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1. 发明授权

KR101803221B1 상호접속부를 위한 자기정렬 배리어 층 有权
公开(公告)号：KR101803221B1
公开(公告)日：2017-11-29
申请号：KR1020167022151
申请日：2009-03-20
申请人： 프레지던트 앤드 펠로우즈 오브 하바드 칼리지
发明人： 고돈로이제랄드 , 김훈
IPC分类号： H01L21/285 , H01L21/768 , C23C16/16
CPC分类号： H01L21/76864 , C23C16/16 , C23C16/18 , H01L21/28556 , H01L21/76807 , H01L21/76829 , H01L21/76831 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L21/76849 , H01L21/76858 , H01L21/76873 , H01L23/53238 , H01L2221/1036 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 집적회로를위한상호접속구조물은집적회로내 구리선을완전히둘러싸는규산망간과질화규소망간층을포함하며, 이의제조방법이제공된다. 규산망간은배선으로부터의구리확산에대한배리어를형성하며, 이로써절연체가조기에붕괴되는것을방지하고, 트랜지스터가구리에의해열화되는것을방지한다. 규산망간과질화규소망간은또한구리와절연체간의강한밀착을촉진하고, 따라서제조및 사용동안소자의기계적무결성을보전한다. 구리-규산망간및 질화규소망간계면에서의강한밀착은또한소자의사용중에구리의전자이동에의한고장을방지한다. 망간함유외피는또한그 주변으로부터의산소또는물에의한부식으로부터구리를보호한다.

2. 发明公开

KR1020170095164A 구리 금속화에 있어서의 자체 형성 배리어층 및 루테늄 금속 라이너의 집적화 审中-实审
标题翻译：在铜金属化中集成自成形阻挡层和钌金属衬里
公开(公告)号：KR1020170095164A
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：KR1020170019589
申请日：2017-02-13
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 유카이-헝 , 오이에마나부 , 마에카와카오루 , 와즈다코리 , 레우싱크게릿 , 기쿠치유우키 , 가와사키히로아키 , 나가이히로유키
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/203 , H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/321
CPC分类号： H01L21/76846 , H01L21/2855 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/76831 , H01L21/76843 , H01L21/76849 , H01L21/76856 , H01L21/76858 , H01L21/76864 , H01L21/76867 , H01L21/76877 , H01L21/76879 , H01L21/76883 , H01L23/5283 , H01L23/53238
摘要： 반도체제조시의구리(Cu) 금속화에의해컨포멀배리어층및 루테늄(Ru) 금속라이너를집적하는방법을여러실시예에서설명한다. 일실시예에따르면, 방법은리세스형피처를포함하는기판을제공하는단계; 리세스형피처내에배리어층을증착하는단계; 배리어층상에 Ru 금속라이너를증착하는단계; Ru 금속라이너를통하여배리어층을산화시키도록기판을산화원가스에노출시키는단계를포함한다. 방법은, IPVD 공정을이용하여 CuMn 금속으로리세스형피처를메우는단계; Mn을상기 CuMn 금속으로부터산화된배리어층으로확산시키도록기판을열처리하는단계; Mn 함유확산배리어를형성하기위하여확산된 Mn을산화된배리어층과반응시키는단계를더 포함한다.
摘要翻译：在各种实施例中描述了用于在半导体制造期间通过铜金属化来整合共形阻挡层和钌（Ru）金属衬里的方法。根据一个实施例，一种方法包括提供包括凹陷特征的衬底; 在凹陷特征内沉积阻挡层; 在阻挡层上沉积Ru金属衬垫; 并且将衬底暴露于氧化源气体以通过Ru金属衬垫氧化阻挡层。该方法包括使用IPVD工艺用CuMn金属填充凹陷特征; 退火衬底以将Mn从CuMn金属扩散到氧化的阻挡层; 并且使扩散的Mn与氧化的阻挡层反应以形成含Mn的扩散阻挡层。

