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1. 发明公开

KR1020170120695A 클로로실란을 모노실란과 테트라클로로실란으로 불균화하기 위한 칼럼과 공정 및 모노실란을 생산하기 위한 플랜트 审中-实审
标题翻译：氯硅烷歧化为单硅烷和四氯硅烷的柱和方法以及用于生产甲硅烷的设备
公开(公告)号：KR1020170120695A
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：KR1020177027542
申请日：2016-02-23
申请人： 슈미트 실리콘 테크놀로지 게엠베하
发明人： 쉬미트크리스티안 , 한요헴 , 푸르만크리스티안안드레아스
IPC分类号： B01D3/00 , B01D3/20 , C01B33/04 , C01B33/107
CPC分类号： B01J8/0449 , B01D3/009 , B01D3/20 , B01J8/065 , B01J2208/06 , C01B33/043 , C01B33/046 , C01B33/1071 , C01B33/10773 , C01B33/10778 , Y02P20/127
摘要： 구해진실란을동시에정류분리하고클로로실란을모노실란과테트라클로로실란으로(연속) 불균화하기위한칼럼및 공정이설명된다. 상기칼럼을포함한플랜트가설명된다. 상기칼럼은칼럼헤드, 칼럼섬프및 칼럼헤드와칼럼섬프사이에배열된튜브형칼럼쉘을포함한다. 상기칼럼은, 칼럼쉘내에서칼럼축을따라서로아래위에배열된두 개이상의반응영역들및 정류분리를위한두 개이상의분리영역을포함하며, 반응영역과분리영역은교대로배열되며, 상기반응영역은촉매층을포함하며, 상기촉매층내에서클로로실란은칼럼내에서상승가스유동을형성하는저 비등점실란으로불균화되고(응축후에) 상기칼럼내에서아래를향하는액체유동을형성하는(상대적으로) 고비등점 실란으로불균화된다. 상기반응구역과분리구역은, 가스유동과액체유동이분리영역에서만나도록구성되며, 반응영역에서액체유동이촉매층을통해안내되고, 상측을향하는가스유동이상기액체유동으로부터공간적으로분리되어상기촉매층을통과한다.
摘要翻译：描述了用于同时精馏分离所得硅烷和（连续）氯硅烷歧化为甲硅烷和四氯硅烷的柱和方法。描述包括该柱的设备。该塔包括塔头，塔池和布置在塔头与塔池之间的管状塔壳。列是根据轴柱从柱swelnae包括两个或多于一个反应区和布置在所述底部的精镏分离更多个单独的区域，反应区和分离区被交替地布置在反应区中包括催化剂，在催化剂层中的氯硅烷在其形成在所述柱的上升气流（缩合后）低沸点的硅烷沸点歧化火和（相对），以形成在塔朝向底部的液体流 Lt。反应区和分离区，包括一个气体流和液体流nadorok仅在隔离区，在液体流过催化剂床定向反应区的，在空间上从气体相移器的液体的流动分离流动朝向上侧通过催化剂床的。

2. 发明公开

KR1020120089195A 증류에 의한 클로로실란의 정제 방법 有权
标题翻译：通过蒸馏净化氯霉素的方法
公开(公告)号：KR1020120089195A
公开(公告)日：2012-08-09
申请号：KR1020120006741
申请日：2012-01-20
申请人： 와커 헤미 아게
发明人： 펫졸드우베 , 헤클발터 , 프로차스카와잔
IPC分类号： C01B33/107 , B01J19/14 , B01J19/24 , B01D53/00
CPC分类号： B01D3/143 , C01B33/037 , C01B33/046 , C01B33/10778
摘要： PURPOSE: A method for refining chlorosilanes based on distillation is provided to refine contaminated chlorosilanes, accumulate impurities, and discharge the impurities during purge streaming. CONSTITUTION: A method for refining chlorosilanes based on distillation includes the following: the boron-containing mixture of chlorosilanes(1) containing trichlorosilane, dichlorosilane(DCS), and silicon tetrachloride. The mixture is refined using a plurality of distilling columns(5, 6, 7); boron compounds of low boiling points are separated based on overhead stream containing boron-enriched DCS; and boron compounds of high boiling points are separated based on lower stream containing materials of high boiling points.
摘要翻译：目的：提供基于蒸馏精制氯硅烷的方法，以精炼污染的氯硅烷，积聚杂质，并在净化流中排出杂质。构成：基于蒸馏精制氯硅烷的方法包括：含有三氯硅烷，二氯硅烷（DCS）和四氯化硅的氯硅烷（1）的含硼混合物。使用多个蒸馏塔（5,6,7）精制混合物。基于含有富含硼的DCS的塔顶流分离低沸点硼化合物; 并且基于含有高沸点材料的较低流量分离高沸点硼化合物。

