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1. 发明公开

KR1020160056427A 상쇄간섭 효과를 이용한 하프톤 위상반전 마스크 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：使用破坏性干扰效应的HALFTONE相位移动掩模及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160056427A
公开(公告)日：2016-05-20
申请号：KR1020140155960
申请日：2014-11-11
申请人： 주식회사 피케이엘
发明人： 김명용 , 허익범 , 최상수
IPC分类号： G03F1/34 , G03F1/50
CPC分类号： G03F1/34 , G03F1/28 , G03F1/50
摘要： 빛의상쇄간섭효과를이용하여위상반전물질층만으로블라인더효과를도모함으로써마스크제조공정의단순화로생산수율을향상시킬수 있는상쇄간섭효과를이용한하프톤위상반전마스크및 그제조방법에대하여개시한다. 본발명에따른상쇄간섭효과를이용한하프톤위상반전마스크는매트릭스형태로서로이격배치되며, 각각광이투과되는투과영역및 광의투과율이조절되는위상반전영역을구비하는복수의활성영역과, 상기복수의활성영역의외측에배치되는블라인드영역을갖는투명기판; 상기투명기판상의위상반전영역에형성되어, 입사광의투과율을조절하는위상반전패턴; 및상기투명기판의블라인드영역에위상반전패턴과동종재질로동일한두께로형성되어, 복수개가상호이격배치되는홀 어레이패턴;을포함하되, 상기위상반전패턴과홀 어레이패턴은하기식 1 및식 2를만족하는범위로형성된것을특징으로한다. 식 1 : 해상도공식에서 k1 = 0.25 미만의패턴크기식 2 : 투과영역을통과하는빛의양이패널에입사되는빛의양 = 위상반전패턴을투과하는빛이패널에입사되는빛의양
摘要翻译：公开了使用破坏性干扰效应的半色调相移掩模，其通过使用光的相消干涉效应仅通过相移材料层促进遮挡效应，通过简化掩模制备工艺能够提高产量，以及准备半色调相移掩模。使用根据本发明的相消干涉效应的半色调相移掩模包括：透明基板，被设置为彼此间隔开，作为矩阵形式，并且具有多个有源区域，每个有源区域包括透射区域，使得光线以及在相移区域中控制透光率的相移区域和设置在有源区域外侧的盲区; 形成在透明基板上的相移区域上以控制入射光的透射率的相移图案; 以及与透明基板的遮光区域上的相移图案相同的材料和厚度形成的孔阵列图案，并且被设置为彼此相互间隔开。相移图案和孔阵列图案形成在满足以下表达式1和2的范围内。表达式1：分辨率公式的k1等于小于0.25的图案尺寸。表达式2：通过透射区域的光进入面板的光量等于透射相移图案的光进入面板的光量。

2. 发明公开

KR1019980003796A 위상반전 마스크 및 그 제조방법 失效
公开(公告)号：KR1019980003796A
公开(公告)日：1998-03-30
申请号：KR1019960024699
申请日：1996-06-27
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 이준석
IPC分类号： G03F1/34 , G03F1/30 , H01L21/027

3. 发明公开

KR1019970002456A 에지강조형위상반전마스크및그제조방법 失效
标题翻译：边缘加重型相位反转掩模及其制造方法
公开(公告)号：KR1019970002456A
公开(公告)日：1997-01-24
申请号：KR1019950018883
申请日：1995-06-30
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 배상만
IPC分类号： G03F1/34 , G03F1/26
摘要： 본 발명은 에지 강조형 위상반전 마스크 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 투명기판상에 예정된 라인/스페이스를 갖는 제1위상반전막 패턴을 형성하고, 그 상측에 보다 작은 폭을 갖는 광차단막 패턴을 형성하며, 상기 제1위상반전막 패턴들 사이의 스페이스에 제2위상반전막 패턴을 형성하되 상기 제1 및 제2위상반전막 패턴들의 사이에서 투명기판이 어느 정도 노출되어 있는 이중 에지 강조형 위상반전 마스크를 형성하였으므로, 제1 및 제2위상반전막 패턴을 통과한 광과 그 사이의 투명기판을 통과한 광간의 간섭에 의해 광세기 그래프의 에지부분의 기울기가 증가되어 광 콘트라스트가 형상되므로 상기의 위상반전 마스크를 사용한 감광막패턴의 프로파일이 향상되어 미세 패턴 형성이 용이하고, 공정여유도가 증가되어 소자동작의 신뢰성 및 공정 율을 향상시킬 수 있다.

