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1. 发明授权

KR100817849B1 일단자쌍 탄성 표면파 공진자 및 이를 이용한 탄성 표면파 필터 有权
标题翻译：弹性表面波共振器和弹性表面波滤波器
公开(公告)号：KR100817849B1
公开(公告)日：2008-03-31
申请号：KR1020067013607
申请日：2005-01-06
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 이가키,츠토므 , 니시무라,카즈노리 , 이케다,카즈오 , 마츠나미,켄
IPC分类号： H03H9/145 , H03H9/64
CPC分类号： H03H9/14544 , H03H9/14582 , H03H9/6483
摘要： 압전 기판(11)과, 압전 기판(11)의 표면에 설치한 다수 개의 전극 핑거(12)로 구성되는 IDT(13)와, 이 IDT(13)의 양단부에 근접하여 설치한 반사기(14)를 구비하고, 상기 IDT(13)는 양단부의 다수의 전극 핑거(12)의 전극 핑거 피치를, 이 IDT(13)의 중앙 부근의 전극 핑거 피치와 다르게 한 그라데이션 영역을 가지고, 이 그라데이션 영역의 전극 핑거 피치는 그라데이션 영역의 일방에 위치하는 최단부의 전극 핑거로부터 그라데이션 영역의 타단부의 전극 핑거에 걸쳐 전극 핑거 피치를 순차 변화시킴과 동시에, 그라데이션 영역의 일방에 위치하는 최단부의 전극 핑거의 전극 핑거 피치를 상기 IDT(13)의 중앙 부근의 전극 핑거 피치보다 1 ~ 5% 작게 한 구성으로 이루어진다.
탄성 표면파 공진자, 전극 핑거, 그라데이션

2. 发明公开

KR1020060096100A 일단자쌍 탄성 표면파 공진자 및 이를 이용한 탄성 표면파 필터 有权
标题翻译：弹性表面波共振器和弹性表面波滤波器
公开(公告)号：KR1020060096100A
公开(公告)日：2006-09-05
申请号：KR1020067013607
申请日：2005-01-06
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 이가키,츠토므 , 니시무라,카즈노리 , 이케다,카즈오 , 마츠나미,켄
IPC分类号： H03H9/145 , H03H9/64
CPC分类号： H03H9/14544 , H03H9/14582 , H03H9/6483
摘要： An elastic surface wave resonator includes a piezoelectric substrate (11), an IDT (13) formed by a plurality of electrode fingers (12) arranged on the surface of the piezoelectric substrate (11), and a reflector (14) arranged in the vicinity of both ends of the IDT (13). The IDT has a gradation region where the electrode finger pitch of the electrode fingers (12) at both ends of the IDT (13) is different from the electrode finger pitch around the center of the IDT (13). The electrode finger pitch in the gradation region successively changes the electrode finger pitch from the electrode finger at one end of the gradation region toward the electrode finger at the other end of the gradation region. The electrode finger pitch of the electrode finger at the one end of the gradation region is set smaller than the electrode finger pitch around the center portion of the IDT (13) by 1 to 5%.
摘要翻译：弹性表面波谐振器包括压电基片（11），由设置在压电基片（11）表面上的多个电极指（12）形成的IDT（13）和布置在其附近的反射器（14）的IDT（13）的两端。 IDT具有在IDT（13）的两端的电极指（12）的电极指间隔与IDT（13）的中心周围的电极指间隔不同的灰度区域。灰度区域中的电极指间隔在灰度区域的另一端将电极指的电极指间隔从灰度区域的一端向电极指连续变化。将灰度区域一端的电极指的电极指间距设定为比IDT（13）的中心部分周围的电极指间隔小1〜5％。

