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1. 发明公开

KR1020160071848A 전자빔 증착 장치의 누수 감지 구조 有权
标题翻译：电子束蒸发器的水泄漏感应结构
公开(公告)号：KR1020160071848A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：KR1020140179532
申请日：2014-12-12
申请人： (주)울텍
发明人： 석창길 , 강창훈 , 김경신 , 서규철
IPC分类号： G01M3/16 , C23C14/54 , C23C14/46
CPC分类号： G01M3/16 , C23C14/46 , C23C14/54
摘要： 본발명에따른전자빔증착장치의누수감지구조는, 전자빔증착용진공공간을확보하기위한진공챔버; 상기진공챔버내의상부에배치되어기판을고정하는기판홀더; 및진공챔버내의하부에배치되어, 증착물질을담아두는도가니와, 상기도가니내의증착물질을가열하여상기기판에증착하도록전자빔을발생시키는전자빔발생부와, 상기전자빔을상기도가니의증착물질에도달하도록회절시키는영구자석과, 상기도가니를냉각수로냉각시키는냉각부를포함하여구성되는전자빔총을구비하는전자빔증착장치에있어서, 상기진공챔버의하부플레이트와상기전자빔총 사이에배치되어상기전자빔총에서발생하는상기냉각수의누수를감지하는누수감지장치를구비하며, 상기누수감지장치는, 상기전자빔총과상기진공챔버의하부플레이트사이에배치되어상기전자빔총에서누수되는냉각수를받아모으는누수받침대; 및상기누수받침대의일부분에설치되어상기누수받침대내의누수된냉각수에의해통전됨으로써누수감지신호를출력하는누수감지센서를갖는것을특징으로한다.
摘要翻译：本发明涉及一种用于电子束沉积设备的漏水感测结构，包括：真空室，用于确保电子束沉积的真空空间; 衬底保持器，布置在真空室内部的上部，以固定衬底; 以及电子束枪，其布置在真空室内部的下部并且设置有用于沉积沉积材料的坩埚，电子束发生器，以通过加热坩埚中的沉积材料来产生电子束沉积在基板上，永久性磁体，以将电子束衍射到坩埚内的蒸发材料;以及冷却单元，用冷却剂冷却坩埚，其中在真空室的下板和电子束枪之间设置漏水检测装置，以检测来自电子束枪的冷却剂泄漏。漏水检测装置包括：泄漏水储存器，用于接收从电子束枪泄漏的冷却剂; 以及安装在泄漏水储存器的一部分中的漏水传感器，通过电导体将泄漏的信号输出到储存器中的泄漏的冷却剂。

2. 发明公开

KR1020160061098A 다이아몬드 상 탄소 코팅층을 포함하는 지르코니아 커터 无效
标题翻译：包含DLC涂层的ZIRCONIA切割机
公开(公告)号：KR1020160061098A
公开(公告)日：2016-05-31
申请号：KR1020140163577
申请日：2014-11-21
申请人： (주)필통시스템
发明人： 홍성표 , 홍창범
IPC分类号： C03B33/02 , C23C14/46
摘要： 본발명은긴 수명을가지고, 스크라이버휠 등에사용될때 유리를깨끗하게절단할수 있는세라믹소재의커터를제공하는것으로, 지르코니아소재의커터에 DLC(Diamond LIke Carbon) 코팅층을형성한것을특징으로한다. 본발명의커터는코팅으로인해마찰력이줄어들어매끄러운절단면을형성하면서유리등을절단할수 있다. 또, 본발명의코팅방법에의해코팅막이얇게입혀져도치밀한조직의코팅으로인해보다강하고커터날의수명을높여주는효과를낼 수있다.
摘要翻译：本发明提供一种陶瓷切割机，其寿命长，并且当用于划线轮等时能够进行整齐的玻璃切割。根据本发明，在氧化锆类切割器中形成类金刚石碳（DLC）涂层。根据本发明的切割机由于涂层而具有减小的摩擦力，并且能够在形成平滑的切割表面的同时进行玻璃切割。利用根据本发明的涂布方法，即使在薄涂层的情况下，由于致密的涂布组织，也可以随着刀片寿命而提高强度。

