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1. 发明授权

KR101743268B1 광 센서 및 이를 갖는 표시장치 有权
标题翻译：光学传感器和具有相同的显示装置
公开(公告)号：KR101743268B1
公开(公告)日：2017-06-05
申请号：KR1020100123789
申请日：2010-12-06
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 김웅권 , 김대철 , 정기훈 , 양성훈 , 여윤종 , 한상윤 , 김성렬 , 정석원 , 조병훈 , 김희준 , 진홍기 , 전경숙 , 서승미 , 박경호 , 방정석 , 한근욱 , 서미선
IPC分类号： G06F3/042 , G06F3/041
CPC分类号： H01L27/14632 , G02F1/13338 , G02F2001/13312 , G06F3/0412 , G06F3/042 , H01L27/14621
摘要： 표시장치에서, 표시패널에내장되는광 센서는기판상에구비되어외부로부터제공되는광을센싱하기위하여광 센싱층, 소오스및 드레인전극, 절연막, 게이트전극을포함한다. 광센싱층은기판상에구비되어광에반응하며, 소오스및 드레인전극은광 센싱층상에서서로소정간격이격되어배치된다. 소오스및 드레인전극은절연막에의해커버되며, 게이트전극은절연막상에구비되어광 센싱층과마주한다. 여기서, 광센싱층이적어도소오스및 드레인전극과오버랩되는영역에서게이트전극의에지는광 센싱층상부에위치한다. 따라서, 게이트전극과소오스및 드레인전극사이의쇼트불량을개선할수 있고, 그로인한누설전류생성을방지할수 있다.
摘要翻译：在显示装置中，包含在显示面板中的光学传感器被设置在基板上并且包括感测层，源极和漏极电极，绝缘层以及用于感测从外部提供的光的栅极电极。光感应层设置在基板上并且响应于光，并且源电极和漏电极在光感应层上彼此以预定距离设置。源电极和漏电极被绝缘膜覆盖，并且栅电极被设置在绝缘膜上以面对光感测层。这里，在光感应层至少与源电极和漏电极重叠的区域中，栅电极的边缘位于光感应层之上。因此，可以改善栅电极与源电极和漏电极之间的短缺陷，并且可以防止由此引起的漏电流。

2. 发明授权

KR101699399B1 가시광선 감지 트랜지스터, 표시 장치 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：可见感应晶体管显示面板及其制造方法
公开(公告)号：KR101699399B1
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：KR1020100077962
申请日：2010-08-12
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 김대철 , 김성렬 , 여윤종 , 진홍기 , 정기훈
IPC分类号： H01L31/10 , H01L29/786 , G02F1/136
CPC分类号： G02F1/1368 , G02F1/13338 , G02F2001/13312 , H01L31/1136 , H01L31/12
摘要： 본발명의한 실시예에따른가시광선감지트랜지스터는기판위에형성되어있는반도체, 반도체위에형성되어있는저항성접촉부재, 저항성접촉부재위에위치하는식각방지층, 식각방지층위에형성되어있는소스전극및 드레인전극, 소스전극및 드레인전극위에형성되어있는보호막, 그리고보호막위에형성되어있는게이트전극을포함하고, 식각방지층은소스전극및 드레인전극과동일한물질로이루어진다.
摘要翻译：显示装置包括红外感测晶体管和可见感测晶体管。可见感测晶体管包括在衬底上的半导体; 半导体上的欧姆接触; 在欧姆接触上的蚀刻停止层; 蚀刻停止层上的源电极和漏电极; 源电极和漏电极上的钝化层; 和钝化层上的栅电极。蚀刻停止层可以由与源电极和漏电极相同的材料构成。除了不存在蚀刻停止层之外，红外感测晶体管类似于可见感测晶体管。

