专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明公开

KR1020030083930A 변위 증폭이 가능한 열 마이크로 구동기 및 그의 제조방법 失效
标题翻译：具有放大位移的热敏致动器及其制造方法
公开(公告)号：KR1020030083930A
公开(公告)日：2003-11-01
申请号：KR1020020022332
申请日：2002-04-23
申请人： 전자부품연구원
发明人： 김건년 , 박광범 , 박준식 , 이경일 , 박효덕
IPC分类号： B81B7/00
CPC分类号： B81B7/02 , B81B2201/03 , B81B2201/031 , B81B2203/0136 , B81C1/00015 , B81C1/00349 , B81C1/00388 , B81C1/00555
摘要： PURPOSE: A thermal micro actuator and a method for fabricating the same are provided to amplify displacement of the thermal micro actuator by installing an arch bar at end portions of two arch bars. CONSTITUTION: A thermal micro actuator includes a substrate(50). A first electrode(51), a ground electrode(52) and a second electrode(53) are fixed to the substrate(50) in such a manner that they are parallel spaced by a predetermined distance. A first arch bar(54) extends from the first electrode(51) and the ground electrode(52). A second arch bar(55) extends from the second electrode(53) and the ground electrode(52). A third arch bar(56) extends from end portions of the first and second arch bars(54,55). A front section(58) extends from a center(57) of the third arch bar(56).
摘要翻译：目的：提供一种热微致动器及其制造方法，用于通过在两个拱杆的端部安装拱杆来放大热微致动器的位移。构成：热微致动器包括衬底（50）。第一电极（51），接地电极（52）和第二电极（53）以平行间隔预定距离的方式固定到基板（50）。第一拱杆（54）从第一电极（51）和接地电极（52）延伸。第二拱杆（55）从第二电极（53）和接地电极（52）延伸。第三拱杆（56）从第一和第二拱杆（54,55）的端部延伸。前部（58）从第三拱杆（56）的中心（57）延伸。

2. 发明授权

KR101539198B1 딥 드라이 에칭을 이용한 마이크로머시닝 방법 및 이를 이용하여 제조된 ＭＥＭＳ 장치 有权
标题翻译：使用深度干蚀刻技术的微型化方法及其制造的MEMS器件
公开(公告)号：KR101539198B1
公开(公告)日：2015-07-24
申请号：KR20150018177
申请日：2015-02-05
申请人： STANDING EGG INC
发明人： PARK JONG SAM , LEE JONG SUNG , LEE SUNG HO , WOO JONG CHANG
IPC分类号： B81C1/00 , B81B7/00
CPC分类号： B81B7/00 , B81C1/00 , B81C1/00444 , B81C1/00555
摘要： 본발명은, 실리콘으로이루어진지지기판, 상부실리콘층및 상기지지기판및 상부실리콘층사이의절연층으로이루어진 SOI(Silicon On Insulator) 웨이퍼를준비하는단계(S100); 및상기 SOI 웨이퍼에대하여, 기존의하프소잉(half sawing)을대체하기위하여, 제 3 포토레지스트를도포하고, 상기제 3 포토레지스트를이용하여제 1 딥에칭(deep etching)하는단계(S300);를포함하는, 딥드라이에칭을이용한마이크로머시닝방법를제공한다.
摘要翻译：本发明提供一种使用深干蚀刻的微加工方法，包括：（S100）制备由硅树脂制成的支撑基板，上硅树脂层和由绝缘层制成的绝缘层（SOI）晶片的步骤，衬底和上硅层; 和（S300）在SOI晶片上涂覆第三光刻胶以代替现有的半锯切的步骤，并且使用第三光致抗蚀剂进行SOI晶片的第一次深刻蚀。

3. 发明公开

KR1020030077791A 미소 구동기 제조방법 失效
标题翻译：制造微尺寸驱动装置的方法
公开(公告)号：KR1020030077791A
公开(公告)日：2003-10-04
申请号：KR1020020016681
申请日：2002-03-27
申请人： 한국과학기술원
发明人： 이춘섭 , 이재덕 , 황치호 , 한철희
IPC分类号： B81B7/00
CPC分类号： B81C1/00015 , B81B7/02 , B81B2201/03 , B81B2201/031 , B81B2203/0136 , B81C1/00349 , B81C1/00388 , B81C1/00555
摘要： PURPOSE: A method for fabricating a micro-sized driving device is provided to drive the micro-sized driving device with low operating voltage by allowing electrodes having a comb shape to have fine interval. CONSTITUTION: A substrate is firstly prepared. Then, a first oxide layer, a first silicon layer, a second oxide layer, a nitride layer and a third oxide layer are sequentially deposited on the substrate. A first electrode pattern is formed on the third oxide layer by using a photosensitive film. The third oxide layer, the nitride layer, the second oxide layer and the first silicon layer are etched along the first electrode pattern in order to expose the first oxide layer, thereby obtaining a first electrode having a plurality of fingers. An oxide layer is formed at a lateral portion of the first electrode. Then, a second electrode is formed by etching a fourth oxide layer and a second silicon layer formed on the second silicon layer. After that, the first oxide layer, the second oxide layer, the lateral oxide layer, the fourth oxide layer and the nitride layer are removed, thereby achieving a micro-sized driving device.
摘要翻译：目的：提供一种制造微型驱动装置的方法，通过允许具有梳形形状的电极具有精细的间隔来驱动具有低工作电压的微型驱动装置。构成：首先制备底物。然后，在衬底上依次沉积第一氧化物层，第一硅层，第二氧化物层，氮化物层和第三氧化物层。通过使用感光膜在第三氧化物层上形成第一电极图案。沿着第一电极图案蚀刻第三氧化物层，氮化物层，第二氧化物层和第一硅层，以暴露第一氧化物层，从而获得具有多个指状物的第一电极。在第一电极的侧部形成氧化物层。然后，通过蚀刻形成在第二硅层上的第四氧化物层和第二硅层来形成第二电极。之后，去除第一氧化物层，第二氧化物层，横向氧化物层，第四氧化物层和氮化物层，从而实现微型驱动装置。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式