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1. 发明公开

KR1020090099557A 유연한 시트와 기판을 접촉시키기 위한 방법 및 시스템 有权
标题翻译：用于接触柔性片和基底的方法和系统
公开(公告)号：KR1020090099557A
公开(公告)日：2009-09-22
申请号：KR1020097014606
申请日：2008-01-11
申请人： 코닌클리케 필립스 엔.브이.
发明人： 베르스추렌,마르쿠스,아. , 메겐스,미스차
IPC分类号： B05D1/28 , B05D7/04 , B32B39/00
CPC分类号： G03F7/0002 , B05D1/28 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , Y10S438/973 , Y10S438/976
摘要： The invention relates to a method for contacting a flexible sheet to a first element with improved lateral alignment. The method includes a step of measuring a first lateral misalignment after establishing a first contact between the flexible sheet and either of the first element and a sheet parking surface called anchor in the first stage. If the 5 misalignment exceeds a predetermined threshold the flexible sheet is parked at the anchor such that it is not in contact with the first element, and the relative position of the first element and the anchor is altered during the second stage for correcting the mismatch during a contact between the flexible sheet and the first element to be established within the next step of the method. During the steps of shifting the contact point to obtain the second stage 10 the contacting process is more accurate and reproducible than the process for establishing the init ial contact. The invention also relates to an apparatus for executing the method, and the use of the method and apparatus for the manufacture of devices.
摘要翻译：本发明涉及一种使柔性片与第一元件接触的方法，该方法具有改进的横向对准。该方法包括在第一阶段中建立柔性片与第一元件中的任一个和称为锚的片材停车面之间的第一接触之后，测量第一侧向偏移的步骤。如果5个未对准超过预定阈值，则柔性片材停放在锚固件处，使得其不与第一元件接触，并且在第二阶段期间改变第一元件和锚的相对位置以纠正不匹配在该方法的下一步骤中在柔性片和要建立的第一元件之间的接触。在移动接触点以获得第二阶段10的步骤期间，接触过程比建立初始接触的过程更准确和可重现。本发明还涉及一种用于执行该方法的装置，以及用于制造装置的方法和装置的使用。

2. 发明授权

KR101251671B1 반도체 장치 및 그 제조 방법과 하우징 지지 구조체 및 그제조 방법 有权
标题翻译：半导体器件及其制造方法及其壳体及其制造方法
公开(公告)号：KR101251671B1
公开(公告)日：2013-04-05
申请号：KR1020070009872
申请日：2007-01-31
申请人： 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤
发明人： 야마모또사이끼
IPC分类号： H01L33/00 , G02F1/13357
CPC分类号： H01L33/483 , H01L24/97 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45169 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2924/01322 , H01L2924/12041 , Y10S438/973 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要： 박형화 및 경량화에 적합한 구조를 갖는 반도체 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 정면(14)에 오목부(24)를 갖는 하우징(12)과, 상기 오목부(24) 내에 노출된 선단(34)을 갖고, 상기 하우징(12)의 외벽면으로부터 돌출하고, 또한 상기 하우징(12)의 저면(16)을 따라 절곡된 한 쌍의 리드 전극(20)과, 상기 오목부(24)에 수납되어 상기 한 쌍의 리드 전극(20)에 도통되는 반도체 소자(36)를 구비한 반도체 장치(1)로서, 상기 하우징(12)은, 상기 정면(14)과 상기 저면(16)의 양방에 인접하는 좌우 한 쌍의 측면(18)에, 하우징(12)의 상면(28)으로부터 상기 저면(16)을 향하여 관통한 홈부(30)를 갖고 있는 것을 특징으로 한다. 상기 홈부(30)는, 상기 리드 전극(20)의 두께와 대략 동일한 폭을 갖고 있는 것이 바람직하다. 또한, 상기 홈부(30)가, 상기 리드 전극(20)의 상기 선단(34)과 동일 평면 상에 형성되어 있는 것이 더 바람직하다.
리드 전극, 홈부, 선단, 저면, 하우징, 반도체 장치, 발광 장치, 지지 구조
摘要翻译：本发明提供了一种具有适于减小厚度和重量的结构的半导体器件。半导体器件1包括在前表面14中具有凹部24的壳体12，具有暴露在凹部24中的远端34的一对引线电极20从壳体12的外表面突出并且沿着壳体12弯曲壳体12的底表面16和半导体元件36，该半导体元件36容纳在凹部24中并与一对引线电极20电连接。壳体12具有形成在一对侧表面18上的凹槽30 其在左右侧邻接前表面14和底表面16，从而从壳体12的顶表面28朝向底表面16穿透壳体12.凹槽30的宽度基本上等于厚度引线电极20的前端34更优选地形成沟槽30。

