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1. 发明授权

KR101916554B1 고주파 필터 有权
公开(公告)号：KR101916554B1
公开(公告)日：2018-11-07
申请号：KR1020167016578
申请日：2014-12-26
申请人： 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
发明人： 타니,마사카즈
IPC分类号： H03H9/60 , H03H9/64 , H03H9/54
CPC分类号： H03H7/0153 , H03H9/542 , H03H9/568 , H03H9/605 , H03H9/6403 , H03H9/6483 , H03H2210/025
摘要： 고주파필터(10)는제1 입출력단자(P1), 제2 입출력단자(P2), 주파수가변형필터(20) 및주파수고정형필터(30)를구비한다. 주파수가변형필터(20)와주파수고정형필터(30)는제1 입출력단자(P1)와제2 입출력단자(P2) 사이에, 직렬로접속되어결합하고있다. 주파수가변형필터(20)는통과영역과감쇠영역을변화시킬수 있는필터이다. 주파수고정형필터(30)는통과영역과감쇠영역이고정된필터이다. 주파수고정형필터(30)의통과영역은주파수고정형필터(30)가실현하는복수의통과영역과적어도일부가겹치도록설정되어있다.

2. 发明公开

KR1020160087895A 고주파 필터 审中-实审
标题翻译：高频滤波器
公开(公告)号：KR1020160087895A
公开(公告)日：2016-07-22
申请号：KR1020167016578
申请日：2014-12-26
申请人： 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
发明人： 타니,마사카즈
IPC分类号： H03H9/60 , H03H9/64 , H03H9/54
CPC分类号： H03H9/542 , H03H9/568 , H03H9/605 , H03H9/6403 , H03H9/6483 , H03H2210/025
摘要： 고주파필터(10)는제1 입출력단자(P1), 제2 입출력단자(P2), 주파수가변형필터(20) 및주파수고정형필터(30)를구비한다. 주파수가변형필터(20)와주파수고정형필터(30)는제1 입출력단자(P1)와제2 입출력단자(P2) 사이에, 직렬로접속되어결합하고있다. 주파수가변형필터(20)는통과영역과감쇠영역을변화시킬수 있는필터이다. 주파수고정형필터(30)는통과영역과감쇠영역이고정된필터이다. 주파수고정형필터(30)의통과영역은주파수고정형필터(30)가실현하는복수의통과영역과적어도일부가겹치도록설정되어있다.

3. 发明公开

KR1020160068298A 벌크 탄성파 필터 审中-实审
标题翻译：大容量声波滤波器
公开(公告)号：KR1020160068298A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：KR1020140173808
申请日：2014-12-05
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 신제식 , 이문철 , 김철수
IPC分类号： H03H9/64 , H03H9/25
CPC分类号： H03H9/605 , H03H9/173 , H03H9/58 , H03H9/64 , H03H9/25 , H03H9/6403
摘要： 본발명의일 실시예는벌크탄성파필터에관한것으로서, 신호송수신을위한신호포트와안테나포트에접속된노드와의사이에연결된벌크탄성파공진기(bulk acoustic resonator)를포함하는제1공진기부; 및신호포트와접지와의사이에연결된벌크탄성파공진기를포함하는제2공진기부; 를포함하고, 제1공진기부에포함된벌크탄성파공진기의 QF(quality Factor)값은제2공진기부에포함된벌크탄성파공진기의 QF값보다작음으로써, 출력에발생하는리플을줄이고대역폭을넓힐수 있다.
摘要翻译：本发明的实施例涉及一种体积弹性波滤波器。本体弹性波滤波器包括：第一谐振单元，包括连接在用于发送和接收信号的信号端口与连接到天线端口的节点之间的体声波谐振器; 以及第二谐振单元，包括连接到信号端口和地的体声波谐振器，并且包括在第一谐振单元中的体声波谐振器的质量因子（QF）值小于包括在第一谐振单元中的体声波谐振器的QF 第二谐振单元。因此，可以减少输出中产生的波纹，并且可以扩大滤波器的带宽。

4. 发明授权

KR101616941B1 체적 탄성파 공진기를 이용한 위상 천이 장치 有权
标题翻译：使用大容量声波谐振器的相位切换器
公开(公告)号：KR101616941B1
公开(公告)日：2016-04-29
申请号：KR1020090083818
申请日：2009-09-07
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 신제식 , 안달 , 김덕환 , 송인상 , 김철수 , 박윤권 , 김형락
IPC分类号： H03H9/66 , H03H9/17 , H03H9/15
CPC分类号： H03H9/36 , H03H9/542 , H03H9/605 , H03H9/66
摘要： 체적탄성파공진기를이용한위상천이장치를개시한다. 체적탄성파공진기를이용한위상천이장치는체적탄성파공진기의주파수에대한위상변화특성을이용하고, 하나이상의인덕터, 하나이상의커패시터등을함께이용하여위상천이장치를구성할수 있다.

