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1. 发明授权

KR100259237B1 반도체 박막 형성 방법 및 장치, 및 광기전력 소자 형성 방법및 장치 失效
标题翻译：用于形成半导体薄膜的方法和装置，以及光伏元件
公开(公告)号：KR100259237B1
公开(公告)日：2000-06-15
申请号：KR1019970047098
申请日：1997-09-12
申请人： 캐논 가부시끼가이샤
发明人： 사까이,아끼라 , 오까베,쇼따로 , 고다,유조 , 호리,다다시 , 야지마,다까히로 , 후지오까,야스시 , 가나이,마사히로
IPC分类号： H01L31/076 , H01L31/18 , H01L31/047
CPC分类号： H01L31/076 , C23C16/5096 , H01L31/075 , H01L31/202 , H01L31/204 , H01L31/206 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要： 플라즈마 방전 공간 내의 캐소드 전극의 표면적이 플라즈마 방전 공간 내의 벨트형 부재와 애노드 전극의 표면적의 합계 보다 크고, 글로우 방전의 여기 시에 상기 캐소드 전극의 전위가 벨트형 부재와 애노드 전극에 대해 포지티브이며, 캐소드 전극의 일부를 구성하는 세퍼레이터 전극이 핀형 또는 블록 형태를 갖도록 제작된 캐소드 전극 구조를 갖는 반도체 박막 형성용 장치로 p형 반도체 층을 형성하고, 용량 결합형 평행 평판의 캐소드 전극 구조를 갖는 반도체 박막 형성용 장치로 n형 반도체층을 형성하는 광기전력 소자 형성 방법이 제공된다. 이로써, 고품질의 넓은 면적에 걸쳐 우수한 균일성을 가지며, 결점이 적고, 광열화 특성이 우수하며 직렬 저항이 개선된 광기전력 소자를 높은 재현도와 높은 처리량으로 대량 생산할 수 있다.

2. 发明授权

KR100251070B1 광기전력 소자 失效
标题翻译：光电器件
公开(公告)号：KR100251070B1
公开(公告)日：2000-04-15
申请号：KR1019970041383
申请日：1997-08-27
申请人： 캐논 가부시끼가이샤
发明人： 사노,마사후미 , 나까무라,데쯔로
IPC分类号： H01L31/076 , H01L31/047
CPC分类号： H01L31/076 , H01L31/056 , H01L31/202 , H01L31/204 , H01L31/206 , Y02E10/52 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要： In a photovoltaic device having a plurality of pin structures, the pin structures comprise a first pin structure, a second pin structure and a third pin structure in the order from the light-incident side, each having an i-type semiconductor layer, and the i-type semiconductor layer of the first pin structure comprises amorphous silicon, the i-type semiconductor layer of the second pin structure comprises microcrystalline silicon and the i-type semiconductor layer of the third pin structure comprises amorphous silicon germanium or microcrystalline silicon germanium. The photovoltaic device according to the present invention provides a superior photoelectric conversion efficiency and less causing photo-deterioration.

3. 发明授权

KR1019940003787B1 박막 형성장치 및 방법 失效
标题翻译：薄膜形成方法和装置
公开(公告)号：KR1019940003787B1
公开(公告)日：1994-05-03
申请号：KR1019890013162
申请日：1989-09-11
申请人： 후지쯔 가부시끼가이샤
发明人： 고다마준 , 아라끼신
IPC分类号： C23C16/24
CPC分类号： C23C16/517 , C23C16/325 , C23C16/452 , H01L31/204 , Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 내용 없음.

