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    • 4. 发明公开
    • 웨이퍼를 캐리어로부터 분리하기 위한 장치 및 방법
    • 用于从载体中分离波形的装置和方法
    • KR1020110128180A
    • 2011-11-28
    • KR1020117020273
    • 2010-03-16
    • 에베 그룹 게엠베하
    • 탈너,에리히
    • H01L21/67
    • B32B43/006H01L21/67092Y10S156/93Y10S156/931Y10S156/932Y10S156/941Y10S156/943Y10T156/1111Y10T156/19Y10T156/1911Y10T156/1917Y10T156/1944Y10T156/1967
    • 웨이퍼를, 인터커넥트 층에 의해 상기 웨이퍼와 연결되어 있는 캐리어로부터 스트립하기 위한 본 발명에 따르는 장치는,
      - 캐리어와 웨이퍼로 구성된 캐리어-웨이퍼 결합물을 수용하기 위한 수납 수단과,
      - 캐리어와 웨이퍼 사이에의 인터커넥트 층에 의해 제공된 연결을 해제하기 위한 연결 해제 수단과,
      - 웨이퍼를 캐리어로부터 스트립하거나 웨이퍼로부터 캐리어를 스트립하기 위한 스트립 수단
      을 포함하며,
      상기 연결 해제 수단은 0 내지 350℃, 구체적으로, 10 내지 200℃, 바람직하게는 20 내지 80℃, 더 바람직하게는 대기 온도의 온도로 동작하도록 구성되는 것을 특징으로 한다.
      덧붙여, 인터커넥트 층에 의해 웨이퍼와 연결되어 있는 캐리어로부터 상기 웨이퍼를 스트립하기 위한 본 발명에 따르는 방법에 있어서, 상기 방법은
      - 캐리어와 웨이퍼로 구성된 캐리어-웨이퍼 결합물을 수남 수단에 수용하는 단계와,
      - 연결 해제 수단에 의해, 캐리어와 웨이퍼 사이에 인터커넥트 층에 의해 제공된 연결을 해제하는 단계와,
      - 스트립 수단에 의해, 캐리어로부터 웨이퍼를 스트립하거나, 웨이퍼로부터 캐리어를 스트립하는 단계
      를 포함하며,
      상기 연결 해제 수단은 0 내지 350℃, 구체적으로, 10 내지 200℃, 바람직하게는 20 내지 80℃, 더 바람직하게는 대기 온도의 온도로 동작하도록 구성된다.
    • 6. 发明授权
    • 웨이퍼를 캐리어로부터 분리하기 위한 장치 및 방법
    • 用于从载体中分离波形的装置和方法
    • KR101496590B1
    • 2015-02-25
    • KR1020137001790
    • 2010-03-16
    • 에베 그룹 게엠베하
    • 탈너,에리히
    • H01L21/67H01L21/677
    • B32B43/006H01L21/67092Y10S156/93Y10S156/931Y10S156/932Y10S156/941Y10S156/943Y10T156/1111Y10T156/19Y10T156/1911Y10T156/1917Y10T156/1944Y10T156/1967
    • 웨이퍼를, 인터커넥트 층에 의해 상기 웨이퍼와 연결되어 있는 캐리어로부터 스트립하기 위한 본 발명에 따르는 장치는,
      - 캐리어와 웨이퍼로 구성된 캐리어-웨이퍼 결합물을 수용하기 위한 수납 수단과,
      - 캐리어와 웨이퍼 사이에의 인터커넥트 층에 의해 제공된 연결을 해제하기 위한 연결 해제 수단과,
      - 웨이퍼를 캐리어로부터 스트립하거나 웨이퍼로부터 캐리어를 스트립하기 위한 스트립 수단
      을 포함하며,
      상기 연결 해제 수단은 0 내지 350℃, 구체적으로, 10 내지 200℃, 바람직하게는 20 내지 80℃, 더 바람직하게는 대기 온도의 온도로 동작하도록 구성되는 것을 특징으로 한다.
      덧붙여, 인터커넥트 층에 의해 웨이퍼와 연결되어 있는 캐리어로부터 상기 웨이퍼를 스트립하기 위한 본 발명에 따르는 방법에 있어서, 상기 방법은
      - 캐리어와 웨이퍼로 구성된 캐리어-웨이퍼 결합물을 수남 수단에 수용하는 단계와,
      - 연결 해제 수단에 의해, 캐리어와 웨이퍼 사이에 인터커넥트 층에 의해 제공된 연결을 해제하는 단계와,
      - 스트립 수단에 의해, 캐리어로부터 웨이퍼를 스트립하거나, 웨이퍼로부터 캐리어를 스트립하는 단계
      를 포함하며,
      상기 연결 해제 수단은 0 내지 350℃, 구체적으로, 10 내지 200℃, 바람직하게는 20 내지 80℃, 더 바람직하게는 대기 온도의 온도로 동작하도록 구성된다.
    • 8. 发明公开
    • 포일로부터 반도체 칩을 탈착하기 위한 방법
    • 用于从薄膜中分离半导体芯片的方法
    • KR1020140066644A
    • 2014-06-02
    • KR1020130142327
    • 2013-11-21
    • 베시 스위처랜드 아게
    • 바메틀러,에른스트로드리게즈,어빙
    • H01L21/48
    • H01L21/67011B32B43/006H01L21/67132H01L21/67288H01L21/6836H01L24/75H01L2221/68381H01L2224/756H01L2224/75753Y10S156/932Y10S156/943Y10T156/1105Y10T156/1179Y10T156/1983
    • The present invention relates to a pre-delamination step of a method for detaching a semiconductor chip from a foil. According to a first aspect, the present invention relates to determining a time period which regulates the duration time of the pre-delamination step of detaching at least parts of the semiconductor chip from the foil while the least parts of a semiconductor chip is firstly fixed to the foil, maintained, and bent. In a setup step, next steps are performed with regard to each pre-delamination step: a step of starting the method step; a step of recording the image of the semiconductor chip until calculating the result of a test that the peripheral region of the semiconductor chip has a brightness value which is darker than a predetermined brightness value and allocates the time period passing after the start of the pre-delamination step to an image; and a step of repeating a step of checking whether the peripheral region of the semiconductor chip is darker than the predetermined brightness value in the image. According to a second aspect, the present invention relates to a method of monitoring the detachment of the semiconductor chip from the foil in real time.
    • 本发明涉及一种从箔片上分离半导体芯片的方法的分层前步骤。 根据第一方面,本发明涉及确定一个时间段,该时间段调节从半箔芯片的至少一部分首先固定到半导体芯片的至少一部分的箔从箔上分离的预分层步骤的持续时间 箔,保持和弯曲。 在设置步骤中,关于每个预分层步骤进行下一步骤:开始方法步骤的步骤; 记录半导体芯片的图像的步骤,直到计算半导体芯片的外围区域具有比预定亮度值更深的亮度值的测试结果,并分配经过预处理开始之后的时间段 图像分层步骤; 以及重复检查半导体芯片的外围区域是否比图像中的预定亮度值更暗的步骤。 根据第二方面,本发明涉及实时监测半导体芯片与箔片脱离的方法。