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1. 发明公开

KR1020110005692A 탄소계 메모리 소자를 포함한 메모리 셀과 이를 형성하는 방법 有权
标题翻译：包含基于碳的存储元件的存储器单元及其形成方法
公开(公告)号：KR1020110005692A
公开(公告)日：2011-01-18
申请号：KR1020107022345
申请日：2009-04-10
申请人： 쌘디스크 3디 엘엘씨
发明人： 슈얼라인,로이,이. , 일크바하,앨퍼 , 슈릭커,에이프럴,디.
IPC分类号： H01L27/10 , H01L27/102 , G11C13/02 , H01L51/00
CPC分类号： H01L27/101 , B82Y10/00 , G11C13/0002 , G11C13/0009 , G11C13/025 , G11C2213/35 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , H01L27/1021 , H01L27/285 , H01L51/0048 , Y10S977/712 , Y10S977/72 , Y10S977/721 , Y10S977/723 , Y10S977/734 , Y10S977/788 , Y10S977/789 , Y10S977/79 , Y10S977/855 , Y10S977/943
摘要： 발명의 면에 따라서, 메모리 셀을 형성하는 방법이 제공되고, 상기 방법은, 기판 위에 스티어링 소자를 형성하는 단계; 및 스티어링 소자에 결합된 메모리 소자를 형성하는 단계로서, 메모리 소자는 10개 이하의 원자층의 두께를 갖는 탄소계 물질을 포함하는, 단계를 포함한다. 메모리 소자는 약 하나의 모노층의 두께를 갖는, 탄소계 물질의 층을 형성하는 단계와, 탄소계 물질층에 열 어닐링을 가하는 단계를 반복적으로 수행함으로써, 형성된다.

2. 发明授权

KR101159853B1 다층구조 나노결정의 제조방법 및 그에 의해 수득된 나노결정 有权
标题翻译：制备多壳型纳米晶体的方法和使用其获得的多壳型纳米晶体
公开(公告)号：KR101159853B1
公开(公告)日：2012-06-25
申请号：KR1020050084554
申请日：2005-09-12
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 전신애 , 장은주
IPC分类号： B82B3/00 , B82B1/00 , B82Y40/00
CPC分类号： B82Y30/00 , C30B7/00 , C30B7/005 , C30B29/60 , Y10S977/712 , Y10S977/714 , Y10T428/2984
摘要： 본 발명은 다층구조 나노결정의 제조방법 및 그에 의해 수득된 나노결정에 관한 것으로, 보다 상세하게는 코어 나노결정을 합성한 후, 반응속도의 차이를 갖는 2종 이상의 전구체를 동시에 사용하여 코어 나노결정 표면 위에 순차적으로 물질 조성이 다른 2층 이상의 다층구조를 형성시키는 다층구조 나노결정의 제조방법 및 그에 의해 수득된 나노결정에 관한 것이다.
본 발명의 방법에 따르면 다층구조의 나노결정을 한 번의 공정을 통해서 형성시킬 수 있는 장점이 있을 뿐만 아니라 쉘 나노결정의 밴드갭을 조절할 경우 다층구조 나노결정의 발광파장이 코어로 사용된 코어 나노결정의 파장보다 장파장으로 이동되거나 발광효율이 현저하게 향상되도록 할 수 있고, 쉘 나노결정간의 격자상수를 조절할 경우 안정성을 향상시킬 수 있는 장점이 있다. 따라서 본 발명의 나노결정은 발광 다이오드(Light emitting diode, LED), 유무기 하이브리드 전기 발광소자, 무기 전기 발광소자, 태양전지, 트랜지스터 등의 각종 소자에 효과적으로 사용될 수 있다.
나노결정, 다층구조, 패시베이션, 적색 천이(red shift), 발광효율, 안정성