4. 发明公开

KR1020130036454A 박막 태양전지 모듈 有权
标题翻译：薄膜太阳能电池模块
公开(公告)号：KR1020130036454A
公开(公告)日：2013-04-12
申请号：KR1020110100538
申请日：2011-10-04
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 황선태 , 유동주 , 이성은 , 이승윤
IPC分类号： H01L31/046 , H01L31/075
CPC分类号： H01L31/1804 , H01L31/0352 , H01L31/03765 , H01L31/046 , H01L31/065 , H01L31/075 , H01L31/076 , H01L31/1812 , H01L31/204 , Y02E10/52 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要： PURPOSE: A thin film solar cell module is provided to prevent the deterioration of efficiency by increasing the content of germanium materials in photoelectric conversion units of a plurality of second cells than photoelectric conversion units of a plurality of first cells. CONSTITUTION: A first cell(C1) and a second cell(C2) include a first electrode, a second electrode, and a photoelectric conversion unit between the first electrode and the second electrode. The first cell and the second cell includes the same number of the photoelectric conversion units, respectively. The first cell is located in the center of a substrate(100). The second cell is locate din the edges of the substrate. The content of germanium materials in the photoelectric conversion unit of the second cell is higher than the content of the germanium materials in the photoelectric conversion unit of the first cell in the same layer.
摘要翻译：目的：提供一种薄膜太阳能电池模块，以通过增加多个第二单电池的光电转换单元中的锗材料的含量比多个第一单元的光电转换单元来降低效率。构成：第一电池（C1）和第二电池（C2）包括在第一电极和第二电极之间的第一电极，第二电极和光电转换单元。第一单元和第二单元分别包括相同数量的光电转换单元。第一电池位于基板（100）的中心。第二个电池位于衬底的边缘。第二电池的光电转换单元中的锗材料的含量高于同一层中的第一电池的光电转换单元中的锗材料的含量。

5. 发明公开

KR1020090057292A 태양 전지용 투명 전극 기판 无效
标题翻译：用于太阳能电池的透明电极基板
公开(公告)号：KR1020090057292A
公开(公告)日：2009-06-04
申请号：KR1020097006397
申请日：2007-08-31
申请人： 내셔날 인스티튜트 오브 어드밴스드 인더스트리얼 사이언스 앤드 테크놀로지 , 닛폰고세이가가쿠고교 가부시키가이샤
发明人： 마츠이다쿠야 , 마스다아츠시 , 가츠마가츠히코 , 하야카와세이이치로
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/0236 , H01L31/022466 , H01L31/022483 , H01L31/03765 , H01L31/03921 , H01L31/075 , H01L31/1884 , H01L31/204 , Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： A transparent electrode substrate for a solar cell is provided by forming a metal oxide film (2) on a resin film [I] (1). The resin film [I] (1) is formed by hardening a photocuring composition and has unevenness on the surface of the resin film [I] (1) whereupon the metal oxide film (2) is formed.
摘要翻译：通过在树脂膜[I]（1）上形成金属氧化物膜（2），提供太阳能电池用透明电极基板。树脂膜[I]（1）通过硬化光固化组合物而形成，并且在树脂膜[I]（1）的表面上具有不平坦性，从而形成金属氧化物膜（2）。

6. 发明授权

KR100190801B1 광전지와,그의제조방법및제조장치 失效
标题翻译：用于制造光伏电池的方法和装置
公开(公告)号：KR100190801B1
公开(公告)日：1999-06-01
申请号：KR1019940035339
申请日：1994-12-20
申请人： 캐논 가부시끼가이샤
发明人： 후지오카야스시 , 오카베쇼타로 , 카나이마사히로 , 타무라히데오 , 야스노아쯔시 , 사카이아키라 , 호리타다시
IPC分类号： H01L31/076 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/076 , H01L31/202 , H01L31/204 , H01L31/206 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要： 본 발명은, 고효율, 저열화를 나타내는 광전지의 제작을 목적으로 하며, 또한, 이광전지를 롤 투 롤법에 의해 대형면적에 불균일성없이 균일하게 고속으로 형성하는 것을 목적으로 한다.
i형 반도체층의 상부셀은 RF플라즈마CVD법으로, 중간셀 및/또는 하부셀은 마이크로파플라즈마CVD법으로 형성한다. 또, 광입사측의 불순물도핑층의 상부셀은 플라즈마도핑으로, 중간셀 및/또는 하부셀은 RF플라즈마CVD법으로 형성한다.
상기 목적은, 2층 또는 3층 탠덤형 광전지의 각 층에 대응한 막형성실을 설치하여, 롤 투 롤법으로 반도체층막을 연속적으로 형성함으로써 달성된다.

