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热词
    • 2. 发明公开
    • 집적회로 패키지 제조방법
    • 集成电路封装及其制造方法
    • KR1020140137535A
    • 2014-12-03
    • KR1020130058079
    • 2013-05-23
    • 주식회사 에스에프에이반도체
    • 최대식
    • H01L23/12H01L23/18
    • H01L21/568H01L2224/04105H01L2224/12105H01L2224/16225H01L2224/16235H01L2224/19H01L2224/97H01L2924/15311H01L2924/181H01L2924/18161H01L2924/18162H01L2924/00012H01L2224/81H01L21/563H01L21/52H01L21/76H01L21/78H01L23/28H01L23/49816
    • 본 발명은 집적회로 패키지 제조방법에 관한 것이다.
      본 발명에 따른 집적회로 패키지 제조방법은 (A) 기판의 제1면에 복수의 반도체 칩을 탑재하는 과정과; (B) 상기 반도체 칩 전체를 밀봉하도록 상기 기판의 제1면 상에 보호층을 형성하는 과정과; (C) 상기 복수의 반도체 칩 사이에 상기 기판을 관통하고, 상기 보호층이 부분적으로 제거되도록 분할홈을 형성하되, 이후 상기 반도체 칩의 두께 조절을 위한 공정시 상기 분할홈에 의해 개별 다이로 분할될 수 있는 깊이로 상기 분할홈을 형성하는 과정과; (D) 상기 기판의 제2면 상에 보호필름을 부착하는 과정과; (E) 상기 반도체 칩의 배면 및 상기 보호층의 일부를 제거하되, 적어도 상기 분할홈의 깊이까지 제거하여 상기 반도체 칩의 두께를 조절하는 과정; 및 (F) 상기 보호필름을 제거하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
    • 本发明涉及集成电路封装的制造方法。 根据本发明的集成电路封装的制造方法包括在衬底的第一表面上安装多个半导体芯片的工艺(A) 在衬底的第一表面上形成保护层以完全封装半导体芯片的工艺(B); 在半导体芯片之间穿透基板的工艺(C),形成分离槽以部分地去除保护层,然后在控制过程中以允许分离槽分割成单独的模具的深度形成分离槽 半导体芯片的厚度; 将保护膜附着在基板的第二表面上的工艺(D); 去除半导体芯片的背面和保护层的一部分的工艺(E),并且通过将半导体芯片的厚度除去直到至少分离槽的深度来控制半导体芯片的厚度; 以及去除保护膜的工艺(F)。
    • 6. 发明公开
    • 색 혼합성이 향상된 RGB 발광 다이오드 패키지
    • RGB发光二极管封装具有改进的颜色混杂性
    • KR1020060054230A
    • 2006-05-22
    • KR1020060029873
    • 2006-03-31
    • 삼성전기주식회사
    • 박영삼함헌주김형석박정규정영준
    • H01L33/50H01L33/52H01L23/18
    • 본 발명은 색 혼합성이 향상된 RGB 발광 다이오드 패키지에 관한 것으로,
      RGB 발광 다이오드 패키지에 있어서, 소자가 장착 또는 탑재되는 리플렉터상에 배치된 레드, 그린 및 블루 발광 다이오드칩과, 상기 각 발광 다이오드칩으로부터 방출되는 빛이 고르게 혼합되도록 빛의 산란을 돕는 오팔계열 광혼합물질 및 레진 충진제를 구비하며, 상기 광혼합물질과 레진 충진제는 혼합된 형태로 상기 다이오드칩 윗면측을 피복하도록 배치되며 여기서 상기 광혼합물질은 레진 충진제내에 균일하게 분산된 형태로 존재하는 것을 특징으로 하는 색 혼합성이 향상된 RGB 발광 다이오드 패키지가 제공된다.
      종래의 방식이 색 혼합할 수 있는 충분한 공간이 제공되어야 하는 제약으로 인해 슬림한 패키지를 디자인하는데 어려움이 있는 반면 본 발명의 RGB 발광 다이오드 패키지는 비교적 작은 공간에서도 색 혼합성이 우수하여 슬림한 패키지 디자인이 가능하다.
