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1. 发明授权

KR101842224B1 태양광 모듈 국부 박리 장치 有权
标题翻译：光伏组件局部剥离装置
公开(公告)号：KR101842224B1
公开(公告)日：2018-03-26
申请号：KR1020160150185
申请日：2016-11-11
申请人： 한국에너지기술연구원
发明人： 이진석 , 안영수 , 강기환
IPC分类号： B09B3/00 , H01L31/18 , H01L31/042 , B02C7/02 , B02C7/17
CPC分类号： B02C23/30 , B02C4/02 , B02C23/10 , B02C23/38 , B02C25/00 , B04C5/26 , H01L31/18 , B09B3/00 , B02C7/02 , B02C7/17 , H01L31/042 , H01L31/1892 , Y02W30/20 , Y02W30/521 , Y02W30/82
摘要： 본발명은, 재활용을위하여태양광모듈의소자층을분류하여수거하는태양광모듈국부박리장치에있어서, 이종의소자층을분류하여분쇄하기위해복수의그라인더를다단으로구비하여분쇄영역의소자층을포집가능한입자형태로분쇄하는분쇄부; 및복수의흡입기를구비하여, 상기분쇄부가분쇄한입자를분류하여흡입하는흡입부를포함한다. 본발명은소자층의높이측정및 정밀한분쇄영역설정이가능한센서부를제공하며, 다단으로구성되어단일공정만으로태양광모듈의백시트층과셀 층을분리할수 있는분쇄부를제공한다. 이를통해선별부에서후속되는태양광모듈입자의분류과정의효율을향상시킬수 있고, 태양광모듈중 유리기판이파쇄된모듈에도해당태양광모듈국부박리장치가적용될수 있는이점이있다.
摘要翻译：本发明，在光生伏打模块本地分离装置回收用于收集和太阳能模块的器件层进行分类，研磨区域的具有多个研磨机的用于通过分类不同类型的多元件层的器件层的研磨粉碎部分，用于粉碎能够收集的颗粒形式的颗粒; 以及包括多个抽吸单元的抽吸单元，其中粉碎单元分离粉碎的颗粒并抽吸它们。本发明提供能够测量高度和传感器元件层的精磨区域的设定的单元，它由多级研磨单元，可以提供单独的底片层和所述光伏模块的仅具有单个步骤中的细胞层。这具有能提高在随后的选择单元粒子的太阳能电池组件分类的效率，则存在玻璃基板的太阳能电池组件被分解模块中存在的问题，并且可应用于光伏模块本地分离装置。

2. 发明公开

KR1020170063528A 마이크로-전사 인쇄를 위한 장치 및 방법들 审中-实审
标题翻译：用于微转印的设备和方法
公开(公告)号：KR1020170063528A
公开(公告)日：2017-06-08
申请号：KR1020177004506
申请日：2015-07-20
申请人： 엑스-셀레프린트 리미티드
发明人： 보워,크리스토퍼 , 메이틀,매튜 , 크니부르크,데이비드 , 고메즈,데이비드 , 보나페데,살바토르
IPC分类号： H01L21/52 , B41K3/04 , B41K3/12 , B41F16/00 , H01L21/3065 , H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/56
CPC分类号： B41F16/00 , B25J15/00 , B41F16/0046 , B41F16/006 , B41F16/0073 , B41K3/04 , B41K3/12 , H01L21/3065 , H01L21/52 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L21/67103 , H01L21/683 , H01L21/6835 , H01L23/293 , H01L23/3171 , H01L24/75 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L25/50 , H01L31/1892 , H01L2221/68318 , H01L2221/68354 , H01L2221/68368 , H01L2221/68377 , H01L2221/68381 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/75315 , H01L2224/7598 , H01L2224/83001 , H01L2224/83011 , H01L2224/83013 , H01L2224/83024 , H01L2224/832 , H01L2224/83894 , H01L2224/83895 , H01L2924/10253 , H01L2924/1032 , H01L2924/10328 , H01L2924/10329 , H01L2924/10332 , H01L2924/10335 , H01L2924/10336 , H01L2924/10337 , H01L2924/10338 , H01L2924/1034
摘要： 일양상에서는, 목적지기판의수신표면상에반도체디바이스를어셈블링하기위한시스템및 방법이개시된다. 다른양상에서는, 토포그래픽특징들을갖는목적지기판상에반도체디바이스를어셈블링하기위한시스템및 방법이개시된다. 다른양상에서는, 반도체디바이스를인쇄하기위한중력-보조분리시스템및 방법이개시된다. 다른양상에서는, 반도체디바이스들을인쇄하기위한전사디바이스의다양한특징들이개시된다.
摘要翻译：在一个方面中，公开了一种用于在目标衬底的接收表面上组装半导体器件的系统和方法。另一方面，公开了一种用于在具有地形特征的目的板上组装半导体器件的系统和方法。另一方面，公开了一种用于印刷半导体器件的重力辅助分离系统和方法。另一方面，公开了用于印刷半导体器件的转印装置的各种特征。