7. 发明授权

KR1019890000478B1 비정질합금의 제조방법 失效
标题翻译：生产非晶合金的方法
公开(公告)号：KR1019890000478B1
公开(公告)日：1989-03-18
申请号：KR1019810003328
申请日：1981-09-07
申请人： 에너지 컨버젼 디바이시즈, 아이엔씨.
发明人： 스탠포드오브신스키 , 데이비드아들러
IPC分类号： H01L31/04 , H01L31/065 , H01L31/18
CPC分类号： C23C16/45523 , C23C14/0026 , C23C14/06 , C23C14/32 , C23C16/22 , H01L29/1604 , H01L31/202 , H01L31/204 , Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： A mthod of making an improved photo-responsive amorphous alloy comprises deposition on a substrate a material including at least silicon and incorporating in said material at least one density of states reducing element which is flourine, introducing at least one band gap adjusting element into said material in varying amounts without substanitially increasing the states in the band gap and varying the composition of the deposition gas mixture introduced into the deposition chambers to produce an alloy having a graded band gap with a specified range of photoresponse wavelength function.
摘要翻译：制造改进的光敏非晶合金的正面包括在基底上沉积至少包括硅的材料，并且在所述材料中掺入至少一种致密的状态还原元件的密度，将至少一个带隙调节元件引入所述材料以不同的量不改变带隙内的状态并改变引入沉积室的沉积气体混合物的组成，以产生具有指定范围的光响应波长函数的渐变带隙的合金。

8. 发明公开

KR1020160121671A 광 감지 센서 및 광 감지 센서의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：光学传感器及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160121671A
公开(公告)日：2016-10-20
申请号：KR1020150050426
申请日：2015-04-09
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 여윤종 , 손정하 , 이주형
IPC分类号： G06F3/042 , G02F1/1333
CPC分类号： H01L31/1136 , G02F1/1362 , G02F2001/13312 , G06F3/0412 , G06F3/0421 , G06F2203/04103 , H01L29/78648 , H01L31/02162 , H01L31/022408 , H01L31/03765 , H01L31/204
摘要： 본발명은기판; 상기기판위에형성되어적외선영역의빛에의해동작하는제1 반도체층및 적외선영역의빛을통과시키는밴드패스필터를포함하는적외선감지박막트랜지스터; 상기기판위에형성되어가시광선영역의빛에의해동작하는제2 반도체층을포함하는가시광선감지박막트랜지스터; 그리고상기기판위에형성되는제3 반도체층을포함하는스위칭박막트랜지스터;를포함하며, 상기밴드패스필터는금속으로이루어지고, 일정한주기를갖는선형패턴이형성되어가시광선영역의빛을차단하는광 감지센서에대한것이다.
摘要翻译：本发明的示例性实施例提供了一种光学传感器，包括：基板; 红外线感测薄膜晶体管，其包括形成在所述基板上并被配置为通过接收红外光进行操作的第一半导体层;以及带通滤波器，形成在所述基板上，并且尺寸和布置成使所述红外光通过; 可见光线感测薄膜晶体管，其包括形成在所述基板上并被布置成通过接收可见光而操作的第二半导体层; 以及包括形成在所述基板上的第三半导体层的开关薄膜晶体管，其中所述带通滤波器可以由被图案化以具有特征的金属材料形成，所述金属材料具有彼此间隔开预定周期的连续特征，以使所述红外光并阻挡可见光。