      발광 다이오드, 광혼합물질, 레진, 에폭시, 실리콘
    • 7. 发明公开
    • 접지와이어 본딩 벽을 갖는 파워 앰프 모듈 및 파워 앰프모듈 기판 제조방법
    • 具有接地线的功率放大器模块和用于制造功率放大器模块基板的方法
    • KR1020030091519A
    • 2003-12-03
    • KR1020020029599
    • 2002-05-28
    • 삼성전기주식회사
    • 김응주
    • H05K1/18H01L23/18
    • H01L24/73H01L2224/32225H01L2224/48227H01L2224/73265H01L2924/00012
    • PURPOSE: A power amplifier module having a ground wire bonding wall and a method for fabricating a power amplifier module substrate are provided to prevent the permeation of epoxy resin to a ground wire bonding portion by forming the wall to isolate an IC chip mounting portion from the ground wire bonding portion. CONSTITUTION: A power amplifier module having a ground wire bonding wall includes an IC chip(5) and a substrate(1). The IC chip(5) is connected to the ground portion and each circuit by performing a wire bonding process. The substrate(1) includes a mounting pad(11), an input circuit portion, an output circuit portion, and an interstage matching circuit portion. The mounting pad(11) is formed on an upper surface of the substrate(1). The input circuit portion and the output circuit portion are formed at both sides of the mounting pad(11). The interstage matching circuit portion is formed between the input circuit portion and the output circuit portion. A wall(2) is formed on between an IC chip mounting portion and a ground wire bonding portion(12) on the mounting pad(11) by using a PSR layer.
    • 目的:提供一种具有接地线接合壁的功率放大器模块和用于制造功率放大器模块基板的方法,以防止环氧树脂通过形成壁而将IC芯片安装部分与 地线接合部。 构成:具有接地线接合壁的功率放大器模块包括IC芯片(5)和基板(1)。 IC芯片(5)通过进行引线接合工艺连接到接地部分和每个电路。 基板(1)包括安装焊盘(11),输入电路部分,输出电路部分和级间匹配电路部分。 安装垫(11)形成在基板(1)的上表面上。 输入电路部分和输出电路部分形成在安装焊盘(11)的两侧。 级间匹配电路部分形成在输入电路部分和输出电路部分之间。 通过使用PSR层,在IC芯片安装部分和安装焊盘(11)上的接地引线接合部分(12)之间形成壁(2)。
    • 10. 发明公开
    • 반도체 패키지 제조방법
    • 半导体封装的制造方法
    • KR1020000038924A
    • 2000-07-05
    • KR1019980054095
    • 1998-12-10
    • 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사
    • 이수현이병연
    • H01L23/18
    • PURPOSE: A manufacturing method of a semiconductor package is provided to effectively and safely detach a semiconductor chip from a wafer adhesive tape. CONSTITUTION: A plurality of a semiconductor chips are formed in a wafer, and are then separated into individual chips(11) through a wafer sawing process. The separated individual chips for packaging are adhered to a wafer adhesive tape(13). An equipment(16) such as a lamp for applying ultraviolet rays is employed for a chip detaching process. When the equipment(16) applies the ultraviolet rays to the wafer adhesive tape(13), adhesive strength between the tape(13) and the chips(11) is considerably weakened. Next, a vacuum tool(14) picks up the individual chip(11), so that the individual chip(11) is fully detached from the adhesive tape(13). An eject tool for pushing up the bottom of the chip(11) may be also used together with the vacuum tool(14).
    • 目的:提供半导体封装的制造方法,以有效且安全地将半导体芯片与晶片胶带分离。 构成:在晶片中形成多个半导体芯片,然后通过晶片锯切工艺将其分离成独立的芯片(11)。 分离的用于包装的单个芯片粘附到晶片胶带(13)上。 诸如用于施加紫外线的灯的设备(16)被用于芯片脱离过程。 当设备(16)将紫外线施加到晶片胶带(13)时,胶带(13)和芯片(11)之间的粘合强度明显变弱。 接下来,真空工具(14)拾取单个芯片(11),使得单个芯片(11)从胶带(13)完全分离。 用于向上推动芯片(11)的底部的弹出工具也可以与真空工具(14)一起使用。