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1. 发明公开

KR1020000065196A 큰 신호 전압용의 집적된 양방향 트랜지스터 스위치 无效
标题翻译：集成的双向晶体管开关用于大信号电压
公开(公告)号：KR1020000065196A
公开(公告)日：2000-11-06
申请号：KR1019980708885
申请日：1998-02-23
申请人： 코닌클리케 필립스 엔.브이.
发明人： 스네프자코부스고베르트
IPC分类号： H03K17/68
CPC分类号： H03K17/68
摘要： 회로의기판에접속된기준단자(RT)에신호단자(ST)를단락시키기위하여제어신호의명령하에베이스전류가공급되는, 직렬로배열된제 1 트랜지스터(T1) 및제 2 트랜지스터(T2)를구비하는대용량신호전압용양방향트랜지스터스위치가기술된다. 트랜지스터스위치가개방될경우, 신호단자(ST)상의신호(U)의대용량네가티브전압진폭은제 1 트랜지스터(T1)과기생트랜지스터(TP)로형성된사이리스터를파이어하게되며, 신호단자와기준단자(RT) 사이에바람직하지않은단락을야기한다. 이러한것은이들조건하에서두 트랜지스터사이의노드(N)가기준단자(RT)에단락되고, 그결과로서사이리스터의루프이득이사이리스터가더 이상파이어되지않게될정도로작게되므로써방지된다. 노드(N)는신호(U)를한계값(UR1)과비교하는비교기(A1)에의해제어되는개별 MOS 트랜지스터또는제 2 트랜지스터(T2)와단락된다.
摘要翻译：具有串联排列的一个第一晶体管（T1）mitje第二晶体管（T2），即控制信号的命令下供给的基极电流，以便短路信号终端（ST）到基准终端（RT），其连接到所述电路板描述了用于大容量信号电压的双向晶体管开关。当晶体管开关打开时，信号端子ST上的信号U的电容的幅度导致由第一晶体管T1和有源晶体管TP形成的晶闸管发射，）。正是这种短路到节点（N），获得了两个晶体管之间的顶终端（RT）在这些条件下，其结果是所述晶闸管的环路增益被防止doemeurosseo小到足以防止晶闸管不再火灾。节点（N）是短路由所述信号（U）到比较器（A1）控制与阈值（UR1）来比较各MOS晶体管或所述第二晶体管（T2）。

2. 发明公开

KR1020130124204A HBT를 이용한 RF 스위치 审中-实审
标题翻译：包含异相双极晶体管的无线电频率开关
公开(公告)号：KR1020130124204A
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：KR1020130049239
申请日：2013-05-02
申请人： 아바고 테크놀로지스 제너럴 아이피 (싱가포르) 피티이 리미티드
发明人： 전문석 , 구찬회 , 이형빈 , 오정민
IPC分类号： H03K17/60 , H03K17/687 , H04B1/44
CPC分类号： H03K17/68
摘要： An RF switch has a first and a second heterojunction bipolar transistors (HBT) controlling the transmission of an input signal between an input terminal and an output terminal. In the embodiment of the present invention, an RF input signal is transmitted from the input terminal to the output terminal if the first and the second HBTs are turned on, and the RF input signal is not transmitted from the input terminal to the output terminal if the first and the second HBTs are turned off. [Reference numerals] (30) HBT 1 bias circuit;(40) HBT 2 bias circuit;(50) Control circuit;(AA) Input terminal;(BB) Output terminal;(CC) Control signal
摘要翻译： RF开关具有控制输入端和输出端之间的输入信号传输的第一和第二异质结双极晶体管（HBT）。在本发明的实施例中，如果第一和第二HBT导通，则RF输入信号从输入端子发送到输出端子，并且RF输入信号不从输入端子发送到输出端子，如果第一个和第二个HBT被关闭。（30）HBT 1偏置电路;（40）HBT 2偏置电路;（50）控制电路;（AA）输入端子;（BB）输出端子;（CC）控制信号

3. 发明公开

KR1020080087877A 스위칭 제어기 失效
标题翻译：开关控制器
公开(公告)号：KR1020080087877A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：KR1020087018666
申请日：2006-12-28
申请人： 썬파워, 인코포레이티드
发明人： 페토레이몬드존
IPC分类号： H03K17/00
CPC分类号： H03K17/6874 , H02M5/293 , H03K17/13 , H03K17/68
摘要： A circuit is provided for providing a drive signal. The circuit comprises a live input and a neutral input, an output for providing a drive signal, a master logic gate. The first output is connected to the master logic gate output. A dc signal is connected to the input of the master logic gate so that the output of the master logic gate changes when the state of the input changes. A shunt is connected to the live input and is capable of being switched into and out of the circuit in response to the live input voltage changing from positive to negative with respect to the neutral input voltage and vice versa. The shunt is also arranged to provide a short circuit for the dc signal to bypass the input of the master logic gate.
摘要翻译：提供用于提供驱动信号的电路。电路包括有源输入和中性输入，用于提供驱动信号的输出，主逻辑门。第一个输出连接到主逻辑门输出。直流信号连接到主逻辑门的输入，使得当输入状态变化时，主逻辑门的输出变化。分流器连接到有源输入端，并且能够响应于有效输入电压相对于中性输入电压从正变化到负值而能够切换到电路中和从电路输出，反之亦然。分流器还被布置成为直流信号提供短路以绕过主逻辑门的输入。

