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1. 发明公开

KR20180025491A 스토리지 장치 및 스토리지 장치의 동작 방법 审中-公开
标题翻译：存储设备和操作存储设备的方法
公开(公告)号：KR20180025491A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：KR20160111905
申请日：2016-08-31
申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
发明人： LEE JONG WON , SHIN DONG EUN
IPC分类号： G06F3/06
CPC分类号： G06F3/064 , G06F3/0604 , G06F3/0673 , G06F12/0238 , G06F2212/202
摘要： 본발명은스토리지장치에관한것이다. 본발명의실시예에따른스토리지장치는불휘발성메모리장치및 컨트롤러를포함한다. 불휘발성메모리장치는복수의메모리블록들을포함하고, 각메모리블록은복수의스트링선택라인들에연결된스트링선택트랜지스터들, 복수의접지선택라인들에연결된접지선택트랜지스터들및 복수의워드라인들에연결된메모리셀들을포함한다. 컨트롤러는읽기리클레임동작시에, 제1 메모리블록의유효데이터그룹들을읽고읽혀진유효데이터그룹들을제2 메모리블록에기입한다. 컨트롤러는유효데이터그룹들의읽기카운트들에따라유효데이터그룹들이제2 메모리블록에기입되는위치들을재배치한다.
摘要翻译：存储设备包括非易失性存储设备和控制器。非易失性存储器件包括多个存储块，每个存储块包括连接到多个串选择线的串选择晶体管，连接到多个地选择线的地选择晶体管以及连接到多个字线的存储单元。在读取回收操作期间，控制器读取第一存储器块的有效数据组，并将读取的有效数据组写入第二存储器块。控制器基于有效数据组的读取计数来分配写入有效数据组的第二存储器块的位置。

2. 发明授权

KR101818445B1 메모리 컨트롤러, 이의 동작 방법, 및 상기 메모리 컨트롤러를 포함하는 전자 장치들 有权
标题翻译：一种存储器控制器，其操作方法以及包括该存储器控制器的电子设备
公开(公告)号：KR101818445B1
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：KR1020110068089
申请日：2011-07-08
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 문귀연 , 오화석
IPC分类号： G11C16/06 , G11C7/10 , G06F12/00
CPC分类号： G06F12/0292 , G06F3/0604 , G06F3/064 , G06F3/0679 , G06F12/0246 , G06F2212/202 , G06F2212/7207 , G11C16/0483 , G11C16/22 , H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/12044 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： 메모리컨트롤러의동작방법이개시된다. 상기방법은복수의시드그룹들중에서현재프로그램될페이지에대한시드그룹에포함된시드를이용하여의사난수를생성하는단계와, 상기의사난수를이용하여상기페이지에프로그램될데이터를랜더마이즈하고랜더마이즈된데이터를출력하는단계를포함한다.
摘要翻译：公开了一种存储器控制器的操作方法。该方法包括使用种子组中包括的种子为多个种子组中的当前将被编程的页面生成伪随机数，以及使用伪随机数对要编程的数据进行随机化，并输出数据。

3. 发明公开

KR1020170120738A 불휘발성 메모리 장치 및 컨트롤러를 포함하는 스토리지 장치를 액세스하는 액세스 방법 审中-实审
标题翻译：用于访问包括非易失性存储器设备和控制器的存储设备的访问方法
公开(公告)号：KR1020170120738A
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：KR1020160048759
申请日：2016-04-21
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 황주영
IPC分类号： G06F12/02 , G06F11/14 , G06F13/16
CPC分类号： G06F12/0692 , G06F3/0604 , G06F3/064 , G06F3/0643 , G06F3/0688 , G06F11/1471 , G06F12/0246 , G06F12/1009 , G06F2201/80 , G06F2201/805 , G06F2201/82 , G06F2212/1032 , G06F2212/202 , G06F2212/65
摘要： 본발명은불휘발성메모리장치및 컨트롤러를포함하는스토리지장치를액세스하는액세스방법에관한것이다. 본발명의액세스방법은, 불휘발성메모리장치의제1 논리어드레스에대응하는저장공간에사용자데이터, 제1 논리어드레스및 사용자데이터와연관된제2 논리어드레스를기입하는단계를포함한다. 사용자데이터는불휘발성메모리장치에미리기입되어있던이전데이터를갱신하는갱신데이터이다. 제2 논리어드레스는이전데이터가기입된불휘발성메모리장치의저장공간의논리어드레스이다.
摘要翻译：本发明涉及一种用于访问包括非易失性存储器件和控制器的存储设备的访问方法。本发明的访问方法包括将用户数据，第一逻辑地址和与用户数据相关联的第二逻辑地址写入对应于非易失性存储器件的第一逻辑地址的存储空间中。用户数据是用于更新先前已写入非易失性存储装置的先前数据的更新数据。第二逻辑地址是写入先前数据的非易失性存储装置的存储空间的逻辑地址。

