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1. 发明公开

KR1020050026078A 멤스(ＭＥＭＳ) 응용을 위한 저온 플라즈마 실리콘 또는실리콘게르마늄 无效
标题翻译：低温等离子体或符号用于MEMS应用
公开(公告)号：KR1020050026078A
公开(公告)日：2005-03-14
申请号：KR1020057001759
申请日：2003-05-13
申请人： 엔엑스피 유에스에이, 인코포레이티드
发明人： 포에르스트너,주에르젠,에이. , 스미스,스티븐,엠. , 루프,레이몬드,머빈
IPC分类号： B81C1/00 , B81B3/00
CPC分类号： B81C1/0038 , B81B2201/018 , B81B2201/0292 , B81C1/00246 , B81C2201/0164 , B81C2203/0735 , H01G5/18
摘要： A method is provided for making a MEMS structure (69). In accordance with the method, a CMOS substrate (51) is provided which has interconnect metal (53) deposited thereon. A MEMS structure is created on the substrate through the plasma assisted chemical vapor deposition (PACVD) of a material selected from the group consisting of silicon and silicon-germanium alloys. The low deposition temperatures attendant to the use of PACVD allow these materials to be used for MEMS fabrication at the back end of an integrated CMOS process.
摘要翻译：提供了一种用于制造MEMS结构（69）的方法。根据该方法，提供具有沉积在其上的互连金属（53）的CMOS基板（51）。通过等离子体辅助化学气相沉积（PACVD）在由硅和硅 - 锗合金组成的组中选择的材料在衬底上产生MEMS结构。使用PACVD的低沉积温度允许这些材料用于集成CMOS工艺后端的MEMS制造。

2. 发明公开

KR1020160046835A 광학-마이크로파-양자 변환기 审中-实审
标题翻译：光学微波量子传感器
公开(公告)号：KR1020160046835A
公开(公告)日：2016-04-29
申请号：KR1020167006570
申请日：2014-08-27
申请人： 노스롭 그루먼 시스템즈 코포레이션
发明人： 박,재이
IPC分类号： G02B6/122 , B81B3/00 , B82Y20/00 , B81B7/00
CPC分类号： B81B3/0029 , B81B3/0021 , B81B7/0093 , B81B2201/0292 , B81B2201/047 , B82Y20/00 , G02B6/00 , G02B6/1225 , G02B6/1228
摘要： 광학-마이크로파-양자변환기는광학신호들을전송하고수신하도록구성되는테이퍼진광학섬유를포함할수 있다. 상기광학-마이크로파-양자변환기는캔틸레버또한포함할수 있고, 상기캔틸레버는나노광자결정을포함하는광공진기(optical cavity)를포함할수 있다. 상기광공진기는상기테이퍼진광학섬유로부터내뿜어진광자들에의해유도된전자기여기에대응하여기계적여기를제공하도록구성될수 있다. 상기캔틸레버는기계적여기에대응하여초전도공동상에전기적변조를유도하도록구성되는기계적연결기또한포함할수 있다. 상기기계적연결기는초전도공동으로부터의광자들에의해유도된전자기여기에대응하여기계적여기를제공하도록또한구성될수 있다. 상기광공진기는기계적여기에대응하여상기테이퍼진광학섬유상에광학적변조를유도하는전자기여기를제공하도록또한구성될수 있다.

