专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

KR101721107B1 게이트 드라이버 구동장치 有权
公开(公告)号：KR101721107B1
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：KR1020150100628
申请日：2015-07-15
申请人： 엘에스산전 주식회사
发明人： 남경훈 , 강성희 , 김종배
IPC分类号： H03K17/14 , H03K17/04 , H03K17/08
CPC分类号： H03K17/567 , H03K17/08128 , H03K17/0828 , H03K17/164 , H03K17/168 , H03K17/18 , H03K17/689
摘要： 본발명은반도체스위칭소자를구동하는게이트드라이버구동장치에있어서상기반도체스위칭소자에제어신호를출력하는게이트드라이버유닛및 상기게이트드라이버유닛을구성하는적어도하나의게이트드라이버를작동시켜상기스위칭소자의스위칭동작을제어하는제어부를포함하되, 상기제어부는상기반도체스위칭소자의기설정된동작범위와검출된상기반도체스위칭소자의동작상황을근거하여상기적어도하나의게이트드라이버를작동시킬수 있는게이트드라이버구동장치이다.

2. 发明公开

KR1020100023881A 온 스위치를 이용하는 하프브리지 회로와 원치않는 전류를 방지하는 방법 有权
标题翻译：正常使用开关的半桥电路及防止意外流过的方法
公开(公告)号：KR1020100023881A
公开(公告)日：2010-03-04
申请号：KR1020097026580
申请日：2008-05-21
申请人： 파워 인티그레이션즈, 인크.
发明人： 마졸라,마이클,에스. , 켈리,로빈,엘.
IPC分类号： H02M3/00 , H03K17/94
CPC分类号： H03K17/164 , H02M1/08 , H03K17/08122 , H03K17/08128 , H03K17/162 , H03K17/6871 , H03K2017/6875 , H03K2217/0036 , Y02B70/1483
摘要： A method for rendering a half-bridge circuit containing normally on switches such as junction field effect transistors (JFETs) inherently safe from uncontrolled current flow is described. The switches can be made from silicon carbide or from silicon. The methods described herein allow for the use of better performing normally on switches in place of normally off switches in integrated power modules thereby improving the efficiency, size, weight, and cost of the integrated power modules. As described herein, a power supply can be added to the gate driver circuitry. The power supply can be self starting and self oscillating while being capable of deriving all of its source energy from the terminals supplying electrical potential to the normally on switch through the gate driver. The terminal characteristics of the normally on switch can then be coordinated to the input-to-output characteristics of the power supply.
摘要翻译：描述了一种用于使包含正常在半导体电路上形成的半桥电路的方法，该半桥电路本身就不会受到不受控制的电流的安全影响，因此开关如结型场效应晶体管（JFET）。开关可以由碳化硅或硅制成。这里描述的方法允许在开关中使用更好的正常运行来代替集成功率模块中的常闭开关，从而提高集成功率模块的效率，尺寸，重量和成本。如本文所述，可以将电源添加到栅极驱动器电路。电源可以是自启动和自振荡，同时能够从通过栅极驱动器向正常开关提供电势的端子导出其所有源能量。然后，常开开关的端子特性可以与电源的输入到输出特性协调。

3. 发明授权

KR100438512B1 반도체장치 有权
公开(公告)号：KR100438512B1
公开(公告)日：2004-07-03
申请号：KR1020020041151
申请日：2002-07-15
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 오카모토카즈아키 , 아라키토루
IPC分类号： H03K17/16
CPC分类号： H03K17/107 , H03K17/063 , H03K17/08128
摘要： A high-potential side power device driving circuit has a clock signal generation circuit generating the so-called internal clock signal by outputting a pulse in a constant cycle for driving NMOS transistors and an iterative pulse generation circuit monitoring the state of an external input signal in synchronization with an output signal of the clock signal generation circuit, receiving a pulsing input signal generated with reference to a ground potential and generating pulsing ON and OFF signals. Thus provided is a level shifting circuit capable of preventing a power device from a malfunction also when a dv/dt transient signal is supplied with time difference.
摘要翻译：高电位侧功率器件驱动电路具有通过以恒定周期输出用于驱动NMOS晶体管的脉冲来产生所谓的内部时钟信号的时钟信号产生电路，以及用于监测外部输入信号的状态的迭代脉冲产生电路与时钟信号生成电路的输出信号同步，接收参考接地电位生成的脉冲输入信号并生成脉冲接通和断开信号。因此提供了一种电平转换电路，其能够在dv / dt瞬态信号以时间差提供时也防止功率器件发生故障。

4. 发明授权

KR1019920002686B1 정전유도형자기소호소자의과전류보호회로 失效
标题翻译：用于静电自动关闭装置的电流保护电路
公开(公告)号：KR1019920002686B1
公开(公告)日：1992-03-31
申请号：KR1019900001488
申请日：1990-02-08
申请人： 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼
发明人： 이보리사도시 , 바바시게유끼 , 후지이히로시 , 간바라다까쓰구 , 난도겐지
IPC分类号： H02H7/20
CPC分类号： H03K3/02337 , H03K3/42 , H03K17/08122 , H03K17/08128
摘要： 내용 없음.

