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1. 发明公开

KR1020140085455A 전력 반도체 모듈 및 다수의 전력 반도체 모듈들을 갖는 전력 반도체 모듈 어셈블리 审中-实审
标题翻译：功率半导体模块和功率半导体模块组件与多功率半导体模块
公开(公告)号：KR1020140085455A
公开(公告)日：2014-07-07
申请号：KR1020147010506
申请日：2012-10-18
申请人： 에이비비 슈바이쯔 아게
发明人： 뒤갈프랑크 , 트뤼쎌도미닉
IPC分类号： H01L25/07 , H01L23/051 , H01L23/48 , H01L23/62
CPC分类号： H01L23/492 , H01L23/051 , H01L23/585 , H01L23/62 , H01L24/72 , H01L25/072 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/00
摘要： 본 발명은, 전기 전도성 베이스 플레이트 (2), 이 베이스 플레이트 (2) 에 평행하게 배열되고 베이스 플레이트 (2) 로부터 이격된 전기 전도성 탑 플레이트, 베이스 플레이트 (2) 와 탑 플레이트 사이에 형성된 공간에서 베이스 플레이트 (2) 상에 배열되는 적어도 하나의 전력 반도체 디바이스 (3), 및 베이스 플레이트 (2) 와 탑 플레이트 사이에 형성된 공간에 배열되어 반도체 디바이스 (3) 와 탑 플레이트 간의 콘택트를 제공하는 적어도 하나의 프레스핀 (presspin) (5, 7) 을 포함하는 전력 반도체 모듈 (1) 을 제공하며, 베이스 플레이트 (2) 를 향해 대면하여 탑 플레이트의 내면에 금속 보호 플레이트 (11) 가 제공되고, 보호 플레이트 (11) 의 재료는 탑 플레이트의 용융 온도보다 더 높은 용융 온도를 갖는다. 본 발명은 또한 상기 언급된 바와 같은 다수의 전력 반도체 모듈들 (1) 을 포함하는 전력 반도체 모듈 어셈블리를 제공하며, 전력 반도체 모듈들 (1) 은, 인접 전력 반도체 모듈들 (1) 간의 전기 접속들을 가지며 서로 나란히 배열된다.

2. 发明公开

KR1020010089134A 회로 및 그 제조 방법 无效
标题翻译：电路及其制造方法
公开(公告)号：KR1020010089134A
公开(公告)日：2001-09-29
申请号：KR1020017000272
申请日：1999-07-01
申请人： 지멘스 악티엔게젤샤프트
发明人： 셰르크,토마스 , 바우어,요제프-게오르크 , 슐체,한스-요아힘 , 슈베르트,마르쿠스
IPC分类号： H01L23/051
摘要： 본 발명에 따라 회로의 접속을 강화하기 위해 상기 회로의 도전 영역상에 압축 콘택(D)이 설치된다. 상기 압축 콘택은 예컨대 구리와 같은 금속을 함유하고 있으며, 패시베이션 층(S) 위에 놓이고 바람직하게는 수직 에지를 갖는 평면 상부 면을 포함한다. 상기 도전 영역의 접촉될 영역까지는 덮지 못하는 마스크(P)를 사용하여 갈바닉 프로세스에 의해 금속이 디포짓됨으로써 압축 콘택(D)이 형성된다. 상기 프로세스는 압축 콘택(D)의 상부 면이 마스크(P)의 상부 면 하부에 놓이게 되는 시점에 종료된다. 예컨대 구리가 함유된 도전층(L)은 갈바닉 프로세스를 위한 전압의 인가를 위해서뿐만 아니라 결정화 베이스로서도 도전 영역상에 디포짓될 수 있다.

