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1. 发明公开

KR1020130135991A 처리 장치 有权
标题翻译：处理设备
公开(公告)号：KR1020130135991A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：KR1020137028690
申请日：2012-03-07
申请人： 캐논 아네르바 가부시키가이샤
发明人： 오사다도모아키 , 하세가와마사미
IPC分类号： H05H1/46 , C23C16/507 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC分类号： H05H1/00 , H01J37/32082 , H01J37/32431 , H01J37/3244 , H01J37/32458 , H01L21/67069 , H01L21/6719
摘要： 본 발명은 생산성 향상에 유리한 기술을 제공한다. 처리 장치는, 기판을 처리하는 처리 공간에 있어서 상기 기판을 지지하는 기판 지지부와, 개구부를 갖는 천장부를 포함하고 있어서 상기 처리 공간을 외부 공간으로부터 구획하는 제1 구획 부재와, 상기 개구부를 폐색하여 상기 제1 구획 부재와 함께 상기 처리 공간을 상기 외부 공간으로부터 구획하도록 상기 제1 구획 부재에 설치되는 제2 구획 부재를 구비한다. 상기 제2 구획 부재는, 상기 천장부의 하면이 향하고 있는 공간을 향해서 상기 제2 구획 부재를 이동시킴으로써, 상기 제2 구획 부재를 상기 제1 구획 부재로부터 제거할 수 있도록, 상기 제1 구획 부재에 설치된다.
摘要翻译：本发明提供了一种有利于提高生产率的技术。处理装置，以及在用于处理衬底，其包括处理空间：用于支撑衬底的衬底支撑，具有开口的天花板部，和在覆盖所述第一分隔部件和从外部空间限定所述处理空间中的开口部分，其中并且，第二分隔部件设置在第一分隔部件上，将处理空间和第一分隔部件从外部空间分隔。第二分隔构件安装到第一分隔构件，使得通过朝向面对顶板部分的下表面的空间移动第二分隔构件，第二分隔构件能够从第一分隔构件移除是的。

2. 发明授权

KR101446455B1 처리 장치 有权
标题翻译：加工设备
公开(公告)号：KR101446455B1
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：KR1020137028690
申请日：2012-03-07
申请人： 캐논 아네르바 가부시키가이샤
发明人： 오사다도모아키 , 하세가와마사미
IPC分类号： H05H1/46 , C23C16/507 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC分类号： H05H1/00 , H01J37/32082 , H01J37/32431 , H01J37/3244 , H01J37/32458 , H01L21/67069 , H01L21/6719
摘要： 본 발명은 생산성 향상에 유리한 기술을 제공한다. 처리 장치는, 기판을 처리하는 처리 공간에 있어서 상기 기판을 지지하는 기판 지지부와, 개구부를 갖는 천장부를 포함하고 있어서 상기 처리 공간을 외부 공간으로부터 구획하는 제1 구획 부재와, 상기 개구부를 폐색하여 상기 제1 구획 부재와 함께 상기 처리 공간을 상기 외부 공간으로부터 구획하도록 상기 제1 구획 부재에 설치되는 제2 구획 부재를 구비한다. 상기 제2 구획 부재는, 상기 천장부의 하면이 향하고 있는 공간을 향해서 상기 제2 구획 부재를 이동시킴으로써, 상기 제2 구획 부재를 상기 제1 구획 부재로부터 제거할 수 있도록, 상기 제1 구획 부재에 설치된다.