5. 发明授权

KR101444543B1 구동 회로, 구동 모듈 및 모터 구동 장치 有权
标题翻译：驱动电路，驱动模块和电动机驱动装置
公开(公告)号：KR101444543B1
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：KR1020120134748
申请日：2012-11-26
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 허창재 , 방성만
IPC分类号： H03K17/06
CPC分类号： H02P6/14 , H02M1/088 , H02M2001/0029 , H02P27/08 , H03K17/08128
摘要： 본 발명은 전력용 반도체 소자를 구동하는 구동 전류를 조절할 수 있는 구동 회로, 구동 모듈 및 모터 구동 장치에 관한 것으로, 복수의 구동 유닛을 구비하고, 선택 신호에 따라 상기 복수의 구동 유닛 중 해당하는 구동 유닛을 선택하여 반도체 소자를 구동하는 구동 신호의 전류 레벨을 결정하는 구동부; 상기 반도체 소자에 전달된 구동 신호의 위상 천이 시간을 검출하고, 검출된 시간을 사전에 설정된 기준 시간과 비교하여 상기 구동 신호의 위상 천이 시간을 제어하는 타이밍 제어부; 및 외부로부터의 제어 신호와 상기 타이밍 제어부의 타이밍 제어 신호에 따라 상기 구동부의 복수의 구동 유닛 중 구동할 구동 유닛을 선택하는 상기 선택 신호를 제공하는 구동 제어부를 포함하는 구동 회로, 구동 모듈 및 모터 구동 장치를 제안한다.
摘要翻译：本发明的驱动器提供，并根据该选择信号到所述多个驱动单元的多个驱动单元的相应的一个，在驱动电路中，驱动模块和能够控制的驱动电流用于驱动的电力用半导体元件的电机驱动装置驱动单元，用于选择单元以确定用于驱动半导体器件的驱动信号的电流电平; 用于控制所述驱动信号的相位转变的时间来检测传送到半导体元件的驱动信号的相位转换时间的定时控制器，以及与通过预先检测时间设定的基准时间进行比较; 以及驱动电路，包括用于选择一个驱动单元，用于驱动所述多个驱动部的驱动单元，响应于所述控制信号和从定时控制来自外部的定时控制信号，驱动模块和马达驱动提供所述选择信号的驱动控制部所提出的装置。

6. 发明公开

KR1020140067475A 구동 회로, 구동 모듈 및 모터 구동 장치 有权
标题翻译：驱动电路，电机驱动模块和驱动装置
公开(公告)号：KR1020140067475A
公开(公告)日：2014-06-05
申请号：KR1020120134748
申请日：2012-11-26
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 허창재 , 방성만
IPC分类号： H03K17/06
CPC分类号： H02P6/14 , H02M1/088 , H02M2001/0029 , H02P27/08 , H03K17/08128
摘要： The present invention relates to a driving circuit, a driving module, and an apparatus for driving a motor, which can control driving current for driving a power semiconductor device. The driving circuit comprises: a driving part which includes multiple driving units and determines a current level of a driving signal for driving a semiconductor device by selecting the corresponding driving unit of the multiple driving units according to selection signals; a timing control part which detects a phase transition time of the driving signal transmitted to the semiconductor device and controls the phase transition time of the driving signal by comparing the detected time with a preset reference time; and a driving control part which provides the selection signals for selecting the driving unit to be driven from the multiple driving units of the driving part according to control signals from the outside and timing control signals from the timing control unit.
摘要翻译：驱动电路，驱动模块以及驱动电动机的装置技术领域本发明涉及能够控制用于驱动功率半导体装置的驱动电流的驱动电路，驱动电路包括：驱动部，其包括多个驱动单元，并且根据选择信号选择多个驱动单元的相应驱动单元，确定用于驱动半导体器件的驱动信号的电流电平; 定时控制部，其检测发送到所述半导体器件的驱动信号的相变时间，并通过将检测到的时间与预先设定的基准时间进行比较来控制所述驱动信号的相变时间; 以及驱动控制部，其根据来自外部的控制信号和来自定时控制单元的定时控制信号，提供用于选择要从驱动部的多个驱动单元驱动的驱动单元的选择信号。