3. 发明公开

KR1020170057388A 간소화 침착 공정으로 제조한 태양 전지 审中-实审
标题翻译：通过简化沉积工艺制造的太阳能电池
公开(公告)号：KR1020170057388A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：KR1020177010608
申请日：2015-09-22
申请人： 선파워 코포레이션 , 토탈 마케팅 서비스
发明人： 임승범 , 무어스매티유
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0368 , H01L31/028 , H01L31/0236 , H01L31/0224 , C30B25/02 , C30B29/06
CPC分类号： H01L31/0682 , C30B25/02 , C30B29/06 , H01L31/022441 , H01L31/022458 , H01L31/02363 , H01L31/028 , H01L31/0288 , H01L31/03682 , H01L31/0745 , H01L31/1804 , H01L31/182 , H01L31/1892 , Y02E10/50 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 간소화된침착공정을이용하여태양전지를제조하는방법, 및생산된태양전지가개시된다. 일예에서, 태양전지를제조하는방법은템플릿기판을침착챔버안으로로딩하고, 템플릿기판을침착챔버로부터제거하지않고, 침착방법을수행하는단계를포함한다. 침착방법은템플릿기판상에제1 규소층을형성하는단계를포함하고, 제1 규소층은제1 전도형이다. 침착방법은또한제1 규소층상에제2 규소층을형성하는단계를포함하고, 제2 규소층은제1 전도형이다. 침착방법은또한제2 규소층위에제3 규소층을형성하는단계를포함하고, 제3 규소층은제2 전도형이다. 침착방법은또한제3 규소층상에고체상태도핑층을형성하는단계를포함하고, 고체상태도핑층은제1 전도형이다.
摘要翻译：公开了一种使用简化的沉积工艺制造太阳能电池的方法以及制造的太阳能电池。在一个实例中，一种用于制造太阳能电池的方法包括：将模板衬底装载到沉积室中并且执行沉积方法，而不从沉积室移除模板衬底。沉积方法包括在模板衬底上形成第一硅层，其中第一硅层为第一导电类型。沉积方法还包括在第一硅层上形成第二硅层，并且第二硅层是第一导电类型。沉积方法还包括在第二硅层上形成第三硅层，并且第三硅层是第二导电类型。沉积方法还包括在第三硅层上形成固态掺杂层，其中固态掺杂层为第一导电类型。

