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1. 发明公开

KR1020110139226A 용융금속으로부터 박형 반도체 물체를 제조하는 방법 및 장치 有权
标题翻译：用于制造薄膜半导体体的方法和装置
公开(公告)号：KR1020110139226A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：KR1020117021651
申请日：2010-03-09
申请人： 1366 테크놀로지 인코포레이티드
发明人： 삭스에마뉴엘엠. , 월리스리처드엘. , 한추에어릭티. , 로렌츠아담엠. , 허델슨지.디.스티븐 , 존크자크랄프
IPC分类号： H01L21/02 , C30B11/00 , C30B15/30 , C30B19/06 , C30B28/04 , C30B29/06 , B29C33/44
CPC分类号： B29C33/44 , C30B11/007 , C30B15/30 , C30B19/068 , C30B28/04 , C30B29/06 , H01L21/02002
摘要： 몰드 시트 전역에 걸쳐서 압력차가 적용되며 반도체(예를 들어, 실리콘) 웨이퍼가 그 위에 형성된다. 압력차를 완화시키면 웨이퍼가 해제된다. 몰드 시트는 용융물보다 차가울 수 있다. 열은 거의 전적으로 형성 웨이퍼의 두께를 통해 추출된다. 액체와 고체 계면은 실질적으로 몰드 시트에 평행하다. 응고하는 고체의 온도는 그 폭 전역에 걸쳐서 실질적으로 균일하며, 그 결과 응력 및 전위밀도가 낮아지고 결정 품질이 높아진다. 몰드 시트는 그를 통해 가스가 흘러야 한다. 용융물은 용융물의 상단과 전체 영역이 접촉; 수평상태나 수직상태에 관계없이 또는 중간에서 몰드 시트와 용융물의 부분 접촉을 횡단; 및 몰드 시트를 용융물 속에 침지함에 의해 시트에 도입될 수 있다. 입도는 많은 수단에 의해 제어될 수 있다.

2. 发明公开

KR1020050016652A 박판 제조방법 및 박판 제조장치 失效
标题翻译：薄片生产方法和薄片生产设备
公开(公告)号：KR1020050016652A
公开(公告)日：2005-02-21
申请号：KR1020047021482
申请日：2003-06-24
申请人： 샤프 가부시키가이샤 , 신꼬오 덴기 가부시키가이샤
发明人： 고마슈지 , 고카쿠히로즈미 , 나가이토시아키 , 야노코자브로 , 타도코로마사히로 , 나카이야스히로
IPC分类号： C30B28/04
CPC分类号： C30B19/00 , C30B29/06
摘要： 본 발명은, 박판제조방법 및 박판제조장치에 관한 것이고, 보다 구체적으로는 실리콘 박판제조방법 및 실리콘 박판제조장치에 관한 것이다.
본 발명에서는, 주실(1)에 배치된 도가니(2) 내의 실리콘 융액(7)에 기판의 표층부를 담그고, 상기 기판의 표면에 실리콘(5)을 부착시켜 실리콘 박판을 제조하는 데 해당하고, 기판의 주실로의 반입 및 주실로부터의 반출을, 주실(1)과 인접하는 적어도 하나의 부실(3,4)을 통하여 행한다.
본 발명에 의해, 고품질의 실리콘 박판을 장시간 연속하여 대량으로 안정생산할 수 있다. 이 때문에, 실리콘 박판을 저렴하게 대량으로 공급할 수 있어, 예컨대, 태양광 발전용 실리콘 박판의 제조에 광범위하게 이용될 것이 기대된다.

3. 发明公开

KR1020100123745A 순수 또는 도핑된 반도체 물질의 비지지 제품을 제조하는 방법 无效
标题翻译：制备纯或半导体材料的不合格品的方法
公开(公告)号：KR1020100123745A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：KR1020107021599
申请日：2009-02-27
申请人： 코닝 인코포레이티드
发明人： 쿡,글렌,비 , 마줌더,프란틱 , 소니,카말,케이 , 수만,발람 , 토마스,크리스토퍼,에스 , 벤카타라만,나테산
IPC分类号： H01L21/208 , C30B28/04 , C30B29/06
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/007 , C30B28/04
摘要： 본 발명은 반도체 물질 및 그들로 형성된 광전지 셀들(photovoltaic cells)을 만드는데 유용할 수 있는 반도체 물질의 제품과 같은 반도체 물질 제품의 제조방법에 관한 것이다.