7. 发明授权

KR101329610B1 반도체장치 有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR101329610B1
公开(公告)日：2013-11-15
申请号：KR1020120109829
申请日：2012-10-04
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 리앙샤오광
IPC分类号： H02M1/08
CPC分类号： H03K17/08128 , H02M7/538 , H03K17/168
摘要： 간단한 회로 구성에 의해 오동작을 방지할 수 있는 반도체장치를 얻는다. 파워 소자 Q1과 파워 소자 Q2가 토템폴 접속되어 있다. 구동회로 1이 입력 신호 IN에 따라 파워 소자 Q2를 구동하고, 구동회로 2가 입력 신호 /IN에 따라 파워 소자 Q1을 구동한다. 구동회로 1은, 전원에 접속된 고압단자와, 저압단자를 갖는다. 저항 R1의 일단이 파워 소자 Q2의 에미터에 접속되고, 저항 R1의 타단이 구동회로 1의 저압단자에 접속되어 있다. 스위칭 소자 Q3이 구동회로 1의 고압단자와 저항 R1의 일단 사이에 접속되어 있다. 스위칭 소자 Q3은 입력 신호 IN에 따라 온·오프한다. 입력 신호 IN이 오프 신호인 경우에, 구동회로 1은 저압단자의 전압 VGND를 파워 소자 Q2의 게이트에 공급해서 파워 소자 Q2는 오프한다. 입력 신호 IN이 오프 신호인 경우에, 스위칭 소자 Q3은 온한다.
摘要翻译：获得了能够通过简单的电路配置防止故障的半导体器件。功率器件Q1和功率器件Q2通过图腾柱连接。驱动电路1根据输入信号IN驱动功率器件Q2，驱动电路2根据输入信号/ IN驱动功率器件Q1。驱动电路1具有与电源连接的高电压端子和低电压端子。电阻器R1的一端连接到功率器件Q2的发射极，并且电阻器R1的另一端连接到驱动电路1的低电压端子。并且开关元件Q3连接在驱动电路1的高电压端子和电阻器R1的一端之间。开关元件Q3根据输入信号IN而截止。当输入信号IN为断开信号时，驱动电路1将低压端子的电压VGND提供给功率器件Q2的栅极，并关断功率器件Q2。当输入信号IN是断开信号时，开关元件Q3导通。

8. 发明授权

KR100566048B1 반도체장치 有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR100566048B1
公开(公告)日：2006-03-30
申请号：KR1020030078573
申请日：2003-11-07
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 야스다유키오
IPC分类号： H01L29/78
CPC分类号： H01L27/0716 , H03K17/0406 , H03K17/08128
摘要： 접합분리기술을 사용하여 IGBT(절연게이트 바이폴라 트랜지스터)와 동일 반도체기판 상에 제어회로를 형성할 때에 발생하는 기생소자에 의한 래치업을 방지하면서, 입력신호의 전송손실을 감소하는 반도체장치를 제공한다. IGBT(Z1)와 동일 반도체기판 상에 IGBT(Z1)를 구동하는 제어회로(B1)가 형성된 반도체장치(10a)는, IGBT(Z1)의 구동신호를 입력하는 입력단자(P1)와, 그 입력단자(P1)에 애노드가 접속되고, 제어회로(B1)의 입력단자(B11)에 캐소드가 접속된 쇼트키 장벽 다이오드(D2)와, 입력단자(P1)에 입력되는 구동신호의 전압이 소정전압 이상으로 되었을 때에 쇼트키 장벽 다이오드(D2)의 양단을 단락하는 p채널 MOSFET(T1)을 갖는다.
반도체장치, 래치업, 보호소자, 트랜지스터, 제어회로, 다이오드, IGBT
摘要翻译：同时防止由通过使用结隔离技术形成在同一半导体基板作为IGBT（绝缘栅双极晶体管）上的控制电路在使用过程中产生的寄生元件的闩锁，并提供了可降低输入信号的传送损失的半导体装置。其中用于驱动IGBT Z1的控制电路B1形成在与IGBT Z1相同的半导体基板上的半导体器件10a包括用于输入IGBT Z1的驱动信号的输入端子P1，和其阳极被连接到终端（P1），阴极连接到所述肖特基到（B1）势垒二极管（D2）的输入端子（B11）的控制电路的电压，输入到输入端的驱动信号（P1）的预定电压沟道MOSFET T1在肖特基势垒二极管D2的两端短路。

