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热词
    • 2. 发明公开
    • 레벨 시프트 회로
    • 电平转换电路
    • KR1020170110538A
    • 2017-10-11
    • KR1020170036302
    • 2017-03-22
    • 에스아이아이 세미컨덕터 가부시키가이샤
    • 다카다고스케
    • H03K19/0185H03K7/08H03K19/003
    • H03K19/018507H03K17/162H03K17/6871H03K2217/0063
    • (과제) 레벨시프트동작에의한내압파괴를회피할수 있는레벨시프트회로를제공한다. (해결수단) 일단이출력단자에접속된플로팅전원과, 플로팅전원의타단에접속된제 1 및제 2 저항과, 제 1 및제 2 저항의각각의타단에각각드레인이접속되고, 게이트에저레벨전원의전압을받는제 1 및제 2 NMOS 트랜지스터와, 펄스발생회로로부터의제 1 및제 2 펄스신호를게이트에받는제 3 및제 4 NMOS 트랜지스터와, 제 1 및제 2 NMOS 트랜지스터의소스와제 3 및제 4 NMOS 트랜지스터의드레인사이에각각접속된제 3 및제 4 저항과, 제 1 및제 2 저항의각각의타단에생성되는신호를받아, 펄스발생회로에입력되는신호를플로팅전원의일단의전압과타단의전압사이에서변동하는신호로변환시켜출력하는로직회로를구비한다.
    • [问题]提供一种能够通过电平移位操作来避免耐压击穿的电平移位电路。 [解决问题的手段]一旦连接到输出端子浮动电源和,作为连接到浮动电源的另一端的第一mitje第二电阻器,分别与第一mitje第二电阻器和漏极中的各自的另一端连接,低电平电源到栅极 接收电压第一mitje第二NMOS晶体管,接收脉冲产生电路robuteoui第一mitje第二脉冲信号来选通第三mitje 4个的NMOS晶体管和NMOS晶体管的第一mitje第二源和mitje 4的NMOS晶体管的第三漏极 和第三mitje四个电阻器的每个连接在所述第一mitje之间接收在每个第二电阻器,输入到该电压的一端的电压与浮置电源的另一个端子之间变化的脉冲发生电路的信号的另一端的产生的信号 并输出转换后的信号。
    • 6. 发明公开
    • 파워 반도체소자의 구동 회로
    • 功率半导体元件驱动电路
    • KR1020160021847A
    • 2016-02-26
    • KR1020167001369
    • 2013-06-24
    • 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
    • 하야시요시토모오자와마사히로다나카도시키
    • H02M1/44H03K17/16H02M1/00
    • H03K17/60H02M1/44H02M2001/0054H03K17/162H03K17/168H03K2217/0036Y02B70/1491
    • 파워반도체소자(1)의게이트단자-이미터단자간에의충전지령인전압지령 VGEref를생성하는전압지령생성부(2), 전압지령 VGEref와파워반도체소자(1)의게이트단자-이미터단자간 전압의편차전압 Verr를산출하는감산기(3), 편차전압 Verr가입력되어파워반도체소자(1)의게이트단자에흘리는게이트전류를결정하는게이트전류지령전압 VIGref를산출하는게이트전류제어기(4), 게이트전류지령전압 VIGref를제한하는게이트전류지령제한기(19) 및, 게이트전류지령제한기(19)의출력인실게이트전류지령전압 VIGout이입력되어파워반도체소자(1)의게이트단자에게이트전류를공급하는게이트전류공급기를구비한다.
