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1. 发明授权

KR101747346B1 RF 프론트 엔드를 위한 아날로그 스위치 有权
公开(公告)号：KR101747346B1
公开(公告)日：2017-06-14
申请号：KR1020167005935
申请日：2014-07-24
申请人： 퀄컴 인코포레이티드
发明人： 임보르논,제임스프란시스 , 왕,신웨이 , 루오,첸잉 , 창,시앙동
IPC分类号： H03K17/06 , G05F1/46
CPC分类号： G05F1/461 , H03K17/063 , H03K2017/066 , H03K2217/0018 , H03K2217/0054
摘要： 라디오-주파수(RF) 프론트-엔드스위치들의선형성을개선하기위한기술들이기재된다. 일양상에서, 전압-종속적기판누설전류와연관된비-선형성들을감소시키기위해, 네거티브기판바이어스전압상에하나또는그 초과의네거티브정류기들의출력전압을중첩시키기위한개방-루프기술들이기재된다. 다른양상에서, 기준전압에근접하게기판바이어스전압을유지하기위한폐쇄-루프기술들이추가로기재된다. 회로블록들의예시적인실시예들이추가로설명된다.

2. 发明公开

KR1020170018021A 라디오-주파수 스위치 응용들에 대한 기생 보상 审中-实审
标题翻译： - 用于无线电频率切换应用的PARASIIC补偿
公开(公告)号：KR1020170018021A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：KR1020177000720
申请日：2015-06-11
申请人： 스카이워크스 솔루션즈, 인코포레이티드
发明人： 이,준형
IPC分类号： H03K17/06 , H03K17/10 , H03K17/12 , H03K17/693 , H04B1/44 , H04B15/00
CPC分类号： H04B1/44 , H03K17/063 , H03K17/102 , H03K17/122 , H03K17/161 , H03K17/693 , H03K2017/066 , H04B7/0831 , H04B15/00
摘要： 라디오-주파수(RF) 스위치응용들에대한기생보상. 일부실시예들에서, 스위칭아키텍처는하나이상의스위칭가능한 RF 신호경로들을가지는스위치네트워크를포함할수 있고, 각각의경로는스위치네트워크와연관된기생효과에기여한다. 스위칭아키텍처는스위치네트워크의노드에커플링되는기생보상회로를더 포함할수 있다. 기생보상회로는스위치네트워크의기생효과를보상하도록구성될수 있다. 일부실시예들에서, 기생보상회로는스위치네트워크의기생효과에대한조정가능한보상을제공하도록구성될수 있다.
摘要翻译：与射频开关网络寄生效应可调补偿相关的电路和方法。在一些实施例中，用于射频（RF）电路的可调补偿电路可以包括将RF电路的所选节点与参考节点相连的感应电路。感应电路可以被配置成提供多个电感值。在一些实施例中，RF电路可以是例如具有多个可切换RF信号路径的交换网络，参考节点可以是接地节点，并且所选择的节点可以是诸如天线端口的公共节点。