9. 发明公开

KR1020040053772A 반도체장치 有权
标题翻译：具有连接到保护电路的P沟道MOSFET的半导体器件
公开(公告)号：KR1020040053772A
公开(公告)日：2004-06-24
申请号：KR1020030078573
申请日：2003-11-07
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 야스다유키오
IPC分类号： H01L29/78
CPC分类号： H01L27/0716 , H03K17/0406 , H03K17/08128
摘要： PURPOSE: A semiconductor device is provided to prevent latch-up due to a parasitic thyristor and to reduce transmission loss of an input signal by using a p-channel MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor). CONSTITUTION: A semiconductor device(10a) includes an insulating gate bipolar transistor(Z1) and a control circuit(B1) for driving the insulating gate bipolar transistor on the same semiconductor substrate. The semiconductor device further includes an input terminal for inputting a driving signal of the insulating gate bipolar transistor, a Schottky barrier diode, and a p-channel MOSFET. An anode of the Schottky barrier diode is connected to the input terminal and a cathode of the Schottky barrier diode is connected to another input terminal(B11) for the control circuit. The p-channel MOSFET(T1) is used for shorting both ends of the Schottky barrier diode when a voltage of the driving signal is more than a predetermined voltage.
摘要翻译：目的：提供半导体器件以防止寄生晶闸管引起的闩锁，并通过使用p沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）来减少输入信号的传输损耗。构成：半导体器件（10a）包括用于驱动同一半导体衬底上的绝缘栅双极晶体管的绝缘栅双极晶体管（Z1）和控制电路（B1）。半导体器件还包括用于输入绝缘栅双极晶体管的驱动信号的输入端子，肖特基势垒二极管和p沟道MOSFET。肖特基势垒二极管的阳极连接到输入端子，肖特基势垒二极管的阴极连接到用于控制电路的另一个输入端子（B11）。当驱动信号的电压大于预定电压时，p沟道MOSFET（T1）用于短路肖特基势垒二极管的两端。

10. 发明授权

KR101794997B1 절연 게이트 드라이버 및 그를 포함하는 전력 소자 구동 시스템 有权
标题翻译：绝缘栅极驱动器和包括其的功率元件驱动系统
公开(公告)号：KR101794997B1
公开(公告)日：2017-11-08
申请号：KR1020160095011
申请日：2016-07-26
申请人： 현대오트론 주식회사
发明人： 이순섭
IPC分类号： H03K17/0412 , H03K17/687 , H02M1/08
CPC分类号： H03K17/08122 , B60L15/20 , H03K17/06 , H03K17/08128 , H03K17/161 , H03K17/166 , H03K17/168 , H03K17/691 , H03K17/04123 , H02M1/08 , H03K17/6872 , H03K2217/0036
摘要： 본발명에따른절연게이트드라이버는마이크로컨트롤러유닛로부터 PWM 신호를수신하여저 전압 PWM 신호를출력하는 PWM 전달부, 및상기마이크로컨트롤러유닛로부터제어신호를입력받아저 전압제어신호를출력하는저 전압로직을포함하는저 전압부; 상기저 전압 PWM 신호및 상기저 전압제어신호를고 전압 PWM 신호및 고전압제어신호로각각승압하는절연부; 및상기고 전압제어신호에따라기울기제어신호를출력하는고 전압로직, 및상기절연게이트드라이버외부의전력소자의게이트에서, 상기고 전압 PWM 신호가상승에지또는하강에지에서상기기울기제어신호에따른기울기를가지도록상기기울기를조절하는기울기제어부를포함하며, 상기절연부에의하여상기저 전압부와절연되는고 전압부를포함할수 있다. 따라서, 종래에외부에연결된저항등의외부소자에의하여수행하던게이트구동전압의기울기제어를절연게이트드라이버내부에서수행하도록할 수있어기존외장소자를내장하여비용이절감될수 있으며, 다양한상황(과전류, 단락등)에따라전력소자의게이트전압기울기를자동으로최적으로선택할수 있다.
摘要翻译：根据本发明的通过从微控制器单元接收的PWM信号接收分离的栅极驱动器输入来自PWM变速部分的控制信号，并且输出所述低电压逻辑的低电压PWM信号的微控制器单元，并且输出一个低电压控制信号低电压部分包括; 绝缘单元，用于分别将低电压PWM信号和低电压控制信号升压为高电压PWM信号和高电压控制信号; 和对应于与所述高的高电压逻辑，并在栅极的外部功率消耗的分离的栅极驱动器的梯度控制信号的梯度，高电压PWM信号上升或基于电压控制信号下降沿到输出一个倾斜控制信号高压部分通过绝缘部分与低压部分绝缘。因此，分离的栅极驱动电压的倾斜控制由所述电阻的外部设备执行等被连接到外部的常规可以是栅极驱动器，以从内执行，并与内置的现有的外部设备，所述各种状态（过电流以较低的成本，短路等），可以自动选择电源的栅极电压斜率。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式