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1. 发明授权

KR101007759B1 자기 발진 소자, 자기 발진 소자를 포함한 자기 헤드 그리고 자기 기록 및 재생 장치 失效
标题翻译：磁振动装置，包括磁振动装置的磁头，以及磁记录和再生装置
公开(公告)号：KR101007759B1
公开(公告)日：2011-01-14
申请号：KR1020090011247
申请日：2009-02-12
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 구도기와무 , 나가사와다즈미 , 미즈시마고오이찌 , 사또리에
IPC分类号： H01L43/00 , H01L43/08 , G01R33/20 , G11B5/33
CPC分类号： G11B5/02 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G01R33/1284 , G11B5/3903 , G11B2005/0002 , H01F10/325 , H01F10/3254 , H01L43/08 , H03B15/006 , Y10T428/1114 , Y10T428/1121 , Y10T428/1143
摘要： 본 발명에 따르면, 높은 Q 수치 및 높은 출력을 갖는 자기 발진 소자를 제공하는 것이 가능해진다. 자기 발진 소자는, 진동장을 발생시키도록 구성되는 진동장 발생 유닛과; 그 자화 방향이 고정되는 제1 자화 고정 층, 그 자화 방향이 진동장에 따라 진동하는 제1 자화 자유 층 그리고 제1 자화 고정 층과 제1 자화 자유 층 사이에 개재되는 제1 스페이서 층을 포함하는 자기 저항 효과 피막을 포함하는 자기 저항 요소를 포함한다.
자기 발진 소자, 진동장 발생 유닛, 자기 저항 요소, 자기 저항 효과 피막, 자화 고정 층, 자화 자유 층, 스페이서 층

2. 发明授权

KR100574729B1 스핀 터널 트랜지스터 및 자기 재생 헤드 失效
标题翻译：旋转晶体管和磁性复制头
公开(公告)号：KR100574729B1
公开(公告)日：2006-04-28
申请号：KR1020030065776
申请日：2003-09-23
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 사또리에 , 미즈시마고이찌
IPC分类号： G11C11/15
CPC分类号： B82Y25/00 , B82Y10/00 , G01R33/06 , G11B5/332 , G11B5/3919 , G11B2005/3996 , H01F10/3268 , H01L29/66984 , H01L43/08
摘要： 반강자성 재료의 터널 장벽층을 갖는 스핀 터널 트랜지스터가 개시된다. 반강자성 재료는 반강자성 재료에 인접하여 형성된 베이스 B의 제1 또는 제2 강자성 금속층과 교환 결합되고, 이로써, 인접하는 강자성층의 자화를 고정한다. 베이스 B는 상기 제1 및 제2 강자성 금속층 사이에 형성된 비 자성 금속층을 포함하고, 상기 제1 및 제2 강자성 금속층 사이의 자화 결합을 해제한다. 베이스 B는 콜렉터 및 에미터 사이에 형성되어 3 단자 소자를 형성한다. 이러한 스핀 터널 트랜지스터는 하드 디스크 구동에 사용된 자기 재생 헤드의 센서로서 사용될 수 있다.
반강자성 재료, 터널 장벽층, 스핀 터널 트랜지스터, 베이스, 강자성 금속층, 비 자성 금속층, 콜렉터, 에미터

3. 发明授权

KR101008129B1 신호 재생 방법 및 자기 헤드 및 자기 기록 재생 장치 有权
标题翻译：信号再现方法，磁头和磁记录/再现装置
公开(公告)号：KR101008129B1
公开(公告)日：2011-01-13
申请号：KR1020080087743
申请日：2008-09-05
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 사또리에 , 미즈시마고이찌
IPC分类号： G11B5/39 , G11B20/14
CPC分类号： G11B5/3909 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/398 , G11B20/10009 , G11B2005/001 , G11B2005/0024 , G11B2005/3996
摘要： 자성 발진 소자를 이용한 신호 재생 방법을 제공한다. 매체 자장의 방향에 따라서 발진 주파수가 변조되는 자성 발진 소자로부터 얻어지는 인접하는 신호간의 위상차를 검출하여 재생 신호를 생성한다.
발진 주파수, 자성 발진 소자, 위상차, 발진 신호, 매체 자장

