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    • 3. 发明授权
    • 발광 장치 및 트랜지스터
    • 发光器件和晶体管
    • KR100563865B1
    • 2006-03-27
    • KR1019997012359
    • 1998-06-17
    • 키네티큐 리미티드
    • 알렌슨미첼배리아잉스테펀제랄드위트데이비드로버트
    • H01S5/40
    • H01S5/4025H01S5/02276H01S5/0262H01S5/4018
    • 전자들의 입력 전류로부터 적어도 하나의 출력 방사 빔을 발생시키기 위한 발광 장치는 광자들로 입력 전류의 전자들을 변환하기 위해 적어도 2개의 pn접합 장치들을 포함하는데, 상기 pn접합 장치들은 발광 장치의 입력 임피던스가 pn접합 장치들의 개별적인 임피던스의 합과 거의 같도록 직렬로 전기 접속된다. 그러므로 발광 장치의 양자 효율은 pn접합 장치들의 개별적인 양자 효율들의 합과 거의 같다. 양호한 실시예에서, 발광 장치는 발광 장치의 입력 임피던스가 부가적인 회로소자 또는 임피던스 정합 소자들을 필요로하지 않는 50Ω과 같도록 직렬로 접속된 다수의 pn접합 장치들을 포함한다. 그러므로 장치는 개별적인 pn접합들의 변조 주파수 제한에 의해 제한된, 광 주파수 대역 이상의 50Ω 임피던스를 가질 수도 있다. 통상적으로, pn접합들은 AlGaAs, AlGaInP, AlGaInAs 또는 AlGaInAsP 레이저 다이오드 장치들일 수도 있다. 본 발명은 또한 광 결합 바이폴라 트랜지스터 장치에 관한 것이다.
      광 검출기, 광 중계기, 발광 장치, 발광 수단, 레이저 다이오드