879 , H01L21/02057 , H01L21/2855 , H01L21/28556 , H01L21/4846 , H01L21/76814 , H01L21/76843 , H01L21/76846 , H01L21/76856 , H01L21/76877 , H01L21/76883 , H01L23/53209 , H01L23/5329 , H01L29/66621
摘要： 반도체 디바이스의 컨택 구조들 내에 컨택 금속 층을 증착하기 위한 방법이 제공된다. 일 실시예에서, 반도체 디바이스 내에 컨택 구조를 형성하기 위해 컨택 금속 층을 증착하기 위한 방법이 제공된다. 방법은, 기판 상에 컨택 금속 층을 증착하기 위해 주기적인 금속 증착 프로세스(cyclic metal deposition process)를 수행하는 단계, 및 기판 상에 배치된 컨택 금속 층을 어닐링하는 단계를 포함한다. 주기적인 금속 증착 프로세스는, 기판 상에 컨택 금속 층의 일부를 증착하기 위해, 기판을 증착 전구체 가스 혼합물에 노출시키는 단계, 컨택 금속 층의 일부를 플라즈마 처리 프로세스에 노출시키는 단계, 및 미리 결정된 두께의 컨택 금속 층을 달성할 때 까지, 기판을 증착 전구체 가스 혼합물에 노출시키는 단계 및 컨택 금속 층의 일부를 플라즈마 처리 프로세스에 노출시키는 단계를 반복하는 단계를 포함한다.

10. 发明公开

KR1020140001160A 티타늄 질화물을 티타늄 실리콘 질화물로 대체시킴에 의한 텅스텐 비저항의 저감 审中-实审
标题翻译：用硝酸钛替代硝酸钛降低电阻率
公开(公告)号：KR1020140001160A
公开(公告)日：2014-01-06
申请号：KR1020130073868
申请日：2013-06-26
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 간디코타,스리니바스 , 리우,젠동 , 레이,지안신 , 자카라주,라즈쿠마
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/28273 , H01L21/28061 , H01L21/285 , H01L21/2855 , H01L21/28568 , H01L21/76889 , H01L27/10873 , H01L29/4941 , H01L29/66477 , H01L29/78
摘要： Provided are semiconductor devices, and methods and a device for forming the semiconductor devices. The semiconductor device comprises a substrate having source and drain areas; and a gate electrode stack on the substrate between the source and drain areas. The gate electrode stack comprises a conductive film layer on a gate dielectric layer; a refractory metal silicon nitride film layer on the conductive film layer; and a tungsten film layer on the refractory metal silicon nitride film layer. At one example, the method of the present invention comprises a step of positioning a substrate within a processing chamber and the substrate comprises source and drain areas, a gate dielectric layer between the source and drain areas, and a conductive film layer on the gate dielectric layer. The method also comprises a step of evaporating a refractory metal silicon nitride film on the conductive film layer and a step of evaporating a tungsten film layer on the refractory metal silicon nitride film. [Reference numerals] (250) Conductive film layer is formed on a substrate; (260) Refractory metal nitride film layer is formed on a conductive film layer; (270) Refractory metal silicon nitride film layer is formed on a refractory metal nitride film layer; (280) Tungsten layer is formed on a refractory metal silicon nitride film layer
摘要翻译：提供半导体器件，以及用于形成半导体器件的方法和器件。半导体器件包括具有源区和漏区的衬底; 以及在源极和漏极区域之间的衬底上的栅电极堆叠。栅极电极堆叠包括在栅极电介质层上的导电膜层; 导电膜层上的难熔金属氮化硅膜层; 和难熔金属氮化硅膜层上的钨膜层。在一个实例中，本发明的方法包括将衬底定位在处理室内的步骤，并且衬底包括源极和漏极区域，源极和漏极区域之间的栅极介电层以及栅极电介质上的导电膜层层。该方法还包括在导电膜层上蒸发难熔金属氮化硅膜的步骤和蒸发难熔金属氮化硅膜上的钨膜层的步骤。（附图标记）（250）在基板上形成导电膜层; （260）在导电膜层上形成耐火金属氮化物膜层; （270）耐火金属氮化硅膜层形成在难熔金属氮化物膜层上; （280）在难熔金属氮化硅膜层上形成钨层

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