4. 发明公开

KR1020160130199A 영구 저장소로의 라이트백을 요구하는 비 트랜잭션 코드 영역의 시작과 끝을 마킹하는 명령어들 有权
标题翻译：标记开始和结束的非交易代码区域的说明要求写入备用存储
公开(公告)号：KR1020160130199A
公开(公告)日：2016-11-10
申请号：KR1020160144211
申请日：2016-11-01
申请人： 인텔 코포레이션
发明人： 윌할름,토마스
IPC分类号： G06F9/30
CPC分类号： G06F12/0804 , G06F9/467 , G06F12/0811 , G06F12/0815 , G06F12/0875 , G06F2212/202 , G06F2212/452 , G06F2212/60 , G06F2212/621
摘要： 본원에기재되는프로세서는비휘발성랜덤액세스메모리와로직회로로의인터페이스를갖는다. 로직회로는비휘발성랜덤액세스메모리를트랜잭션의영구저장소로보는트랜잭션에의해수정되는캐시라인들을식별한다. 로직회로는또한비휘발성랜덤액세스메모리를영구저장소로보는트랜잭션과는다른소프트웨어프로세스에의해수정되는캐시라인들을식별한다.
摘要翻译：所描述的处理器具有与非易失性随机存取存储器和逻辑电路的接口。逻辑电路是识别由事务修改的高速缓存行，其将易失性随机存取存储器视为事务的持久性存储。逻辑电路还用于识别除了将所述非易失性随机存取存储器视为持续存储的事务之外的软件处理修改的高速缓存行。

5. 发明公开

KR1020160070920A 맵 테이블을 갖는 컨트롤러 및 반도체 메모리 장치를 포함하는 메모리 시스템 및 그것의 동작 방법 审中-实审
标题翻译：包括半导体存储器件的存储器系统和具有映射表的控制器及其操作方法
公开(公告)号：KR1020160070920A
公开(公告)日：2016-06-21
申请号：KR1020140177759
申请日：2014-12-10
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 이종민
IPC分类号： G06F12/02
CPC分类号： G06F12/0246 , G06F12/0292 , G06F2212/1016 , G06F2212/1041 , G06F2212/202 , G06F2212/657 , G06F2212/7201 , G06F12/02 , G06F12/0207 , G06F12/0215
摘要： 본발명의실시예에따른메모리시스템의동작방법은멀티레벨셀들을갖는메모리블록들의페이지들중 적어도일부를가리키는제 1 물리어드레스넘버들및 제 1 논리어드레스넘버들사이의매핑관계를포함하는제 1 맵테이블을저장하는단계, 제 1 논리어드레스넘버들이속하는논리어드레스그룹들을메타정보로서저장하는단계, 호스트로부터요청어드레스넘버로서수신하는단계, 요청어드레스넘버가속하는논리어드레스그룹을판별하는단계, 그리고판별된논리어드레스그룹이메타정보의논리어드레스그룹들내에존재하는지여부를감지하고, 감지결과에따라제 1 맵테이블내에서요청어드레스넘버를서치하는단계를포함한다.
摘要翻译：提供了具有改进的操作速度的存储器系统及其操作方法。根据本发明的实施例的存储器系统的操作方法包括以下步骤：存储包括第一物理地址号之间的映射关系的第一映射表，其指示具有多级的存储块的至少一部分页面单元和第一逻辑地址号; 存储具有第一逻辑地址号的逻辑地址组作为元信息; 从主机接收请求地址号码; 确定具有所述请求地址号的逻辑地址组; 并且检测所确定的逻辑地址组是否存在于元信息的逻辑地址组中，并且根据检测结果搜索第一映射表中的请求地址号。