3. 发明公开

KR1020080105731A 복합 구조의 빔을 이용한 나노 공진기 有权
标题翻译：使用光束与复合结构的纳米谐振器
公开(公告)号：KR1020080105731A
公开(公告)日：2008-12-04
申请号：KR1020070053705
申请日：2007-06-01
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 전성찬 , 김선일 , 백찬욱
IPC分类号： H01P7/00
CPC分类号： H03H9/2463 , B82Y15/00 , H03H9/02244 , Y10S977/712 , Y10S977/72 , Y10S977/724 , Y10S977/932
摘要： A nano-resonator using beam with composite structure is provided to supply sufficient resonance at quasi-resonant condition without a magnetic line induced from super-conduction. In a nano-resonator using beam with composite structure, a support layer(213), having a sandwich structure while having low density, is deposited on the silicon carbide resonator(211). A sacrificial layer(212) is used for the bond of two layers having capable of enduring the high frequency resonance, and a support layer(213) is composed of mental having low density. A beam of the composite structure includes the silicon carbide beam, the metallic conductor of the low density evaporated on the sacrificial layer and the sacrificial layer evaporated on the silicon carbide beam.
摘要翻译：使用具有复合结构的光束的纳米谐振器被提供以在准谐振条件下提供足够的谐振，而没有由超导导致的磁线。在使用具有复合结构的光束的纳米谐振器中，在碳化硅谐振器（211）上沉积具有夹层结构而具有低密度的支撑层（213）。牺牲层（212）用于能够承受高频共振的两层的结合，并且支撑层（213）由具有低密度的精神构成。复合结构的梁包括碳化硅束，在牺牲层上蒸发的低密度的金属导体和在碳化硅束上蒸发的牺牲层。

4. 发明授权

KR101597845B1 탄소계 메모리 소자를 포함한 메모리 셀과 이를 형성하는 방법 有权
标题翻译：包含基于碳的存储元件的存储器单元及其形成方法
公开(公告)号：KR101597845B1
公开(公告)日：2016-02-25
申请号：KR1020107022345
申请日：2009-04-10
申请人： 쌘디스크 3디 엘엘씨
发明人： 슈얼라인,로이,이. , 일크바하,앨퍼 , 슈릭커,에이프럴,디.
IPC分类号： H01L27/10 , H01L27/102 , G11C13/02 , H01L51/00
CPC分类号： H01L27/101 , B82Y10/00 , G11C13/0002 , G11C13/0009 , G11C13/025 , G11C2213/35 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , H01L27/1021 , H01L27/285 , H01L51/0048 , Y10S977/712 , Y10S977/72 , Y10S977/721 , Y10S977/723 , Y10S977/734 , Y10S977/788 , Y10S977/789 , Y10S977/79 , Y10S977/855 , Y10S977/943
摘要： 발명의면에따라서, 메모리셀을형성하는방법이제공되고, 상기방법은, 기판위에스티어링소자를형성하는단계; 및스티어링소자에결합된메모리소자를형성하는단계로서, 메모리소자는 10개이하의원자층의두께를갖는탄소계물질을포함하는, 단계를포함한다. 메모리소자는약 하나의모노층의두께를갖는, 탄소계물질의층을형성하는단계와, 탄소계물질층에열 어닐링을가하는단계를반복적으로수행함으로써, 형성된다.

5. 发明公开

KR1020030070127A 집적회로의 평탄화를 위한 점착 보호 오버레이어 无效
标题翻译：用于集成电路平面化的粘合保护覆盖层
公开(公告)号：KR1020030070127A
公开(公告)日：2003-08-27
申请号：KR1020037009647
申请日：2002-01-22
申请人： 허니웰 인터내셔날 인코포레이티드
发明人： 무크허제,스야마 , 디비어,도날드 , 레버트,조셉
IPC分类号： H01L21/302
CPC分类号： H01L21/32115 , C23F3/06 , H01L21/32134 , H01L21/7684 , H01L23/53233 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , Y10S977/712 , Y10S977/788 , H01L2924/00
摘要： 본 발명은 집적회로 제조에서 통상 포함되는 표면의 평탄화에 관한 것으로서, 특히 다마신 및 듀얼 다마신 상호연결에 포함되는 구리 전도체와 Ta/TaN 베리어층에 관한 것이다. 본 발명은 통상 저면 토포그래피 영역에 있는 점착 오버레이어를 사용하고, 화학적, 기계적 효과의 조합에 의해 에칭함으로써 상기 저면 영역을 보호하는 Cu/Ta/TaN 상호연결을 위한 평탄화 방법을 기술한다. 몇몇 실시예들에서, 점착 오버레이어는 점착층과 접촉하는 표면 영역에서 구리의 제거를 방지하는 종(specy)들을 포함한다. 이러한 종들은 대체로 구리 이온들의 포화 용액일 수 있기 때문에, 상기 보호 오버레이어로의 상호연결 구리의 용해를 방지할 수 있다. 본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 점착 오버레이어는 웨이퍼 표면으로 에천트가 삽입되기 전에 첨가되거나, 통상 웨이퍼가 평탄화 동안 회전될 때 에천트 및 점착 오버레이어를 대체로 동시에 삽입할 수 있다.

