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热词
    • 2. 发明授权
    • 탄성 표면파 디바이스
    • 表面声波器件
    • KR100729694B1
    • 2007-06-18
    • KR1020040027725
    • 2004-04-22
    • 후지쓰 메디아 데바이스 가부시키가이샤후지쯔 가부시끼가이샤
    • 우에다마사노리가와찌오사무이노우에쇼고쯔쯔미준마쯔다다까시사또요시오
    • H03H9/64
    • H03H9/6436H03H9/14538H03H9/25H03H9/6433H03H9/6489
    • 가로 방향의 에너지 제한을 효율적으로 행하는 것을 가능하게 하여, 삽입 손실 및 바람직한 필터의 각형 특성을 갖는 탄성 표면파 디바이스를 제공한다. 압전 단결정 기판 위에 형성된 한 쌍의 반사 전극과, 상기 한 쌍의 반사 전극 사이에 형성된 적어도 1조의 빗형 전극을 갖고, 상기 1조의 빗형 전극 각각은, 복수의 전극 핑거와, 상기 복수의 전극 핑거를 공통으로 접속하는 버스바를 갖고 구성되고, 상기 각각의 빗형 전극의 전극 핑거가 상호 끼워넣어진 상태로 되고, 상기 버스바의 일부 영역이, 상기 복수의 전극 핑거의 두께보다도 후막화되고, 또한 상기 복수의 전극 핑거의 선단부로부터 대향하는 상기 버스바의 단부면까지의 거리가 0.2λ(단, λ는 상기 빗형 전극의 1주기) 이하인 선단 갭 길이를 갖고 있다. 또한, 상기 버스바의 일부 영역이, 상기 복수의 전극 핑거의 두께보다도 후막화되어 있다.
      선단 갭, 버스바, 빗형 전극, 탄성 표면파 디바이스, 후막화, 압전 단결정 기판, 전극 핑거
    • 本发明通过使得可以有效地执行横向能量限制而提供具有优选滤波器的插入损耗和矩形性特性的表面声波装置。 在压电单晶基板上形成的一对反射电极和在一对反射电极之间形成的至少一对梳形电极,每对梳形电极包括多个电极指, 并且叉指式换能器的电极指相互交叉,使得汇流条的一部分比多个电极指的厚度厚, 并且从电极指的末端到汇流条的相对端面的距离是0.2λ(其中λ是叉指电极的一个周期)。 另外,汇流条的一部分比多个电极指厚。
    • 9. 发明公开
    • 분파기 및 전자 장치
    • 使用表面声波滤波器对双极性电气特性进行稳定和电子设备
    • KR1020040094352A
    • 2004-11-09
    • KR1020040030085
    • 2004-04-29
    • 후지쓰 메디아 데바이스 가부시키가이샤후지쯔 가부시끼가이샤
    • 이와모또야스히데이노우에쇼고쯔쯔미준
    • H03H9/72
    • H04B1/52H01L24/32H01L2224/32225H01L2224/48091H01L2224/48227H01L2224/49171H01L2224/73265H01L2924/15153H01L2924/30111H01L2924/00014H01L2924/00
    • PURPOSE: A duplexer using surface acoustic wave filters to stabilize electrical characteristics and an electronic device equipped with the same are provided to increase a phase rotation angle and improve insertion loss by forming phase matching line patterns on plural layers. CONSTITUTION: A duplexer includes two surface acoustic wave filters having different center frequencies, a phase matching circuit, a package, and a line pattern(32). The phase matching circuit is used for matching phases of the surface acoustic wave filters. The surface acoustic wave filters and the phase matching circuit are housed in the package. The package is composed of multiple layers. The line pattern is provided between at least one of the surface acoustic wave filters and at least one of a transmitting terminal and a receiving terminal of the duplexer. The line pattern is formed on at least two of the multiple layers within a range defined by peripheral ground patterns.
    • 目的:提供一种使用表面声波滤波器来稳定电气特性的双工器以​​及配备其的电子设备,以通过在多层上形成相位匹配线图案来提高相位旋转角度并提高插入损耗。 构成:双工器包括具有不同中心频率的两个表面声波滤波器,相位匹配电路,封装和线路图案(32)。 相位匹配电路用于匹配声表面波滤波器的相位。 表面声波滤波器和相位匹配电路容纳在封装中。 包装由多层组成。 线路图形被提供在至少一个表面声波滤波器和双工器的发送终端和接收终端中的至少一个之间。 在由周边地面图案限定的范围内的多个层中的至少两个上形成线图案。
    • 10. 发明公开
    • 탄성 표면파 필터, 및 그것을 갖는 탄성 표면파 분파기
    • 具有改进形状因子和表面声波复用器的滤波器通过特性的表面声波滤波器
    • KR1020040028583A
    • 2004-04-03
    • KR1020030067368
    • 2003-09-29
    • 후지쓰 메디아 데바이스 가부시키가이샤후지쯔 가부시끼가이샤
    • 쯔쯔미준이노우에쇼고마쯔다다까시우에다마사노리
    • H03H9/64
    • H03H9/725H03H9/6483
    • PURPOSE: A surface acoustic wave filter having a filter pass characteristic with an improved shape factor and a surface acoustic wave duplexer having the same are provided to maintain an attenuation rate at -40 dB or higher in a reception band by improving a shape factor on a high-frequency side. CONSTITUTION: A surface acoustic wave filter includes a piezoelectric substrate, a plurality of series-arm resonators and a plurality of parallel-arm resonators. The series-arm resonators(S1-S4) and the parallel-arm resonators(P1,P2) are connected in a ladder-like structure on the piezoelectric substrate(10). Each series-arm resonator and each parallel-arm resonator have an interdigital transducer(11). At least one of the series-arm resonators has different static capacitance from the other series-arm resonators. At least one of the remaining series-arm resonators except the first stage in the ladder-like structure has a lower average resonant frequency than the other series-arm resonators.
    • 目的:提供一种具有改进形状因子的滤波器通过特性和具有其的表面声波双工器的表面声波滤波器,以通过改善接收频带中的形状因子来将接收频带中的衰减率保持在-40dB或更高 高频侧。 构成:表面声波滤波器包括压电基板,多个串联臂谐振器和多个并联臂谐振器。 串联臂谐振器(S1-S4)和并联臂谐振器(P1,P2)在压电基板(10)上以阶梯状结构连接。 每个串联臂谐振器和每个并联臂谐振器具有叉指式换能器(11)。 串联臂谐振器中的至少一个与其他串联臂谐振器具有不同的静态电容。 除梯形结构中的第一级之外的剩余的串联臂谐振器中的至少一个具有比其他串联臂谐振器更低的平均谐振频率。