3. 发明授权

KR101196501B1 반도체장치의 제조 방법, 반도체장치의 제조 장치, 컴퓨터 프로그램 및 기억 매체 失效
标题翻译：半导体器件制造方法，半导体器件制造设备，计算机程序和存储介质
公开(公告)号：KR101196501B1
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：KR1020097001198
申请日：2007-06-15
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 고지마야스히코 , 이케다다로 , 하타노다츠오
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/285 , H01L21/324 , H01L23/52
CPC分类号： H01L21/28556 , C23C16/0281 , C23C16/18 , H01L21/76843 , H01L21/76855 , H01L21/76858 , H01L21/76867 , H01L21/76877
摘要： 유기 불순물층의 형성을 억제하고 또한 구리막과 하지로 되는 금속의 밀착성이 양호한 반도체장치를 제조한다. 티탄 등의 산화 경향이 높은 금속으로 이루어지는 배리어 메탈층(13)(하지막)이 피복된 기판(웨이퍼(W))이 처리 용기내에 탑재된다. 수증기의 공급 개시와 동시 또는 그 후, 구리의 유기 화합물(예를 들면 Cu(hfac)TMVS)로 이루어지는 원료 가스가 공급되어, 수증기에 의해 산화물층(13a)이 형성된 배리어 메탈층(13)의 표면에 구리막이 성막된다. 다음에, 이 웨이퍼(W)에 열처리를 실시하여, 산화물층(13a)을, 배리어 메탈층(13)을 구성하는 금속과 구리의 합금층(13b)으로 변환한다.

4. 发明公开

KR1020120019378A 카본 나노튜브 배선 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：碳纳米管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020120019378A
公开(公告)日：2012-03-06
申请号：KR1020110082810
申请日：2011-08-19
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 와다마꼬또 , 야마자끼유이찌 , 가따기리마사유끼 , 기따무라마사유끼 , 사까따아쯔꼬 , 가지따아끼히로 , 사까이다다시 , 사꾸마나오시
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/768
CPC分类号： H01L23/53276 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L21/76831 , H01L21/76844 , H01L21/76846 , H01L21/76855 , H01L21/76858 , H01L21/76865 , H01L21/76876 , H01L21/76877 , H01L21/76879 , H01L23/5226 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L23/53266 , H01L23/53295 , H01L2221/1089 , H01L2221/1094 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： PURPOSE: A carbon nano tube wire and a manufacturing method thereof are provided to suppress the growth of a carbon nano tube in an inner side of a via hole by forming a catalyst inactive layer in the inner side of the via hole. CONSTITUTION: A contact layer(100) is formed on a substrate(10). The contact layer is comprised of a contact layer insulation film(11) and a contact(12). A first wire layer is formed on the contact layer. A first wiring layer(200) is comprised of a stopper layer(13), a wiring layer insulation film(14) and a lower layer wiring(16). A via hole(300) is comprised of a stopper layer(17), a via layer insulation film(18), and a via(310).
摘要翻译：目的：提供一种碳纳米管线及其制造方法，通过在通孔的内侧形成催化剂无活性层，抑制碳纳米管在通孔内侧的生长。构成：在基板（10）上形成接触层（100）。接触层由接触层绝缘膜（11）和触点（12）构成。在接触层上形成第一线层。第一布线层（200）由阻挡层（13），布线层绝缘膜（14）和下层布线（16）构成。通孔（300）由阻挡层（17），通孔层绝缘膜（18）和通孔（310）构成。

5. 发明授权

KR100792358B1 반도체 소자의 금속배선 및 그 형성방법 有权
标题翻译：半导体器件中的金属线及其形成方法
公开(公告)号：KR100792358B1
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：KR1020060096346
申请日：2006-09-29
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 최용수 , 김규현
IPC分类号： H01L21/28
CPC分类号： H01L23/53223 , H01L21/02074 , H01L21/3212 , H01L21/7684 , H01L21/76843 , H01L21/76846 , H01L21/76858 , H01L21/76877 , H01L21/76883 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： A metal interconnection of a semiconductor device is provided to control generation of galvanic corrosion on an interface between a barrier metal layer and a metal layer by forming a galvanic corrosion preventing layer on an interface between a barrier metal layer and a metal layer for a metal interconnection such that the galvanic corrosion preventing layer is made of an alloy layer containing a metal layer material. An insulation layer having a trench is formed. A barrier metal layer(24) is formed along a step of the upper surface of the insulation layer with the trench. A metal layer is formed on the barrier metal layer to fill the trench. A galvanic corrosion preventing layer is formed on an interface between the metal layer and the barrier metal layer. The galvanic corrosion preventing layer can be composed of an alloy layer containing the metal layer material.
摘要翻译：提供半导体器件的金属互连以通过在阻挡金属层和用于金属互连的金属层之间的界面上形成电蚀腐蚀层来控制在阻挡金属层和金属层之间的界面上的电偶腐蚀的产生使得防电镀层由含有金属层材料的合金层制成。形成具有沟槽的绝缘层。沿着具有沟槽的绝缘层的上表面的台阶形成阻挡金属层（24）。在阻挡金属层上形成金属层以填充沟槽。在金属层和阻挡金属层之间的界面上形成电镀防腐层。电镀防腐层可以由含有金属层材料的合金层构成。