6. 发明公开

KR1020090091117A 고성능 분석을 위한 다중기능성 인코딩된 입자 有权
标题翻译：用于高通量分析的多功能编码颗粒
公开(公告)号：KR1020090091117A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：KR1020097008858
申请日：2007-10-04
申请人： 메사츄세츠 인스티튜트 어브 테크놀로지
发明人： 프레기본,다니엘씨. , 도일,패트릭에스.
IPC分类号： C12Q1/00 , G01N33/53 , G01N33/543
CPC分类号： G01N33/54366 , B01J2219/005 , B01J2219/00545 , B01J2219/00549 , B01J2219/00576 , B01J2219/00596 , B01J2219/00722 , B01J2219/00725 , B01J2219/0074 , B01J2219/00743 , B01L3/5027 , G01N33/54313 , G01N33/582 , Y10S977/704 , Y10S977/712 , Y10S977/733 , Y10S977/795
摘要： Method for making multifunctional particles. The method includes flowing a first monomer stream loaded with a fluorescent entity along a microfluidic channel and flowing a second monomer stream loaded with a probe adjacent to the first monomer stream along the microfluidic channel. The monomer streams are polymerized to synthesize particles having a fluorescent, graphically encoded region and a probe-loaded region. ® KIPO & WIPO 2009
摘要翻译：制造多功能颗粒的方法该方法包括沿着微流体通道流动装载有荧光实体的第一单体流，并沿着微流体通道流动加载有与第一单体流相邻的探针的第二单体流。聚合单体流以合成具有荧光，图形编码区域和探针负载区域的颗粒。 ®KIPO＆WIPO 2009

7. 发明授权

KR100401130B1 수직형 채널을 가지는 초미세 ＭＯＳ 트랜지스터 제조방법 失效
标题翻译： 수직형을가지는초미세MOS트랜터스터제조방
公开(公告)号：KR100401130B1
公开(公告)日：2003-10-10
申请号：KR1020010016190
申请日：2001-03-28
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 조원주 , 이성재 , 박경완
IPC分类号： H01L29/78
CPC分类号： H01L29/78642 , H01L27/1203 , Y10S977/712 , Y10S977/721 , Y10S977/723 , Y10S977/887
摘要： The present invention relates to an ultra small size vertical MOSFET device having a vertical channel and a source/drain structure and a method for the manufacture thereof by using a silicon on insulator (SOI) substrate. To begin with, a first silicon conductive layer is formed by doping an impurity of a high concentration into a first single crystal silicon layer. Thereafter, a second single crystal silicon layer with the impurity of a low concentration and a second silicon conductive layer with the impurity of the high concentration are formed on the first silicon conductive layer. The second single crystal silicon layer and the second silicon conductive layer are vertically patterned into a predetermined configuration. Subsequently, a gate insulating layer is formed on entire surface. Then, an annealing process is carried out to diffuse the impurities in the first silicon conductive layer and the second silicon conductive layer into the second single crystal layer, thereby forming a source contact, a drain contact and a vertical channel. Finally, a gate electrode is formed on side walls of the vertical channel.
摘要翻译：具有垂直沟道和源极/漏极结构的超小尺寸垂直MOSFET器件及其制造方法技术领域本发明涉及一种具有垂直沟道和源极/ 首先，通过向第一单晶硅层中掺杂高浓度的杂质形成第一硅导电层。之后，在第一硅导电层上形成具有低浓度杂质的第二单晶硅层和具有高浓度杂质的第二硅导电层。第二单晶硅层和第二硅导电层垂直构图成预定的构造。随后，在整个表面上形成栅极绝缘层。然后，执行退火工艺以将第一硅导电层和第二硅导电层中的杂质扩散到第二单晶层中，从而形成源极接触，漏极接触和垂直沟道。最后，在垂直沟道的侧壁上形成栅电极。