3. 发明公开

KR1020110077522A 압저항 변위센서 및 쉐브론 빔 구조를 가지는 마이크로스테이지 有权
标题翻译：具有PIEZORESISTIVE传感器和CHEVRON束结构的微结构
公开(公告)号：KR1020110077522A
公开(公告)日：2011-07-07
申请号：KR1020090134132
申请日：2009-12-30
申请人： 전남대학교산학협력단
发明人： 이동원 , 최영수
IPC分类号： B81B3/00 , B81B7/00
CPC分类号： B81B3/0035 , B81B7/0019 , B81B2201/0292 , B81B2201/031
摘要： PURPOSE: A micro-stage having a piezo resistance displacement sensor and a chevron beam structure is provided to amplify displacement of a column driver having a large shift through the chevron beam structure extended from four sides of a platform to vertical and horizontal directions. CONSTITUTION: A micro-stage having a piezo resistance displacement sensor and a chevron beam structure includes a platform(100), an extension beam(200), a chevron beam(300), a piezo resistance displacement sensor, and a column driver(400). The platform has a square shape, and a sample is placed in the center of the platform. The extension beam is extended from one side of the platform. The extension beam includes an electrode for preventing the extension beam from being bent to a specific axis. The chevron beam has a 'V' shape, and the center thereof is connected to the extension beam. The chevron beam draws the extension beam to drive the platform when the piezo resistance displacement sensor is driven. The piezo resistance displacement sensor is driven to a particular direction by generating Joule heat when a voltage is applied thereto. The piezo resistance displacement sensor comprises two integrated column drivers.
摘要翻译：目的：提供具有压电阻位移传感器和人字形梁结构的微型平台，用于放大通过从平台的四个侧面延伸到垂直和水平方向的人字形梁结构具有大偏移的列驱动器的位移。构造：具有压电阻位移传感器和人字形梁结构的微型平台包括平台（100），延伸梁（200），人字形梁（300），压电阻位移传感器和列驱动器（400 ）。该平台具有正方形形状，样品放置在平台的中心。延伸梁从平台的一侧延伸。延伸梁包括用于防止延伸梁弯曲到特定轴线的电极。人字形梁具有“V”形，其中心连接到延伸梁。当压电阻力位移传感器被驱动时，人字形梁拉伸延伸梁来驱动平台。当施加电压时，通过产生焦耳热来将压电阻位移传感器驱动到特定的方向。压电阻位移传感器包括两个集成的列驱动器。

4. 发明公开

KR1020170002547A MEMS 음향 센서 및 환경 센서를 포함하는 집적 패키지 및 이를 제조하는 방법 审中-实审
标题翻译：包含MEMS声学传感器和环境传感器的MEMS集成封装及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170002547A
公开(公告)日：2017-01-06
申请号：KR1020167033906
申请日：2015-05-08
申请人： 인벤센스, 인크.
发明人： 차이,줄리어스밍-린 , 캐그다이저,바리스 , 림,마틴 , 켄킨,알렉시에스.
IPC分类号： B81B7/02 , B81C1/00
CPC分类号： B81B7/02 , B81B2201/0214 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2201/0278 , B81B2201/0292 , B81B2207/012 , B81B2207/07 , B81C1/0023 , B81C2203/0792 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2924/16152 , H04R1/04 , H04R19/04 , H04R29/004 , H04R2201/003 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 적어도하나의환경센서및 적어도하나의 MEMS 음향센서의집적된패키지가개시된다. 이패키지는양 센서들을환경에노출시키는공유포트를포함하며, 환경센서는환경특성을측정하고음향센서는음향파들을측정한다. 포트는환경센서를공기흐름에노출시키고음향센서를음향파들에노출시킨다. 음향센서의실례는마이크로폰이며, 환경센서의실례는습기센서이다.
摘要翻译：公开了至少一个环境传感器和至少一个MEMS声学传感器的集成封装。该包装包含共享端口，将两个传感器公开到环境中，其中环境传感器测量环境的特性并且声学传感器测量声波。该端口将环境传感器暴露于气流，声传感器暴露于声波。声学传感器的示例是麦克风，并且环境传感器的示例是湿度传感器。

