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1. 发明公开

KR20200139797A 도어 개방 장치, 이송 챔버 및 반도체 처리 디바이스 审中-公开
公开(公告)号：KR20200139797A
公开(公告)日：2020-12-14
申请号：KR20207031997
申请日：2019-05-06
申请人： BEIJING NAURA MICROELECTRONICS EQUIPMENT CO LTD
发明人： DONG JINWEI , ZHAO JINRONG
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/67
摘要： 본개시는도어개방장치, 이송챔버및 반도체처리다비이스를개시하며, 상기도어개방장치는웨이퍼카세트의밀봉도어를개방하거나폐쇄하도록구성되고, 이송챔버의챔버벽과이동가능하게도킹되고, 상기챔버벽에서상기웨이퍼카세트의웨이퍼이송개구와도킹되는이송인터페이스주변지점에위치하여, 이송인터페이스와웨이퍼카세트의웨이퍼이송개구를개방하거나폐쇄할수 있고, 웨이퍼카세트를향하는하우징부재의일측에제1 개구가설치되도록구성되는하우징부재; 및제1 개구지점에설치되고, 하우징부재가이송인터페이스와웨이퍼이송개구를폐쇄하는위치에있을때, 밀봉도어가도킹되어웨이퍼카세트와분리되도록하고, 밀봉도어또는도킹어셈블리가제1 개구와밀봉및 매칭되어, 하우징부재의내부에밀봉공간을형성하도록구성되는도킹어셈블리를포함한다. 본발명에서제공하는도어개방장치는이러한운동부재와그 위의윤활유에의해생성된오염물이웨이퍼카세트내부의웨이퍼에어떠한오염도일으키지않도록하여제품수율및 성능향상에도움을줄 수있다.

2. 发明公开

KR20200130416A 챔버 어셈블리 및 반응 챔버 审中-公开
公开(公告)号：KR20200130416A
公开(公告)日：2020-11-18
申请号：KR20207029179
申请日：2019-03-12
申请人： BEIJING NAURA MICROELECTRONICS EQUIPMENT CO LTD
发明人： SHI SHUAITAO , DING ANBANG , CHEN PENG , SHI XIAOPING , LI CHUNLEI , LAN YUNFENG
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/507 , C23C16/517
摘要： 챔버어셈블리에있어서, 전극판(8) 및흐름균일화부재(9)를포함하고, 전극판(8)은 RF 전원(16)과의전기적연결에사용되며, 전극판(8)에는가스유입구(81)가마련된다. 흐름균일화부재(9)는절연재료를사용하여제조되고, 전극판(8)과함께흐름균일화공간(10)을형성하며, 가스유입구(81)는흐름균일화공간(10)과연통되고, 흐름균일화부재(9)에는복수의가스유출구(911)가마련된다. 챔버어셈블리는중공음극방전문제가발생하는것을방지하고, 플라즈마의안정성을향상시킨다. 나아가, 반응챔버를제공한다.

3. 发明公开

KR20200140376A 탈기 챔버 및 탈기 방법 审中-公开
公开(公告)号：KR20200140376A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：KR20207032362
申请日：2019-01-15
申请人： BEIJING NAURA MICROELECTRONICS EQUIPMENT CO LTD
发明人： XU GANG , ZHANG JUN , ZHENG BO , MA ZHENGUO
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/687 , H05B3/00
摘要： 본발명은탈기챔버및 탈기방법을개시한다. 상기탈기챔버의내부에는가열장치, 냉각장치및 이동지지장치가설치되고, 여기에서냉각장치와가열장치는이격되어대향하도록설치되고, 이동지지장치는웨이퍼를지지하고웨이퍼를가열장치와냉각장치사이에서이동시켜웨이퍼를각각가열및 냉각하도록구성된다. 본발명에개시된탈기챔버의탈기방법의기술적해결책은동일한챔버내에서가열공정과냉각공정을완료하여생산효율을향상시킬수 있다. 또한탈기챔버에서유전체윈도우의존재로인해웨이퍼온도정밀도가떨어지고가열효율및 냉각효율이낮아지는문제등을방지할수 있다.