3. 发明公开

KR1020170128505A 탄성파 장치 审中-实审
标题翻译：地震波装置
公开(公告)号：KR1020170128505A
公开(公告)日：2017-11-22
申请号：KR1020177029552
申请日：2016-06-15
申请人： 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
发明人： 타카이츠토무 , 타나카아츠시 , 카이세이지
IPC分类号： H03H9/25 , H03H9/145
CPC分类号： H03H9/25 , H01L41/0477 , H03H9/02559 , H03H9/02574 , H03H9/0595 , H03H9/14544 , H03H9/6483
摘要： 두께가얇은압전박막, 저음속막및 고음속부재가적층되어있는구조를가지는탄성파장치에서, 특성의편차가적은탄성파장치를제공한다. 저음속막(3) 상에압전박막(4)이마련되어있고, 압전박막(4) 상에 IDT 전극(5)이마련되어있으며, 압전박막(4)이, 압전단결정으로이루어지고, 분극축방향에서의플러스의면인제1 주면(4a)과, 분극축방향에서의마이너스의면인제2 주면(4b)을가지며, 압전박막(4)의저음속막(3) 측의주면이제1 주면(4a)이고, IDT 전극(5) 측의주면이제2 주면(4b)인, 탄성파장치(1).
摘要翻译：在该声波器件具有一种结构，其中一个厚度薄的层叠压电薄膜，低音和高音在sokmak构件的，提供了在特征声波装置的小的变化。在低sokmak提供了一种压电薄膜4（3）和，IDT电极（5）上的压电薄膜（4）和设置，压电薄膜4是由压电单晶构成，分极轴方向eseoui加 uimyeon在西班牙和第一主表面（4a）和一个极轴方向eseoui分钟具有第二主表面的在西班牙的负侧（4b）中，压电薄膜4的主表面是一侧的低sokmak 3现在第一主表面（4a）中，IDT电极的声波器件（1）（5）主表面现在是第二主表面（4b）上的一面。

4. 发明公开

KR1020170007439A 탄성파 장치 审中-实审
标题翻译：弹性波装置
公开(公告)号：KR1020170007439A
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：KR1020167035308
申请日：2015-06-15
申请人： 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
发明人： 미무라마사카즈
IPC分类号： H03H9/145 , H03H9/10
CPC分类号： H03H9/14544 , H03H9/02858 , H03H9/17 , H03H9/25
摘要： 피스톤모드를이용하고있어, 소형화를도모할수 있는탄성파장치를제공한다. 탄성파장치(1)에서는, IDT 전극(3)의교차영역에서, IDT 중앙부(3A)의양측에저음속부(3B1, 3B2)가마련되어있고, 저음속부(3B1, 3B2)의전극지방향외측에고음속부(3C1, 3C2)가마련되어있다. 그에따라피스톤모드를이용하는것이가능하게되어있다. 고음속부(3C1, 3C2)의탄성파전파방향단부에서의폭이, 고음속부(3C1, 3C2)의 IDT 전극(3)의탄성파전파방향중앙에서의폭보다도상대적으로좁게되어있다.
摘要翻译：在弹性波装置中，在IDT电极的交叉区域中的IDT中心部分的两侧设置有低声速部，在电极指方向上设置有高声速部分的低声速部分的外侧。因此，能够利用活塞模式。 IDT电极的弹性波传播方向的端部的高声速部的宽度比IDT电极的弹性波传播方向中心的高声速部的宽度小。

5. 发明授权

KR101688361B1 미소 음향 소자 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：微生物组分及其生产方法
公开(公告)号：KR101688361B1
公开(公告)日：2016-12-20
申请号：KR1020157027309
申请日：2014-02-20
申请人： 에프코스 아게
发明人： 헨,구드런 , 바더,번하드
IPC分类号： H03H9/10 , H03H9/02 , H03H3/08 , H03H3/02 , H03H9/05
CPC分类号： H03H9/25 , H01L41/331 , H01L41/332 , H03H3/02 , H03H3/08 , H03H9/02007 , H03H9/02086 , H03H9/02118 , H03H9/02818 , H03H9/02858 , H03H9/02984 , H03H9/0542 , H03H9/105 , H03H9/1092 , H03H9/14544
摘要： 밀폐방식의닫힘을제공하는커버(CAP)를포함하고, 예컨대커버의배치에의해음향특성이개선되는미소음향소자(MAC)가제공된다. 소자는기능적음향영역(FAS), 내부가장자리영역(IRS) 및외부가장자리영역(ORS)을포함한다. 커버(CAP)는기능적음향영역(CAP)을덮고, 얇은층 및안착면(RS)을포함한다. 내부가장자리영역(IRS)은기능적음향영역(FAS)과음향적으로결합되며, 안착면(RS)은적어도내부가장자리영역(IRS)의일부분위에직접적으로안착한다.
摘要翻译：微声部件包括功能声学区域，内部边缘区域和外部边缘区域。盖覆盖功能声区，并具有薄膜和支承面。内部边缘区域声学耦合到功能声学区域，并且支承表面直接至少在内部边缘区域的一部分上承载。