3. 发明授权

KR101366745B1 물리기상증착법으로 제조된 P형 실리콘 박막에 전자빔 조사를 통한 대면적 결정화 공정을 포함하는 태양전지의 제조방법 및 이에 따른 태양전지 有权
标题翻译：制造太阳能电池的方法，包括使用电子束的大面积的结晶过程，用于通过物理蒸发沉积形成的P型硅薄膜和由其制造的太阳能电池
公开(公告)号：KR101366745B1
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：KR1020120119310
申请日：2012-10-25
申请人： 한국생산기술연구원
发明人： 정채환 , 류상 , 이선화
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/18 , C23C14/46
CPC分类号： Y02E10/50 , H01L31/042 , C23C14/46 , H01L31/18
摘要： The present invention relates to a method of manufacturing a solar cell including a crystalizing process for large area using an electron beam for a P-type silicon which has a high crystallinity fraction and a large crystal grain so as to manufacture a thin film formed by a physical vapor deposition in a short period of time and a solar cell manufactured by thereof. The method of manufacturing the solar cell including the crystalizing process for large area using the electron beam for the P-type silicon according to the present invention comprises a step of preparing for a substrate, a step of depositing a first amorphous silicon layer by depositing the amorphous silicon layer on to the substrate by a physical vapor deposition, a step of forming a first polycrystalline silicon layer by crystalizing the first polycrystalline silicon layer by irradiating an electron beam to the first amorphous silicon layer, a step of depositing a second amorphous silicon layer onto the first polycrystalline silicon layer by the physical vapor deposition, and a step of forming a second polycrystalline silicon layer by crystalizing the second polycrystalline silicon layer by irradiating an electron beam to the second amorphous silicon layer. The electron beam is manufactured by a linear scanning process in which the beam is formed by making linear reciprocating movements on the first and second amorphous silicon layers. [Reference numerals] (S1) Preparation of substrate; (S2) Evaporation of silicon layer of first amorphous; (S3) Forming first polycrystalline silicon layer by electronic beam irradiation; (S4) Etching second polycrystalline silicon layer; (S5) Forming second polycrystalline silicon layer by electronic beam irradiation; (S6) Forming doping layer; (S7) Forming electrode
摘要翻译：本发明涉及一种太阳能电池的制造方法，该太阳能电池包括使用具有高结晶度分数和大晶粒的P型硅的电子束的大面积结晶化方法，以制造由在短时间内进行物理气相沉积和由其制造的太阳能电池。包括使用本发明的P型硅的电子束的大面积结晶化处理的太阳能电池的制造方法包括对基板进行准备的工序，将沉积第一非晶硅层的步骤通过物理气相沉积在基板上的非晶硅层，通过向第一非晶硅层照射电子束使第一多晶硅层晶化而形成第一多晶硅层的步骤，沉积第二非晶硅层通过物理气相沉积在第一多晶硅层上，以及通过将电子束照射到第二非晶硅层上而使第二多晶硅层晶化而形成第二多晶硅层的步骤。电子束通过线性扫描工艺制造，其中通过在第一和第二非晶硅层上进行线性往复运动而形成光束。（参考号）（S1）基材的制备; （S2）蒸发第一无定形硅层; （S3）通过电子束照射形成第一多晶硅层; （S4）蚀刻第二多晶硅层; （S5）通过电子束照射形成第二多晶硅层; （S6）形成掺杂层; （S7）成形电极