6. 发明授权

KR100761467B1 금속배선 및 그 형성 방법 有权
标题翻译：金属互连及其形成方法
公开(公告)号：KR100761467B1
公开(公告)日：2007-09-27
申请号：KR1020060058961
申请日：2006-06-28
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 최경인 , 이상우 , 이종명 , 홍종원 , 이현배
IPC分类号： H01L21/28
CPC分类号： H01L23/5226 , H01L21/76846 , H01L21/76858 , H01L23/53223 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： A metal interconnection and a method for forming the same are provided to prevent a copper wiring from diffusing into an aluminum wiring when the aluminum wiring is formed on the copper wiring. An insulating layer(130) is formed on a semiconductor substrate(110) having a first metal interconnection(115), and then is patterned to form an opening(135) exposing the first metal interconnection. A first diffusion barrier layer(145) comprising one selected from the group consisting of Al, Zr, Si, Mo, Co, W, Ru and Ni is formed on the exposed first metal interconnection. A second metal interconnection(165) is formed on the first diffusion barrier layer. The first metal interconnection contains copper, and the second metal interconnection contains aluminum.
摘要翻译：提供金属互连及其形成方法，以防止在铜布线上形成铝布线时铜线扩散到铝布线中。绝缘层（130）形成在具有第一金属互连（115）的半导体衬底（110）上，然后被图案化以形成露出第一金属互连的开口（135）。在暴露的第一金属互连件上形成包括选自Al，Zr，Si，Mo，Co，W，Ru和Ni中的一种的第一扩散阻挡层（145）。在第一扩散阻挡层上形成第二金属互连（165）。第一个金属互连包含铜，第二个金属互连包含铝。

7. 发明授权

KR100758886B1 반도체 장치 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：半导体装置及其制造方法
公开(公告)号：KR100758886B1
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：KR1020020023056
申请日：2002-04-26
申请人： 후지쯔 가부시끼가이샤
发明人： 오츠카노부유키 , 시미즈노리요시 , 사카이히사야 , 나카오요시유키 , 곤도히로키 , 스즈키다카시
IPC分类号： H01L21/3205
CPC分类号： H01L21/76849 , H01L21/76807 , H01L21/76829 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L21/76855 , H01L21/76858 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 본 발명은 구리층을 포함하는 다층 배선 구조를 갖는 반도체 장치에 관한 것으로, 배선이나 비아로서 사용되는 구리 패턴 표면의 산화, 부식을 방지하는 것을 목적으로 한다.
반도체 기판(1)의 상측에 형성된 제1 절연막(10)과, 제1 절연막(10)내에 매립된 제1 구리 패턴(12a)과, 제1 구리 패턴(12a) 위와 제1 절연막(10) 위에 형성되고 또한 제1 구리 패턴(12a)의 윗부분이 제1 절연막(10)의 윗부분보다도 전기 저항치가 작아지는 물질로 구성되는 캡층(13)과, 캡층(13) 위에 형성된 제2 절연막(14, 16)과, 제1 구리 패턴(12a) 위에서 제2 절연막(14, 16)에 형성된 홀(14a) 또는 홈(16a)내에 매립되어 캡층(13)을 통해 제1 구리 패턴에 전기적으로 접속되는 제2 구리 패턴을 포함한다.
摘要翻译：本发明涉及具有包括铜层的多层互连结构的半导体器件，并且旨在防止用作布线和过孔的铜图案表面的氧化和腐蚀。