4. 发明公开

KR1019960701097A 금속-인터페론-알파 결정 无效
标题翻译：金属 - 干扰素-α晶体
公开(公告)号：KR1019960701097A
公开(公告)日：1996-02-24
申请号：KR1019950703568
申请日：1994-02-24
申请人： 머크 샤프 앤드 돔 코포레이션
发明人： 폴레이처트 , 찰스맥네머 , 나가마니나가부샨 , 타타나할리엘.나가부샨 , 스티븐틴달 , 알렌루자
IPC分类号： C07K14/56 , A61K38/21 , C30B28/04
摘要： 본 발명은 결정상 아연-인터페론-α-2(IFN-α-2)를 제공한다. 또한, 본 발명은 영장류 동물에게 주입되는 경우, 혈청 반감기가 약 12시간 이상인 결정상 코발트-IFN-α-2 및 결정상 IFN-α-2를 제공한다. 또한, 본 발명은 가용성 금속-IFN-α-2 복합체를 형성시키고, 가용성 금속-IFN-α-2복합체를 용액 중에서 금속-IFN-α-2 용액을 과포화시켜 결정상 금속-IFN-α-2를 형성시키는 조건하에서 금속의 아세테이트 염으로 평형화시킴을 포함하여, 결정상 IFN-α-2를 제조하는 방법을 제공한다. 또한, 본 발명은 단사정계, 판상 및 침상 형태를 갖는 결정상 금속-α인터페론을 포함한다.

5. 发明授权

KR102062901B1 비스무트 도핑된 반절연성 3족 질화물 웨이퍼 및 그의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102062901B1
公开(公告)日：2020-01-06
申请号：KR1020157007313
申请日：2013-02-28
申请人： 식스포인트 머터리얼즈 인코퍼레이티드 , 서울반도체 주식회사
发明人： 하시모토타다오 , 렛츠에드워드 , 호프시에라
IPC分类号： C30B7/10 , C30B28/04 , C30B29/40 , H01L21/02 , H01L29/20 , H01L29/207 , H01L29/22

6. 发明公开

KR1020150092083A 비스무트 도핑된 반절연성 3족 질화물 웨이퍼 및 그의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：双晶硅半导体半绝缘III族氮化物及其生产方法
公开(公告)号：KR1020150092083A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：KR1020157007313
申请日：2013-02-28
申请人： 식스포인트 머터리얼즈 인코퍼레이티드 , 서울반도체 주식회사
发明人： 하시모토타다오 , 렛츠에드워드 , 호프시에라
IPC分类号： H01L21/02 , H01L29/20 , H01L29/22 , C30B7/10 , C30B9/00 , C30B28/04 , C30B29/40
CPC分类号： C30B7/105 , B24B37/042 , B28D5/00 , C30B9/00 , C30B28/04 , C30B29/403 , H01L21/02013 , H01L21/02389 , H01L29/2003 , H01L29/207 , H01L29/22
摘要： 본 발명은 비스무트(BI)로 도핑된 Ga
x Al
y In
1-xy N(0≤x≤1, 0≤x+y≤1)의 반 절연성 웨이퍼를 개시한다. 상기 반 절연성 웨이퍼는 10
4 옴/cm 이상의 저항을 가진다. 3족 질화물의 단일 결정 잉곳을 얻는 것이 매우 어려울지라도, 암모노서멀법은 10
5 cm
-2 미만의 전위/결정 입계 밀도를 갖는 3족 질화물의 고 배향 다결정 또는 단결정 잉곳을 성장시킬 수 있다. 본 발명은 또한 반 절연성 3족 질화물 벌크 결정 및 웨이퍼를 제조하는 방법을 개시한다.

7. 发明授权

KR101266081B1 표면 오염 및 강도를 개선한 유리질 도가니 및 그 제조방법 有权
标题翻译：改进了表面污染和强度的QUARTZ可溶性及其生产方法
公开(公告)号：KR101266081B1
公开(公告)日：2013-05-27
申请号：KR1020120059028
申请日：2012-06-01
申请人： (주) 쿼츠테크
发明人： 백인찬 , 최대호
IPC分类号： C30B15/10 , C30B29/06 , C03B20/00 , C30B28/04
摘要： PURPOSE: A quartz crucible for reducing surface contamination and improving the intensity, and a production thereof are provided to increase the durability of the quartz crucible by forming cristobalite crystals from Ba formate on the inner surface of the quartz crucible. CONSTITUTION: A crystallization catalyst coating solution including Ba formate and a surfactant is uniformly distributed on the surface of the quartz crucible. The crystallization catalyst coating solution is heat-treated at a temperature of 100-200deg. C for 10-30minutes. The crystallization catalyst coating solution is crystallized at a temperature of 1,300-1,400deg. C. The Ba content of the crystallization catalyst coating solution is 0.01-5 weight %. The particle size of the crystallization catalyst coating solution including the Ba formate, and the surfactant is 30-60um.
摘要翻译：目的：提供一种用于减少表面污染和提高强度的石英坩埚及其生产，以通过在石英坩埚的内表面上形成来自甲酸钡的方英石晶体来提高石英坩埚的耐久性。构成：包含甲酸钡和表面活性剂的结晶催化剂涂层溶液均匀分布在石英坩埚的表面。结晶催化剂涂层溶液在100-200℃的温度下热处理。 C 10-30分钟。结晶催化剂涂层溶液在1,300-1,400℃的温度下结晶。 C.结晶催化剂涂层溶液的Ba含量为0.01-5重量％。包括甲酸钡和表面活性剂的结晶催化剂涂布溶液的粒径为30-60um。