4. 发明公开

KR1020160136103A 고속 에피택셜 리프트오프와 III-V족 직접 성장용 템플릿을 이용한 반도체 소자의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 반도체 소자 有权
标题翻译： III-V使用高速外延起飞和III-V直接生长的半导体器件制造半导体器件的方法和使用其制造的半导体器件
公开(公告)号：KR1020160136103A
公开(公告)日：2016-11-29
申请号：KR1020150069836
申请日：2015-05-19
申请人： 한국과학기술연구원
发明人： 김상현 , 금대명 , 박민수 , 최원준
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/78 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/78 , H01L21/185 , H01L21/6835 , H01L29/267 , H01L29/66219 , H01L29/861 , H01L31/0304 , H01L31/184 , H01L31/1892 , Y02E10/544
摘要： 반도체소자의제조방법은, 제1 기판및 상기제1 기판상에위치하는패턴된제1 III-V족화합물층을포함하는템플릿(template)을제공하는단계; 상기패턴된제1 III-V족화합물층상에에피택시(epitaxy) 성장방식으로희생층을형성하는단계; 상기희생층상에에피택시성장방식으로제2 III-V족화합물층을형성하는단계; 상기제2 III-V족화합물층상에실리콘으로이루어진제2 기판을접합하는단계; 및상기희생층을제거함으로써상기제2 III-V족화합물층및 상기제2 기판을상기템플릿으로부터분리하는단계를포함한다. 템플릿의패턴된 III-V족화합물층으로부터또 다른 III-V족화합물층이직접성장방식으로제조되므로, III-V족화합물과다른기판사이의결함이제거되며, 대면적의반도체소자를직접성장방식으로제조할수 있고, 웨이퍼(wafer) 크기의제한이나비용증가등의문제점을줄일수 있다.
摘要翻译：公开了一种制造半导体器件的方法，其包括提供具有第一衬底和位于第一衬底上的图案化的第一III-V族化合物层的模板，在图案化的第一III-V族化合物层上形成牺牲层，外延生长，通过外延生长在牺牲层上形成第二III-V族化合物层，将由硅制成的第二衬底结合到第二III-V族化合物层上，以及将第二III-V族化合物层和第二III-V族化合物层分离通过去除牺牲层从模板的衬底。

5. 发明公开

KR1020160086343A 태양 전지판 기계적 커넥터 및 프레임 审中-实审
标题翻译：太阳能机械连接器和框架
公开(公告)号：KR1020160086343A
公开(公告)日：2016-07-19
申请号：KR1020167013446
申请日：2014-10-15
申请人： 스파이스 솔라, 인코포레이티드
发明人： 시나몬,베리
IPC分类号： H02S30/00 , H02S30/10 , H02S40/36 , H01L31/0445 , H01L31/0368 , H01L31/0376 , H01L31/18
CPC分类号： H02S30/10 , H02S40/36 , Y10T29/49208 , Y10T29/49815 , Y10T29/49947 , H02S30/00 , H01L31/0368 , H01L31/0376 , H01L31/0445 , H01L31/1892 , Y02E10/50
摘要： 어레이내에서전지판들의위치에관계없이개별전지판들의제거를용이하게하는태양전지판기계적연결및 프레임이제공된다. 전지판들은전지판스플라이스들을사용하여, 구조물상에서전지판들의장착을용이하게하고전지판들을서로의결합을용이하게하기위한하나이상의외부대면그루브채널들을가지는프레임들을포함한다. 통합된전기연결인터페이스들은인접한전지판들의대응하는인터페이스들과결합하기위해각 전지판프레임의양쪽측부상에제공된다. 전기연결인터페이스들에대한접근을용이하게하고, 연결된전지판들에지지및 강성을제공하고, 인접한전지판들사이에접지경로를제공하고, 전지판스플라이스들과협동하여, 전기연결인터페이스들에대한손상을배제하도록전지판들의정렬을용이하게하는스페이서요소가또한개시된다.