3. 发明授权

KR101013083B1 하이브리드 결정 배향을 구비한 기판에서의 용이한ＳＲＡＭ 셀 제조 失效
标题翻译：具有混合晶体取向的衬底中的高度可制造的SRAM电池
公开(公告)号：KR101013083B1
公开(公告)日：2011-02-14
申请号：KR1020087006075
申请日：2006-07-25
申请人： 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션
发明人： 도리스브루스 , 코스트리니그레고리 , 글러스첸코프올레그 , 렁메이케이 , 성낙근
IPC分类号： H01L27/11 , H01L21/8244
CPC分类号： H01L27/1104 , H01L27/11 , Y10S257/903 , Y10S438/973
摘要： 본 발명은 기판에 형성된 적어도 하나의 SRAM 셀을 포함하는 반도체 장치 구조에 관한 것이다. SRAM 셀은 두 개의 풀 업 트랜지스터, 두 개의 풀 다운 트랜지스터, 및 두 개의 패스 게이트 트랜지스터를 포함한다. 풀 다운 트랜지스터와 패스 게이트 트랜지스터는 실질적으로 유사한 채널폭 및 소스-드레인 도핑 농도를 가지며, SRAM 셀은 적어도 약 1.5 이상의 베타 비율을 갖는다. 기판은 두 개의 격리된 영역 세트를 갖는 하이브리드 기판을 포함하는 것이 바람직하며, 이 두 개의 영역 세트에서의 캐리어 이동도는 적어도 대략 1.5 배만큼 차이가 난다. SRAM 셀의 풀 다운 트랜지스터는 하나의 영역 세트에 형성되고, 패스 게이트 트랜지스터는 나머지 다른 영역 세트에 형성되는 것이 보다 바람직하며, 이로써 풀 다운 트랜지스터에서의 전류 흐름은 패스 게이트 트랜지스터에서보다 크게 된다.
기판, SRAM, 셀, 반도체, 풀 업 트랜지스터, 풀 다운 트랜지스터, 패스 게이트 트랜지스터, 채널폭, 도핑 농도, 베타 비율, 하이브리드 기판, 캐리어 이동도.
摘要翻译：本发明涉及一种半导体器件结构，其包括在衬底中形成的至少一个SRAM单元。这样的SRAM单元包括两个上拉晶体管，两个下拉晶体管和两个通过栅极晶体管。下拉晶体管和栅极晶体管在沟道宽度上基本相似，并且具有基本相似的源极 - 漏极掺杂浓度，而SRAM单元的β比率至少为1.5。衬底优选地包括具有两个分离的区域集合的混合衬底，而这两组区域中的载流子迁移率以至少约1.5的因子差分。更优选地，SRAM单元的下拉晶体管形成在一组区域中，并且栅极晶体管形成在另一组区域中，使得下拉晶体管中的电流大于传输栅晶体管。

4. 发明公开

KR1020070079311A 반도체 장치 및 그 제조 방법과 하우징 지지 구조체 및 그제조 방법 有权
标题翻译：半导体器件及其制造方法及其壳体及其制造方法
公开(公告)号：KR1020070079311A
公开(公告)日：2007-08-06
申请号：KR1020070009872
申请日：2007-01-31
申请人： 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤
发明人： 야마모또사이끼
IPC分类号： H01L33/00 , G02F1/13357
CPC分类号： H01L33/483 , H01L24/97 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45169 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2924/01322 , H01L2924/12041 , Y10S438/973 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要： A semiconductor device and its manufacturing method, and a housing frame and its manufacturing method are provided to enhance position decision accuracy in a mounting process by forming a penetrating groove at a lateral surface of a housing. A housing(12) includes a recess(24) formed in a front surface thereof. A pair of lead electrodes(20) include a front end exposed in the recess. The lead electrodes are protruded from an external surface of the housing and are bent along a bottom surface(16) of the housing. A semiconductor element is mounted in the recess and is electrically connected to the lead electrodes. The housing has a groove(30) which is formed on a pair of side surfaces adjacent to a front surface and a bottom surface thereof to penetrate the housing from an upper surface toward a lower surface of the housing. The groove has a width substantially equal to a thickness of the lead electrode.
摘要翻译：提供半导体器件及其制造方法以及壳体框架及其制造方法，以通过在壳体的侧表面处形成穿透槽来提高安装过程中的位置判定精度。壳体（12）包括形成在其前表面中的凹部（24）。一对引线电极（20）包括暴露在凹部中的前端。引线电极从壳体的外表面突出并且沿壳体的底表面（16）弯曲。半导体元件安装在凹部中并与引线电极电连接。壳体具有形成在与前表面和底表面相邻的一对侧表面上的槽（30），以从壳体的上表面向下表面穿透壳体。槽的宽度基本上等于引线电极的厚度。