3. 发明授权

KR101871026B1 전력 반도체 모듈 및 다수의 전력 반도체 모듈들을 갖는 전력 반도체 모듈 어셈블리 有权
公开(公告)号：KR101871026B1
公开(公告)日：2018-06-25
申请号：KR1020147010506
申请日：2012-10-18
申请人： 에이비비 슈바이쯔 아게
发明人： 뒤갈프랑크 , 트뤼쎌도미닉
IPC分类号： H01L25/07 , H01L23/051 , H01L23/48 , H01L23/62
CPC分类号： H01L23/492 , H01L23/051 , H01L23/585 , H01L23/62 , H01L24/72 , H01L25/072 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/00
摘要： 본발명은, 전기전도성베이스플레이트 (2), 이베이스플레이트 (2) 에평행하게배열되고베이스플레이트 (2) 로부터이격된전기전도성탑 플레이트, 베이스플레이트 (2) 와탑 플레이트사이에형성된공간에서베이스플레이트 (2) 상에배열되는적어도하나의전력반도체디바이스 (3), 및베이스플레이트 (2) 와탑 플레이트사이에형성된공간에배열되어반도체디바이스 (3) 와탑 플레이트간의콘택트를제공하는적어도하나의프레스핀 (presspin) (5, 7) 을포함하는전력반도체모듈 (1) 을제공하며, 베이스플레이트 (2) 를향해대면하여탑 플레이트의내면에금속보호플레이트 (11) 가제공되고, 보호플레이트 (11) 의재료는탑 플레이트의용융온도보다더 높은용융온도를갖는다. 본발명은또한상기언급된바와같은다수의전력반도체모듈들 (1) 을포함하는전력반도체모듈어셈블리를제공하며, 전력반도체모듈들 (1) 은, 인접전력반도체모듈들 (1) 간의전기접속들을가지며서로나란히배열된다.

4. 发明公开

KR1020160006667A 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조방법 审中-实审
标题翻译：半导体器件和制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020160006667A
公开(公告)日：2016-01-19
申请号：KR1020157026128
申请日：2014-05-09
申请人： 후지 덴키 가부시키가이샤
发明人： 키도,카즈마사 , 사이토우,타카시 , 후쿠다,쿄우헤이 , 타다,신지 , 모모세,후미히코 , 니시무라,요시타카
IPC分类号： H01L21/52 , H01L23/00 , H01L23/051 , B23K1/00 , B23K35/26 , C22C13/02
CPC分类号： H01L24/29 , B23K1/00 , B23K1/0008 , B23K1/0016 , B23K1/008 , B23K1/012 , B23K1/19 , B23K1/203 , B23K35/0244 , B23K35/025 , B23K35/26 , B23K35/262 , B23K2201/42 , B23K2203/56 , C22C13/02 , H01L21/52 , H01L23/051 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/29111 , H01L2224/2932 , H01L2224/32225 , H01L2224/32501 , H01L2224/45124 , H01L2224/73265 , H01L2224/83447 , H01L2224/83815 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2924/20107 , H01L2924/00 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01029 , H01L2924/01013 , H01L2924/01049 , H01L2924/01028 , H01L2924/01083 , H01L2924/01027 , H01L2924/01032 , H01L2924/01014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01034 , H01L2924/01015 , H01L2924/0103 , H01L2924/01025 , H01L2924/01026 , H01L2924/01024 , H01L2924/01012 , H01L2924/01046 , H01L2924/01038 , H01L2924/01052 , H01L2924/013
摘要： 본발명의땜납접합층은, 매트릭스로분산된제 1 결정부(21)끼리의결정입계에미세알갱이형상의복수의제 2 결정부(22)가석출된구조를갖는다. 제 1 결정부(21)는, 주석과안티몬을소정의비율로포함하는복수의 Sn 결정립이다. 제 2 결정부(22)는, Sn 원자에대해 Ag 원자를소정의비율로포함하는제 1 부분, 또는, Sn 원자에대해 Cu 원자를소정의비율로포함하는제 2 부분, 혹은그 양자(兩方)로구성된다. 또, 땜납접합층은, Sn 원자에대해 Sb 원자를소정의비율로포함하는결정립인제 3 결정부(23)를가져도무방하다. 이로써, 저융점에서의땜납접합을가능하게하고, 실질적으로균일한금속조직을가지며, 신뢰성이높은땜납접합층을형성할수가있다.
摘要翻译：本发明的焊料接合层具有在分散于基体中的第一晶体部分21的晶粒边界中形成细晶粒状的多个微细的第二晶体部分22的结构。第一结晶部21是以规定的比例含有锡和锑的多个Sn粒子。第二结晶部22由相对于Sn原子以规定比例含有Ag原子的第一部分或相对于Sn原子以规定比例含有Cu原子的第二部分形成，它由方）。此外，焊料接合层可以具有相对于Sn原子以规定比例含有Sb原子的结晶粒径3晶体部23。这使得可以在低熔点，基本均匀的金属结构和可靠的焊料结合层上形成焊料结合。