9. 发明公开

KR1020140080254A 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：薄膜晶体管阵列及其制造方法
公开(公告)号：KR1020140080254A
公开(公告)日：2014-06-30
申请号：KR1020120149854
申请日：2012-12-20
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 진홍기 , 여윤종 , 김상갑 , 방정석 , 조병훈
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L27/1288 , H01L21/30604 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L21/32139 , H01L21/84 , H01L27/1218 , H01L27/1251 , H01L27/127 , H01L27/1446 , H01L31/03765 , H01L31/1136 , H01L31/204 , H01L27/14678
摘要： The present invention relates to a thin film transistor display panel and a manufacturing method thereof. The method for manufacturing the thin film transistor display panel according to an embodiment of the present invention comprises the steps of: forming an insulation film on an insulated substrate; laminating a first semiconductor material layer on the insulation film; laminating an etch protect material layer on the first semiconductor material layer; forming a first photoresist film on the etch protect material layer; forming an etch protect layer by etching the etch protect material layer while making the first photoresist film function as an etch mask; etching the first semiconductor material layer by making the first photoresist film as the etch mask to form a first semiconductor pattern including a protrusion exposed while not being covered by the etch protect layer; laminating an insulation layer and a second semiconductor material layer on the etch protect layer and the first semiconductor pattern in order; forming a second photoresist film on the second semiconductor material layer; etching the second semiconductor material by making the second photoresist film function as the etch mask to form a second semiconductor; and forming a first semiconductor which forms an undercut at a lower part of the etch protect layer by etching the insulation layer not covered by the second photoresist film and the protrusion of the first semiconductor pattern not covered by the etch protect layer, and forming a stepped part on the insulation film wherein the stepped part is spaced apart from an edge of the first semiconductor and positioned at an outer side of the edge of the first semiconductor.
摘要翻译：薄膜晶体管显示面板及其制造方法技术领域本发明涉及薄膜晶体管显示面板及其制造方法。根据本发明实施例的制造薄膜晶体管显示面板的方法包括以下步骤：在绝缘基板上形成绝缘膜; 在绝缘膜上层叠第一半导体材料层; 在第一半导体材料层上层压蚀刻保护材料层; 在所述蚀刻保护材料层上形成第一光致抗蚀剂膜; 通过蚀刻蚀刻保护材料层来形成蚀刻保护层，同时使第一光致抗蚀剂膜用作蚀刻掩模; 通过使第一光致抗蚀剂膜作为蚀刻掩模来蚀刻第一半导体材料层，以形成第一半导体图案，该第一半导体图案包括在不被蚀刻保护层覆盖的同时暴露的突起; 在蚀刻保护层和第一半导体图案上依次层叠绝缘层和第二半导体材料层; 在所述第二半导体材料层上形成第二光致抗蚀剂膜; 通过使第二光致抗蚀剂膜用作蚀刻掩模来蚀刻第二半导体材料以形成第二半导体; 以及形成第一半导体，其通过蚀刻未被所述第二光致抗蚀剂膜覆盖的绝缘层和未被所述蚀刻保护层覆盖的所述第一半导体图案的突起而形成在所述蚀刻保护层的下部处形成底切，以及形成阶梯状部分在绝缘膜上，其中阶梯部分与第一半导体的边缘间隔开并且位于第一半导体的边缘的外侧。

10. 发明公开

KR1020130100292A 투명 도전막의 제조 방법 및 박막 태양 전지의 제조 방법 无效
标题翻译：透明导电膜的制造方法和薄膜太阳能电池的生产方法
公开(公告)号：KR1020130100292A
公开(公告)日：2013-09-10
申请号：KR1020137006789
申请日：2011-08-23
申请人： 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤
发明人： 아베요시유키 , 소가베겐타로 , 야마노베야스노리
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/08 , H01L31/04
CPC分类号： H01L31/1884 , C23C14/086 , H01L31/03765 , H01L31/075 , H01L31/076 , H01L31/1804 , H01L31/1812 , H01L31/202 , H01L31/204 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要： 우수한 투명 도전막을 단시간에 제조할 수 있고, 고효율의 박막 태양 전지의 생산성을 향상시키는 투명 도전막의 제조 방법, 및 박막 태양 전지의 제조 방법을 제공한다. 스퍼터링 가스종으로서 Ar과 H
2 의 혼합 가스를 이용하고, 혼합 가스의 몰비가 H
2 /(Ar+H
2 ) = 0.01 ~ 0.43, 스퍼터링 가스압이 2.0 ~ 15.0 Pa, 기판 온도가 300 ~ 600℃의 조건하에서, 산화아연을 주성분으로 한 산화물 소결체 타겟을 이용하여, 투광성 기판(1) 상에 투명 도전막(2)을 형성한다. 그리고, 투명 도전막(2) 상에, 비정질 광전 변환 유닛(3), 이면 전극(5)을 순서대로 형성한다.

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