3. 发明授权

KR100219973B1 물질 정제 방법 및 장치 失效
标题翻译：用于净化物质的方法和装置
公开(公告)号：KR100219973B1
公开(公告)日：1999-09-01
申请号：KR1019970023236
申请日：1997-06-05
申请人： 더 비오씨 그룹 인코포레이티드
发明人： 휘트락월터에이치
IPC分类号： B01D3/16 , F25J3/02
CPC分类号： C01B33/046
摘要： 제 2 증류 칼럼내에 탑 오버헤드를 생성하기 위해 제 1 및 제 2 증류 칼럼내에서 정류되며, 중불순물 및 경불순물이 적은 물질 정제 방법 및 장치이다. 제 2 증류 칼럼내에 생성되는 칼럼 기저부는 제 2 증류 칼럼내에 보일-업을 제공하기 위해 끓여지며, 그에 따라 상승 증기상의 형상을 초기화한다. 증기 스트림은 제 2 증류 칼럼에서 제거된 후 상승 증기상의 형성을 초기화하기 위해 제 1 증류 칼럼의 바닥 영역에 공급된다. 제 2 증류 칼럼에서 제거된 증기 스트림은 제 2 증류 칼럼내에 생성된 상승 증기상으로부터 형성된다. 제 2 증류 칼럼은 끓임에 대해 제 2 증류 칼럼내에 제공된 칼럼 기저부를 응축하는 열교환 유체를 포함하는 저장소를 가질 수 있는 리보일러에 의해 리보일된다. 사용되는 열교환 유체의 형태는 제 2 증류 칼럼의 칼럼 기저부의 기포점 온도 이상의 응축 온도를 갖도록 선택된다.

4. 发明公开

KR1020150139858A 실란 화합물 또는 클로로실란 화합물의 정제 방법, 다결정 실리콘의 제조 방법 및 약염기성 이온 교환 수지의 재생 처리 방법 审中-实审
标题翻译：用于纯化硅烷化合物或氯仿化合物的方法，用于生产多晶硅的方法和用于再生弱碱性离子交换树脂的方法
公开(公告)号：KR1020150139858A
公开(公告)日：2015-12-14
申请号：KR1020157028092
申请日：2014-01-15
申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
发明人： 이시다,마사히코 , 사이토,히로시 , 요시다,아츠시
IPC分类号： C01B33/107 , B01D15/36 , B01J20/26 , B01J20/34
CPC分类号： B01J49/57 , B01J41/07 , B01J41/09 , C01B33/046 , C01B33/1071 , C01B33/10778 , C01B33/10784
摘要： 본발명은실란화합물이나클로로실란화합물의정제공정에있어서, 붕소불순물을제거하기위한이온교환수지를장기간에걸쳐안정적으로사용가능하게하는기술을제공한다. 본발명에서는, 실란화합물이나클로로실란화합물의정제에사용되는약염기성이온교환수지를, 염화수소를포함하는가스에의해세정처리하기로하였다. 이세정처리를약염기성이온교환수지의초기활성화에사용한경우에는보다높은불순물흡착능을얻을수 있다. 또한, 이세정처리를약염기성이온교환수지의재생에사용함으로써, 이온교환수지를장시간안정하게사용하는것이가능해진다. 이로인해, 장기운전에있어서의수지사용량의삭감이나, 사용후의수지폐기비용의삭감이가능해진다.
摘要翻译：本发明提供了在硅烷化合物或氯代硅烷化合物的精制工序中，能够在长时间内稳定地使用离子交换树脂除去硼杂质的技术。在本发明中，用含有氯化氢的气体清洗用于硅烷化合物和氯硅烷化合物的纯化的弱碱性离子交换树脂。当这种清洁处理用于弱碱性离子交换树脂的初始活化时，可以获得更高的杂质吸附能力。此外，使用清洁处理来进行弱碱性离子交换树脂的再生，可以长时间稳定地使用离子交换树脂。这样可以减少长时间运行中使用的树脂的量和降低使用的树脂处理成本。