5. 发明公开

KR1020080039904A 평면 접점을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법 및 반도체소자 失效
标题翻译：生产包含平面接触的半导体元件的方法和半导体元件
公开(公告)号：KR1020080039904A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：KR1020087003687
申请日：2006-08-30
申请人： 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하
发明人： 바이드너,칼
IPC分类号： H01L23/051 , H01L23/482
CPC分类号： H01L23/482 , H01L23/5389 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L25/0655 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L2224/24011 , H01L2224/24051 , H01L2224/24226 , H01L2224/24998 , H01L2224/82007 , H01L2224/82039 , H01L2224/82047 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/12044 , H01L2924/351 , H01L2924/00
摘要： The invention relates to a method for producing a semiconductor component, especially a semiconductor structure having a surface structure or topography created on a substrate (1) by means of electronic components (2). According to said method, one or several electronic components (2) are applied to a substrate (1), and an insulation layer (3) is applied to the topography created on the substrate (1) by means of the at least one component (2). Contacting holes (5) are then created at contact points (8, 9) of the at least one electronic component in the insulation layer (3), the insulation layer (3) and the contact points (8, 9) are plated in the contacting holes (5), and the plating is structured to create electrical connections (4). The insulation layer (3) is provided with a glass coating.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造半导体部件的方法，特别是具有通过电子部件（2）在基板（1）上形成的表面结构或形貌的半导体结构。根据所述方法，将一个或多个电子部件（2）施加到基板（1），并且通过所述至少一个部件将绝缘层（3）施加到在基板（1）上形成的形貌（ 2）。然后在绝缘层（3）中的至少一个电子部件的接触点（8,9）处形成接触孔（5），绝缘层（3）和接触点（8,9）被镀在接触孔（5），并且电镀被构造成产生电连接（4）。绝缘层（3）设置有玻璃涂层。

6. 发明授权

KR102217782B1 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조방법 有权
公开(公告)号：KR102217782B1
公开(公告)日：2021-02-18
申请号：KR1020157026128
申请日：2014-05-09
申请人： 후지 덴키 가부시키가이샤
发明人： 키도,카즈마사 , 사이토우,타카시 , 후쿠다,쿄우헤이 , 타다,신지 , 모모세,후미히코 , 니시무라,요시타카
IPC分类号： H01L23/00 , H01L23/051 , H01L21/52 , B23K101/42 , B23K103/00
摘要： 본발명의땜납접합층은, 매트릭스로분산된제 1 결정부(21)끼리의결정입계에미세알갱이형상의복수의제 2 결정부(22)가석출된구조를갖는다. 제 1 결정부(21)는, 주석과안티몬을소정의비율로포함하는복수의 Sn 결정립이다. 제 2 결정부(22)는, Sn 원자에대해 Ag 원자를소정의비율로포함하는제 1 부분, 또는, Sn 원자에대해 Cu 원자를소정의비율로포함하는제 2 부분, 혹은그 양자(兩方)로구성된다. 또, 땜납접합층은, Sn 원자에대해 Sb 원자를소정의비율로포함하는결정립인제 3 결정부(23)를가져도무방하다. 이로써, 저융점에서의땜납접합을가능하게하고, 실질적으로균일한금속조직을가지며, 신뢰성이높은땜납접합층을형성할수가있다.