8. 发明授权

KR101805096B1 용융금속으로부터 박형 반도체 물체를 제조하는 방법 및 장치 有权
标题翻译：用于制造单一半导体材料的方法和设备
公开(公告)号：KR101805096B1
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：KR1020117021651
申请日：2010-03-09
申请人： 1366 테크놀로지 인코포레이티드
发明人： 삭스에마뉴엘엠. , 월리스리처드엘. , 한추에어릭티. , 로렌츠아담엠. , 허델슨지.디.스티븐 , 존크자크랄프
IPC分类号： H01L21/02 , C30B11/00 , C30B15/30 , C30B19/06 , C30B28/04 , C30B29/06 , B29C33/44
CPC分类号： B29C33/44 , C30B11/007 , C30B15/30 , C30B19/068 , C30B28/04 , C30B29/06
摘要： 몰드시트전역에걸쳐서압력차가적용되며반도체(예를들어, 실리콘) 웨이퍼가그 위에형성된다. 압력차를완화시키면웨이퍼가해제된다. 몰드시트는용융물보다차가울수 있다. 열은거의전적으로형성웨이퍼의두께를통해추출된다. 액체와고체계면은실질적으로몰드시트에평행하다. 응고하는고체의온도는그 폭전역에걸쳐서실질적으로균일하며, 그결과응력및 전위밀도가낮아지고결정품질이높아진다. 몰드시트는그를통해가스가흘러야한다. 용융물은용융물의상단과전체영역이접촉; 수평상태나수직상태에관계없이또는중간에서몰드시트와용융물의부분접촉을횡단; 및몰드시트를용융물속에침지함에의해시트에도입될수 있다. 입도는많은수단에의해제어될수 있다.
摘要翻译：在模板上施加压差并在其上形成半导体（例如硅）晶片。放松压力差会释放晶圆。模板可能比熔体更冷。几乎完全通过形成晶片的厚度提取热量。液体和固体界面基本平行于模板。固化固体的温度在其整个宽度上基本均匀，导致较低的应力和位错密度以及较高的晶体质量。模板必须流过它。熔体与熔体顶部的整个区域接触; 无论水平或垂直状态如何，熔体与模板横向部分接触; 通过将模具片材浸入熔体中，可将模具片材引入片材。粒径可以通过许多手段来控制。

9. 发明公开

KR1020120090030A 코팅된 도가니 및 그의 제조 방법 및 용도 无效
标题翻译：包覆的硬质合金及其制备和使用方法
公开(公告)号：KR1020120090030A
公开(公告)日：2012-08-16
申请号：KR1020127003982
申请日：2010-07-16
申请人： 엠이엠씨 싱가포르 피티이. 엘티디.
发明人： 필립스,리차드제이. , 킴벨,스티븐엘. , 데쉬판데,아디트야 , 시,강
IPC分类号： C30B11/00 , C30B28/04 , C30B15/10 , C04B35/584
CPC分类号： C30B11/002 , C04B35/584 , C04B35/6269 , C04B35/6342 , C04B35/63488 , C04B2235/3217 , C04B2235/3225 , C04B2235/3418 , C04B2235/656 , C04B2235/721 , C30B15/10 , C30B29/06 , C30B35/002 , Y10T428/24
摘要： 용융된 반도체 재료를 보유하기 위한 질화규소 코팅된 도가니, 및 방향성 응고 공정에 의한 다결정질 규소 잉곳을 제조하기 위한 그의 용도, 도가니를 코팅하는 방법, 규소 잉곳 및 웨이퍼의 제조 방법, 도가니를 코팅하기 위한 조성물 및 낮은 산소 함량을 갖는 규소 잉곳 및 웨이퍼가 기재되어 있다.

10. 发明公开

KR1020120049112A 태양전지 웨이퍼 금형 및 성형방법 无效
标题翻译：太阳能模具和模具方法
公开(公告)号：KR1020120049112A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：KR1020110042740
申请日：2011-05-06
申请人： 김한식
发明人： 김한식
IPC分类号： C30B28/04 , H01L21/02 , H01L31/04 , B22D45/00
CPC分类号： Y02E10/50 , C30B28/04 , B22D45/00 , H01L21/02 , H01L31/042
摘要： PURPOSE: A solar cell wafer mold and a molding method thereof is provided to simplify a process and obtain price competitiveness by omitting a single crystalline ingot process and a cutting process. CONSTITUTION: An assembling hole(11) passes through a corner(9) of a dipping type mold base(100). A square side(10) is formed in each edge side of the dipping type mold base. A pressing portion(12) is formed inside the square side. An airtight pressing portion(18) is formed on a boundary face of a wafer molding frame(15). The height of the airtight pressing portion is formed to be higher than the pressing portion.
摘要翻译：目的：提供一种太阳能电池晶片模具及其模制方法，以通过省略单晶锭工艺和切割工艺来简化工艺并获得价格竞争力。构成：装配孔（11）穿过浸渍型模底座（100）的角部（9）。在浸渍型模底座的每个边缘侧形成正方形（10）。在方侧内部形成有按压部（12）。在晶片模制框架（15）的边界面上形成有气密按压部（18）。气密按压部的高度形成为高于按压部。

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