5. 发明授权

KR101344356B1 모노실란 및 테트라알콕시실란의 제조방법 有权
标题翻译：生产单烷基醚和四羟甲基纤维素的方法
公开(公告)号：KR101344356B1
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：KR1020137027255
申请日：2010-11-24
申请人： 쇼와 덴코 가부시키가이샤
发明人： 오노히로모토 , 오이토시오 , 이토하루아키 , 마크무토브파닐
IPC分类号： C07F7/04 , C07F7/18 , B01J23/30
CPC分类号： C07F7/025 , B01J21/063 , B01J23/28 , B01J23/30 , B01J27/16 , B01J27/1806 , B01J27/188 , B01J27/19 , B01J35/08 , B01J35/1014 , B01J37/0201 , B01J37/0238 , B01J37/031 , B01J37/033 , C01B33/04 , C01B33/043 , C01B33/046 , C07F7/045
摘要： 본 발명은 일반식(1）
H
n Si(OR)
4-n (1)
(식 중, R은 탄소 원자수 1~6의 알킬기를 나타내고, n은 1~3의 정수이다.)으로 나타내어지는 알콕시실란을 무기 인산염 또는 헤테로폴리산염 구조에 의거하는 특정 화학구조를 갖는 촉매의 존재 하에서 기상으로 불균화 반응시키는 모노실란 및 테트라알콕시실란의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 제조방법은 용매와의 분리가 용이하고, 반응이 빠르며, 원료물질의 전화율이 높다.

6. 发明公开

KR1020110053834A 모노실란의 정제방법 失效
标题翻译：单体纯化方法
公开(公告)号：KR1020110053834A
公开(公告)日：2011-05-24
申请号：KR1020090110518
申请日：2009-11-16
申请人： 주식회사 케이씨씨
发明人： 강경훈 , 김윤준 , 허경복 , 전문규
IPC分类号： C01B33/04 , C01B33/039
CPC分类号： C01B33/046
摘要： PURPOSE: A method for preparing monosilane is provided to improve the purity of a result compound by facilitating an impurity elimination process with respect to the monosilane. CONSTITUTION: A method for preparing monosilane includes the following: A raw material(4) including monosilane and ethylene passes through activated charcoal, the pore diameter of which is between 0.4 and 0.7nm. The ethylene and remained impurities(9) are eliminated from the monosilane. The raw material includes a first raw material and a second raw material the first raw material is obtained from the reaction of metal hydride and silicon halide. The second raw material is obtained from the disproportionation of the silicon halide.
摘要翻译：目的：提供一种制备甲硅烷的方法，通过促进相对于甲硅烷的杂质消除过程来提高结果化合物的纯度。构成：制备甲硅烷的方法包括以下：包含甲硅烷和乙烯的原料（4）通过活性炭，其孔径在0.4和0.7nm之间。从甲硅烷中除去乙烯和剩余的杂质（9）。原料包括第一原料和第二原料，第一原料是由金属氢化物和卤化硅的反应得到的。第二原料是从卤化硅的歧化中获得的。

7. 发明授权

KR101586290B1 네오펜타실란의 알루미늄 함량을 감소시키는 방법 有权
标题翻译：降低NEOPENTASILANE的铝含量的方法
公开(公告)号：KR101586290B1
公开(公告)日：2016-01-18
申请号：KR1020137018441
申请日：2012-02-28
申请人： 와커 헤미 아게
发明人： 트로에겔데니스
IPC分类号： C01B33/04 , C01B33/107
CPC分类号： C01B33/046 , C01B33/10778
摘要： 본발명은, N, O 및 S로부터선택되는원자를함유하고, 이들원자상에자유전자쌍을가지는유기화합물(D)로처리함으로써, 네오펜타실란의알루미늄함량을감소시키는방법을제공한다.