4. 发明授权

KR101258505B1 전자빔을 이용한 니켈기 초합금（Ｎｉ―ｂａｓｅｓｕｐｅｒａｌｌｏｙ） 표면의 미세 합금화를 통한 표면개질 방법 有权
标题翻译：通过电子束诱导表面合金化对镍基超级合金进行表面改性的方法
公开(公告)号：KR101258505B1
公开(公告)日：2013-04-26
申请号：KR1020110024924
申请日：2011-03-21
申请人： 한국과학기술원
发明人： 장창희 , 사인진 , 구자현 , 김민우 , 김동훈
IPC分类号： C23C14/46 , C23C14/14 , C23C14/02
摘要： 본 발명은 니켈기 초합금(Ni-base superalloy)의 표면에 미세 합금화층을 형성하여 니켈기 초합금 표면을 개질하는 방법에 관한 것으로서, 니켈기 초합금(Ni-base superalloy)의 표면을 실리콘 카바이트(SiC)로 연마하는 단계, 상기 연마된 니켈기 합금의 표면에 알루미늄을 증착하는 단계 및 상기 알루미늄이 증착된 니켈기 합금의 표면을 진공 챔버 내에 넣고, 전자빔을 조사하여 표면에 미세 합금화층을 형성하는 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따른 표면 미세 합금화된 니켈기 초합금은 전자빔을 이용해 니켈기 초합금의 표면을 미세 합금화 시킴으로써 고온 산화 환경 하에서 안정적인 보호피막을 형성하여 장기간 사용 시에도 건전성(integrity)을 유지할 수 있으며, 전자빔을 이용해 표면 근처의 조성 및 미세구조를 바꾸어 니켈기 초합금의 고온 산화 저항성을 향상시키고 및 우수한 크립 특성을 가져서 차세대 초고온 가스 냉각로의 열교환기 및 고온 가스로에 활용할 수 있다.

5. 发明公开

KR1020120131615A 경도 및 마모성이 우수한 복합 질화물 코팅막 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：具有优良硬度和耐磨性的复合氮化物涂层及其制造方法
公开(公告)号：KR1020120131615A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：KR1020110049905
申请日：2011-05-26
申请人： 한국세라믹기술원
发明人： 오윤석 , 양영환 , 김형태 , 김성원 , 이성민 , 김경자
IPC分类号： C23C14/35 , C23C14/46 , C23C14/14
摘要： PURPOSE: A complex nitride coating film with excellent hardness and abrasion resistance and a manufacturing method thereof are provided to improve the hardness and abrasion resistance of a mechanical part by forming the complex nitride coating film with a three-dimensional microstructure on the surface of the mechanical part. CONSTITUTION: A method for manufacturing a complex nitride coating film comprises the steps of: forming a base-metal coating film by depositing base metal or non-transitive metal on the surface of a base material(110,210) mounted in a deposition chamber by asymmetric magnetron sputtering and injecting transitive metal into the grain boundary of the base-metal coating film by DC sputtering or arc ion plating to form a complex nitride coating film, wherein the base material is a metal or ceramic material and the base metal or non-transitive metal belongs to IIIA-VIA groups.
摘要翻译：目的：提供具有优异的硬度和耐磨性的复合氮化物涂膜及其制造方法，以通过在机械表面上形成具有三维微结构的复合氮化物涂膜来提高机械部件的硬度和耐磨性部分。构成：制造复合氮化物涂膜的方法包括以下步骤：通过在基体材料（110,210）的表面上沉积贱金属或非传递金属来形成贱金属涂膜，所述基体材料（110,210）通过非对称磁控管通过DC溅射或电弧离子电镀溅射并将过渡金属注入基底金属涂膜的晶界以形成复合氮化物涂膜，其中基体材料是金属或陶瓷材料，并且贱金属或非传递金属属于IIIA-VIA组。