8. 发明公开

KR1020030068196A 적층 회로보드 및 그 제조방법 无效
公开(公告)号：KR1020030068196A
公开(公告)日：2003-08-19
申请号：KR1020037008674
申请日：2001-12-18
申请人： 허니웰 인터내셔날 인코포레이티드
发明人： 도이,유타카
IPC分类号： G02B6/12
CPC分类号： G02B6/032 , G02B6/10 , G02B6/122 , G02B6/43 , G02B2006/12069 , H05K1/0274 , Y10S977/707 , Y10S977/712 , Y10S977/89
摘要： 인쇄 배선보드를 형성하는 구성 및 방법이 제공되며, 상기 인쇄 배선보드는 a) 기판층, 및 b) 상기 기판층에 적층되는 중공된, 미러-피복 광도파관을 포함한다. 상기 인쇄 배선보드는 상기 광도파관과 결합되는 커버 물질을 더 포함한다.

9. 发明公开

KR1020020076386A 수직형 채널을 가지는 초미세 ＭＯＳ 트랜지스터 제조방법 失效
标题翻译：超小型垂直MOSFET器件和MOSFET器件的制造方法
公开(公告)号：KR1020020076386A
公开(公告)日：2002-10-11
申请号：KR1020010016190
申请日：2001-03-28
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 조원주 , 이성재 , 박경완
IPC分类号： H01L29/78
CPC分类号： H01L29/78642 , H01L27/1203 , Y10S977/712 , Y10S977/721 , Y10S977/723 , Y10S977/887
摘要： PURPOSE: An ultra small size vertical MOSFET device and fabrication method of the MOSFET device is provided to be capable of forming an ultra-fine vertical channel by using an SOI(Silicon On Insulator) substrate without using a lithographic processing. CONSTITUTION: A first silicon conductive layer(31) is formed by doping heavily doped dopants into an SOI substrate. After sequentially forming a lightly doped silicon layer and a heavily doped second silicon conductive layer on the first silicon conductive layer(31), the silicon layer and the second silicon conductive layer are vertically etched. After forming a gate oxide(70) on the resultant structure, the heavily doped impurities in the first and second silicon conductive layers are diffused to the silicon layer, thereby simultaneously forming a source (140), a channel(41) and a drain(90) having a vertical structure. Then, a gate electrode(101) is formed at both sidewalls of the vertical structure.
摘要翻译：目的：提供超小尺寸垂直MOSFET器件和MOSFET器件的制造方法，以便能够通过使用SOI（绝缘体上硅）衬底形成超细垂直沟道，而不使用光刻处理。构成：通过将重掺杂的掺杂剂掺杂到SOI衬底中而形成第一硅导电层（31）。在第一硅导电层（31）上顺序地形成轻掺杂硅层和重掺杂的第二硅导电层之后，对硅层和第二硅导电层进行垂直蚀刻。在所得结构上形成栅极氧化物（70）之后，第一和第二硅导电层中的重掺杂杂质扩散到硅层，从而同时形成源极（140），沟道（41）和漏极（ 90）具有垂直结构。然后，在垂直结构的两个侧壁处形成栅电极（101）。

10. 发明授权

KR101556798B1 고성능 분석을 위한 다중기능성 인코딩된 입자 有权
标题翻译：用于高通量分析的多功能编码粒子
公开(公告)号：KR101556798B1
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：KR1020097008858
申请日：2007-10-04
申请人： 메사츄세츠 인스티튜트 어브 테크놀로지
发明人： 프레기본,다니엘씨. , 도일,패트릭에스.
IPC分类号： C12Q1/00 , G01N33/53 , G01N33/543
CPC分类号： G01N33/54366 , B01J2219/005 , B01J2219/00545 , B01J2219/00549 , B01J2219/00576 , B01J2219/00596 , B01J2219/00722 , B01J2219/00725 , B01J2219/0074 , B01J2219/00743 , B01L3/5027 , G01N33/54313 , G01N33/582 , Y10S977/704 , Y10S977/712 , Y10S977/733 , Y10S977/795
摘要： 다중기능성입자(multifunctional particle)를만드는방법. 상기방법은마이크로유동채널(microfluidic channel)을따라서형광존재(fluorescent entity)를구비한첫 번째단량체흐름(monomer stream)을흘려보내는단계및 마이크로유동채널을따라서첫 번째단량체흐름에인접하도록, 프로브를구비한두 번째단량체흐름을흘려보내는단계를포함한다. 이들단량체흐름은중합하여형광의그래픽인코딩영역과프로브-보유영역을보유하는입자를합성한다.

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