4. 发明公开

KR1020150060256A 게이트 구동 장치 및 이를 갖는 인버터 审中-实审
标题翻译：门驱动装置和具有它的逆变器
公开(公告)号：KR1020150060256A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：KR1020130144468
申请日：2013-11-26
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 조원진
IPC分类号： H02M1/08 , H02M7/48 , H02M7/44 , H02M7/42
CPC分类号： H03K17/68 , H02M7/5387
摘要： 본발명은게이트구동장치및 이를갖는인버터에관한것으로, 본발명의일 구현예에따른상기게이트구동장치는, 하이사이드(High Side) 스위치및 로우사이드(Low Side) 스위치를각각구비하는복수의인버터암(Arm), 상기복수의인버터암의스위칭을제어하는제어신호를출력하는다채널게이트구동기및 상기제어신호를수신하여상기하이사이드스위치로출력하는복수의게이트구동기를구비하는게이트구동부및 상기다채널게이트구동기와상기복수의게이트구동기사이의전압균형유지하는밸런싱부를포함한다.
摘要翻译：门驱动装置及其逆变器技术领域本发明涉及栅极驱动装置及具有该栅极驱动装置的反相器。根据本发明的实施例的门驱动装置包括：分别具有高侧开关和低侧开关的多个臂; 具有多通道栅极驱动器的栅极驱动单元，其输出控制逆变器臂的开关的控制信号和接收控制信号的多个栅极驱动器，并将其输出到高侧开关; 以及在多通道栅极驱动器和栅极驱动器之间维持电压平衡的平衡单元。

5. 发明公开

KR1020140040103A 가변 리액턴스 회로에 BJT 스위치들을 사용한 임피던스 매칭 네트워크 有权
标题翻译：使用可变电阻电路中的BJT开关的阻抗匹配网络
公开(公告)号：KR1020140040103A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：KR1020137020864
申请日：2012-01-12
申请人： 어드밴스드 에너지 인더스트리즈 인코포레이티드
发明人： 반질,기데온 , 그로브제나디지.
IPC分类号： H03H7/40 , H03H11/30 , H05H1/46
CPC分类号： H03H11/30 , H01J37/32183 , H03H5/12 , H03H7/38 , H03K17/16 , H03K17/60 , H03K17/68 , H05H1/46 , H05H2001/4682
摘要： 본 발명은, 반도체 처리 챔버에 있어서 무선 주파수 발생기로부터 플라즈마 부하로 전송되는 무선 주파수 파워를 임피던스 매칭시키기 위한 시스템, 방법 및 장치를 기술한다. 매칭 네트워크는 가변 리액턴스 회로를 포함한다. 임피던스 매칭은 가변 리액턴스 회로를 갖는 매칭 네트워크를 통해 행해진다. 가변 리액턴스 회로는 모두 제1 단자에 연결되고 스위치를 통해 제2 단자에 선택적으로 쇼트되는 하나 이상의 리액티브 요소들을 포함할 수 있다. 스위치는 바이어스 회로를 통해 제어되는 바이폴라 정션 트랜지스터(BJT) 또는 절연 게이트형 바이폴라 트랜지스터(IGBT)를 포함할 수 있다. 온 상태에서, BJT 베이스-에미터 접합은 순방향 바이어스되고, AC는 콜렉터와 베이스 사이에 도통된다. 이에 따라, AC는 일차적으로 콜렉터로부터 에미터가 아닌 콜렉터로부터 베이스로 BJT를 통과한다. 또한, 전압들이 변경된 토폴로지에 있어서 BJT들을 과부하시키지 않도록 진공 가변 커패시터들과 함께 사용되는 고전적인 매칭 네트워크 토폴로지는 변경될 수 있다.