6. 发明公开

KR1020160027306A 전자 소자가 형성된 금속기판의 제조방법 有权
标题翻译：制造具有形成电子元件的金属基板的方法
公开(公告)号：KR1020160027306A
公开(公告)日：2016-03-10
申请号：KR1020140113136
申请日：2014-08-28
申请人： 주식회사 포스코
发明人： 김경보 , 박영준 , 김무진 , 김종상 , 이재륭
IPC分类号： H01L27/12 , H01L31/18 , H01L51/00
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L27/1266 , H01L31/1892 , H01L31/1896 , H01L51/003
摘要： 전자소자가형성된금속기판의제조방법이개시된다. 본발명의일 측면인전자소자가형성된금속기판의제조방법은금속기판을준비하는단계; 상기금속기판의일면에 GaN(Gallium Nitride) 층을형성하는단계; 상기 GaN 층상에유리층을형성하는단계; 상기유리층상에유리기판을위치시키고, 열처리하여상기금속기판과상기유리기판을합착시키는단계; 상기금속기판의타면에전자소자를형성하는단계; 및상기전자소자가형성된금속기판과유리층사이에형성된 GaN 층에레이저빔을조사하여, 전자소자가형성된금속기판을유리기판으로부터분리하는단계를포함한다.
摘要翻译：公开了一种用电子器件形成的金属基片的制造方法。根据本发明的实施例的用电子器件形成的金属基板的制造方法包括以下步骤：制备金属基板; 在所述金属基板的一个表面上形成氮化镓（GaN）层; 在所述GaN层上形成玻璃层; 将玻璃基板定位在玻璃层上并对玻璃基板进行热处理以将金属基板接合到玻璃基板上; 在所述金属基板的另一个表面上形成所述电子器件; 并且通过将激光束照射到形成在形成有电子器件的玻璃层和金属基板之间的GaN层，从玻璃基板分离形成电子器件的金属基板。本发明的目的是提供一种用于制造形成电子器件的金属基板的方法，即使使用具有优异散热性的金属基板作为柔性基板，也可以容易地与玻璃基板分离。

7. 发明公开

KR1020140140053A 레이저 분할 및 디바이스 층 전사를 위한 시스템 및 방법 审中-实审
标题翻译：用于激光分割和器件层传输的系统和方法
公开(公告)号：KR1020140140053A
公开(公告)日：2014-12-08
申请号：KR1020147027309
申请日：2013-02-26
申请人： 솔렉셀, 인크.
发明人： 요네하라,타카오 , 라나,비렌드라,브이. , 수터,션 , 모슬레히,메드다드,엠. , 타미마니,서브라마니안
IPC分类号： H01L21/301 , H01L21/268 , B23K26/00
CPC分类号： H01L21/7813 , B23K26/0006 , B23K26/0054 , B23K26/0057 , B23K26/0093 , B23K26/0622 , B23K26/082 , B23K26/0869 , B23K26/244 , B23K26/702 , B23K2201/40 , B23K2203/52 , B42D25/00 , B81C1/0038 , B81C1/0088 , B81C2201/0192 , B81C2201/0194 , H01L21/268 , H01L21/304 , H01L21/76254 , H01L21/76259 , H01L25/0657 , H01L31/022441 , H01L31/0682 , H01L31/1892 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L2224/32145 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48247 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/13091 , H01L2924/1461 , Y02E10/547 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： 방법 및 시스템은 레이저 조사를 이용하여 두꺼운 도너 웨이퍼에서, 광학, 광전, 전자, 마이크로 전자 기계 시스템 (MEMS)을 포함하는 결정질 반도체 물질, 또는 광전자 장치의 원하는 두께의 층을 분할 및 분리를 위해 제공된다(Methods and systems are provided for the split and separation of a layer of desired thickness of crystalline semiconductor material containing optical, photovoltaic, electronic, micro-electro-mechanical system (MEMS), or optoelectronic devices, from a thicker donor wafer using laser irradiation).
摘要翻译：提供的方法和系统用于使用激光照射从较厚的施主晶片分离和分离含有光学，光电，电子，微电子机械系统（MEMS）或光电子器件的期望厚度的结晶半导体材料的层。