3. 发明授权

KR101627728B1 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
公开(公告)号：KR101627728B1
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：KR1020080136895
申请日：2008-12-30
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 양동주 , 정유광 , 이기엽 , 김상갑 , 여윤종 , 최신일 , 진홍기 , 최승하 , 방정석
IPC分类号： G02F1/136 , H01L29/786
CPC分类号： H01L27/1248 , H01L27/1214 , H01L27/1225 , H01L27/1288 , H01L29/7869
摘要： 제조공정을단순화할수 있는박막트랜지스터기판및 그제조방법이제공된다. 박막트랜지스터어레이기판은표시영역과주변영역을포함하고, 절연기판상에형성된게이트라인및 게이트전극을포함하는게이트배선과, 게이트배선을덮는게이트절연막과, 게이트절연막상에형성된반도체층과, 반도체층상에형성된데이터라인, 소스및 드레인전극을포함하는데이터배선과, 데이터배선상에형성되며, 드레인전극의일부를노출하는컨택홀을갖는보호막과, 상기컨택홀을통하여상기드레인전극과전기적으로연결되며, 상기표시영역의일부분인투과영역에서보호막상부에형성되는화소전극을포함한다.

4. 发明授权

KR101571803B1 어레이 기판 및 이의 제조 방법 有权
标题翻译：阵列基板和制造阵列基板的方法
公开(公告)号：KR101571803B1
公开(公告)日：2015-11-26
申请号：KR1020090050842
申请日：2009-06-09
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 최신일 , 김상갑 , 정유광 , 진홍기
IPC分类号： G02F1/136 , H01L29/786
CPC分类号： H01L27/124 , H01L27/1214 , H01L27/1288 , H01L29/42384 , H01L29/78696
摘要： 게이트라인, 게이트전극및 채널층이형성된베이스기판상에제1 금속층및 제2 금속층이순차적으로형성된다. 제2 및제1 금속층들이연속적으로식각되어제1 라인패턴및 제2 라인패턴을포함하는금속라인패턴과, 제1 소자패턴및 제2 소자패턴을포함하는제1 전극패턴이형성된다. 제1 소자패턴과부분적으로식각된제2 소자패턴을포함하는제2 전극패턴과, 제1 라인패턴과부분적으로식각된제2 라인패턴을포함하는데이터라인이형성된다. 제2 전극패턴을형성할때 제1 소자패턴상에형성된산화막은반응가스를통해산소성분이불소성분으로치환되어불소막으로전환된다. 불소막과제1 소자패턴을식각하여소스전극및 드레인전극이형성된다. 드레인전극과콘택하는화소전극이형성된다.

5. 发明授权

KR101485585B1 표시 장치 및 이의 제조 방법 有权
标题翻译：显示装置及其制造方法
公开(公告)号：KR101485585B1
公开(公告)日：2015-01-23
申请号：KR1020080013573
申请日：2008-02-14
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 최승하 , 오민석 , 김상갑 , 진홍기 , 정유광
IPC分类号： G02F1/1343
CPC分类号： H01L27/124 , G02F1/136286 , G02F2001/136222 , G02F2001/136295 , H01L27/1248 , H01L27/1288
摘要： 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법에 있어서, 어레이 기판 위에 트랜치가 형성된 제 1 절연막 및 트랜치의 위치에 대응하여 비아홀이 형성된 제 2 절연막이 구비된다. 트랜치에 씨드막을 형성한 후, 도금법을 이용하여 씨드막 위에 도전층을 형성시켜 트랜치 및 비아홀에 수용되는 게이트 라인, 게이트 전극 및 스토리지 라인을 형성할 수 있다.
摘要翻译：在显示装置和显示装置的制造方法中，提供在阵列基板上具有沟槽的第一绝缘膜和具有与沟槽的位置对应的过孔的第二绝缘膜。在籽晶膜形成在沟槽中之后，可以通过电镀方法在晶种膜上形成导电层，以形成容纳在沟槽和通孔中的栅极线，栅极电极和存储线。