8. 发明授权

KR100703968B1 반도체 소자의 배선 형성 방법 失效
标题翻译：用于形成半导体元件的布线的方法
公开(公告)号：KR100703968B1
公开(公告)日：2007-04-06
申请号：KR1020050034650
申请日：2005-04-26
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 서봉석 , 이선정 , 신홍재 , 이수근
IPC分类号： H01L21/28
CPC分类号： H01L21/76846 , H01L21/76849 , H01L21/76858 , H01L21/76871 , H01L21/76877 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 반도체 소자의 배선 형성 방법이 제공된다. 반도체 소자의 배선 형성 방법은 반도체 기판 상에 배선 형성 영역을 구비하는 절연막 패턴을 형성하는 단계, 절연막 패턴 상에 확산 방지층을 형성하는 단계, 확산 방지층 상에 제1 점착층을 형성하는 단계, 제1 점착층 상에 씨드층을 형성하는 단계, 배선 형성 영역을 채우도록 도전층을 형성하는 단계, 제1 어닐링을 실시하여 도전층의 결정립을 성장시키는 단계, 절연막 패턴의 상면이 노출되도록 도전층을 평탄화하는 단계, 제1 어닐링보다 고온에서 제2 어닐링을 실시하여, 제1 점착층과 도전층이 반응하여 형성된 인터페이스층을 형성하는 단계를 포함한다.
구리 배선, 점착층, 확산 방지층, 비저항
摘要翻译：提供了一种形成半导体器件的布线的方法。的半导体装置的布线形成方法包括：形成在台阶上的第一粘合剂层，所述扩散阻挡层上形成上形成半导体基板，绝缘膜图案，所述第一上具有布线形成区域的绝缘膜图案的步骤的扩散阻挡层形成在粘附层上的籽晶层，形成导电层以填充线形成区域，该方法包括：通过执行第一退火以生长导电层的晶粒，平坦化所述导电层，使得所述上表面，在绝缘膜图案暴露并且在比第一退火更高的温度下执行第二退火以形成通过使第一粘合层和导电层反应而形成的界面层。

9. 发明公开

KR1020070008366A 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치 有权
标题翻译：用于具有改进的铜扩散的铜电极的预制功能的半导体器件的制造方法和铜或铜合金和这种类型的半导体器件的布线
公开(公告)号：KR1020070008366A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：KR1020050096847
申请日：2005-10-14
申请人： 후지쯔 가부시끼가이샤
发明人： 고우라유미코 , 기타다히데키 , 오자와기요시
IPC分类号： H01L21/28
CPC分类号： H01L23/53238 , H01L21/2885 , H01L21/76831 , H01L21/76843 , H01L21/76855 , H01L21/76858 , H01L21/76873 , H01L21/76877 , H01L23/5226 , H01L23/53295 , H01L2221/1089 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： A semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to secure a sufficient barrier property by forming a metal oxide film in a region in which the barrier property of a barrier metal layer is not sufficient. A copper alloy film(21) containing at least two metallic elements is formed on a surface of an insulator which is formed on a semiconductor substrate. A metal film(18) made of pure copper or copper alloy is formed on the copper alloy film. After the above step, the substrate is subjected to heat treatment under a condition that a metal oxide film(20) is formed on a surface of the insulator through reaction between oxygen contained in the insulator and the metal elements contained in the copper alloy film.
摘要翻译：提供了一种半导体器件及其制造方法，以通过在阻挡金属层的阻挡性不足的区域中形成金属氧化物膜来确保足够的阻挡性。在形成在半导体基板上的绝缘体的表面上形成含有至少两个金属元素的铜合金膜（21）。在铜合金膜上形成由纯铜或铜合金制成的金属膜（18）。在上述步骤之后，通过在绝缘体中包含的氧和铜合金膜中所含的金属元素之间的反应，在绝缘体的表面上形成金属氧化物膜（20）的条件下对衬底进行热处理。

10. 发明授权

KR100613154B1 금속배선 구조, 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조방법 有权
标题翻译：金属互连，半导体器件，形成金属互连的方法和用于制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR100613154B1
公开(公告)日：2006-08-17
申请号：KR1020000049913
申请日：2000-08-26
申请人： 후지쯔 가부시끼가이샤
发明人： 우찌보리지히로
IPC分类号： H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76846 , H01L21/7681 , H01L21/76858 , H01L21/76868 , H01L21/76873 , H01L21/76874 , H01L23/53233 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 본 발명은 동 배선층과 배리어층 또는 배리어층과 층간절연막의 밀착성을 높일 수 있는 금속배선 구조, 반도체 장치, 금속배선의 형성방법과 반도체 장치의 제조방법, 반도체 장치의 구조 및 그 제조방법을 제공하는 것을 과제로 한다.
반도체 기판(10) 상의 절연막(22, 26)에 형성된 개구부를 매입하도록 하여 금속배선(42)이 형성되고, 금속배선(42)이 반도체 기판(10) 상의 반도체 소자와 전기적으로 접속되어 있는 반도체 장치에 있어서, 금속배선(42)은 개구부(30, 32)의 내벽면을 덮도록 형성된 배리어층(34)과, 배리어층(34) 상을 덮도록 형성된 지르코늄을 함유한 밀착층(36)과, 배리어층(34) 및 밀착층(36)을 거쳐서 개구부에 매입된 동을 주성분으로 하는 배선재(38, 40)를 갖는다.
반도체 장치, 실리콘 기판, 배선층, 배리어층, 층간절연막, 확산층, 게이트 전극, 배선 홈, 레지스트막, 비어 홀

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