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    • 1. 发明授权
    • Z축 움직임 성능을 개선하고 구조물 깊이 편차를 최소화하는 마이크로머시닝 방법 및 이를 이용한 가속도 센서
    • 具有Z轴和最小结构深度变化的改进运动性能的MICROMACHINING方法和使用该方法的加速度计
    • KR101539197B1
    • 2015-07-24
    • KR20150018173
    • 2015-02-05
    • STANDING EGG INC
    • PARK JONG SAMLEE JONG SUNGKWON SEONG HOWOO JONG CHANG
    • H01L21/027G01P15/08H01L27/12
    • G01P15/08H01L21/027H01L27/12H01L21/0274H01L27/1203
    • 본발명의 Z축움직임성능을개선하고구조물깊이편차를최소화하는마이크로머시닝방법은, 실리콘으로이루어진지지기판, 상부실리콘층, 및상기지지기판및 상부실리콘층사이의절연층으로이루어진 SOI(Silicon On Insulator) 웨이퍼를준비하는단계(S100); 상기상부실리콘층상에제 1 포토레지스트및 제 2 포토레지스트를도포하여에칭하는단계(S200); 상기 S200단계에서의에칭을통해개방된부분을사용하여, 상기상부실리콘층을에칭하여상기절연층이노출되도록하는제 1 딥에칭(deep etching)하는단계(S300); 상기 S300단계에서딥 에칭된상부실리콘층의측면에산화층을형성시키고, 하부에노출된상기절연층을깊이방향으로에칭하는단계(S400); 상기 S400단계에서의에칭을통해서노출된상기지지기판에대해서제 2 딥에칭하는단계(S500); 및상기 S500단계에서의제 2 딥에칭을통해서노출된상기지지기판을통해서 MEMS부가릴리스(release)되도록희생층인상기지지기판을제거하는단계;를포함한다.
    • 本发明提供了一种改善沿z轴的运动性能并最小化结构深度变化的微加工方法和使用其的加速度计。 微加工方法包括:(S100)由支撑基板和上硅层之间的绝缘层形成的由硅制成的支撑基板,上硅层和绝缘体上硅(SOI)晶片的步骤; (S200)在要蚀刻的上硅层上涂布第一光致抗蚀剂和第二光致抗蚀剂的工序; (S300)进行第一深蚀刻的步骤,其中在步骤S200中通过使用通过蚀刻打开的部分来蚀刻上硅层,以使绝缘层露出; (S400)在步骤S300中进行深蚀刻的上硅层的侧面上形成氧化层的步骤,并在深度方向蚀刻硅层下方的露出绝缘层; (S500)在步骤S400中对通过蚀刻曝光的支撑基板进行第二次深刻蚀的步骤; 以及作为牺牲层去除支撑基板的步骤,以便通过在步骤S500中通过第二深度蚀刻暴露的支撑基板来释放微电子机械系统MEMS部件。