4. 发明公开

KR20200131314A 스퍼터링 방법 审中-公开
公开(公告)号：KR20200131314A
公开(公告)日：2020-11-23
申请号：KR20207029580
申请日：2018-12-26
申请人： BEIJING NAURA MICROELECTRONICS EQUIPMENT CO LTD
发明人： GUO BINGLIANG , MA HUAICHAO , SUN ANDONG , ZHANG HENAN , DONG BOYU , ZHANG LU , CHEN YUJING
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/00 , C23C14/06 , C23C14/22 , C23C14/54 , C23C14/56
摘要： 본발명은스퍼터링방법을제공하며, 이는적어도한 번의스퍼터링과정을포함하는바, 해당스퍼터링과정은, 타겟재재료를기판을차단하기위한배플판에스퍼터링하는제1 프리스퍼터링단계; 타겟재재료의화합물을배플판에스퍼터링하는제2 프리스퍼터링단계; 타겟재재료의화합물을기판에스퍼터링하는메인스퍼터링단계를포함하며, 여기서제1 프리스퍼터링단계는메인스퍼터링단계의스퍼터링전압을조절하기위한것이다. 해당스퍼터링방법은'타겟중독'문제및 공정어셈블리의임피던스변화문제를해결할수 있을뿐만아니라, 스퍼터링전압의변동범위를감소시킬수 있으며, 따라서박막두께및 박막품질의안정성을향상시킬수 있다.

5. 发明公开

KR20200127256A RF 임피던스 매칭 방법 및 장치, 반도체 처리 설비 审中-公开
公开(公告)号：KR20200127256A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：KR20207029770
申请日：2019-04-23
申请人： BEIJING NAURA MICROELECTRONICS EQUIPMENT CO LTD
发明人： WEI GANG , WEI JING , YANG JING
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 본발명은 RF 임피던스매칭방법,장치및 설비를개시한다. 상기방법은스윕매칭단계(S110), 스윕유지단계(S120)를포함하고, 단계(S110)은적어도하나의이하단계를순환적으로행한다. 단계(S111): 현재펄스주기의예정된적어도하나의펄스단계가종료될때의 RF 전원의스윕종료파라미터를획득하고; 단계(S112): 현재펄스주기의각 예정된펄스단계의스윕종료파라미터가목표스윕파라미터와매칭되는지여부를각각판단하고, 매칭되면단계(S120)를행하고, 매칭되지않으면단계(S113)를행하며; 단계(S113), 다음펄스주기의각 예정된펄스단계에있어서, RF 전원은각각그전의펄스주기의각 예정된펄스단계의스윕종료파라미터에따라스윕을행한다. 상기단계(S120)는그후의펄스주기의각 예정된펄스단계, RF 전원이스윕을정지하고목표스윕파라미터와매칭되는스윕종료파라미터를유지하는단계를포함한다. 따라서목표스윕파라미터와매칭되도록빠른스윕을행할수 있고, 펄스플라즈마의원활한점화를효과적으로보장할수 있다.

6. 发明公开

KR20200140877A RF 전원의 펄스 변조 시스템 및 방법과 반응 챔버 审中-公开
公开(公告)号：KR20200140877A
公开(公告)日：2020-12-16
申请号：KR20207032154
申请日：2019-04-19
申请人： BEIJING NAURA MICROELECTRONICS EQUIPMENT CO LTD
发明人： WEI GANG , WEI JING , YANG JING
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/3065 , H05H1/46
摘要： 본발명은 RF 전원의펄스변조시스템에관한것이며, 여기에는변조출력모듈및 주파수조정모듈이포함된다. 상기변조출력모듈은상기 RF 전원의출력신호를변조하여펄스변조 RF 신호를출력하도록구성되고, 상기펄스변조 RF 신호의각 펄스주기는모두펄스온 스테이지와펄스오프스테이지를포함하며, 상기펄스온 스테이지의초기소정시간구간내에오버슈트서브스테이지가설치된다. 상기주파수조정모듈은상기변조출력모듈에전기적으로연결되고, 상기주파수조정모듈은상기오버슈트서브스테이지의펄스변조 RF 신호의 RF 주파수를조정하여오버슈트서브스테이지의반사전력이소정의반사전력을충족시키거나반사계수가소정의반사계수를충족시키도록구성된다. 본발명은 RF 전원의펄스변조방법및 반응챔버를제공한다. 이는성공적인점화를용이하게구현할뿐만아니라, RF 시스템의설계요구기준을낮추고비용을절감시켜준다.

