基本信息:
- 专利标题： 투명 도전막의 제조 방법 및 박막 태양 전지의 제조 방법
- 专利标题（英）：Production method of transparent conductive film and production method of thin-film solar cell
- 专利标题（中）：透明导电膜的制造方法和薄膜太阳能电池的生产方法
- 申请号：KR1020137006789 申请日：2011-08-23
- 公开(公告)号：KR1020130100292A 公开(公告)日：2013-09-10
- 发明人： 아베요시유키 , 소가베겐타로 , 야마노베야스노리
- 申请人： 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤
- 申请人地址： 일본 도쿄도 미나토쿠 신바시 *초메 **-*
- 专利权人： 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤
- 当前专利权人： 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤
- 当前专利权人地址： 일본 도쿄도 미나토쿠 신바시 *초메 **-*
- 代理人： 김태홍; 송승필
- 优先权： JPJP-P-2010-188027 2010-08-25
- 国际申请： PCT/JP2011/068977 2011-08-23
- 国际公布： WO2012026467 2012-03-01
- 主分类号： C23C14/34
- IPC分类号： C23C14/34 ; C23C14/08 ; H01L31/04
2 의 혼합 가스를 이용하고, 혼합 가스의 몰비가 H
2 /(Ar+H
2 ) = 0.01 ~ 0.43, 스퍼터링 가스압이 2.0 ~ 15.0 Pa, 기판 온도가 300 ~ 600℃의 조건하에서, 산화아연을 주성분으로 한 산화물 소결체 타겟을 이용하여, 투광성 기판(1) 상에 투명 도전막(2)을 형성한다. 그리고, 투명 도전막(2) 상에, 비정질 광전 변환 유닛(3), 이면 전극(5)을 순서대로 형성한다.
Can be prepared in a short time the transparent conductive film is excellent, there is provided a method of manufacturing the transparent conductive film production process to improve the productivity of the thin film solar cell having a high efficiency, and the thin film solar cell. As the sputtering gas species of a mixed gas of Ar and H
2, and the molar ratio of the mixed gas
H 2 / (Ar + H 2 ) = 0.01 ~ 0.43, the sputtering gas pressure is 2.0 ~ 15.0 Pa, a substrate temperature of 300 ~ 600 ℃ under a condition, by using the oxide sintered body target composed mainly of zinc oxide, to form a transparent conductive film 2 on the transparent substrate 1. Then, on the transparent conductive film 2, to form an amorphous photoelectric conversion unit 3, a back electrode (5) in order.