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热词
    • 7. 发明公开
    • 고분자 화합물의 제조 방법, 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법
    • 生产聚合物的方法,耐蚀组合物和形成耐蚀图案的方法
    • KR1020130110092A
    • 2013-10-08
    • KR1020130032617
    • 2013-03-27
    • 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤
    • 아라이마사토시우츠미요시유키
    • C08G73/00C08G85/00G03F7/004G03F7/26
    • G03F7/004G03F7/0045G03F7/0392G03F7/20C08G73/00C08G85/00G03F7/26
    • PURPOSE: A manufacturing method of a polymer compound is provided to manufacture a polymer compound having a sulfonium or iodine cation by using the acid dissociation constant (pKa) of a conjugated acid. CONSTITUTION: A manufacturing method of a polymer compound having a structure unit forming acid by being decomposed by light exposure comprises a step of obtaining a second precursor polymer with a second ammonium cation, which is the conjugated acid of the amine by conducting the reaction between a first precursor polymer with a first ammonium cation and an amine the acid dissociation constant (pKa) of the conjugated acid is higher than that of the first ammonium cation; and a step of salt-exchanging the second precursor polymer, a sulfonium cation, or an iodonium cation. The second ammonium cation has a lower hydrophobicity than that of the first ammonium cation and has a lower hydrophobicity than those of the iodonium cation or sulfonium cation.
    • 目的:提供高分子化合物的制造方法,通过使用共轭酸的酸解离常数(pKa)来制造具有锍或碘阳离子的高分子化合物。 构成:具有通过曝光分解而形成酸的结构单元的高分子化合物的制造方法包括以第二铵阳离子形成第二前体聚合物的步骤,第二铵阳离子是胺的共轭酸,通过进行 具有第一铵阳离子和胺的第一前体聚合物,共轭酸的酸解离常数(pKa)高于第一铵阳离子的酸解离常数(pKa) 以及使第二前体聚合物,锍阳离子或碘鎓阳离子盐交换的步骤。 第二铵阳离子具有比第一铵阳离子更低的疏水性,并且具有比碘阳离子或锍阳离子更低的疏水性。
    • 8. 发明授权
    • 구리(Ⅰ) 착화합물의 유기 발광 다이오드 내 용도
    • 铜(I)用于有机发光二极管的复合物的使用
    • KR101290841B1
    • 2013-08-19
    • KR1020077008810
    • 2005-09-20
    • 바스프 에스이
    • 보글러,안트파울로스키,발레리슈미트,한스-베르너테라카트,무쿤단베테,마르쿠스
    • C07F1/08H01L51/30H01L51/00
    • C07F1/005C08G73/00C09K11/06C09K2211/188H01L51/0059H01L51/0062H01L51/0077H01L51/5012H01L51/5096H05B33/14
    • 본 발명은 화학식 I의 구리(I) 착화합물의 유기 발광 다이오드(OLED) 내 용도에 관한 것이다:
      [화학식 I]

      식 중,
      X는 질소 또는 CR 기이고,
      R은 알킬 또는 아릴이고,
      Ar은 페닐 또는 나프틸이고, 이의 각각은 알콕시, 알킬티오, 알킬아미노, 다이알킬아미노, 알콕시카보닐, 알콕시설포닐, 할로겐, 시아노, 카복실, 하이드록시설포닐 및 나이트로로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 내지 3개의 라디칼로 선택적으로 치환되고, 그리고 2개의 선택적으로 치환되는 페닐 또는 나프틸 라디칼이 인 원자에 대해 α- 및 α'- 위치의 탄소 원자를 통해 화학적 단일 결합에 의해 서로 연결될 수 있고,
      n은 1, 2 또는 3이고,
      그리고
      Y는 할로겐, 시아노, 티오시아네이토, 알콕시, 아릴옥시, 알킬티오, 아릴티오, 알킬아미노, 다이알킬아미노, 아릴아미노 또는 다이아릴아미노이다.
      본 발명은 하나 이상의 화학식 I의 구리(I) 착화합물을 포함하는 발광 층, 하나 이상의 화학식 I의 구리(I) 착화합물 또는 발명의 발광 층을 포함하는 OLED 및 발명의 OLED를 포함하는 고정성 화상 디스플레이 유니트에 더 관한 것이다.
      더 나아가, 본 발명은 화학식 Ia 및 Ib의 신규 구리(I) 착화합물에 더 관한 것으로서,
      [화학식 Ia]

      [화학식 Ib]

      식 중, R, Ar 및 n은 각각 화학식 I에서 정의된 바와 같고, 화학식 Ia에서 Y 는 시아노, 티오시아네이토, 알콕시, 아릴옥시, 알킬티오, 아릴티오, 알킬아미노, 다이알킬아미노, 아릴아미노 또는 다이아릴아미노로서 정의되고, 그리고 화학식 Ib에서 Y는 할로겐, 시아노, 티오시아네이토, 알콕시, 아릴옥시, 알킬티오, 아릴티오, 알킬아미노, 다이알킬아미노, 아릴아미노 또는 다이아릴아미노로서 정의된다.
      유기 발광 다이오드, 구리(I) 착화합물, 발광 층