5. 发明公开

KR1020120061466A ＢＡＷＲ을 이용한 저역 통과 필터 有权
标题翻译：低通滤波器使用大容量声波谐波器
公开(公告)号：KR1020120061466A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：KR1020100122794
申请日：2010-12-03
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김철수 , 김준철 , 송인상 , 김영일 , 김덕환 , 손상욱 , 신제식 , 김형락
IPC分类号： H03H9/64 , H03H9/205
CPC分类号： H03H9/542 , H03H9/568 , H03H9/605
摘要： PURPOSE: A low pass filter using a BAWR(Bulk Acoustic Wave Resonator) is provided to reduce the size of a low-pass filter by using a BAWR of a serial segment having different resonant frequencies. CONSTITUTION: An input terminal(210) is connected to a first RF(Radio Frequency) device. An output terminal(220) is connected to a second RF device. The output terminal transfers a signal filtered by a low-pass filter through a parallel segment(230), a first serial segment(240), and a second serial segment(250) to the second RF device. The parallel segment is parallely connected between the input terminal and the output terminal. The parallel segment includes a first BAWR(231), a third BAWR(233), and a fifth BAWR(235). The first serial segment is serially connected between the input terminal and the output terminal. The second serial segment is serially connected between the input terminal and the output terminal.
摘要翻译：目的：提供使用BAWR（体声波谐振器）的低通滤波器，通过使用具有不同谐振频率的串行片段的BAWR来减小低通滤波器的尺寸。构成：输入端子（210）连接到第一RF（射频）装置。输出端子（220）连接到第二RF装置。输出端子将由低通滤波器滤波的信号通过并行段（230），第一串行段（240）和第二串行段（250）传送到第二RF设备。并联段并联连接在输入端和输出端之间。并行段包括第一BAWR（231），第三BAWR（233）和第五BAWR（235）。第一串行段串联连接在输入端和输出端之间。第二串行段串联连接在输入端和输出端之间。

6. 发明授权

KR100951482B1 대역 차단 필터 有权
标题翻译：带拒绝滤波器
公开(公告)号：KR100951482B1
公开(公告)日：2010-04-07
申请号：KR1020047012288
申请日：2003-01-30
申请人： 노오텔 네트웍스 리미티드
发明人： 베아우덴,스티브에이 , 시찰리운,섬삭 , 지안,천운
IPC分类号： H03H9/64
CPC分类号： H03H9/6476 , H03H9/547 , H03H9/605 , H03H9/6409 , H03H9/6463 , H03H9/6483
摘要： 표면 어쿠스틱파(SAW) 장치 및 박막 벌크 어쿠스틱 공진기(FBAR) 등의 어쿠스틱 공진기가 대역 차단 필터를 생성하도록 구성될 수 있다. 이러한 필터는 종래의 대역 통과 구성의 삽입 손실과 전력 조절 제한을 극복하며, 이에 따라 전력 증폭기와 듀플렉서 애플리케이션에서 사용될 수 있다.
대역 차단 필터, 삽입 손실, 전력 조절, 표면 어쿠스틱파, 박막 벌크 어쿠스틱 공진기

7. 发明公开

KR1020100010911A 탄성파 디바이스 有权
标题翻译：声波设备
公开(公告)号：KR1020100010911A
公开(公告)日：2010-02-02
申请号：KR1020090066704
申请日：2009-07-22
申请人： 다이요 유덴 가부시키가이샤
发明人： 하라모또아끼 , 니시하라도끼히로 , 다니구찌신지 , 사까시따다께시 , 요꼬야마쯔요시 , 이와끼마사후미 , 우에다마사노리
IPC分类号： H03H9/25 , H03H3/08 , H03H9/64
CPC分类号： H03H9/205 , H03H3/02 , H03H9/173 , H03H9/568 , H03H9/587 , H03H9/605 , H03H2003/021 , Y10T29/42 , Y10T29/49005
摘要： PURPOSE: An acoustic wave device is provided to use a space efficiently by forming a plurality of piezoelectric membrane resonators sharing one air gap. CONSTITUTION: A sacrificial layer(3) is formed on a substrate(1). A bottom electrode(2) is laminated over the sacrificial layer. A piezoelectric membrane(4) is formed over the substrate in order to cover the sacrificial layer and bottom electrode. Two top electrodes are faced with each other between piezoelectric membranes. One membrane area is suitable for one FBAR. Two membrane areas are formed on the sacrificial layer. A cavity is formed by eliminating the sacrificial layer. Two FBARs are formed in one cavity.
摘要翻译：目的：提供一种声波装置，通过形成共享一个气隙的多个压电膜谐振器来有效地使用空间。构成：在衬底（1）上形成牺牲层（3）。底部电极（2）层叠在牺牲层上。为了覆盖牺牲层和底部电极，在衬底上形成压电膜（4）。两个顶部电极在压电膜之间彼此面对。一个膜面积适用于一个FBAR。在牺牲层上形成两个膜区。通过消除牺牲层形成空腔。两个FBAR形成在一个空腔中。