6. 发明公开

KR1020140080254A 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：薄膜晶体管阵列及其制造方法
公开(公告)号：KR1020140080254A
公开(公告)日：2014-06-30
申请号：KR1020120149854
申请日：2012-12-20
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 진홍기 , 여윤종 , 김상갑 , 방정석 , 조병훈
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L27/1288 , H01L21/30604 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L21/32139 , H01L21/84 , H01L27/1218 , H01L27/1251 , H01L27/127 , H01L27/1446 , H01L31/03765 , H01L31/1136 , H01L31/204 , H01L27/14678
摘要： The present invention relates to a thin film transistor display panel and a manufacturing method thereof. The method for manufacturing the thin film transistor display panel according to an embodiment of the present invention comprises the steps of: forming an insulation film on an insulated substrate; laminating a first semiconductor material layer on the insulation film; laminating an etch protect material layer on the first semiconductor material layer; forming a first photoresist film on the etch protect material layer; forming an etch protect layer by etching the etch protect material layer while making the first photoresist film function as an etch mask; etching the first semiconductor material layer by making the first photoresist film as the etch mask to form a first semiconductor pattern including a protrusion exposed while not being covered by the etch protect layer; laminating an insulation layer and a second semiconductor material layer on the etch protect layer and the first semiconductor pattern in order; forming a second photoresist film on the second semiconductor material layer; etching the second semiconductor material by making the second photoresist film function as the etch mask to form a second semiconductor; and forming a first semiconductor which forms an undercut at a lower part of the etch protect layer by etching the insulation layer not covered by the second photoresist film and the protrusion of the first semiconductor pattern not covered by the etch protect layer, and forming a stepped part on the insulation film wherein the stepped part is spaced apart from an edge of the first semiconductor and positioned at an outer side of the edge of the first semiconductor.
摘要翻译：薄膜晶体管显示面板及其制造方法技术领域本发明涉及薄膜晶体管显示面板及其制造方法。根据本发明实施例的制造薄膜晶体管显示面板的方法包括以下步骤：在绝缘基板上形成绝缘膜; 在绝缘膜上层叠第一半导体材料层; 在第一半导体材料层上层压蚀刻保护材料层; 在所述蚀刻保护材料层上形成第一光致抗蚀剂膜; 通过蚀刻蚀刻保护材料层来形成蚀刻保护层，同时使第一光致抗蚀剂膜用作蚀刻掩模; 通过使第一光致抗蚀剂膜作为蚀刻掩模来蚀刻第一半导体材料层，以形成第一半导体图案，该第一半导体图案包括在不被蚀刻保护层覆盖的同时暴露的突起; 在蚀刻保护层和第一半导体图案上依次层叠绝缘层和第二半导体材料层; 在所述第二半导体材料层上形成第二光致抗蚀剂膜; 通过使第二光致抗蚀剂膜用作蚀刻掩模来蚀刻第二半导体材料以形成第二半导体; 以及形成第一半导体，其通过蚀刻未被所述第二光致抗蚀剂膜覆盖的绝缘层和未被所述蚀刻保护层覆盖的所述第一半导体图案的突起而形成在所述蚀刻保护层的下部处形成底切，以及形成阶梯状部分在绝缘膜上，其中阶梯部分与第一半导体的边缘间隔开并且位于第一半导体的边缘的外侧。

7. 发明授权

KR101386194B1 표시패널 및 이의 제조방법 有权
标题翻译：显示面板及其制造方法
公开(公告)号：KR101386194B1
公开(公告)日：2014-04-18
申请号：KR1020070061693
申请日：2007-06-22
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 오민석 , 김상갑 , 최승하 , 정창오 , 최신일 , 양동주 , 진홍기 , 김병범 , 정유광
IPC分类号： G02F1/136 , G02F1/1335 , G02F1/1343
CPC分类号： H01L27/12 , G02F2001/136295 , H01L27/124 , H01L29/458
摘要： 본 발명에 따른 표시패널 및 이의 제조방법에 따르면, 표시패널을 구성하는 어느 하나의 기판은 화소영역을 정의하는 게이트라인 및 데이터라인을 구비하고, 데이터라인으로부터 분기된 소오스전극 및 소오스전극과 동일한 물질을 포함하는 드레인전극을 구비한다. 데이터라인, 소오스전극 및 드레인전극은 니켈을 포함하는 알루미늄 합금으로 이루어진다. 알루미늄 합금은 내식성이 강하여 표시패널을 제조하는 공정 중에 데이터라인, 소오스전극 및 드레인전극이 외부의 이온과 결합하여 부식되는 현상이 방지된다.

