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1. 发明公开

KR1020010014252A 발광 장치 및 트랜지스터 失效
标题翻译：发光器件和晶体管
公开(公告)号：KR1020010014252A
公开(公告)日：2001-02-26
申请号：KR1019997012359
申请日：1998-06-17
申请人： 키네티큐 리미티드
发明人： 알렌슨미첼배리 , 아잉스테펀제랄드 , 위트데이비드로버트
IPC分类号： H01S5/40
CPC分类号： H01S5/4025 , H01S5/02276 , H01S5/0262 , H01S5/4018
摘要： 전자들의입력전류로부터적어도하나의출력방사빔을발생시키기위한발광장치는광자들로입력전류의전자들을변환하기위해적어도 2개의 p-n접합장치들을포함하는데, 상기 p-n접합장치들은발광장치의입력임피던스가 p-n접합장치들의개별적인임피던스의합과거의같도록직렬로전기접속된다. 그러므로발광장치의양자효율은 p-n접합장치들의개별적인양자효율들의합과거의같다. 양호한실시예에서, 발광장치는발광장치의입력임피던스가부가적인회로소자또는임피던스정합소자들을필요로하지않는 50Ω과같도록직렬로접속된다수의 p-n접합장치들을포함한다. 그러므로장치는개별적인 p-n접합들의변조주파수제한에의해제한된, 광주파수대역이상의 50Ω임피던스를가질수도있다. 통상적으로, p-n접합들은 AlGaAs, AlGaInP, AlGaInAs 또는 AlGaInAsP 레이저다이오드장치들일수도있다. 본발명은또한광 결합바이폴라트랜지스터장치에관한것이다.
摘要翻译：到的光从包括至少两个pn结设备到所述电子输入电流转换成光子转换的电子的输入电流产生的辐射的至少一个输出光束，发光器件，其中所述pn结器件，所述发光器件的输入阻抗 pn结器件的单个阻抗的总和串联电连接成相等。因此，发光器件的量子效率等于p-n结器件的单个量子效率的总和。在一个优选的实施方案中，发光器件包括多个p-n结器件的，发光器件的附加电路或阻抗匹配元件的输入阻抗串联连接，使得50Ωgwagat不需要。因此，器件在由各个p-n结的调制频率限制限制的光频带上可以具有50Ω的阻抗。通常，p-n结可以是AlGaAs，AlGaInP，AlGaInAs或AlGaInAsP激光二极管器件。本发明还涉及一种光耦合双极晶体管器件。

2. 发明授权

KR100563865B1 발광 장치 및 트랜지스터 失效
标题翻译：发光器件和晶体管
公开(公告)号：KR100563865B1
公开(公告)日：2006-03-27
申请号：KR1019997012359
申请日：1998-06-17
申请人： 키네티큐 리미티드
发明人： 알렌슨미첼배리 , 아잉스테펀제랄드 , 위트데이비드로버트
IPC分类号： H01S5/40
CPC分类号： H01S5/4025 , H01S5/02276 , H01S5/0262 , H01S5/4018
摘要： 전자들의 입력 전류로부터 적어도 하나의 출력 방사 빔을 발생시키기 위한 발광 장치는 광자들로 입력 전류의 전자들을 변환하기 위해 적어도 2개의 pn접합 장치들을 포함하는데, 상기 pn접합 장치들은 발광 장치의 입력 임피던스가 pn접합 장치들의 개별적인 임피던스의 합과 거의 같도록 직렬로 전기 접속된다. 그러므로 발광 장치의 양자 효율은 pn접합 장치들의 개별적인 양자 효율들의 합과 거의 같다. 양호한 실시예에서, 발광 장치는 발광 장치의 입력 임피던스가 부가적인 회로소자 또는 임피던스 정합 소자들을 필요로하지 않는 50Ω과 같도록 직렬로 접속된 다수의 pn접합 장치들을 포함한다. 그러므로 장치는 개별적인 pn접합들의 변조 주파수 제한에 의해 제한된, 광 주파수 대역 이상의 50Ω 임피던스를 가질 수도 있다. 통상적으로, pn접합들은 AlGaAs, AlGaInP, AlGaInAs 또는 AlGaInAsP 레이저 다이오드 장치들일 수도 있다. 본 발명은 또한 광 결합 바이폴라 트랜지스터 장치에 관한 것이다.
광 검출기, 광 중계기, 발광 장치, 발광 수단, 레이저 다이오드

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