6. 发明公开

KR1020160031903A 전자 장치 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：电子设备及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160031903A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：KR1020140122258
申请日：2014-09-15
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 도관우 , 박기선 , 하가영 , 박길재
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： G06F12/0868 , G06F2212/1024 , G06F2212/202 , G06F2212/313 , H01L27/222 , H01L27/24 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L27/11507
摘要： 본발명의실시예들이해결하려는과제는, 가변저항소자의측벽산화를방지하고가변저항소자의특성향상이가능한반도체메모리를포함하는전자장치및 그제조방법을제공하기위한것으로, 상기과제를해결하기위한본 발명의일 실시예에따른전자장치는, 반도체메모리를포함하는전자장치로서, 상기반도체메모리는, 기판상에형성된가변저항소자; 및상기가변저항소자의측벽및 상부에탄소가함유된알루미늄질화막을포함할수 있다.
摘要翻译：本发明的实施例的目的是提供一种包括半导体存储器的电子器件及其制造方法，该半导体存储器可以防止可变电阻器的侧面氧化并且可以改善可变电阻器的特性。根据本发明的实施例的实现该目标的电子设备包括半导体存储器。半导体存储器可以包括：形成在衬底上的可变电阻器; 以及在侧壁上含有碳的氮化铝膜和可变电阻器的上部。

7. 发明公开

KR1020160024995A 지속 메모리에 대한 블록 저장 애퍼처들 审中-实审
标题翻译：对存储记忆体的存储存储空间
公开(公告)号：KR1020160024995A
公开(公告)日：2016-03-07
申请号：KR1020167002219
申请日：2013-09-26
申请人： 인텔 코포레이션
发明人： 슈미수어,마크에이. , 루도프,앤디엠. , 나치무투,무루가사미 , 나투,마헤쉬에스. , 맨골드,리처드피. , 스튜어트,더글러스디.
IPC分类号： G06F13/16 , G06F12/02 , G06F12/10
CPC分类号： G06F12/10 , G06F3/061 , G06F3/0622 , G06F3/0659 , G06F3/0679 , G06F11/073 , G06F11/0772 , G06F12/0246 , G06F12/1408 , G06F12/1441 , G06F13/1668 , G06F2212/1052 , G06F2212/202 , G06F2212/2022 , G06F2212/402 , G06F2212/7201
摘要： 적어도하나의호스트프로세서및 적어도하나의메모리버스를포함하는컴퓨터시스템내의비휘발성메모리(NVM) 장치에액세스하는장치및 방법들이개시된다. NVM 장치는 NVM 장치제어기를통해메모리버스에통신가능하게결합될수 있음으로써, 호스트프로세서가메모리버스를통해 NVM 장치제어기에하나이상의메모리로드/저장명령을발행함으로써 NVM 장치내에저장가능한지속데이터에액세스할수 있게된다. NVM 장치제어기는 NVM 장치내에저장가능한지속데이터에액세스하기위한적어도하나의어드레스범위를정의하는적어도하나의블록윈도우또는애퍼처를포함하기때문에, 컴퓨터시스템은호스트프로세서에의해부과된물리적어드레싱제한들에의해, 또는호스트프로세서에의해실행된운영체제에의해부과된제한들에의해과도하게구속받지않고 NVM 장치의전체용량을이용할수 있다.
摘要翻译：用于访问包括至少一个主处理器和至少一个存储器总线的计算机系统中的非易失性存储器（NVM）设备的装置和方法。 NVM设备通过NVM设备控制器可通信地耦合到存储器总线，从而允许主机处理器通过在存储器总线上向NVM设备控制器发出一个或多个存储器加载/存储命令来访问可存储在NVM设备内的持久数据。因为NVM设备控制器包括至少一个限定了至少一个地址范围的块窗口或孔径，用于访问可存储在NVM设备内的持久数据，所以计算机系统可以利用NVM设备的全部容量，而不会被物理寻址过度约束由主处理器施加的限制，或由主处理器执行的操作系统施加的限制。