6. 发明公开

KR1020120110838A 박막형성장치 有权
标题翻译：用于形成薄膜的装置及其方法
公开(公告)号：KR1020120110838A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：KR1020110028978
申请日：2011-03-30
申请人： 씨디에스(주)
发明人： 변상두 , 김재율
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/46 , C23C16/50 , C23C14/22
摘要： PURPOSE: A thin film forming device and method are provided to obtain a dense thin film without voids by extending plasma particles to a substrate. CONSTITUTION: A thin film forming device comprises a chamber(10) injected with thin film forming gas, a transfer unit(20) transferring a substrate into the chamber, one or more sputtering sources(50) which is arranged above the substrate transferred into the chamber and includes a magnet array facing the substrate, and a magnetic(40) which is located under the substrate transferred into the chamber and extends plasma particles to the substrate when forming a thin film on the substrate.
摘要翻译：目的：提供薄膜形成装置和方法，以通过将等离子体粒子延伸到基底来获得没有空隙的致密薄膜。构成：薄膜形成装置包括注入有薄膜形成气体的腔室（10），将基底转移到腔室中的转移单元（20），一个或多个溅射源（50），其设置在转移到并且包括面向衬底的磁体阵列和位于衬底下方的转移到腔室中的磁体（40），并且在衬底上形成薄膜时将等离子体粒子延伸到衬底。

7. 发明公开

KR1020120082863A 이온 빔 어시스트 스퍼터 장치 및 이온 빔 어시스트 스퍼터 방법 无效
标题翻译：离子束辅助溅射装置和离子束辅助溅射方法
公开(公告)号：KR1020120082863A
公开(公告)日：2012-07-24
申请号：KR1020127003593
申请日：2010-10-07
申请人： 가부시키가이샤후지쿠라
发明人： 하뉴우사토루 , 이이지마야스히로
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/08 , C23C14/46 , C23C14/56 , C30B23/02 , C30B29/22
CPC分类号： C23C14/08 , C23C14/46 , C23C14/562 , C30B23/02 , C30B29/22 , H01L39/2461 , C23C14/3442
摘要： 본 발명은, 타겟(target); 이 타겟에 스퍼터 이온(sputter ion)을 조사(照射)하여, 상기 타겟의 구성 입자의 일부를 방출(knock out)하는 스퍼터 이온원(ion source); 상기 타겟으로부터 방출된 입자를 퇴적시키기 위한 기재(基材)를 설치하는 성막 영역； 이 성막 영역에 설치된 상기 기재의 성막면의 법선(法線) 방향에 대하여 경사 방향으로부터 어시스트(assisted) 이온 빔을 조사하는 어시스트 이온 빔 조사 장치를 포함하는 이온 빔 어시스트 스퍼터 장치(ion beam assisted sputtering device)로서, 상기 스퍼터 이온원은, 스퍼터 이온 빔을 상기 타겟의 일측 단부(端部)로부터 타측 단부까지 조사 가능하도록 배열된 복수 개의 이온 건(ion gun)을 가지고, 상기 복수 개의 이온 건의 상기 스퍼터 이온 빔을 발생시키기 위한 전류값은, 각각 설정되는 것을 특징으로 하는 이온 빔 어시스트 스퍼터 장치에 관한 것이다.

8. 发明公开

KR1020120001121A 물리적 기상 증착법을 이용한 그래핀 박막의 형성방법 无效
标题翻译：使用物理蒸气沉积技术的石墨膜的制造方法
公开(公告)号：KR1020120001121A
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：KR1020100061759
申请日：2010-06-29
申请人： 한국전기연구원
发明人： 주성재 , 방욱
IPC分类号： C23C14/06 , C23C14/58 , C23C14/46
摘要： PURPOSE: A method of manufacturing a graphene film using physical vapor deposition techniques is provided to form a grapheme film by heat-treating a carbon film with a general rapid heat-treatment device. CONSTITUTION: A method of manufacturing a graphene film using physical vapor deposition techniques comprises steps of preparing a metal film on a substrate, metal foil, or a metal substrate(30), forming a carbon film on the metal film, the metal foil, or the metal substrate through physical vapor deposition, and heat-treating the carbon film to form a grapheme film(100). The metal film, metal foil, or metal substrate is made from the combination of one or more selected from the group consisting of Ni, Co, Fe, Cu, Ru, Pt, Pd, Ta, Mo, W, Ir, Ti, V, Mn, Al, Mg, and transition metal including Zn.
摘要翻译：目的：提供使用物理气相沉积技术制造石墨烯膜的方法，以通过用一般的快速热处理装置对碳膜进行热处理来形成图形薄膜。构成：使用物理气相沉积技术制造石墨烯膜的方法包括在基板，金属箔或金属基板（30）上制备金属膜的步骤，在金属膜，金属箔或金属箔上形成碳膜金属基板通过物理气相沉积，并且对碳膜进行热处理以形成图形薄膜（100）。金属膜，金属箔或金属基材由选自Ni，Co，Fe，Cu，Ru，Pt，Pd，Ta，Mo，W，Ir，Ti，V中的一种或多种的组合制成，Mn，Al，Mg和包括Zn的过渡金属。