6. 发明公开

KR20180031713A 탄성파 장치 审中-公开
标题翻译：地震波装置
公开(公告)号：KR20180031713A
公开(公告)日：2018-03-28
申请号：KR20187004692
申请日：2016-07-01
申请人： MURATA MANUFACTURING CO
发明人： NISHI HIROYUKI , WATANABE KAZUSHI
IPC分类号： H03H9/25 , H01L23/28
CPC分类号： H03H9/1085 , H01L23/28 , H01L23/544 , H01L2223/54406 , H03H9/02559 , H03H9/059 , H03H9/14544 , H03H9/25 , H03H9/725
摘要： 신뢰성을높일수 있고, 또한저배화할수 있는탄성파장치를제공한다. 탄성파장치(1)는실장면(3a) 상에실장된제1, 제2 탄성파소자(2A, 2B)를밀봉하고있고, 제1, 제2 면(8a, 8b)을갖고, 제2 면(8b)에각인 Z1이형성된밀봉부재(8)를구비한다. 제1 탄성파소자(2A)는 LiNbO을포함하는제1 압전기판(4A)을갖고, 제2 탄성파소자(2B)는 LiNbO또는 LiTaO을포함하는제2 압전기판(4B)을갖는다. 제2 압전기판(4B)의두께보다도제1 압전기판(4A)의두께쪽이두껍다. 밀봉부재(8)의제2 면(8b)측을상방으로하고, 제1 면(8a)측을하방으로하였을때에, 제2 압전기판(4B)의상방에위치하는밀봉부재(8)의두께보다도, 제1 압전기판(4A)의상방에위치하는밀봉부재(8)의두께쪽이얇다. 제2 면(8b)으로부터의평면에서보아, 제1 압전기판(4A)과각인 Z1이겹쳐있지않다.
摘要翻译：由此提供能够提高可靠性并且能够低反射的地震波导装置。弹性波装置1密封安装在房间表面3a上的第一和第二弹性波元件2A和2B，并具有第一和第二表面8a和8b以及第二表面8b ））。第一声波元件2A具有包含LiNbO的第一压电基板4A，并且第二声波元件2B具有包含LiNbO或LiTaO的第二压电基板4B。第一压电基板4A的厚度比第二压电基板4B的厚度厚。当密封部件8的第二表面8b侧朝上并且第一表面8a侧朝下时，位于第二压电基板4B的上表面上的密封部件8的厚度，位于第一压电基板4A的上侧的密封部件8的厚度比第一密封部件的厚度薄。第一压电基板4A和雕刻的Z1在从第二表面8b的平面中不重叠。

7. 发明公开

KR1020140001580A ＳＡＷ 배열 센서 审中-实审
标题翻译： SAW阵列传感器
公开(公告)号：KR1020140001580A
公开(公告)日：2014-01-07
申请号：KR1020120069475
申请日：2012-06-27
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이열호 , 최윤석 , 이태한 , 이수석
IPC分类号： G01N29/14 , G01L1/16
CPC分类号： H01L41/0475 , G01N29/022 , G01N29/32 , G01N2291/106 , H03H9/14544 , H03H9/42
摘要： An SAW array sensor with improved sensitivity by cancelling crosstalk among SAW sensors is provided. The provided SAW array sensor includes: at least one input IDT; at least two output IDTs arranged in both sides of the at least one input IDT; and at least two delay line sections respectively formed in between the at least one input IDT and at least two output IDTs, and the length of the at least two delay lines are different. Therefore, according to the provided embodiment, the crosstalk due to a reflective wave can be minimally decreased since there is a time difference between directly received signal to one output IDT from the input IDT and receive signal to the output IDT reflected from the other side output IDT.
摘要翻译：提供了通过消除SAW传感器之间的串扰提高灵敏度的SAW阵列传感器。提供的SAW阵列传感器包括：至少一个输入IDT; 布置在所述至少一个输入IDT的两侧中的至少两个输出IDT; 以及分别形成在所述至少一个输入IDT和至少两个输出IDT之间的至少两个延迟线部分，并且所述至少两个延迟线的长度是不同的。因此，根据所提供的实施例，由于在从输入IDT到一个输出IDT的直接接收信号与从另一侧输出反射的接收信号到输出IDT之间存在时间差，所以可以最小程度地减少由于反射波引起的串扰 IDT。