5. 发明授权

KR101385141B1 표시기판 및 이의 제조방법 有权
标题翻译：显示器基板及其制造方法
公开(公告)号：KR101385141B1
公开(公告)日：2014-04-15
申请号：KR1020080036564
申请日：2008-04-21
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 장선영 , 김병주 , 이상헌 , 김관수
IPC分类号： G02F1/1335 , G02F1/1339 , G02F1/13
CPC分类号： H01L27/1288 , G02F1/1362 , G02F1/136209 , G02F2001/133354 , G02F2001/136222 , H01L27/1214 , H01L29/786 , Y10S438/973 , Y10S438/975
摘要： 키 패턴의 인식률을 향상시킬 수 있는 표시기판 및 이의 제조방법에서, 표시기판은 신호선, 박막 트랜지스터, 키 패턴, 차광패턴, 컬러필터, 화소전극 및 얼라인 키를 포함한다. 신호선은 기판 상에 형성되고, 박막 트랜지스터는 신호선과 전기적으로 연결되며, 키 패턴은 기판 상에 형성된다. 차광패턴은 신호선, 박막 트랜지스터 및 키 패턴을 덮도록 기판 상에 형성된다. 컬러필터는 기판의 단위화소 내에 형성된다. 화소전극은 컬러필터 상에 형성되고, 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된다. 얼라인 키는 키 패턴과 대응되도록 차광패턴에 형성된다. 이와 같이, 키 패턴과 대응되는 위치에 얼라인 키를 형성함에 따라, 노광기에 대한 키 패턴의 인식률이 보다 향상될 수 있다.
키 패턴, 차광층, 얼라인 키
摘要翻译：在显示基板和能够提高图案键的识别率的方法，该显示基板包括信号线，薄膜晶体管，关键图案，所述光屏蔽图案，滤色器，像素电极和所述对准键。信号线形成在基板上，薄膜晶体管电连接到信号线，并且键图案形成在基板上。遮光图案形成在基板上以覆盖信号线，薄膜晶体管和键图案。滤色器形成在基板的单位像素中。像素电极形成在滤色器上并且电连接到薄膜晶体管。对准键形成在遮光图案中以对应于键图案。因此，通过在对应于键图案的位置处形成对准键，可以进一步改善键图案相对于曝光设备的识别率。

6. 发明公开

KR1020090111019A 표시기판 및 이의 제조방법 有权
标题翻译：显示基板和制造显示基板的方法
公开(公告)号：KR1020090111019A
公开(公告)日：2009-10-26
申请号：KR1020080036564
申请日：2008-04-21
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 장선영 , 김병주 , 이상헌 , 김관수
IPC分类号： G02F1/1335 , G02F1/1339 , G02F1/13
CPC分类号： H01L27/1288 , G02F1/1362 , G02F1/136209 , G02F2001/133354 , G02F2001/136222 , H01L27/1214 , H01L29/786 , Y10S438/973 , Y10S438/975
摘要： PURPOSE: A display substrate and a method for manufacturing the same are provided to improve the recognition of a key pattern for an exposure device by forming an aligning groove. CONSTITUTION: A display substrate includes a signal line, a thin film transistor, a key pattern(120), a shielding pattern, a color filter(130), a pixel electrode and an aligning key(150). The signal line is formed on a substrate, and the thin film transistor is connected to the signal line electrically. The key pattern is formed on the substrate. The shielding pattern is formed on the substrate to cover the signal line, thin transistor and the key pattern. The color filter is formed within a unit pixel of the substrate. The pixel electrode is formed on the color filter and is electrically connected to the thin film transistor, and the aligning key is formed on the shielding pattern to correspond to the key pattern.
摘要翻译：目的：提供显示基板及其制造方法，以通过形成对准槽来改善对曝光装置的键图案的识别。构成：显示基板包括信号线，薄膜晶体管，键图案（120），屏蔽图案，滤色器（130），像素电极和对准键（150）。信号线形成在基板上，薄膜晶体管电连接到信号线。键图案形成在基板上。屏蔽图案形成在基板上以覆盖信号线，薄晶体管和键图案。滤色器形成在基板的单位像素内。像素电极形成在滤色器上并电连接到薄膜晶体管，并且对准键形成在屏蔽图案上以对应于键图案。