    • 用于功率半导体元件的驱动电路包括:电压指令产生单元,其产生作为功率半导体元件的栅极和发射极端子之间的电荷指令的电压指令VGEref; 以及减法器,其计算电压指令VGEref与栅极和发射极端子之间的电压之间的偏差电压Verr。 驱动电路还包括:栅极电流控制器,其输入偏差电压Verr,并计算用于确定流入功率半导体元件的栅极端的栅极电流的栅极电流指令电压VIGref; 限制栅极电流指令电压VIGref的栅极电流指令限制器; 以及栅极电流供给装置,其输入了实际的栅极电流指令电压VIGout,并向栅极电极提供栅极电流。
    • 7. 发明授权
    • 관통 전류 제어를 위한 인버터 체인 회로
    • 用于控制直通电流的逆变器链电路
    • KR101579657B1
    • 2015-12-22
    • KR1020130156648
    • 2013-12-16
    • 숭실대학교산학협력단
    • 유진호박창근
    • H03K5/134
    • H03K17/162H03F1/0222H03F3/195H03F3/217H03F3/2173H03F2200/102
    • 본발명은관통전류제어를위한인버터체인회로에관한것이다. 본발명에따르면, 입력포트에서분기된입력신호가개별인가되고, N형과 P형의트랜지스터로구성된인버터가복수의단으로형성된각각의제1 및제2 인버터체인과, 상기제1 인버터체인의출력신호가게이트로인가되고제1단이제1 전원에연결되며제2단이출력포트에연결된 P형의제1 트랜지스터, 및상기제2 인버터체인의출력신호가게이트로인가되고제1단이상기제1 전원보다낮은제2 전원에연결되며제2단이상기출력포트에연결된 N형의제2 트랜지스터를포함하며, 상기제1 및제2 인버터체인은, N형트랜지스터에대한 P형트랜지스터의사이즈비가기 설정된기준치보다큰 제1 그룹의인버터및 상기사이즈비가기준치보다작은제2 그룹의인버터를포함하는 M(M은 2 이상의정수)개의인버터가상호교번되는형태로캐스케이드연결되되, 상기제1 인버터체인의최후단인버터는상기제1 그룹의인버터, 상기제2 인버터체인의최후단인버터는상기제2 그룹의인버터로구성된관통전류제어를위한인버터체인회로를제공한다. 상기관통전류제어를위한인버터체인회로에따르면, 관통전류를줄일수 있게되어전력증폭기의효율을높일수 있게되고나아가전체시스템효율을높일수 있는효과를얻을수 있다.
    • 9. 发明授权
    • 차량용 모터 구동 장치
    • 用于车辆的电动机驱动装置
    • KR101551066B1
    • 2015-09-07
    • KR1020140025118
    • 2014-03-03
    • 현대자동차주식회사기아자동차주식회사
    • 박충섭송호득
    • H02P6/00H02M1/44
    • H02P6/14H02M1/08H02M1/44H03K17/162
    • 본 발명은 차량용 모터 구동 장치에 관한 것으로서, 특히 EMC(Electromagnetic compatibility)를 최적화할 수 있도록 하는 BLDC(Brushless DC) 모터 구동 장치에 관한 기술이다. 이러한 본 발명은, 스위칭 소자의 동작에 모터의 구동을 제어하는 모터 제어부, 및 기 설정된 레지스터 값에 따라 모터 제어부의 구동 전류를 제어하되, 모터 제어부에 충방전되는 구동 전류에 따라 스위칭 소자의 스위칭 시간을 조정하여 EMC(Electromagnetic compatibility) 튜닝을 제어하는 구동 반도체를 포함한다.
    • 本技术涉及一种用于车辆的电动机驱动装置。 特别地,本技术涉及用于优化电磁兼容性(EMC)的无刷DC(BLDC)电动机驱动装置。 本发明包括:电动机控制部,其控制开关装置的运动中的电动机的驱动;以及驱动半导体,其根据预定的电阻值控制电动机控制部的驱动电流,并控制电磁兼容性(EMC )通过根据在电动机控制部分中充放电的驱动电流来调节开关装置的开关时间进行调谐。
    • 10. 发明公开
    • 슈트-스루 전류 방지 기능을 갖는 게이트 드라이버
    • 门控驱动器具有防止短路电流的功能
    • KR1020140084975A
    • 2014-07-07
    • KR1020120155032
    • 2012-12-27
    • 주식회사 솔루엠
    • 황종태이연중유제현박득희차상현
    • H03K17/08H03K19/0185H02M1/08
    • H03K17/162
    • The present invention relates to a gate driver having a function of preventing a shoot-through current. The gate driver having a function of preventing a shoot-through current comprises: a first power switch to source a current according to a voltage applied by a voltage source; a second power switch connected in series with the first power switch and sinking the current according to the voltage applied by the voltage source; and a shoot-through current prevention circuit to prevent generation of a shoot-through current in the first and second power switches during driving of the first and second power switches. According to the gate driver of the present invention as above can prevent generation of a shoot-through current in a power transistor of an output terminal during driving of a gate driver by including the shoot-through current prevention circuit consisting of multiple PMOS and NMOS, thereby preventing unnecessary power consumption and generation of ground noise.
    • 本发明涉及具有防止直通电流的功能的栅极驱动器。 具有防止直通电流的功能的栅极驱动器包括:第一电源开关,用于根据由电压源施加的电压来源电流; 与第一电源开关串联连接的第二电源开关,并根据电压源施加的电压来吸收电流; 以及直流电流防止电路,用于在第一和第二电力开关的驱动期间防止在第一和第二电力开关中产生直通电流。 根据如上所述的本发明的栅极驱动器,通过包括由多个PMOS和NMOS组成的直通电流防止电路,可以防止在驱动栅极驱动器期间在输出端子的功率晶体管中产生直通电流, 从而防止不必要的电力消耗和地面噪声的产生。