8. 发明授权

KR100884209B1 탄성파소자 有权
标题翻译：弹性波形元件
公开(公告)号：KR100884209B1
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：KR1020077020693
申请日：2006-03-31
申请人： 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
发明人： 칸도하지메
IPC分类号： H03H9/25
CPC分类号： H03H9/14532 , H03H9/0071 , H03H9/0222 , H03H9/02559 , H03H9/02858 , H03H9/02881 , H03H9/1452 , H03H9/14544 , H03H9/64
摘要： 공진특성이나 필터특성이 개선된 탄성파소자를 제공한다. 압전기판상에 적어도 1개의 IDT전극(3)이 형성되어 있으며, IDT전극(3)이 탄성파 전파방향에 있어서 서로 이웃하고 있다. 제1, 제2의 전극지(31,32)를 가지며, 제1, 제2의 전극지(31,32) 중의 적어도 한쪽의 전극지(32)의 측연부에 볼록부(13,14)가 형성되어 있으며, 상기 볼록부(13,14)의 전극지의 길이방향에 따른 위치가 제1, 제2의 전극지의 다른 쪽의 전극지(31)의 선단에 형성된 갭(33)의 상기 전극지 길이방향에 따른 위치와 거의 같은 위치로 되어 있는 탄성파소자.
탄성파소자, IDT전극, 탄성경계파, 탄성표면파, 전극지, 공진특성, 필터특성

9. 发明授权

KR101853582B1 탄성파 디바이스 有权
公开(公告)号：KR101853582B1
公开(公告)日：2018-04-30
申请号：KR1020170031656
申请日：2017-03-14
申请人： 다이요 유덴 가부시키가이샤
发明人： 구로야나기다꾸마
IPC分类号： H03H9/02 , H03H9/17 , H03H9/05
CPC分类号： H03H9/64 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L23/53214 , H01L23/53228 , H01L23/53242 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73257 , H01L2224/97 , H03H3/02 , H03H3/08 , H03H9/0514 , H03H9/0547 , H03H9/059 , H03H9/14544 , H01L2924/00014
摘要： 본원발명의과제는아이솔레이션특성을향상시키는것이다. 제1 기판(10)과, 상기제1 기판의제1 면(70)에설치된제1 탄성파필터와, 상기제1 면에설치되고, 상기제1 면에있어서상기제1 탄성파필터와전기적으로분리된패드(35b)와, 상기제1 면에설치되고, 상기제1 면에있어서상기패드와상기제1 탄성파필터사이에설치된접지패턴(37)과, 상기패드와전기적으로접속되고, 평면에서볼 때상기제1 탄성파필터와적어도일부영역에서겹치는제2 탄성파필터를구비하는탄성파디바이스.

10. 发明公开

KR1020170136598A 탄성파 장치 审中-实审
标题翻译：地震波装置
公开(公告)号：KR1020170136598A
公开(公告)日：2017-12-11
申请号：KR1020177032589
申请日：2016-06-16
申请人： 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
发明人： 미무라마사카즈
IPC分类号： H03H9/25 , H03H9/145 , H03H9/10
CPC分类号： H03H9/02834 , H01L41/0477 , H03H9/02559 , H03H9/02637 , H03H9/145 , H03H9/14541 , H03H9/14544 , H03H9/25 , H03H9/6483
摘要： 저손실이고, 주파수온도특성이뛰어나며, 고차모드에의한스퓨리어스가생기기어려운탄성파장치를제공한다. 압전기판(2)과, 압전기판(2) 상에마련된 IDT전극(3)과, IDT전극(3)을덮도록마련된유전체층(6)을포함하고, IDT전극(3)이, 제1 전극층과, 제1 전극층상에적층된제2 전극층을가지며, 제1 전극층이, 제2 전극층을구성하고있는금속및 유전체층(6)을구성하고있는유전체보다도밀도가높은금속혹은합금에의해구성되어있고, 압전기판(2)이 LiNbO에의해구성되어있으며, 압전기판(2)의오일러각(0°±5°, θ, 0°±10°)에서θ가 8° 이상, 32° 이하의범위내에있는, 탄성파장치(1).
摘要翻译：本发明提供一种低损耗，频率温度特性优异，且不易因高阶模式而产生寄生现象的地震波装置。压电基板2，设置在压电基板2上的IDT电极3，以及以覆盖IDT电极3的方式设置的电介质层6.IDT电极3具有第一电极层，以及层压在第一电极层上的第二电极层，其中第一电极层由密度高于构成构成第二电极层的金属和介电层（6）的介电物质的密度的金属或合金组成，其中的由铌酸锂，在压电基板2的欧拉角的基板（2）θ在小于8°，32°的范围内的（0°±5°，θ，0°±10°），地震波装置（1）。

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