3. 发明授权

KR101479143B1 플라즈마 처리 장치 有权
标题翻译：等离子体处理装置
公开(公告)号：KR101479143B1
公开(公告)日：2015-01-05
申请号：KR1020127019413
申请日：2011-11-21
申请人： 캐논 아네르바 가부시키가이샤
发明人： 이케다마사요시 , 사카모토키요타카 , 사와다아키히로 , 사고야스미 , 하세가와마사미 , 구리타모토조
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065 , H01L21/205
CPC分类号： H05H1/46 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32357 , H01J37/32669 , H05H2001/4667
摘要： 본 발명은 플라즈마 밀도 분포의 불균일성을 보정함으로써 균일한 기판 처리가 가능한 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 이 장치는 기판이 플라즈마로 처리되고, 용기의 외주에 배열되는 환형 안테나를 갖는 진공 용기가 제공되며, 이 진공 용기는 전력 공급 용기와 기판이 배치되고 전력 공급 용기의 내부 공간과 통하는 처리 용기로 이루어진다. 플라즈마는 안테나로 공급되는 무선 주파수 전력에 의해 전력 공급 용기에서 생성된다. 플라즈마는 안테나의 외주에 배열되는 솔레노이드 코일의 자기장에 의해 처리 용기로 확산된다. 자기장의 경사는 처리 기판에 대한 솔레노이드 코일의 기울어짐을 조정하는 경사 조정 수단에 의해 조정된다.

4. 发明公开

KR1020130135981A 기판 처리 장치 无效
公开(公告)号：KR1020130135981A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：KR1020137028218
申请日：2012-03-07
申请人： 캐논 아네르바 가부시키가이샤
发明人： 요시다다츠히코 , 하세가와마사미 , 오사다도모아키
IPC分类号： H05H1/46 , C23C16/507 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC分类号： H05H1/46 , H01J37/321 , H01J37/32559 , H05H2001/463
摘要： A substrate processing apparatus for processing a substrate with plasma including: a container including a first container member that forms a processing space in which the substrate is processed, and a second container member that forms a plasma generation space in which plasma is generated a gas introduction unit for introducing gas into the container; a plasma generation unit including an antenna that is provided in an external space of the container and configured to excite the gas in the plasma generation space with an electric field that is generated by a high-frequency voltage fed from a power supply; and a substrate holding unit that is capable of holding the substrate. A coating film that contains a semiconductor material is formed on a surface of the second container member that is arranged close to the antenna.

5. 发明公开

KR1020120096593A 플라즈마 처리 장치 有权
标题翻译：等离子处理设备
公开(公告)号：KR1020120096593A
公开(公告)日：2012-08-30
申请号：KR1020127019413
申请日：2011-11-21
申请人： 캐논 아네르바 가부시키가이샤
发明人： 이케다마사요시 , 사카모토키요타카 , 사와다아키히로 , 사고야스미 , 하세가와마사미 , 구리타모토조
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065 , H01L21/205
CPC分类号： H05H1/46 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32357 , H01J37/32669 , H05H2001/4667
摘要： 본 발명은 플라즈마 밀도 분포의 불균일성을 보정함으로써 균일한 기판 처리가 가능한 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 이 장치는 기판이 플라즈마로 처리되고, 용기의 외주에 배열되는 환형 안테나를 갖는 진공 용기가 제공되며, 이 진공 용기는 전력 공급 용기와 기판이 배치되고 전력 공급 용기의 내부 공간과 통하는 처리 용기로 이루어진다. 플라즈마는 안테나로 공급되는 무선 주파수 전력에 의해 전력 공급 용기에서 생성된다. 플라즈마는 안테나의 외주에 배열되는 솔레노이드 코일의 자기장에 의해 처리 용기로 확산된다. 자기장의 경사는 처리 기판에 대한 솔레노이드 코일의 기울어짐을 조정하는 경사 조정 수단에 의해 조정된다.
摘要翻译：本发明通过修正等离子体密度分布尽可能的非均匀性提供了一种等离子体处理装置的均匀的基板处理。装置基板用等离子体处理，提供了具有环形天线被布置在所述容器的外周上的真空容器，该真空容器是电源容器和衬底放置在处理容器由通过电源容器的内部空间。通过提供给天线的射频功率在电源容器中产生等离子体。等离子体扩散到由螺线管线圈的磁场在处理容器被布置在天线的外周。磁场的梯度由所述倾角调节装置，用于调节所述螺线管线圈的倾斜于衬底的调整。

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