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1. 发明授权

KR1019960002765B1 절연체 위에 단결정 반도체 제조방법 失效
标题翻译：制造绝缘体上单晶半导体的方法
公开(公告)号：KR1019960002765B1
公开(公告)日：1996-02-26
申请号：KR1019920024967
申请日：1992-12-22
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 이창재
IPC分类号： H01L21/3205
CPC分类号： H01L21/76264 , H01L21/76272 , H01L21/76289 , Y10S148/154
摘要： The method for insulating a semiconductor layer on an insulator comprises: (a) forming an insulating layer (22) on a semiconductor substrate (20) and opening a window (24) on a base surface for epitaxially growing by partially etching the insulating layer (22); (b) forming a semiconductor layer (26) on the base surface inside the window (24) and on the insulating layer (22) with the same crystalline structure as the semiconductor substrate (20); (c) forming an active region (30) by photolithography; and (d) forming a silicon nitride film(32) for spacer on the side wall of the active region (30). Semiconductor elements of high quality can be produced.
摘要翻译：在绝缘体上绝缘半导体层的方法包括：（a）在半导体衬底（20）上形成绝缘层（22）并在基底表面上打开窗口（24），以便通过部分蚀刻绝缘层进行外延生长 22）; （b）在与所述半导体衬底（20）相同的结晶结构的窗口（24）内部和所述绝缘层（22）的基底表面上形成半导体层（26）。（c）通过光刻法形成有源区（30）; 和（d）在有源区域（30）的侧壁上形成用于间隔物的氮化硅膜（32）。可以生产高质量的半导体元件。

2. 发明授权

KR1019920008121B1 헤테로 에피택셜 성장법 失效
标题翻译：异质外延生长方法
公开(公告)号：KR1019920008121B1
公开(公告)日：1992-09-22
申请号：KR1019890006558
申请日：1989-05-17
申请人： 후지쯔 가부시끼가이샤
发明人： 다까사끼가네다께
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/02463 , H01L21/02381 , H01L21/02502 , H01L21/02513 , H01L21/02543 , H01L21/02546 , H01L21/0262 , Y10S148/025 , Y10S148/072 , Y10S148/097 , Y10S148/154 , Y10S438/933 , Y10S438/938
摘要： 내용 없음.

3. 发明授权

KR1019920006262B1 반도체 박막형성법 失效
标题翻译：薄膜形成半导体方法
公开(公告)号：KR1019920006262B1
公开(公告)日：1992-08-01
申请号：KR1019890002647
申请日：1989-03-03
申请人： 후지쯔 가부시끼가이샤
发明人： 에시다다까시 , 미에노후미다께 , 후루무라유지 , 와다나베다꾸야
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/0262 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02463 , H01L21/02502 , H01L21/02507 , H01L21/02546 , H01L21/02658 , Y10S148/025 , Y10S148/072 , Y10S148/097 , Y10S148/154 , Y10S148/169 , Y10S438/933
摘要： 내용 없음.

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