5. 发明公开

KR1020160091133A 멤스 자계센서 审中-实审
标题翻译： MEMS磁场传感器
公开(公告)号：KR1020160091133A
公开(公告)日：2016-08-02
申请号：KR1020150011400
申请日：2015-01-23
申请人： 엘지이노텍 주식회사
发明人： 서상원 , 서정기
IPC分类号： B81B3/00 , G01R29/08 , B81B7/00
CPC分类号： B81B3/0018 , B81B7/0032 , B81B2201/0292 , G01R29/08
摘要： 멤스자계센서가개시된다. 상기멤스자계센서는고정전극및 측정대상전류의자계에따라상기고정전극에대하여이동가능한구동전극을포함하는멤스자계센서에있어서, 상기구동전극은, 지지층; 상기지지층상부에형성되며감지기준전압을인가받는신호라인; 상기지지층상부에서상기신호라인과소정간격이격되어형성되는절연층; 및상기절연층상부표면을따라형성되며기준전류의유동경로를제공하는전류라인을포함하는멤스자계센서를제공한다.
摘要翻译：公开了一种MEMS磁场传感器。 MEMS磁场传感器具有固定电极和能够根据待测电流的磁场相对于固定电极移动的驱动电极。根据MEMS磁场传感器，驱动电极包括：支撑层; 信号线，形成在支撑层的上部，并施加检测基准电压; 绝缘层，形成为与支撑层的上部的信号线隔开预定距离; 以及沿绝缘层的上表面形成的电流线，提供参考电流的移动路径。

6. 发明公开

KR1020120004936A 센서 모듈 및 센서 모듈의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：传感器模块和生产传感器模块的方法
公开(公告)号：KR1020120004936A
公开(公告)日：2012-01-13
申请号：KR1020110066837
申请日：2011-07-06
申请人： 로베르트 보쉬 게엠베하
发明人： 샤프,울리히 , 쿠글러,안드레아스 , 브륀델,마티아스 , 준더마이어,프리더
IPC分类号： B81C1/00 , B81B7/00 , G01D21/02 , H01L27/00
CPC分类号： G01R33/0052 , B81B2201/0235 , B81B2207/012 , B81C1/00333 , B81C2203/0154 , G01P15/0802 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/181 , B81C1/00023 , B81B7/02 , B81B2201/0264 , B81B2201/0292 , B81C1/00261 , B81C2203/01 , G01D21/02 , H01L27/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： PURPOSE: A sensor module and a method of manufacturing the sensor module are provided to enable simple and cheap fixing of a micro-electric machine member and reduce a space to arrange integrated circuit and the micro-electric machine member on a temporary carrier. CONSTITUTION: A method of manufacturing a sensor module(M) is as follows. A metallic carrier is supplied to a temporary carrier. One or more integrated circuits(3a) are arranged on the temporary carrier. One or more micro-electric machine members(3b) are arranged on the temporary carrier. The micro-electric machine members make contact with the contact surface(1) of the metallic carrier using preferably wire bonding(6). The integrated circuits, the micro-electric machine members and the wire bonding are encased(7). The integrated circuits make contact with the contact surface using at least one re-wiring layer(8).
摘要翻译：目的：提供一种传感器模块和制造传感器模块的方法，以使得能够简单且便宜地固定微电机构件，并且减小了将集成电路和微电机构件布置在临时载体上的空间。构成：制造传感器模块（M）的方法如下。金属载体被提供给临时载体。一个或多个集成电路（3a）布置在临时载体上。一个或多个微电机构件（3b）布置在临时载体上。微电机构件使用优选的引线接合（6）与金属载体的接触表面（1）接触。集成电路，微电机构件和引线接合被封装（7）。集成电路使用至少一个再布线层（8）与接触表面接触。