3. 发明公开

KR1020160143909A IGBT 구동 장치 审中-实审
标题翻译：用于驱动IGBT的IGBT装置
公开(公告)号：KR1020160143909A
公开(公告)日：2016-12-15
申请号：KR1020150079102
申请日：2015-06-04
申请人： 엘에스산전 주식회사
发明人： 김광운
IPC分类号： H03K17/04 , H03K17/06 , H03K17/16
CPC分类号： H03K17/567 , H03K5/08 , H03K17/0406 , H03K17/168 , H03K19/20 , H03K2017/066
摘要： 본발명은 IGBT(Insulated gate bipolar transistor; 절연게이트양극성트랜지스터) 구동장치에관한것으로, 보다상세하게는, 대용량 IGBT의단전원구동장치에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른 IGBT 구동장치는, 액티브밀러클램프(Active Miller Clamp) 기능이구비된게이트드라이버 IC 및상기게이트드라이버 IC의출력신호에의해구동되는 IGBT의게이트(gate)-에미터(emitter) 사이에구비되어, 기생턴 온전압(parasitic turn-on voltage)의발생을방지하기위한외부캐패시터(Cge_ext)를구비하는 IGBT 구동장치에있어서, 상기게이트드라이버 IC의출력신호를반전시키기위한신호반전부및 상기신호반전부의출력신호에대응되도록외부캐패시터로인가되는전원을스위칭하기위한스위칭부를포함하여구성될수 있다.
摘要翻译：本发明涉及用于驱动大功率绝缘栅双极型晶体管IGBT的单电源的装置。该装置包括配置为提供用于驱动IGBT的信号的栅极驱动器IC; 连接在IGBT的栅极（G）和发射极（E）之间的外部电容器（Cge_ext）信号反相器（430），被配置为反转所述栅极驱动器IC的输出信号; 以及响应于信号反相器（430）的输出信号向外部电容器供电的开关（440）。

4. 发明授权

KR101638531B1 저전압 애플리케이션들에서 멀티모드 출력 구성을 가지는 셀프-바이어싱 차동 시그널링 회로를 위한 장치 및 방법 有权
标题翻译： - 用于自偏置具有用于低电压应用的多模输出配置的差分信号电路的装置和方法
公开(公告)号：KR101638531B1
公开(公告)日：2016-07-11
申请号：KR1020107014982
申请日：2008-11-26
申请人： 에이티아이 테크놀로지스 유엘씨
发明人： 이치호 , 조준호
IPC分类号： H04L25/02 , H03K19/0175
CPC分类号： H03K19/018528 , H03K17/063 , H03K2017/066 , H03K2217/0018
摘要： 차동시그널링회로, 전류소스제어기, 트랜지스터-구현전류소스들의쌍을구비한디지털데이터전송디바이스가개시된다. 전류소스제어기는차동시그널링회로의검출된동작모드에근거하여전류소스제어신호를생성한다. 상기트랜지스터-구현전류소스들의쌍은, 전류소스제어신호에응답하여차동출력단자들에서의출력전압레벨들을조정하기위해선택적으로소스전류들을생성한다. 디지털데이터전송디바이스는또한전류소스벌크바이어싱신호를생성하는전류벌크바이어싱회로를포함하여, 차동시그널링회로가일 동작모드에서있을때, 상기전류소스벌크바이어싱신호가상기트랜지스터-구현전류소스들의쌍에걸쳐누설전류를지연시키게한다.

5. 发明授权

KR101503778B1 스위치 장치 및 시험 장치 有权
标题翻译：开关设备和测试仪器
公开(公告)号：KR101503778B1
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：KR1020130050298
申请日：2013-05-03
申请人： 가부시키가이샤 어드밴티스트
发明人： 하타,요시유키 , 나카니시,마코토 , 타키카와,마사히코
IPC分类号： H03K17/10 , H03K17/687
CPC分类号： H03K17/102 , G01R1/206 , G01R1/30 , G01R31/2844 , H03K17/063 , H03K2017/066 , H03K2017/6875 , H03K2217/0081
摘要： (과제)
입력 전압 범위가 큰 반도체 스위치 장치를 제공한다.
(해결 수단)
제1 단자 및 제2 단자의 사이에 설치된 메인 스위치와, 메인 스위치를 온으로 하는 경우에, 메인 스위치를 흐르는 전류의 방향에 의하지 않고 동일한 게이트 소스 전압을 메인 스위치에 공급하는 스위치 제어부를 구비하고, 스위치 제어부는, 메인 스위치를 온으로 하는 경우에, 제1 단자 및 제2 단자가 적어도 일방으로부터의 전압을 기준으로 하는 게이트 소스 전압을 메인 스위치의 게이트에 공급하는 스위치 장치를 제공한다.