4. 发明公开

KR1020090031983A 신호 재생 방법 및 자기 헤드 및 자기 기록 재생 장치 有权
标题翻译：信号再现方法，磁头和磁记录/再现装置
公开(公告)号：KR1020090031983A
公开(公告)日：2009-03-31
申请号：KR1020080087743
申请日：2008-09-05
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 사또리에 , 미즈시마고이찌
IPC分类号： G11B5/39 , G11B20/14
CPC分类号： G11B5/3909 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/398 , G11B20/10009 , G11B2005/001 , G11B2005/0024 , G11B2005/3996
摘要： A signal reproduction method, a magnetic head and a magnetic recording/reproducing apparatus are provided to achieve signal detection with high signal-noise ratio by detecting the phase difference between adjacent signals from a magnetic oscillator and reading out the medium signal. A signal reproduction method comprises a step of extracting signal from a magnetic oscillator(21) in which the oscillation frequency is modulated by media magnetic field, and a step of the phase difference between adjacent extracted signals and reproducing media record signal. In the reproduction step, the phase difference between the current signal extracted from the magnetic oscillator and the delay signal obtained by delaying the signal prior to the current signal.
摘要翻译：提供信号再现方法，磁头和磁记录/再现装置，通过检测来自磁振荡器的相邻信号之间的相位差并读出介质信号来实现具有高信噪比的信号检测。一种信号再现方法，包括从振荡频率由介质磁场调制的磁性振荡器（21）提取信号的步骤，以及相邻提取信号与再现媒体记录信号之间的相位差的步骤。在再现步骤中，从磁振荡器提取的电流信号与通过延迟当前信号之前的信号而获得的延迟信号之间的相位差。

5. 发明公开

KR1020090087825A 자기 발진 소자, 자기 발진 소자를 포함한 자기 헤드 그리고 자기 기록 및 재생 장치 失效
标题翻译：磁振动装置，包括磁振动装置的磁头，以及磁记录和再生装置
公开(公告)号：KR1020090087825A
公开(公告)日：2009-08-18
申请号：KR1020090011247
申请日：2009-02-12
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 구도기와무 , 나가사와다즈미 , 미즈시마고오이찌 , 사또리에
IPC分类号： H01L43/00 , H01L43/08 , G01R33/20 , G11B5/33
CPC分类号： G11B5/02 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G01R33/1284 , G11B5/3903 , G11B2005/0002 , H01F10/325 , H01F10/3254 , H01L43/08 , H03B15/006 , Y10T428/1114 , Y10T428/1121 , Y10T428/1143
摘要： A magnetic oscillation device, magnetic head including the magnetic oscillation device, and magnetic recording and reproducing apparatus are provided to obtain the Q value of oscillation of the magnetization portion of the magnetization free layer by the magnetization free layer made of CoFeB. The mixture self-oscillation element comprises the vibration generating unit(1), and the magnetic resistive unit(2). The vibrating source generating unit is electro-magnetically coupled with the magnetic resistive unit. The magnetic resistive unit consists of the magnetization free layer(8), and the spacer layer(9) and magnetic pinned layer(10). The magnetization free layer has the magnetization portion which changes according to the external magnetism. The magnetization free layer is made of the alloy of Co, Ni, and Fe. The artificial ferri-film of the CoFeB / Ru / CoFe film is formed in the magnetic pinned layer.
摘要翻译：提供磁振荡装置，包括磁振动装置的磁头和磁记录和再现装置，以通过由CoFeB制成的磁化自由层获得磁化自由层的磁化部分的振荡的Q值。混合自振动元件包括振动产生单元（1）和磁阻单元（2）。振动源产生单元与磁阻单元电磁耦合。磁阻单元由无磁化层（8）和间隔层（9）和磁性固定层（10）构成。磁化自由层具有根据外部磁性而变化的磁化部分。无磁化层由Co，Ni和Fe的合金制成。 CoFeB / Ru / CoFe膜的人造铁膜形成在磁性固定层中。

6. 发明授权

KR100780131B1 자기 메모리, 및 그 기록 방법 失效
标题翻译：磁记忆及其写作方法
公开(公告)号：KR100780131B1
公开(公告)日：2007-11-27
申请号：KR1020040020959
申请日：2004-03-27
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 사또리에 , 미즈시마고이찌
IPC分类号： G11C11/15
CPC分类号： G11C11/15
摘要： 자기 메모리는, 기록 전류를 구성하는 전자들을 스핀-분극화시키도록 구성된 스핀 분극화 유닛; 상기 기록 전류를 구성하는 전자들을 열전자들로 변환시키도록 구성된 열전자 발생 유닛; 및 스핀 분극화 유닛에 의해 스핀 분극되고 열전자 발생 유닛에 의해 열전자들로 변환된 기록 전류에 의해 자화 반전되는 자기층을 포함한다.
자기 메모리, 스핀 분극화 유닛, 열전자 발생 유닛, 자화 반전, 자기층