4. 发明授权

KR102304206B1 포토마스크 및 표시 장치의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102304206B1
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：KR1020200154522
申请日：2020-11-18
IPC分类号： G03F1/26 , G03F1/32 , G03F1/34 , G03F7/20 , H01L27/32 , G02F1/136
摘要： 본발명은, 표시장치제조용마스크의노광환경에유리하게적합하고, 미세한패턴을안정적으로전사할수 있는우수한포토마스크및 그제조방법을얻을수 있다. 투명기판상에형성된전사용패턴을구비하는포토마스크로서, 상기전사용패턴은, 직경 W1(㎛)의주 패턴과, 상기주 패턴의근방에배치된, 폭 d(㎛)의보조패턴과, 상기주 패턴및 상기보조패턴이형성되는이외의영역에배치된저투광부를갖고, 상기주 패턴및 상기보조패턴을투과하는대표파장의위상차가대략 180도이며, 직경 W1, 폭 d, 상기보조패턴의투과율 T1(%), 상기저투광부의투과율 T3(%) 및상기주 패턴의중심과상기보조패턴의폭 방향의중심과의거리 P(㎛)가소정의관계를갖는포토마스크이다.

5. 发明公开

KR1020170117988A 포토마스크 및 표시 장치의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：光罩及显示装置的制造方法
公开(公告)号：KR1020170117988A
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：KR1020170129436
申请日：2017-10-11
申请人： 호야 가부시키가이샤
发明人： 이마시끼,노부히사 , 요시까와,유따까 , 스가와라히로유끼
IPC分类号： G03F1/26 , G03F1/32 , G03F1/34 , G03F7/20 , H01L27/32 , G02F1/136
摘要： 본발명은, 표시장치제조용마스크의노광환경에유리하게적합하고, 미세한패턴을안정적으로전사할수 있는우수한포토마스크및 그제조방법을얻을수 있다. 투명기판상에형성된전사용패턴을구비하는포토마스크로서, 상기전사용패턴은, 직경 W1(㎛)의주 패턴과, 상기주 패턴의근방에배치된, 폭 d(㎛)의보조패턴과, 상기주 패턴및 상기보조패턴이형성되는이외의영역에배치된저투광부를갖고, 상기주 패턴및 상기보조패턴을투과하는대표파장의위상차가대략 180도이며, 직경 W1, 폭 d, 상기보조패턴의투과율 T1(%), 상기저투광부의투과율 T3(%) 및상기주 패턴의중심과상기보조패턴의폭 방향의중심과의거리 P(㎛)가소정의관계를갖는포토마스크이다.
摘要翻译：工业实用性本发明提供一种适合用于制造显示装置的掩模的曝光环境并且能够稳定地转印精细图案的优异的光掩模及其制造方法。其中，转印图案包括直径为W1的主图案（占有），宽度为d（占有）的辅助图案设置在主图案附近，主图案，并且具有在其上形成辅助图案即半透明设置在其它区域的部分，其中，所述主图案和通过辅助图案发送的代表波长的相位差为约180°，直径W1，宽度d，辅助图案的低透射率部分的透射率T3（％）和主图案的中心与辅助图案的宽度方向上的中心之间的距离P（占）。

6. 发明公开

KR1020140104433A 위상 시프트 마스크 및 그 위상 시프트 마스크를 사용한 레지스트 패턴 형성 방법 有权
标题翻译：相移片掩模和使用相移片掩模形成电阻图案的方法
公开(公告)号：KR1020140104433A
公开(公告)日：2014-08-28
申请号：KR1020147016282
申请日：2013-02-15
申请人： 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤
发明人： 기노시타가즈키 , 도비타아츠시
IPC分类号： G03F1/34 , G03F7/20
CPC分类号： G03F1/34 , G03F7/20 , H01L21/027
摘要： 종래의 화상 표시 장치 제조용 노광 장치를 이용하고, 투명 기판 등의 피가공재 상에, 그 노광 장치의 해상 한계 미만의 치수를 갖는 소정의 레지스트 패턴을 고정밀도로 형성할 수 있는 위상 시프트 마스크 및 그 위상 시프트 마스크를 사용한 레지스트 패턴 형성 방법을 제공한다. 노광 장치의 해상 한계 미만의 설계 치수의 레지스트 패턴 형성용 위상 시프트 마스크는, 투명 기판과, 노광 장치로부터의 노광광에 소정의 위상차를 부여하는 위상 시프트부와, 위상 시프트부에 인접하는 비위상 시프트부를 구비하고, 위상 시프트부 및 비위상 시프트부 중 적어도 어느 한쪽이 노광 장치의 해상 한계 미만의 치수이면서, 위상 시프트부의 치수와 비위상 시프트부의 치수가 서로 다르며, 투명 기판 상에 있어서의 위상 시프트부 및 비위상 시프트부를 포함하는 패턴 영역의 크기가 1변 300㎜ 이상이며, 적어도 패턴 영역 내에 노광 장치의 해상 한계 미만의 치수의 차광부를 갖지 않는다.