8. 发明公开

KR1020130061553A 표시패널 및 표시패널용 표시기판의 제조방법 审中-实审
标题翻译：显示面板和制造方法用于显示面板的显示基板
公开(公告)号：KR1020130061553A
公开(公告)日：2013-06-11
申请号：KR1020110127927
申请日：2011-12-01
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 진홍기 , 여윤종 , 이의구 , 정유광 , 최진영 , 김상갑
IPC分类号： G02F1/1335
CPC分类号： G02F1/133345 , G02F2001/133519 , G02F2202/022
摘要： PURPOSE: A display panel and a fabrication method of a display substrate for the display panel are provided to include an inorganic film layer on a color filter layer, thereby preventing the color filter layer from swelling. CONSTITUTION: A first substrate(100) includes a plurality of pixel regions and a non-pixel region which is adjacent to the pixel regions. A second substrate(200) facing the first substrate includes the plurality of pixel regions and the non-pixel region. A plurality of signal lines is provided on the second substrate. A color filter layer is provided on the first substrate or the second substrate. An inorganic film layer(110) is provided on the color filter layer. An organic film layer(120) is provided on the inorganic film layer. A conductive layer(130) is provided on the organic layer.
摘要翻译：目的：提供一种用于显示面板的显示面板和显示基板的制造方法，其包括在滤色器层上的无机膜层，从而防止滤色层膨胀。构成：第一衬底（100）包括多个像素区域和与像素区域相邻的非像素区域。面对第一衬底的第二衬底（200）包括多个像素区域和非像素区域。多个信号线设置在第二基板上。滤色器层设置在第一基板或第二基板上。无机膜层（110）设置在滤色器层上。在无机膜层上设置有机膜层（120）。在有机层上提供导电层（130）。

9. 发明授权

KR101226661B1 표시 기판의 제조 방법 有权
标题翻译：制造显示基板的方法
公开(公告)号：KR101226661B1
公开(公告)日：2013-01-25
申请号：KR1020060008496
申请日：2006-01-26
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 진홍기 , 김상갑 , 오민석
IPC分类号： G02F1/136
CPC分类号： H01L27/1288 , G02F1/136204 , H01L27/1244
摘要： 불량을 방지하기 위한 표시 기판의 제조 방법이 개시된다. 표시 기판의 제조 방법은 베이스 기판 위에 게이트 배선, 스토리지 배선 및 스위칭 소자의 게이트 전극을 포함하는 제1 금속패턴을 형성하는 단계와, 게이트 절연막을 형성하는 단계와, 소스 배선, 스위칭 소자의 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 제2 금속패턴 및 채널부를 형성하는 단계와, 제2 금속패턴 위에 패시베이션막 및 포토레지스트막을 형성하는 단계와, 포토레지스트막을 패터닝하여 게이트 배선, 소스 배선 및 스위칭 소자에 대응하는 제1 패턴부 및 스토리지 배선 위에 형성되고 스토리지 배선 위의 단차부에 대응하여 상대적으로 두껍게 형성된 제2 패턴부를 형성하는 단계와, 제1 및 제2 패턴부를 이용하여 패시베이션막 및 게이트 절연막을 식각하는 단계 및 제1 패턴부를 이용하여 화소 전극을 형성하는 단계를 포함한다. 이에 따라, 단차부의 과잉 식각이 방지되므로 금속 패턴과 화소 전극간의 쇼트 불량이 방지된다.
포토레지스트 패턴, 마스크, 이중 슬릿, 반투과층, 단차부, 쇼트 불량,

10. 发明授权

KR101201972B1 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이의 제조 방법 有权
标题翻译：薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
公开(公告)号：KR101201972B1
公开(公告)日：2012-11-15
申请号：KR1020060060246
申请日：2006-06-30
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 진홍기 , 김상갑 , 오민석 , 김주한
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L27/1288 , H01L27/12 , H01L27/1248
摘要： A thin film transistor (TFT) array substrate is provided in which a sufficiently large contact area between conductive materials is provided in a contact portion, and a method of fabricating the TFT array substrate. The TFT array substrate includes a gate interconnection line arranged on an insulating substrate, a gate insulating layer covering the gate interconnection line, a semiconductor layer arranged on the gate insulating layer, a data interconnection line including a data line, a source electrode, and a drain electrode arranged on the semiconductor layer, a first passivation film arranged on the data interconnection line and exposing the drain electrode, a second passivation film arranged on the first passivation film, and a pixel electrode electrically connected with the drain electrode. An outer sidewall of the second passivation film is positioned inside an outer sidewall of the first passivation film.

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