7. 发明公开

KR1020160127051A 복수의 도금 관통 반도체 소자를 위한 개선된 디스크형 사이리스터 审中-实审
标题翻译：用于多层次的半导体器件的改进的片状晶体管
公开(公告)号：KR1020160127051A
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：KR1020167026106
申请日：2015-02-17
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES BIPOLAR GMBH & CO. KG , 지멘스 악티엔게젤샤프트
发明人： 슈헹크,마리오 , 프리지빌라,젠스 , 바텔메스,라이너 , 돈,요르크
IPC分类号： H01L25/11 , H01L23/051 , H01L23/473 , H01L23/00
CPC分类号： H01L25/115 , H01L23/051 , H01L23/32 , H01L23/3675 , H01L23/4006 , H01L23/473 , H01L24/72 , H01L25/072 , H01L2924/1203 , H01L2924/1301 , H01L2924/13055 , H01L2924/00
摘要： 본발명은클램핑력(F)을생성하는클램핑수단(4, 13)을이용하여복수의반도체소자들의압력접촉을위한디스크형사이리스터(1)에관한것으로, 이러한디스크형사이리스터는하우징(2, 3, 7, 8), 하우징내에수용된제1 구조의적어도하나의제1 반도체소자(6), 하우징내에수용되며제1 구조와상이한제2 구조의적어도하나의제2 반도체소자(5)를포함하고, 하우징(2, 3, 7, 8)은제1 및제2 반도체소자의클램핑을위해제1(6) 및제2(5) 반도체소자를감싸며실질적으로클램핑력(F)에대해직각으로정렬된적어도하나의금속압력플레이트(2)를포함하고, 압력플레이트(2)는클램핑력(F)이압력플레이트에국소적으로제한되어(9) 작용하도록형성되어, 압력플레이트(2)를통해제1(6) 및제2(5) 반도체소자가클램핑되며, 제1 반도체소자(6)는클램핑력(F)의국소적작용영역(9) 아래에배치되고, 제2 반도체소자(5)는적어도부분적으로국소적작용영역(9)의밖에배치된다.
摘要翻译：用于通过夹紧装置压力接触多个半导体部件以产生夹紧力的盘盒。磁盘盒包括壳体，其包括至少一个金属压力板，布置在壳体中的第一半导体部件和布置在壳体中的第二半导体部件。第一和第二半导体部件是不同的。所述至少一个金属压板跨过并夹紧所述第一和第二半导体部件，基本上垂直于所述夹紧力，并且被布置成使得所述夹紧力作用在所述至少一个金属压力板上以提供局部的影响区域以夹紧第一和第二半导体部件。第一半导体部件布置在夹紧力的局部局部区域的下方。第二半导体部件至少部分地布置在夹紧力的局部局部区域之外。

8. 发明授权

KR101052870B1 관통 전극, 이를 갖는 회로 기판, 이를 갖는 반도체 패키지및 반도체 패키지를 갖는 적층 반도체 패키지 有权
标题翻译：通孔电极，具有该通孔电极的电路板，具有该通孔电极的半导体封装以及半导体封装
公开(公告)号：KR101052870B1
公开(公告)日：2011-07-29
申请号：KR1020080036623
申请日：2008-04-21
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 배한준 , 김종훈
IPC分类号： H01L23/12 , H01L23/051
CPC分类号： H05K3/4046 , H01L23/49827 , H01L2924/0002 , H05K2201/0347 , H05K2201/10242 , H01L2924/00
摘要： 관통 전극, 이를 갖는 회로 기판, 이를 갖는 반도체 패키지 및 반도체 패키지를 갖는 적층 반도체 패키지가 개시되어 있다. 적층 반도체 패키지는 제1 패드 및 상기 제1 패드와 대응하는 부분을 관통하는 관통홀을 갖는 제1 반도체 칩을 갖는 제1 반도체 패키지, 상기 제1 반도체 패키지 상에 배치되며, 상기 제1 패드와 대응하는 위치에 배치되며, 상기 관통홀을 막는 제2 패드를 갖는 제2 반도체 칩을 포함하는 제2 반도체 패키지 및 상기 관통홀 내에 배치되며, 상기 제2 패드에 의하여 지지 되는 기둥 형상의 코어 및 상기 코어의 표면에 배치되며 상기 제2 패드와 전기적으로 연결되는 관통 전극부, 상기 코어와 상기 관통 전극부 사이에 개재된 제1 금속층, 상기 관통홀에 의하여 형성된 상기 제1 반도체 칩의 내측면 및 상기 관통 전극부 사이에 개재된 제2 금속층을 갖는 관통 전극을 포함한다.
摘要翻译：公开了一种通孔电极，具有该电路板的电路板，具有该电路板的半导体封装以及半导体封装。堆叠的半导体封装件包括：第一焊盘和配置在该第一半导体封装，具有含通过对应于所述第一垫的部分的贯通孔的第一半导体芯片，对应于所述第一垫的第一半导体封装，所述第二设置在半导体封装和通孔，所述柱由第二衬垫支撑，所述芯和所述芯被设置在一个位置，以及具有第二焊盘上的第二半导体芯片，以防止在通孔设置在所述第二焊盘与贯通电极部的表面上，以电连接至芯和通孔的贯通电极部，所述内表面和由形成在所述第一半导体芯片的所述渗透之间的第一金属层，所述以及具有夹在电极部分之间的第二金属层的贯通电极。