7. 发明公开

KR1020010106197A 하이브리드 위상 쉬프트 마스크 有权
标题翻译：混合相移掩模
公开(公告)号：KR1020010106197A
公开(公告)日：2001-11-29
申请号：KR1020010023106
申请日：2001-04-27
申请人： 에이에스엠엘 마스크툴즈 비.브이.
发明人： 첸장풍 , 컬드웰라저 , 레이디그토마스 , 웜플러쿠르트이.
IPC分类号： G03F1/34 , G03F1/26
摘要： 광학 노광도구를 사용하여 집적회로에 대응하는 리소그래피 패턴을 마스크로부터 반도체 기판에 광학적으로 전달하기 위한 하이브리드 마스크를 형성하는 방법. 상기 방법은 저 투과 위상 쉬프트 마스크(패턴)와 비위상쉬프팅 마스크(패턴) 중 하나를 이용하여 마스크상에 적어도 하나의 비임계적인 형상을 형성하는 단계와, 고 투과 위상 쉬프트 마스크(패턴)를 이용하여 마스크상에 적어도 하나의 임계적인 형상을 형성하는 단계를 포함한다.

8. 发明授权

KR100166854B1 위상반전 마스크의 결함 수정방법 失效
标题翻译：如何纠正相反转掩模中的缺陷
公开(公告)号：KR100166854B1
公开(公告)日：1999-01-15
申请号：KR1019960024698
申请日：1996-06-27
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 이준석
IPC分类号： G03F1/30 , G03F1/34 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/72 , G03F1/26
摘要： 본 발명은 위상반전 마스크에 관한 것으로 특히 위상반전 마스크의 결함 수정방법에 관한 것이다.
이를 위한 본 발명의 위상반전 마스크의 결함 수정방법은 기판상에 에치스토퍼층 및 위상반전층을 차례로 형성하는 스텝; 상기 위상반전층상에 복수개의 오픈영역을 갖는 차광층 패턴을 형성하는 스텝; 상기 차광층 패턴 사이의 노출된 위상반전층중 위상반전 영역을 정의하는 스텝; 상기 위상반전 영역의 위상반전층을 위상반전 두께만큼 선택적으로 제거하는 스텝; 그리고 상기 선택적으로 제거된 위상반전층에 결함이 발생하였을 때 상기 차광층 사이의 노출된 위상반전층을 동시에 일정두께로 식각하여 결함을 제거하는 스텝을 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.

9. 发明公开

KR1019970048936A 반도체 제조 방법 无效
公开(公告)号：KR1019970048936A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950065732
申请日：1995-12-29
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김정렬 , 이선용 , 정성길
IPC分类号： H01L21/027 , G03F1/62 , G03F1/34
摘要： 본 발명은 반도체 제조방법에 관한 것으로서, 특히 우변과 하변에 스크라이브 라인영역을 가지는 레티클을 마스크로 사용하여 반도체 웨이퍼 상에 샷단위로 노광하는 반도체 제조방법에 있어서, 노광되지 않은 웨이퍼에지 부위에 형성되는 누적층의 에지가 경사지게 형성되도록 상기 각 층에 대응하는 레티클의 에지를 레이아웃하는 것을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에서는 누적층의 에지에서 언에치되는 것을 방지하고 더미 샷노광을 할 필요가 없게 된다.

10. 发明公开

KR1019960042204A 조도 불균일 검출용 패턴을 갖는 마스크 失效
公开(公告)号：KR1019960042204A
公开(公告)日：1996-12-21
申请号：KR1019960016179
申请日：1996-05-15
申请人： 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤
发明人： 하시모또슈이찌
IPC分类号： G03F1/34 , G03F1/64

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