6. 发明授权

KR101619871B1 가변 리액턴스 회로에 BJT 스위치들을 사용한 임피던스 매칭 네트워크 有权
标题翻译：使用可变电阻电路中的BJT开关的BJT阻抗匹配网络
公开(公告)号：KR101619871B1
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：KR1020137020864
申请日：2012-01-12
申请人： 어드밴스드 에너지 인더스트리즈 인코포레이티드
发明人： 반질,기데온 , 그로브제나디지.
IPC分类号： H03H7/40 , H03H11/30 , H05H1/46
CPC分类号： H03H11/30 , H01J37/32183 , H03H5/12 , H03H7/38 , H03K17/16 , H03K17/60 , H03K17/68 , H05H1/46 , H05H2001/4682
摘要： 본발명은, 반도체처리챔버에있어서무선주파수발생기로부터플라즈마부하로전송되는무선주파수파워를임피던스매칭시키기위한시스템, 방법및 장치를기술한다. 매칭네트워크는가변리액턴스회로를포함한다. 임피던스매칭은가변리액턴스회로를갖는매칭네트워크를통해행해진다. 가변리액턴스회로는모두제1 단자에연결되고스위치를통해제2 단자에선택적으로쇼트되는하나이상의리액티브요소들을포함할수 있다. 스위치는바이어스회로를통해제어되는바이폴라정션트랜지스터(BJT) 또는절연게이트형바이폴라트랜지스터(IGBT)를포함할수 있다. 온상태에서, BJT 베이스-에미터접합은순방향바이어스되고, AC는콜렉터와베이스사이에도통된다. 이에따라, AC는일차적으로콜렉터로부터에미터가아닌콜렉터로부터베이스로 BJT를통과한다. 또한, 전압들이변경된토폴로지에있어서 BJT들을과부하시키지않도록진공가변커패시터들과함께사용되는고전적인매칭네트워크토폴로지는변경될수 있다.

7. 发明公开

KR1020150048157A 3단자 PIN 다이오드 审中-实审
标题翻译：三端子二极管
公开(公告)号：KR1020150048157A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：KR1020157006522
申请日：2013-08-27
申请人： 어드밴스드 에너지 인더스트리즈 인코포레이티드
发明人： 반질,기데온 , 그로브게나디지.
IPC分类号： H01L29/66 , H01L29/737 , H01L29/08 , H01L29/36 , H01L29/73 , H01L29/868
CPC分类号： H01L29/737 , H01L29/0821 , H01L29/36 , H01L29/66234 , H01L29/73 , H03K17/68
摘要： 본발명은, 콜렉터, 에미터, 베이스및 콜렉터와베이스간의진성영역을포함하는스위치를기술한다. 상기진성영역은스위치의효율을증대시키고손실을감소시킨다. 상기콜렉터, 베이스, 에미터는각각각각의단자를갖고, 베이스단자를통하는전류의 AC 성분은에미터단자를통하는전류의 AC 성분보다크다. 또한, 온상태에서, 베이스와콜렉터단자들간의제1 교류전류는콜렉터와에미터단자들간의제2 교류전류보다크다. 요컨대, AC는일차적으로베이스와에미터사이의 DC 전류에의해제어되어콜렉터와베이스사이에흐른다.

8. 发明授权

KR101363468B1 스위칭 제어기 失效
标题翻译：开关控制器
公开(公告)号：KR101363468B1
公开(公告)日：2014-02-14
申请号：KR1020087018666
申请日：2006-12-28
申请人： 썬파워, 인코포레이티드
发明人： 페토레이몬드존
IPC分类号： H03K17/00
CPC分类号： H03K17/6874 , H02M5/293 , H03K17/13 , H03K17/68
摘要： 구동 신호를 제공하기 위한 회로(10)가 제공된다. 그 회로는 라이브 입력부(16) 및 중성 입력부(16), 구동 신호를 제공하기 위한 출력부(12A, 126), 마스터 로직 게이트를 포함한다. 제1 출력부(126)는 마스터 로직 게이트 출력부(18b)에 연결된다. 직류 신호는 마스터 로직 게이트(18A)의 입력부에 연결되어서 마스터 로직 게이트의 출력이 그 입력의 상태가 변화할 때 변화한다. 분로(Q2)는 그 라이브 입력부에 연결되고 중성 입력 전압에 대하여 양에서부터 음으로 그리고 반대로 변화하는 라이브 입력 전압에 응하여 그 회로의 안과 밖으로 스위치될 수 있다. 또한 그 분로는 그 직류 신호가 그 마스터 로직 게이트의 입력부를 바이패스하기 위한 단락 회로를 제공하도록 구성된다.

9. 实用新型

KR2019910001937Y1 아날로그 스위치회로 失效
标题翻译：模拟开关电路
公开(公告)号：KR2019910001937Y1
公开(公告)日：1991-03-30
申请号：KR2019880007361
申请日：1988-05-18
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 고영산
IPC分类号： H03K17/00
CPC分类号： H03K17/68 , H03K17/005 , H03K17/14 , H03K17/16 , H03K17/62
摘要： 내용 없음.

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