7. 发明授权

KR101027892B1 웨이퍼 레벨 센싱 패키지 및 그 제조 공정 有权
标题翻译： WAFER水平感测包装及其制造工艺
公开(公告)号：KR101027892B1
公开(公告)日：2011-04-07
申请号：KR1020080028284
申请日：2008-03-27
申请人： 인더스트리얼 테크놀로지 리서치 인스티튜트
发明人： 쉔,렁-타이 , 슈,슌-헌 , 호,쩡-쉐 , 짜이,보르-쉔
IPC分类号： H01L23/58
CPC分类号： B81C1/00793 , B81B7/0054 , B81B2201/0292 , B81B2207/07 , B81C1/00182 , B81C2201/053 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/13023 , H01L2924/1461 , H01L2924/00
摘要： 웨이퍼 레벨 센싱 패키지 및 그 제조 공정이 설명된다. 그 공정은 센싱 영역과 패드를 갖는 센싱 칩을 갖는 웨이퍼를 구비하는 단계; 웨이퍼에 스트레스 완화층을 형성하는 단계; 스트레스 완화층에 포토레지스트층을 클래드하는 단계; 개구 영역과 센싱 영역을 노출함이 없이 패드 및 스트레스 완화층의 일부를 노출하도록 포토레지스트층을 패턴하는 단계; 포토레지스트층에 의해 노출된 스트레스 완화층의 부분에 재배선 패드의 도전성 금속층을 형성하는 단계; 포토레지스트층을 제거하는 단계; 스트레스 완화층과 도전성 금속층에 리클래딩 포토레지스트층을 형성하는 단계; 재분배 패드 영역 상부의 리클래딩 포토레지스트층에 홀을 형성하는 단계; 도전성 금속층에 전기적으로 연결하기 위해 홀에 도전성 범프를 형성하는 단계를 포함한다.

8. 发明公开

KR20180072655A 소음원 가시화 데이터 누적 표시방법 및 음향 카메라 시스템 审中-公开
公开(公告)号：KR20180072655A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：KR20180072684
申请日：2018-06-25
申请人： SM INSTR CO LTD
发明人： KIM YOUNG KI
IPC分类号： G01H3/12 , G03B41/06 , H04R1/10
CPC分类号： G01H3/125 , B81B2201/0292 , G03B41/06 , H04R1/1083 , H04R2201/003
摘要： 본발명 MEMS 음향감지센서(10)들과, 수신된음향신호를중앙처리부(40)로송신하는음향신호습득부(20)와, 상기소음원의광학영상을촬영하는촬영렌즈(30),를포함하여구성된음향및 화상신호습득수단(100)를제공하는단계(S10)와; 제1 시간프레임(T1) 동안에, 상기음향및 화상신호습득수단(100)이소음원의음향신호와영상을습득하는초기신호습득단계(S20)와; 상기중앙처리부(40)가빔 파워(P)를계산하여제1 음향데이터를생성하고, 상기촬영렌즈(30)의신호를기초로영상데이터를생성하는초기분석단계(S30)와; 디스플레이부(50)가제1 음향데이터와화상데이터를코디네이션하여중첩적으로표출하는초기표출단계(S40)와; 상기제1 시간프레임(T1)보다시간적으로이후인제2 시간프레임(T2) 동안에상기음향신호습득부(20)가소음원의음향신호를습득하는누적신호습득단계(S50)와; 상기중앙처리부(40)가제2 시간프레임(T2) 동안에습득된음향신호를기초로누적음향데이터를생성하는누적신호분석단계(S60)와; 상기디스플레이부(50)가상기누적음향데이터를상기초기음향데이터와화상데이터가중첩표시된영상위에표출하는누적표출단계(S70);를포함하여구성되는것을특징으로하는소음원가시화데이터누적표시방법에관한것이다.