9. 发明公开

KR1020090125274A 연성평면리드를 구비한 집적회로 无效
标题翻译：集成电路与灵活的飞机领先
公开(公告)号：KR1020090125274A
公开(公告)日：2009-12-04
申请号：KR1020097021834
申请日：2008-03-24
申请人： 마이크로세미 코포레이션
发明人： 오트리,트레이시
IPC分类号： H01L23/051 , H01L23/057 , H01L23/498
CPC分类号： H01L23/051 , H01L23/047 , H01L23/057 , H01L23/4985 , H01L31/02005 , H01L31/044 , H01L31/048 , H01L2224/73253 , H01L2924/01079 , H01L2924/12032 , H01L2924/14 , Y02E10/50 , H01L2924/00
摘要： A microelectronic device including a microelectronic circuit and at least one planar flexible lead. These planar flexible leads are adapted to bend and flex during mechanical stress allow direct mounting of the device to a member, and withstand extreme thermal cycling, such as-197°C to +150°C such as encountered in space.
摘要翻译：一种包括微电子电路和至少一个平面柔性引线的微电子器件。这些平面柔性引线适用于在机械应力期间弯曲和弯曲，允许将器件直接安装到构件上，并且能够承受极端的热循环，例如在空间中遇到的-197℃至+ 150℃。

10. 发明公开

KR1020090111052A 관통 전극, 이를 갖는 회로 기판, 이를 갖는 반도체 패키지및 반도체 패키지를 갖는 적층 반도체 패키지 有权
标题翻译：具有电极的电路，具有该电极的电路基板，具有电极的半导体封装以及具有半导体封装的堆叠半导体封装
公开(公告)号：KR1020090111052A
公开(公告)日：2009-10-26
申请号：KR1020080036623
申请日：2008-04-21
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 배한준 , 김종훈
IPC分类号： H01L23/12 , H01L23/051
CPC分类号： H05K3/4046 , H01L23/49827 , H01L2924/0002 , H05K2201/0347 , H05K2201/10242 , H01L2924/00
摘要： PURPOSE: A through electrode is provided to prevent a defect like a void while forming a through electrode. CONSTITUTION: A through electrode(100) includes a core(10), a through electrode part(30), a first metal layer(20), and a second metal layer(50). The core is arranged inside the through hole, has a pillar shape, and includes one of insulator and metal. The through electrode part covers the core. The first metal layer is interposed between the core and the through electrode part. The first metal layer is formed on the through electrode part.
摘要翻译：目的：提供通孔，以形成通孔，以防止像空洞一样的缺陷。构成：贯通电极（100）包括芯（10），通电极部（30），第一金属层（20）和第二金属层（50）。核心布置在通孔的内部，具有柱状，并且包括绝缘体和金属中的一种。贯通电极部覆盖芯。第一金属层插入在芯和贯通电极部之间。第一金属层形成在贯通电极部上。

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