6. 发明授权

KR101217357B1 전력용 반도체 소자의 구동 회로 有权
标题翻译：功率半导体元件驱动电路
公开(公告)号：KR101217357B1
公开(公告)日：2012-12-31
申请号：KR1020127021588
申请日：2009-07-22
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 나카야마야스시 , 나카가와료스케
IPC分类号： H02M1/08 , H03K17/22
CPC分类号： H02M1/08 , H03K17/08128 , H03K2017/066 , H03K2217/0081
摘要： 간단한회로구성으로, 소비전력을억제하면서, 전압변동 dV/dt에대한고속응답이가능하고, 전력용반도체소자의오동작을방지할수 있는전력용반도체소자의구동회로를얻기위해, 전력용반도체소자의온 오프를제어하는제어회로와, 전력용반도체소자의제어단자사이에전압을공급하는직류전원과, 전력용반도체소자의제어단자사이에접속된스위칭소자를구비하고, 스위칭소자는, 직류전원의전원전압이저하된경우에온하거나, 또는, 직류전원의전원전압이저하된상태에서전력용반도체소자의제어단자사이전압이상승한경우에온하여, 전력용반도체소자의제어단자사이를단락시킨다.

7. 发明授权

KR100976627B1 밀리미터파 대역 제어회로용 스위치 회로 有权
标题翻译：用于微波波段应用的切换电路
公开(公告)号：KR100976627B1
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：KR1020070127884
申请日：2007-12-10
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 문재경 , 김동영 , 임종원 , 안호균 , 김해천 , 유현규
IPC分类号： H01P1/10
CPC分类号： H03K17/063 , H01P1/15 , H03K17/693 , H03K2017/066
摘要： 본 발명은 밀리미터파 대역 스위치 회로에 관한 것으로서, 신호 포트 경로 상에 배치되어 관심 주파수에 정합되고, 입출력 전송선로와 수직으로 연결되는 트랜지스터 및 상기 입출력 전송선로의 상부 및 하부에 대칭적으로 배치되는 다수의 접지 비아홀을 포함하는 제1, 제2 스위치 셀; 상기 제1, 제2 스위치 셀의 바이어스 안정화를 위한 제1, 제2 캐패시터; 상기 제1, 제2 캐패시터와 각각 병렬 연결되어 상기 제1, 제2 스위치 셀을 제어하기 위한 제1, 제2 바이어스 패드; 및 특정 임피던스 값을 가지며, 터미널 포트를 경유하여 공통포트와 상기 제1 스위치 셀 또는 상기 공통포트와 상기 제2 스위치 셀을 연결하는 터미널 전송회로를 포함하며, 이에 따라 별도의 다른 스위치 소자를 사용하지 않고도 최적화 스위치 셀의 대칭 구조에 의해 회로 설계 및 레이아웃(layout)을 간단하게 함으로써, 격리도를 향상시킬 수 있으며, 저삽입손실과 함께 집적회로의 칩 사이즈를 줄일 수 있으므로 제조 공정의 수율과 집적도의 향상을 통해 제조비용을 감소시킬 수 있다.
밀리미터파 대역, 스위치 회로, 스위치 셀, 트랜지스터, 전송선로, 공통 포트, 비아홀, 컨트롤 바이어스 패드, 캐패시터.

8. 发明公开

KR1020140101692A 바디-바이어스 스위칭 장치 审中-实审
标题翻译：身体自动切换装置
公开(公告)号：KR1020140101692A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：KR1020140014962
申请日：2014-02-10
申请人： 트리퀸트 세미컨덕터 인코퍼레이티드
发明人： 클라우센윌리엄제이 , 푸리노제임스피주니어 , 요어마이클디
IPC分类号： H03K17/687 , H04B1/44
CPC分类号： H03K17/063 , H01L29/78 , H03K17/162 , H03K2017/066 , H03K2217/0018
摘要： The embodiment of the present invention provides a switching device which includes one or more field-effect transistors (FETs). According to the embodiment of the present invention, a body-biased circuit induces a bias voltage based on a radio frequency signal applied to a switch FET and applies the bias voltage to the body terminal of the switch FET.
摘要翻译：本发明的实施例提供一种包括一个或多个场效应晶体管（FET）的开关器件。根据本发明的实施例，主体偏置电路基于施加到开关FET的射频信号来感应偏置电压，并将偏置电压施加到开关FET的主体端子。