8. 发明公开

KR1020140109528A 반도체 요소 전사 방법 审中-实审
标题翻译：传输半导体元件的方法
公开(公告)号：KR1020140109528A
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：KR1020130021383
申请日：2013-02-27
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 조은형 , 최준희 , 손진승 , 문창렬
IPC分类号： H01L21/20 , H01L31/04
CPC分类号： H01L21/7806 , H01L21/02343 , H01L21/28 , H01L21/82 , H01L23/3192 , H01L27/153 , H01L31/035281 , H01L31/03926 , H01L31/1848 , H01L31/1856 , H01L31/1892 , H01L31/1896 , H01L33/0079 , H01L33/02 , H01L33/32 , H01L33/44 , H01L2933/0016 , H01S5/0217 , H01S5/32341 , Y02E10/544 , Y02P70/521
摘要： Disclosed herein is a method of transferring semiconductor elements from a non-flexible substrate to a flexible substrate, and a method of manufacturing a flexible semiconductor device based on the method of transferring semiconductor elements. Vertical semiconductor elements grown or formed on a non-flexible substrate may be effectively transferred to a resin layer while maintaining an arrangement of the vertical semiconductor elements. The resin layer may function as a flexible substrate to support the vertical semiconductor elements.
摘要翻译：本文公开了将半导体元件从非柔性基板转移到柔性基板的方法，以及基于转移半导体元件的方法制造柔性半导体器件的方法。生长或形成在非柔性基板上的垂直半导体元件可以有效地转移到树脂层，同时保持垂直半导体元件的布置。树脂层可以用作柔性基板以支撑垂直半导体元件。

9. 发明公开

KR1020140082780A 이중층 전송 방법 审中-实审
标题翻译：双层传输方法
公开(公告)号：KR1020140082780A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：KR1020147012123
申请日：2012-09-20
申请人： 꼼미사리아 아 레네르지 아토미끄 에뜨 옥스 에너지스 앨터네이티브즈
发明人： 포르넬프랑크 , 아르고드막심 , 다폰세카제레미 , 모리쏘휴베르트
IPC分类号： H01L21/18 , H01L21/20
CPC分类号： H01L21/76259 , H01L21/187 , H01L21/2007 , H01L29/0603 , H01L31/1892 , Y02E10/50
摘要： 층(1)을 전송하는 방법으로서, 1) 결합 에너지 E0로써 초기 기판에 접합된 층(1)을 제공하는 단계; b) 상기 층(1)의 전면 페이스(8)를 중간 결합 에너지 Ei에 따라 중간 기판(5)에 결합시키는 단계; c) 상기 초기 기판을 상기 층(1)로부터 분리시키는 단계; e) 후면 페이스를 최종 결합 에너지 Ef에 따라 최종 기판(11)에 결합시키는 단계, 및 f) 상기 중간 기판(5)을 상기 층(1)로부터 탈결합시켜 상기 층(1)을 상기 최종 기판(11) 상으로 전송하는 단계를 포함하고, 상기 단계 b)는 실록산 결합(Si-O-Si)을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 단계 c)는 제 1 무수 분위기(anhydrous atmosphere)에서 수행되며, 상기 단계 f)는 상기 중간 결합 에너지 Ei가 단계 c)에서 제 1 값 Ei1을 그리고 단계 f)에서 제 2 값 Ei2를 가지도록 제 2 습식 분위기에서 수행되고, Ei1 > E0 이고 Ei2

10. 发明授权

KR101380907B1 광기전 장치를 위한 금속 접촉부 및 그의 저온 제조 공정 有权
标题翻译：用于光伏器件的金属接触及其低温制造工艺
公开(公告)号：KR101380907B1
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：KR1020110112781
申请日：2011-11-01
申请人： 알타 디바이씨즈, 인크.
发明人： 케이어스,브렌단엠. , 키질리알리,이시크씨. , 니에,후이 , 아처,멜리사제이.
IPC分类号： H01L31/04 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/022425 , H01L31/022441 , H01L31/0735 , H01L31/1892 , Y02E10/544
摘要： 본 발명의 실시예는 일반적으로 광기전 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로 광기전 전지와 같은 광기전 장치 상에 증착되는 금속 접촉부 및 그러한 금속 접촉부를 형성하는 제조 공정에 관한 것이다. 금속 접촉부는 어닐링 공정 중 저온에서 형성되는 팔라듐 게르마늄 합금을 포함한다. 일부 실시예에서, 광기전 전지는 어닐링 공정 중 약 20 내지 약 275 ℃ 범위의 온도, 예컨대 약 30 분간 150 ℃의 온도로 가열될 수 있다. 다른 실시예에서, 광기전 전지는 어닐링 공정 중 적어도 약 0.5 분 동안 약 150 내지 275 ℃ 범위의 온도로 가열될 수 있다.

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