9. 发明公开

KR1020110013951A 미세먼지 감지장치 및 이를 이용한 미세먼지 검출방법 有权
标题翻译：空气污染物颗粒监测装置和气雾剂颗粒检测方法
公开(公告)号：KR1020110013951A
公开(公告)日：2011-02-10
申请号：KR1020090071666
申请日：2009-08-04
申请人： 한양대학교 산학협력단
发明人： 박봉현 , 이승백
IPC分类号： B81B7/02 , G02B27/00
CPC分类号： B81B7/02 , B81B7/0083 , B81B2201/0292 , G01N15/14 , G02B27/0068
摘要： PURPOSE: A particulate-matter detecting device and method using the same are provided to prevent accident or damage due to a particulate matter since the mass concentration of a particulate matter can be detected in real time using electrostatic attraction on a MEMS structure. CONSTITUTION: A particulate-matter detecting device comprises a MEMS sensor(120), a driving unit(140) and an optical interferometer(160). The MEMS sensor adsorbs a particulate matter using electrostatic force. The driving unit is attached to the MEMS sensor and makes it resonate. The optical interferometer detects the mass of the particulate matter using the displacement of the sensor due to the particulate matter, which is adsorbed to the MEMS sensor. The MEMS sensor comprises a MEMS structure(122) and an adsorptive electrode(124), which is attached to the MEMS structure and generates electrostatic force.
摘要翻译：目的：提供一种颗粒物检测装置及其使用方法，以防止由于颗粒物质引起的事故或损坏，因为可以使用MEMS结构上的静电吸引实时检测颗粒物质的质量浓度。构成：颗粒物检测装置包括MEMS传感器（120），驱动单元（140）和光学干涉仪（160）。 MEMS传感器使用静电力吸附颗粒物质。驱动单元连接到MEMS传感器并使其谐振。光干涉仪使用由于吸附到MEMS传感器的颗粒物质的传感器的位移来检测颗粒物质的质量。 MEMS传感器包括附接到MEMS结构并产生静电力的MEMS结构（122）和吸附电极（124）。

10. 发明公开

KR1020060129009A 마이크로 기계식 센서 失效
标题翻译：微生物传感器
公开(公告)号：KR1020060129009A
公开(公告)日：2006-12-14
申请号：KR1020067016091
申请日：2004-12-20
申请人： 로베르트 보쉬 게엠베하
发明人： 베어한스-페터 , 회흐스트아르님
IPC分类号： B81B3/00
CPC分类号： B81C1/00182 , B81B2201/0292 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81B2203/0353 , B81C2201/0178
摘要： The invention concerns a micromechanical sensor and a method for the production thereof. According to the invention, the diaphragm can be reliably mounted regardless of process- related vibrations of the cavern etching process and the diaphragm can be provided in any shape due to the fact that a suitable binding of the diaphragm in an oxide layer produced by local oxidation is formed. The micromechanical sensor comprises: at least one substrate (1); an outer oxide layer (9) formed in a laterally outer region (4) in the substrate (1); a diaphragm (15) formed in a laterally inner diaphragm region (5) and having a number of perforations (16), and; a cavern (14) etched into the substrate (1) underneath the diaphragm (15), said diaphragm (15) being suspended in a suspending region (10) of the outer oxide layer (9), this region tapering toward the binding points (12) of the diaphragm (15), and the diaphragm (15) is, in the vertical height thereof, placed between a top side (17) and an underside (19) of the outer oxide layer (9).
摘要翻译：本发明涉及一种微机械传感器及其制造方法。根据本发明，无论孔洞蚀刻工艺的过程相关的振动如何，隔膜都可以可靠地安装，并且可以以任何形状提供隔膜，这是由于隔膜在局部氧化产生的氧化物层中的适当结合形成了。所述微机械传感器包括：至少一个基板（1）; 在所述基板（1）的横向外部区域（4）中形成的外部氧化物层（9）。形成在横向内部隔膜区域（5）中并且具有多个穿孔（16）的隔膜（15），以及蚀刻到隔膜（15）下面的衬底（1）中的一个洞（14），所述隔膜（15）悬挂在外部氧化物层（9）的悬挂区域（10）中，该区域朝向绑定点 12），隔膜（15）的垂直高度位于外侧氧化物层（9）的上侧（17）和下侧（19）之间。

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