7. 发明公开

KR1020080110499A ＧａＮ 기판, 에피택셜층을 가지는 기판, 반도체 장치 및ＧａＮ 기판의 제조 방법 无效
标题翻译： GAN衬底，具有外延层的衬底，半导体器件以及制造GAN衬底的方法
公开(公告)号：KR1020080110499A
公开(公告)日：2008-12-18
申请号：KR1020080054671
申请日：2008-06-11
申请人： 스미토모덴키고교가부시키가이샤
发明人： 오사다히데키 , 카사이히토시 , 이시바시케이지 , 나카하타세이지 , 쿄노타카시 , 아키타카츠시 , 미우라요시키
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L29/2003 , C30B25/02 , C30B25/183 , C30B29/406 , H01L29/045 , Y10S438/945 , Y10S438/973
摘要： A GaN substrate a substrate including an epitaxial layer and semiconductor device and the manufacturing method of a GaN substrate is provided to improve the property of life and improve luminous efficiency in a long wavelength than 500 nm. A GaN substrate(1) having a major surface comprises a defect-free decision area(52), and a deformity aggregate area(51). The deformity aggregate area is adjacent to the defect-free decision area. The defect-free decision area and deformity aggregate area are extended to the rear side positioned in the major surface and opposite side from the major surface. A surface bearing [0001] is inclined to an off-angle toward the normal vector of the major surface.
摘要翻译：提供GaN衬底，其包括外延层和半导体器件以及GaN衬底的制造方法以提高寿命的性质并提高长波长比500nm的发光效率。具有主表面的GaN衬底（1）包括无缺陷决定区域（52）和畸形聚集区域（51）。畸形聚集区域与无缺陷决策区域相邻。无缺陷的决定区域和变形骨料区域延伸到位于主表面和主表面相对侧的后侧。表面轴承朝向主表面的法向矢量倾斜偏离角度。

8. 发明授权

KR100560357B1 반도체 기판의 제조 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 失效
标题翻译：制造半导体衬底和半导体器件的方法
公开(公告)号：KR100560357B1
公开(公告)日：2006-03-14
申请号：KR1020030035710
申请日：2003-06-03
申请人： 샤프 가부시키가이샤
发明人： 우에다다까시
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L29/1054 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02502 , H01L21/02532 , H01L21/02664 , H01L21/26506 , H01L21/324 , H01L29/7842 , Y10S438/973
摘要： [과제] 웨이퍼의 처리 능력을 희생시키지 않고, 고품질의 변형 실리콘 채널을 간편하게 형성할 수 있는 반도체 기판의 제조 방법을 제공함과 동시에, NMOS 뿐만 아니고 PMOS 트랜지스터의 구동 능력을 또한 향상시킬 수 있는 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
[해결 수단] 면방위가 (111) 또는 (110) 인 실리콘 단결정층으로 이루어지는 기판 상면에 SiGe막을 형성하고, 이온 주입 및 어닐링 처리를 행하여 상기 기판 내에 매립 결정 결함을 도입하고, 상기 SiGe막 상에 반도체막을 형성하는 것으로 이루어지는 반도체 기판의 제조 방법.
반도체 기판, 반도체 장치, 실리콘막, SiGe막, 이온 주입, 어닐링, 실리콘 단결정층, 결함 집합체.

9. 发明公开

KR1020030051805A 실리콘에 쉘로우 트렌치 분리를 형성하는 방법 无效
标题翻译：在硅中形成浅沟槽隔离的方法
公开(公告)号：KR1020030051805A
公开(公告)日：2003-06-25
申请号：KR1020037006404
申请日：2001-09-12
申请人： 아트멜 코포레이숀
发明人： 밀러에릭알. , 문스테픈알.
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76224 , Y10S438/973
摘要： 실리콘 웨이퍼에 쉘로우 트렌치 분리 영역을 형성하여, 긴 영역의 슬립 전위를 그 웨이퍼에서 제거하고, 상기 분리 영역에 걸친 전류의 누설을 감소시키기 위한 방법에 관한 것이다. 긴 쉘로우 트렌치(17)가 웨이퍼의 (111)면에 대해 45°의 각도로 실리콘 웨이퍼(11)에 형성된다. 이는, 응력이 임의의 단일의 (111)면을 따라 전파되지 않도록, 트렌치 형성 전에 (100)면으로 웨이퍼의 주 플랫을 이동시켜 긴 트렌치의 바닥 연부를 복수의 (111)면과 교차시킴으로써 달성된다. 트렌치(17)는 이어서 산화물과 같은 절연 물질로 채워진다.

10. 发明授权

KR1019920005131B1 녹색발광다이오드의 제조방법 失效
标题翻译：绿色LED的制造方法
公开(公告)号：KR1019920005131B1
公开(公告)日：1992-06-26
申请号：KR1019890009713
申请日：1989-07-07
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 와타나베마사유키 , 나카지마마사히로
IPC分类号： H01L31/12 , H01L33/00
CPC分类号： H01L33/30 , H01L33/0062 , H01L33/16 , Y10S148/066 , Y10S438/973
摘要： 내용 없음.

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