8. 发明授权

KR100865837B1 필터 有权
标题翻译：过滤
公开(公告)号：KR100865837B1
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：KR1020070052712
申请日：2007-05-30
申请人： 후지쓰 메디아 데바이스 가부시키가이샤 , 후지쯔 가부시끼가이샤
发明人： 다니구찌신지 , 요꼬야마쯔요시 , 하라모또아끼 , 사까시따다께시 , 쯔쯔미준 , 이와끼마사후미 , 니시하라도끼히로 , 우에다마사노리 , 에하라히사노리
IPC分类号： H03H9/54
CPC分类号： H03H9/605 , H03H3/02 , H03H9/02118 , H03H9/02141 , H03H9/132 , H03H9/173 , H03H9/174 , H03H2003/021
摘要： 저손실이며, ESD 파괴에 대한 내성이 높은 필터를 제공한다. 본 발명은, 기판과, 기판 위에 설치된 하부 전극과, 하부 전극 위에 형성된 압전막과, 압전막을 사이에 두고 상기 하부 전극과 대향하는 부분을 갖도록 압전막 위에 설치된 상부 전극을 갖는 복수의 압전 박막 공진기를 구비하고, 복수의 압전 박막 공진기 중 일부(S11, S14, P11, P14)는, 압전막의 외주의 적어도 일부가 상부 전극과 하부 전극이 대향하는 영역의 외주보다 외측에 위치하는 제1 공진기(41)이며, 복수의 압전 박막 공진기 중 다른 일부(S12, S13, P12, P13)는, 압전막의 외주의 적어도 일부가 상부 전극과 하부 전극이 대향하는 영역의 외주와 대략 일치 또는 내측에 위치하는 제2 공진기(42)인 것을 특징으로 하는 필터이다.
압전 박막 공진기, 압전막, 필터, 기판, 하부 전극, 상부 전극

9. 发明授权

KR100857966B1 압전 박막 공진기 및 필터 有权
标题翻译：压电薄膜谐振器和滤波器
公开(公告)号：KR100857966B1
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：KR1020070040985
申请日：2007-04-26
申请人： 후지쓰 메디아 데바이스 가부시키가이샤 , 후지쯔 가부시끼가이샤
发明人： 이와끼마사후미 , 쯔쯔미준 , 니시하라도끼히로 , 요꼬야마쯔요시 , 사까시따다께시 , 다니구찌신지 , 우에다마사노리 , 엔도고
IPC分类号： H03H9/54
CPC分类号： H03H9/174 , H03H3/04 , H03H9/02118 , H03H9/13 , H03H9/132 , H03H9/605
摘要： 탄성파의 가로 방향 누설을 억제하여, 저손실화하는 것이 가능한 압전 박막 공진자 및 필터를 제공하는 것을 과제로 한다. 본 발명은, 기판(10)과, 기판 상에 형성된 하부 전극(12)과, 하부 전극 상에 형성된 압전막(14)과, 압전막을 사이에 두고 하부 전극과 대향하는 부분(22)을 갖도록 압전막 상에 형성된 상부 전극(16)을 구비하고, 대향하는 부분에서의 압전막의 외주의 적어도 일부는, 상부 전극과 하부 전극이 대향하는 영역(R)의 외주로부터 내측에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 압전 박막 공진자 및 필터이다.
탄성파, 가로 방향 누석, 압전 박막 공진자, 필터, 상부 전극, 하부 전극

10. 发明公开

KR1020070106430A 압전 박막 공진기 및 필터 有权
标题翻译：压电薄膜谐振器和滤波器
公开(公告)号：KR1020070106430A
公开(公告)日：2007-11-01
申请号：KR1020070040985
申请日：2007-04-26
申请人： 후지쓰 메디아 데바이스 가부시키가이샤 , 후지쯔 가부시끼가이샤
发明人： 이와끼마사후미 , 쯔쯔미준 , 니시하라도끼히로 , 요꼬야마쯔요시 , 사까시따다께시 , 다니구찌신지 , 우에다마사노리 , 엔도고
IPC分类号： H03H9/54
CPC分类号： H03H9/174 , H03H3/04 , H03H9/02118 , H03H9/13 , H03H9/132 , H03H9/605
摘要： A piezoelectric thin-film resonator and a filter are provided to restrain the transverse leakage of an elastic wave by reducing vibration of a lower electrode by vibrating an upper electrode after the elastic wave is reflected at the end face of a piezoelectric film. A piezoelectric thin-film resonator is composed of a substrate(10); a lower electrode(12) formed on the substrate; a piezoelectric film(14) formed on the lower electrode; and an upper electrode(16) formed on the piezoelectric film. The upper electrode has a part(22) facing the lower electrode about the piezoelectric film. At least a portion of the outer periphery of the piezoelectric film in the facing part is formed inward from the outer periphery of a region(R) where the upper and lower electrodes face each other.
摘要翻译：提供了一种压电薄膜谐振器和滤波器，用于通过在弹性波在压电薄膜的端面反射之后使上电极振动来减小下电极的振动，来抑制弹性波的横向泄漏。压电薄膜谐振器由衬底（10）组成; 形成在所述基板上的下电极（12）形成在所述下电极上的压电膜（14）和形成在压电膜上的上电极（16）。上电极具有围绕压电膜面向下电极的部分（22）。面对部分中的压电膜的外周的至少一部分从上电极和下电极彼此面对的区域（R）的外周形成为内侧。

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