7. 发明公开

KR1020040086592A 자기 메모리, 및 그 기록 방법 失效
标题翻译：用于执行写作操作的磁记录，特别是使用热电偶作为电流载体
公开(公告)号：KR1020040086592A
公开(公告)日：2004-10-11
申请号：KR1020040020959
申请日：2004-03-27
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 사또리에 , 미즈시마고이찌
IPC分类号： G11C11/15
CPC分类号： G11C11/15 , G11C11/161 , H01L27/222 , H01L43/08
摘要： PURPOSE: A magnetic memory for performing a writing operation with small current without crosstalk and a writing method thereof are provided to increase efficiency of magnetization reversal due to spin injection by using thermoelectrons as current carriers instead of conventional conduction electrons. CONSTITUTION: A magnetic memory includes a spin polarization unit, a thermoelectron generation unit, and a magnetic layer. The spin polarization unit(S) is used for spin-polarizing electrons to form a writing current(I). The thermoelectron generation unit(H) is used for converting the electrons into thermoelectrons. The magnetic layer(F) is used for reversing magnetization by the thermoelectrons. A predetermined voltage is applied to the thermoelectron generation unit in order to obtain a nonlinear response characteristic of electric current flowing.
摘要翻译：目的：提供用于执行小电流而没有串扰的写入操作的磁存储器及其写入方法，以通过使用热电子作为电流载流子而不是传统的传导电子来提高由于自旋注入引起的磁化反转的效率。构成：磁存储器包括自旋极化单元，热电子产生单元和磁性层。自旋极化单元（S）用于自旋极化电子以形成写入电流（I）。热电子产生单元（H）用于将电子转换成热电子。磁性层（F）用于通过热电子反转磁化。为了获得电流流动的非线性响应特性，向热电子产生单元施加预定的电压。

8. 发明公开

KR1020040026623A 스핀 터널 트랜지스터 및 자기 재생 헤드 失效
标题翻译：旋转隧道晶体管，磁性复制头，磁信息再现系统和磁存储器件
公开(公告)号：KR1020040026623A
公开(公告)日：2004-03-31
申请号：KR1020030065776
申请日：2003-09-23
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 사또리에 , 미즈시마고이찌
IPC分类号： G11C11/15
CPC分类号： B82Y25/00 , B82Y10/00 , G01R33/06 , G11B5/332 , G11B5/3919 , G11B2005/3996 , H01F10/3268 , H01L29/66984 , H01L43/08
摘要： PURPOSE: To provide a spin tunnel transistor that can avoid the decreases of its collector current and MR ratio and can be put appropriately to practical use. CONSTITUTION: This spin tunnel transistor is provided with an emitter, a collector, and a base. The base is provided with a first magnetic layer formed on the emitter side, a second magnetic layer formed on the collector side, and a nonmagnetic layer formed between the first and the second magnetic layers. An antiferromagnetic tunnel barrier layer bonded to the adjoining first or second magnetic layer with exchange coupling is provided between the first magnetic layer and emitter or the collector and second magnetic layer. When the magnetization of the magnetic layers are fixed by bonding the antiferromagnetic tunnel barrier layer and magnetic layers to each other with exchange coupling the spin conduction of hot electrons can be maintained in the base, and the decreases of the collector current and MR ration can be avoided.
摘要翻译：目的：提供一种能够避免集电极电流和MR比降低的自旋隧道晶体管，可以适当地适用于实际应用。构成：该自旋隧道晶体管设置有发射极，集电极和基极。基底设置有形成在发射极侧的第一磁性层，在集电极侧形成的第二磁性层和形成在第一和第二磁性层之间的非磁性层。在第一磁性层和发射体或集电体和第二磁性层之间设置结合到邻接的具有交换耦合的第一或第二磁性层的反铁磁隧道势垒层。当通过交换耦合使反铁磁隧道势垒层和磁性层彼此接合来固定磁性层的磁化时，可以在基体中保持热电子的自旋传导，并且集电极电流和MR比率的降低可以是避免。

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