9. 发明公开

KR1020140099914A RF 차폐 스위치 회로 有权
标题翻译：射频隔离开关电路
公开(公告)号：KR1020140099914A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：KR1020147017229
申请日：2011-07-26
申请人： 퀄컴 인코포레이티드
发明人： 얀홍얀 , 산카라나라야난자나키람가네쉬 , 아수리부샨샨티 , 카트리히만슈 , 파니카트비노드브이
IPC分类号： H03K17/06 , H03K17/16 , H03H11/32 , H04B1/38
CPC分类号： H03K17/063 , H03K17/161 , H03K17/687 , H03K2017/066 , H03K2217/0018 , H03K2217/0054
摘要： 제 1 양태에서, RF 스위치는 메인 트랜지스터 및 게이트-소스 단락 회로를 포함한다. RF 스위치가 턴오프된 경우, 게이트-소스 단락 회로는 턴온되어 메인 트랜지스터의 소스와 게이트를 함께 단락시키게 되고, 이로써 메인 트랜지스터의 누설을 야기할 수 있는 Vgs 발생을 방지한다. RF 스위치가 턴온되면, 게이트-소스 단락 회로는 턴오프되어 게이트로부터 소스를 분리시킨다. 게이트는 디지털 논리 고 전압을 공급받아 메인 트랜지스터를 턴온시킨다. 제 2 양태에서, RF 스위치는 벌크 단자를 구비하는 메인 트랜지스터를 포함한다. RF 스위치가 턴오프된 경우, 벌크는 고 저항을 통해 접지로 연결된다. RF 스위치가 턴온되면, 소스와 벌크는 함께 단락되고, 이로써 메인 트랜지스터의 임계 전압을 감소시킨다.

10. 发明公开

KR1020140001746A 스위치 장치 및 시험 장치 有权
标题翻译：开关装置和测试装置
公开(公告)号：KR1020140001746A
公开(公告)日：2014-01-07
申请号：KR1020130050298
申请日：2013-05-03
申请人： 가부시키가이샤 어드밴티스트
发明人： 하타,요시유키 , 나카니시,마코토 , 타키카와,마사히코
IPC分类号： H03K17/10 , H03K17/687
CPC分类号： H03K17/102 , G01R1/206 , G01R1/30 , G01R31/2844 , H03K17/063 , H03K2017/066 , H03K2017/6875 , H03K2217/0081
摘要： Provided is a switch device for a semiconductor of which the input voltage range is large. The present invention includes a main switch installed between a first terminal and a second terminal and a switch control unit supplying constant gate source voltage to the main switch regardless of the direction of a current flowing in the main switch when the main switch is turned on. The switch control unit supplies the gate source voltage, based on the voltage of either of the first terminal and the second terminal, to a gate of the main switch when the main switch is turned on. [Reference numerals] (120) Control signal transmitter; (132) On control unit; (134) Gate source voltage generator; (136) Off control unit; (140) Off voltage unit; (AA) First terminal; (BB) Second terminal
摘要翻译：提供一种输入电压范围大的用于半导体的开关装置。本发明包括安装在第一端子和第二端子之间的主开关以及当主开关导通时与主开关中流动的电流的方向无关地向主开关提供恒定栅极源电压的开关控制单元。当主开关导通时，开关控制单元基于第一端子和第二端子中的任一个的电压将栅极源电压提供给主开关的栅极。（附图标记）（120）控制信号发送器; （132）控制单元; （134）栅源电压发生器; （136）关闭控制单元; （140）关闭电压单元; （AA）第一码头; （BB）第二终端

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