7. 发明公开

KR20200139758A 비플라즈마 에칭 방법 审中-公开
公开(公告)号：KR20200139758A
公开(公告)日：2020-12-14
申请号：KR20207031563
申请日：2019-03-21
申请人： BEIJING NAURA MICROELECTRONICS EQUIPMENT CO LTD
发明人： WANG CHUN , ZHENG BO , MA ZHENGUO , WU XIN , WANG XIAOJUAN
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/02
摘要： 본발명은비플라즈마에칭방법을제공하며, 여기에는에칭가스와촉매가스를포함하는가스혼합물을반응챔버내에넣어이산화규소와질화규소를에칭하는단계 S1이포함되고, 여기에서에칭가스는이산화규소와질화규소를에칭하는데 사용되고, 촉매가스는에칭속도를높이는데 사용되고, 가스혼합물중 각가스성분의유량비율은필요한이산화규소/질화규소에칭선택비에따라결정된다. 상기비플라즈마에칭방법은넓은범위에서이산화규소/질화규소에칭선택비를효과적으로조정할수 있어, 다양한응용분야의요건을충족시킬수 있을뿐만아니라공정복잡성과장비비용을줄이고플라즈마손상과미세구조점착을방지할수 있다.

8. 发明公开

KR20180018554A 증착 설비 및 물리 기상 증착 설비 审中-公开
标题翻译：沉积和物理气相沉积设备
公开(公告)号：KR20180018554A
公开(公告)日：2018-02-21
申请号：KR20177035747
申请日：2016-10-09
申请人： BEIJING NAURA MICROELECTRONICS EQUIPMENT CO LTD
发明人： JUN ZHANG , BOYU DONG , JINRONG ZHAO , XUEWEI WU , BINGLIANG GUO , BAOGANG XU , HENAN ZHANG , TONG WANG , SHAOHUI LIU , JUN WANG
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/06 , C23C14/50 , C23C14/56
CPC分类号： C23C14/34
摘要： 본발명은증착설비를제공하며, 제1 챔버, 제2 챔버및 제3 챔버를포함한다. 제1 챔버는기판을로드하도록배치된다. 제2 챔버는고온의분위기를제공하며, 제2 챔버내에서기판에대한배기공정및 스퍼터링공정을수행하도록배치된다. 제3 챔버는제1 챔버및 제2 챔버사이에배치된다. 제3 챔버는기판을제1 챔버로부터제3 챔버를통해제2 챔버로직접전달하도록배치된다. 본발명은물리기상증착챔버또한제공하며, 챔버본체, 타겟, 지지대및 열원을포함하고; 지지대는챔버본체내에구비되어기판을지지하고; 열원은챔버본체내에구비되어챔버본체를고온의분위기로가열하여, 기판에대한배기공정및 스퍼터링공정을수행한다. 본발명은증착설비및 물리기상증착챔버를제공하여, 별도의예열/배기챔버를생략할수 있고나아가설비부피축소및 원가감소의효과를달성한다.
摘要翻译：本发明提供了一种沉积设备并且包括第一腔室，第二腔室和第三腔室。第一室布置成装载基板。第二室提供高温气氛，并被布置为对第二室中的基板执行抽空过程和溅射过程。第三室布置在第一室和第二室之间。第三室布置成通过第三室将衬底直接从第一室转移到第二室。本发明还提供了一种物理气相沉积室，包括：室体，靶，支撑体和热源; 支撑件设置在腔室主体内以支撑基板; 在腔体中提供热源以将腔体加热到高温气氛以在基板上执行排气处理和溅射处理。本发明提供了一种气相沉积设备和物理气相沉积室中，可以省略单独的预加热/排气腔室中，并且实现的另外的设备体积减小和成本降低的效果。

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