8. 发明公开

KR1020140145834A 저장 장치 및 그것을 포함하는 데이터 저장 시스템의 글로벌 가비지 컬렉션 방법 审中-实审
标题翻译：存储装置，具有该数据的数据存储系统的全球收集方法
公开(公告)号：KR1020140145834A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：KR1020130068502
申请日：2013-06-14
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이상걸 , 이원주
IPC分类号： G06F12/02 , G06F13/14 , G06F11/00
CPC分类号： G06F12/0238 , G06F3/06 , G06F3/0604 , G06F3/0608 , G06F3/0652 , G06F3/0653 , G06F3/0688 , G06F3/0689 , G06F11/108 , G06F11/1092 , G06F12/0246 , G06F2212/1044 , G06F2212/202 , G06F2212/7205 , Y02D10/13
摘要： 본 발명에 따른 데이터 저장 시스템의 글로벌 가비지 컬렉션 방법은: 상기 저장 장치에서 상기 RAID 구성 정보를 이용하여 글로벌 가비지 컬렉션 명령을 발생하는 단계; 및 상기 저장 장치 외의 나머지 저장 장치들 각각에서 상기 글로벌 가비지 컬렉션 명령 및 내부 상태에 근거로 하여 글로벌 가비지 컬렉션을 수행하는 단계를 포함한다.
摘要翻译：数据存储系统的全球垃圾收集方法包括：通过使用来自存储设备的RAID配置信息来生成全局垃圾收集命令的过程; 以及基于全局垃圾收集命令执行全局垃圾收集的过程和除了存储设备之外的剩余存储设备的内部状态。

9. 发明授权

KR100833396B1 불휘발성 메모리 장치의 카피백 프로그램 방법 失效
标题翻译：非易失性存储器件的复制编程方法
公开(公告)号：KR100833396B1
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：KR1020070025099
申请日：2007-03-14
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 강태규
IPC分类号： G11C16/10 , G11C16/06
CPC分类号： G06F12/0246 , G06F3/0679 , G06F2212/202 , G11C16/10 , G11C2216/14
摘要： A method of copyback programming of a nonvolatile memory device is provided to perform copyback of plural original pages efficiently, by preventing the repetition of a part of the copyback operation, by storing data stored in plural pages into a target page at one time. A start address of an original page, the number of original pages and a start address of a target page among a plurality of adjacent original page groups are inputted(210). First original page data corresponding to the start address of the original page is stored in a first target page corresponding to the start address of the target page. N-th original page data adjacent to a (n-1)th original page is stored in a nth target page adjacent to a (n-1)th target page(230-250). Data stored in the original page group is stored in a target page group by repeating the copyback program step.
摘要翻译：提供了一种非易失性存储器件的回写编程方法，通过将存储在多页中的数据一次存储到目标页面中，通过防止重复一部分的拷贝操作来有效地执行多个原始页面的复制。输入原始页面的开始地址，原始页面的数量和多个相邻的原始页面组中的目标页面的起始地址（210）。与原始页面的起始地址相对应的第一原始页面数据被存储在与目标页面的起始地址相对应的第一目标页面中。与第（n-1）个原始页面相邻的第N个原始页面数据被存储在与第（n-1）个目标页面相邻的第n个目标页面中（230-250）。存储在原始页面组中的数据通过重复复制程序步骤而被存储在目标页面组中。

10. 发明公开

KR20180031867A 저항성 메모리 장치, 이를 위한 디스터번스 방지 회로 및 방법 审中-公开
标题翻译：电阻变存储器电路及其防止干扰的方法
公开(公告)号：KR20180031867A
公开(公告)日：2018-03-29
申请号：KR20160119511
申请日：2016-09-19
IPC分类号： G11C13/00
CPC分类号： G06F3/0604 , G06F3/064 , G06F3/0653 , G06F3/0679 , G06F11/073 , G06F11/0751 , G06F11/0793 , G06F12/0246 , G06F2212/202 , G06F2212/657 , G11C13/0033 , G11C13/004 , G11C13/0069
摘要： 본기술의일 실시예에의한저항성메모리장치는각각복수의메모리셀을구비하는복수의블럭을포함하도록구성되는메모리회로및 복수의블럭각각에대한라이트액세스횟수에대응하는카운팅신호, 라이트명령및 어드레스신호에응답하여구동되며, 메모리셀의블럭내에서의물리적위치에따라기 설정된스크러빙조건에기초하여스크러빙조건을만족하는카운팅신호가출력되는경우해당스크러빙조건을갖는메모리셀에대한스크러빙이이루어지도록하는디스터번스방지회로를포함하도록구성될수 있다.
摘要翻译：一种电阻可变存储装置可以包括存储电路，该存储电路被配置为包括多个块，每个块包括多个存储单元。所述电阻可变存储装置可以包括干扰防止电路，所述干扰防止电路被配置为基于对应于所述多个块中的每一个块的写入访问次数的计数信号，写入命令和地址信号来驱动并且允许执行擦除在根据划分条件根据块中的存储单元的物理位置输出满足擦洗条件的计数信号时，在具有预设擦除条件的存储单元上。

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