9. 发明公开

KR1020110139818A 이-빔 방식의 인라인형 증착방법 无效
标题翻译：电子束类型的蒸发沉积方法
公开(公告)号：KR1020110139818A
公开(公告)日：2011-12-30
申请号：KR1020100059869
申请日：2010-06-24
申请人： 이재백
发明人： 이재백 , 김종회
IPC分类号： C23C14/22 , C23C14/24 , C23C14/46
摘要： PURPOSE: A method for depositing inline type of e-beam way is provided to improve marketability and manufacturing productivity by forming the first chamber, second chamber and third chamber in parallel with each other. CONSTITUTION: A method for depositing inline type of e-beam way comprises next steps. First, second, and third chambers(10,20,30) are formed in an inline type. A carrier(5), in which a product is mounted, is installed in a first chamber and pumps under vacuum conditions. The carrier of the first chamber inside is transferred to a second chamber. The product of the carrier carried to the second chamber is evaporated to the e-beam mode. The carrier completed the evaporation of the second chamber inside is transferred to the third chamber.
摘要翻译：目的：提供一种用于沉积直列式电子束方式的方法，以通过彼此平行地形成第一腔室，第二腔室和第三腔室来提高市场性和制造生产率。构成：一种用于存储内联式电子束方法的方法包括以下步骤。第一，第二和第三腔室（10,20,30）以直列式形成。将安装有产品的载体（5）安装在第一室中并在真空条件下泵送。内部的第一室的载体被转移到第二室。承载到第二室的载体的产物被蒸发成电子束模式。载体完成内部的第二室的蒸发被转移到第三室。

10. 发明授权

KR101052036B1 고온 내 부식성 향상을 위한 세라믹 코팅 및 이온빔 믹싱장치 및 이를 이용한 박막의 계면을 개질하는 방법 有权
公开(公告)号：KR101052036B1
公开(公告)日：2011-07-26
申请号：KR1020060047855
申请日：2006-05-27
申请人： 한국원자력연구원 , 한국수력원자력 주식회사
发明人： 박재원 , 박창규 , 장종화 , 최병호 , 김용완
IPC分类号： C23C14/46
CPC分类号： C23C14/5833 , C23C14/0635 , C23C14/30 , C23C14/48 , C23C14/505 , C23C14/5893 , H01J37/317 , H01J37/3233 , H01J2237/3132 , H01J2237/316 , H01J2237/3165 , H01J2237/31701
摘要： 본 발명은 고온 내 부식성 향상을 위한 세라믹 코팅 및 이온빔 믹싱 장치 및 이를 이용한 박막의 계면을 개질하는 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따라 상기 코팅 및 이온 빔 믹싱 장치를 이용하여 공정을 한 시편은 접합성이 향상되고 모재를 강화시켜 고온에서의 열응력에 대한 저항뿐만 아니라 수소생산을 위한 황산분해기에 사용될 소재의 고온 부식 저항성이 크게 향상될 수 있다.
코팅 및 이온빔 믹싱, 박막 계면 개질

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