8. 发明公开

KR1020160002830A 실란을 제조하는 방법 및 장치 审中-实审
标题翻译：用于制备硅烷的方法和装置
公开(公告)号：KR1020160002830A
公开(公告)日：2016-01-08
申请号：KR1020157030657
申请日：2014-02-28
申请人： 에보니크 데구사 게엠베하
发明人： 랑,위르겐에르빈 , 라울레더,하르트비크 , 뮈,에케하르트
IPC分类号： C01B33/04 , C07F7/02 , B01J12/00 , B01J19/08
CPC分类号： C01B33/04 , B01J12/00 , B01J19/088 , B01J19/2475 , B01J2219/00164 , B01J2219/0875 , B01J2219/0896 , B01J2219/24 , C01B33/046 , C07F7/02
摘要： 본발명은플라즈마에서모노실란을전환시킴으로써이량체성및/또는삼량체성실란을제조하는방법및 이방법을수행하기위한설비에관한것이다.

9. 发明公开

KR1020140082938A 사이클로헥사실란 및 그 제조방법 审中-实审
标题翻译：环己烷和其制备方法
公开(公告)号：KR1020140082938A
公开(公告)日：2014-07-03
申请号：KR1020130161711
申请日：2013-12-23
申请人： 가부시기가이샤 닛뽕쇼꾸바이
发明人： 이모토신-야 , 아베타카시 , 키타무라모리히로 , 타카하시히카루 , 모리타타케히코 , 아키야마타츠히코
IPC分类号： C01B33/04
CPC分类号： C01B33/046 , B01D1/22 , B01D3/12 , B01D53/46 , B01D53/72 , B01D53/82 , B01D53/8671 , B01D2257/556 , C01B33/04 , C01P2006/80
摘要： Cyclohexasilne with high purity and a method of increasing purification efficiency thereof are provided. The method of preparing cyclohexasilane of the present invention is characterized by obtaining purified cyclohexane by distilling crude cyclohexasilane with an absolute pressure during distilling of less than or equal to 2 kPa and a heating temperature of the crude cyclohexasilane of 25-100°C. The cyclohexasilane of the present invention includes pure cyclohexasilane in the ratio of 98-100 wt%.
摘要翻译：提供了高纯度的环己烷和提高其净化效率的方法。本发明的环己硅烷的制备方法的特征在于，通过蒸馏中的绝对压力小于或等于2kPa，粗环己烷硅烷的加热温度为25〜100℃，得到纯化的环己烷。本发明的环己硅烷包括98-100重量％的纯环己硅烷。

10. 发明授权

KR101381189B1 모노실란 및 테트라알콕시실란의 제조방법 有权
公开(公告)号：KR101381189B1
公开(公告)日：2014-04-04
申请号：KR1020127002519
申请日：2010-11-24
申请人： 쇼와 덴코 가부시키가이샤
发明人： 오노히로모토 , 오이토시오 , 이토하루아키 , 마크무토브파닐
IPC分类号： C07F7/04 , B01J23/30 , B01J27/18 , C01B33/04
CPC分类号： C07F7/025 , B01J21/063 , B01J23/28 , B01J23/30 , B01J27/16 , B01J27/1806 , B01J27/188 , B01J27/19 , B01J35/08 , B01J35/1014 , B01J37/0201 , B01J37/0238 , B01J37/031 , B01J37/033 , C01B33/04 , C01B33/043 , C01B33/046 , C07F7/045
摘要： 본 발명은 일반식(1）
H
n Si(OR)
4-n (1)
(식 중, R은 탄소 원자수 1~6의 알킬기를 나타내고, n은 1~3의 정수이다.)으로 나타내어지는 알콕시실란을 무기 인산염 또는 헤테로폴리산염 구조에 의거하는 특정 화학구조를 갖는 촉매의 존재 하에서 기상으로 불균화 반응시키는 모노실란 및 테트라알콕시실란의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 제조방법은 용매와의 분리가 용이하고, 반응이 빠르며, 원료물질의 전화율이 높다.

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